JPS6066483A - 強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子 - Google Patents
強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子Info
- Publication number
- JPS6066483A JPS6066483A JP58174070A JP17407083A JPS6066483A JP S6066483 A JPS6066483 A JP S6066483A JP 58174070 A JP58174070 A JP 58174070A JP 17407083 A JP17407083 A JP 17407083A JP S6066483 A JPS6066483 A JP S6066483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- electrode
- sub
- plate
- digital
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title abstract description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910013637 LiNbO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、圧電変換素子に関し、特に２強誘電体単結晶
を用いた圧電変換素子に関するものである。
を用いた圧電変換素子に関するものである。
従来、圧電セラミンクを用いて、共振子、超音波遅延回
路、超音波光変調器用のトランスジューサ等の圧電変換
素子を構成することは、公知である。しかしながら、数
百ＭＨｚ以上の高周波になると、セラミックの音響損失
がかなり大きくなる欠点がある。また、光変調器や光偏
向器の場合には、透明な単結晶上に圧電セラミックカラ
なる超音波トランスジー−サを接着する必要があり、変
換効率が高くばらつきの小さな光学装置を得ることは困
難である。
路、超音波光変調器用のトランスジューサ等の圧電変換
素子を構成することは、公知である。しかしながら、数
百ＭＨｚ以上の高周波になると、セラミックの音響損失
がかなり大きくなる欠点がある。また、光変調器や光偏
向器の場合には、透明な単結晶上に圧電セラミックカラ
なる超音波トランスジー−サを接着する必要があり、変
換効率が高くばらつきの小さな光学装置を得ることは困
難である。
本発明者等は、圧電セラミックの上記欠点に鑑み９強誘
電体単結晶を用いた圧電変換素子を構成することを意図
し１強誘電体単結晶の分域制御法を種々検討したところ
、交差指電極を用いることによって分域制御が可能であ
ることを見出した。
電体単結晶を用いた圧電変換素子を構成することを意図
し１強誘電体単結晶の分域制御法を種々検討したところ
、交差指電極を用いることによって分域制御が可能であ
ることを見出した。
本発明は２強誘電体単結晶の分域制御についての、この
ような新たな知見にもとづいてなされたものである。
ような新たな知見にもとづいてなされたものである。
即ち１本発明は２強誘電体単結晶表面上に。
周期Ｐとする交差指電極が形成されており、該強誘電体
単結晶表面層には、反平行の自発分極を持った細長い領
域が上記交差指電極と同じ周期をもって交互に形成され
ていることを特徴とする強誘電体単結晶を用いた変換素
子である。
単結晶表面層には、反平行の自発分極を持った細長い領
域が上記交差指電極と同じ周期をもって交互に形成され
ていることを特徴とする強誘電体単結晶を用いた変換素
子である。
なお、上記自発分極を有する細長い領域と上記交差指電
極とは、互いにＰ／２周期ずれて構成すると、異なる特
性のものが得られる。
極とは、互いにＰ／２周期ずれて構成すると、異なる特
性のものが得られる。
強誘電体単結晶は、特に限定されるものではないが、ニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ２）やタンクル酸リチウム
（Ｌｉ’ｆ’ａＯ３）等が実用上好ましい。
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ２）やタンクル酸リチウム
（Ｌｉ’ｆ’ａＯ３）等が実用上好ましい。
以下１本発明について２図面を参照して詳細に説明する
。
。
まず、第１図および第２図を参照して分域制御について
説明する。
説明する。
第１図を参照して１強誘電体単結晶１の表面上に１図示
のとおりの交差指電極２を形成する。
のとおりの交差指電極２を形成する。
電極指は幅ａ、長さＷで９周期Ｐをもって形成され、一
つおきに共通に接続されて、くシ形電極２ａ 、 ２ｂ
を構成している。 なお、電極材料としては゛、単結晶
のキュリ一点以上に加熱しても消失しないような材料を
用いる必要がある。このような材料としては２例えば、
銀ペーヌト充用いられる。
つおきに共通に接続されて、くシ形電極２ａ 、 ２ｂ
を構成している。 なお、電極材料としては゛、単結晶
のキュリ一点以上に加熱しても消失しないような材料を
用いる必要がある。このような材料としては２例えば、
銀ペーヌト充用いられる。
各電極指は結晶軸のＸ軸に平行に延在するように設け、
クシ形電極２ａ、２ｂ間に直流電圧を印加したままキュ
リ一点から温度下げる分極処理を施したところ、単結晶
の表面層に反平行の自発分極を持った領域が電極と同じ
周期で交互に形成された。この分極領域の確認は１分極
処理された単結晶を硝酸と７ノ酸の混合液でエツチング
した後、顕微鏡や、偏光顕微鏡で観察することによって
行なわれた。
クシ形電極２ａ、２ｂ間に直流電圧を印加したままキュ
リ一点から温度下げる分極処理を施したところ、単結晶
の表面層に反平行の自発分極を持った領域が電極と同じ
周期で交互に形成された。この分極領域の確認は１分極
処理された単結晶を硝酸と７ノ酸の混合液でエツチング
した後、顕微鏡や、偏光顕微鏡で観察することによって
行なわれた。
第２図に分域モデルを示す。第２図（ａ）は、単結晶が
？５°回転Ｙ板の場合を示し、第２図（ｂ）は。
？５°回転Ｙ板の場合を示し、第２図（ｂ）は。
１６４°回転Ｙ板の場合で、各図において、領域Ａ。
Ｂが、Ｃ軸がそれぞれ正および負の方向を向いた単分域
の領域で、Ｃ領域が多分域を示している。即ち、９５°
回転Ｙ板では電極指２の直下が。
の領域で、Ｃ領域が多分域を示している。即ち、９５°
回転Ｙ板では電極指２の直下が。
１６４°回転Ｙ板では電極指間で、それぞれ単分域化さ
れている。
れている。
このように、交差指電極を用いて強誘電体単結晶の分域
制御が行なえるので、これを利用して圧電変換を行なわ
せることができ、共振子。
制御が行なえるので、これを利用して圧電変換を行なわ
せることができ、共振子。
超音波遅延素子、光変調器等に利用できる。
以下実施例について説明する。
実施例−１
ＬＩＴａＯ３単結晶からなる。厚さ０．９６ｍｍの９５
゜回転Ｙ板と、厚さ０．３１ｍ＋＋の１６４°回転Ｙ板
のそれぞれの表面に、第１図と同様の交差指電極を。
゜回転Ｙ板と、厚さ０．３１ｍ＋＋の１６４°回転Ｙ板
のそれぞれの表面に、第１図と同様の交差指電極を。
Ｐ＝ ６ＤＯｌｔｍ、 ａ／Ｐ＝ ０．５． Ｗ＝ ４
．２Ｗ、 Ｎ （電極指対数）＝３．５として形成し、
交差指電極の端子間インピーダンスの周波数特性を測定
した。分極処理の際の印加電圧Ｖｄｃ／ （Ｐ −ａ
）としては、９５゜回転Ｙ板の場合は、８，１１．２４
ηｉの６種類について、１６４°回転Ｙ板の場合は、
８．１６．２４を６の３種類について、それぞれ、実験
した。
．２Ｗ、 Ｎ （電極指対数）＝３．５として形成し、
交差指電極の端子間インピーダンスの周波数特性を測定
した。分極処理の際の印加電圧Ｖｄｃ／ （Ｐ −ａ
）としては、９５゜回転Ｙ板の場合は、８，１１．２４
ηｉの６種類について、１６４°回転Ｙ板の場合は、
８．１６．２４を６の３種類について、それぞれ、実験
した。
第３図（ａ） 、 （ｂ）は、それぞれ、９５°回転Ｙ
板のＶｄｃ／ （Ｐ −ａ ） −１１ηらの場合、お
よび１６４°回転Ｙ板のｖｄｃ／ （Ｐ−ａ ） ＝
１６ Ｖ／＋ｃ＋ｎの場合のインピーダンスの絶対値の
周波数特性である。
板のＶｄｃ／ （Ｐ −ａ ） −１１ηらの場合、お
よび１６４°回転Ｙ板のｖｄｃ／ （Ｐ−ａ ） ＝
１６ Ｖ／＋ｃ＋ｎの場合のインピーダンスの絶対値の
周波数特性である。
直流電圧を印加せずに、キュリ一点から温度を下げた試
料では全く共振レスポンスが観測されなかったが、直流
電圧を印加して分域制御を行なったものでは、第６図に
示されるように多くの共振レスポンスが現れた。Ｖｄｃ
／ （Ｐ −ａ ）＝８Ｖ／ｃｍの場合には、第３図の
場合よりもレスポンスが小さかったが、 Ｖｄｃ／ （
Ｐ −ａ ） −２４Ｖ／ｃｍの場合には、第６図とほ
ぼ同様であった。
料では全く共振レスポンスが観測されなかったが、直流
電圧を印加して分域制御を行なったものでは、第６図に
示されるように多くの共振レスポンスが現れた。Ｖｄｃ
／ （Ｐ −ａ ）＝８Ｖ／ｃｍの場合には、第３図の
場合よりもレスポンスが小さかったが、 Ｖｄｃ／ （
Ｐ −ａ ） −２４Ｖ／ｃｍの場合には、第６図とほ
ぼ同様であった。
このことから、 Ｖｄｃ／ （Ｐ −ａ ）の値は、１
５〜２０■偽で十分であろうと思われる。
５〜２０■偽で十分であろうと思われる。
第６図（ａ）では９周期的な共振レスポンス（Ｌ２〜ｔ
’ａ）が観測されているが、これらは、高次厚み縦振動
の共振周波数の理論値と良く一致している。
’ａ）が観測されているが、これらは、高次厚み縦振動
の共振周波数の理論値と良く一致している。
このことは、また１表面に垂直な方向に縦波バルク波の
励振が可能であることを示している。
励振が可能であることを示している。
一方、第３図（ｂ）の１６４°回転Ｙ板では、高次の厚
み縦振動および厚みすべり振動の共振周波数の理論値と
一致するような大きなレスポンスはない。したがって９
表面に垂直な方向には縦波も横波もほとんど励振されな
いことになる。
み縦振動および厚みすべり振動の共振周波数の理論値と
一致するような大きなレスポンスはない。したがって９
表面に垂直な方向には縦波も横波もほとんど励振されな
いことになる。
第６図（ｂ）に現われた共振レスポンスは表面波あるい
は表面に対して斜めに伝搬するバルク波によるものと考
えられる。
は表面に対して斜めに伝搬するバルク波によるものと考
えられる。
実施例−２
次に実施例１で得た１分域処理された単結晶板上の電極
を取り除き９同じ構造の交差指電極を、取り除く前の交
差指電極とは、半周期（Ｐ／２だけずらせて形成した。
を取り除き９同じ構造の交差指電極を、取り除く前の交
差指電極とは、半周期（Ｐ／２だけずらせて形成した。
この場合のインピーダンヌの周波数特性を第４図に示す
。
。
９５°回転Ｙ板の場合を示す第４図（ａ）、１６４°回
転Ｙ板の場合を示す第４図（ｂ）を、第６図（ａ）、（
ｂ）とそれぞれ比較すれば明らかなように１本実施例の
場合、非常に大きな共振レスポンスが周期的に現われて
おり、その周波数は高次厚みすべり振動の共振周波数の
理論値と良く一致している。したがってセラミックの場
合と同様に表面に垂直な方向に横波の励振が可能である
ことがわかる。
転Ｙ板の場合を示す第４図（ｂ）を、第６図（ａ）、（
ｂ）とそれぞれ比較すれば明らかなように１本実施例の
場合、非常に大きな共振レスポンスが周期的に現われて
おり、その周波数は高次厚みすべり振動の共振周波数の
理論値と良く一致している。したがってセラミックの場
合と同様に表面に垂直な方向に横波の励振が可能である
ことがわかる。
上記実施例１および２で示したように１本発明による強
誘電体単結晶を用いた圧電変換素子は、前述のように、
共振レスポンスを示すので。
誘電体単結晶を用いた圧電変換素子は、前述のように、
共振レスポンスを示すので。
振動子として利用できるが、同時に表面に垂直な方向に
縦波あるいは横波を励振できるので。
縦波あるいは横波を励振できるので。
超音波トランスジューサとして利用できる。
次に、この超音波トランスジューサを用いた） 遅延素
子の実施例について説明する。
子の実施例について説明する。
実施例−３
第５図に１１で示すように、互いに平行な２つの２面を
持ったＬｉＴａＯ３単結晶ブロックを切り出し２両Ｚ面
上に第１図に示すと同様の構造で。
持ったＬｉＴａＯ３単結晶ブロックを切り出し２両Ｚ面
上に第１図に示すと同様の構造で。
実施例１と同寸法の交差指電極１２．１３を形成した。
各交差指電極にＶｄｃ／ （Ｐ −ａ ） ＝ １６
Ｖ／Ｃｍの直流を印加して分極処理を施した。かくして
、単結晶ブロック１１の平行両端に人出トランスジュー
サを備えた遅延素子が得られる。なお平行な２面間距離
は８．６■であった。
Ｖ／Ｃｍの直流を印加して分極処理を施した。かくして
、単結晶ブロック１１の平行両端に人出トランスジュー
サを備えた遅延素子が得られる。なお平行な２面間距離
は８．６■であった。
今、一方の交差指電極１２ヘインパルスを入力させたと
き、他方の交差指電極から遅延してパルス波が出力され
た。
き、他方の交差指電極から遅延してパルス波が出力され
た。
第６図は、この出力波形図を示している。最初のパルス
と２番目のパルスの遅延時間からめた速度は、縦波速度
の理論値と良く合致している。即ち、Ｒ波超音波の遅延
素子が得られている。
と２番目のパルスの遅延時間からめた速度は、縦波速度
の理論値と良く合致している。即ち、Ｒ波超音波の遅延
素子が得られている。
なお、 第６図で、第１と第２のパルスのＩ’ｓ’］
Ｋ生じているスプリアスはブロックの側面で反射した波
によるものと考えられる。
Ｋ生じているスプリアスはブロックの側面で反射した波
によるものと考えられる。
捷た。 ＲＦパルスの送受の実験からこの縦波用トラン
スジューサの変換損は１１ ＭＨｚで３０ｔｉＢ程度で
あることがわかった。
スジューサの変換損は１１ ＭＨｚで３０ｔｉＢ程度で
あることがわかった。
実施例−４
実施例６と同様にして分域制御した単結晶ブロックの両
端の交差指電極１２．１３を除去し、同表面に、実施例
２と同様にして、同じ構造の交差指電極を半周期（Ｐ／
２）だけずらせて形成した。
端の交差指電極１２．１３を除去し、同表面に、実施例
２と同様にして、同じ構造の交差指電極を半周期（Ｐ／
２）だけずらせて形成した。
この電極を用いて励振すると、実施例２で示したように
横波が励振される。
横波が励振される。
今一端の交差指電極にインパルスを入力し。
他端の出力波形を観察すると第７図のとおりである。こ
の横波用）・ランスジューサの変換損は７ＭＨｚで約２
４ｄＢであった。
の横波用）・ランスジューサの変換損は７ＭＨｚで約２
４ｄＢであった。
実施例３，４から明らかなように２強誘電体単結晶の表
面に交差指電極を形成して分極処理を施すこと、あるい
は、その後、交差指電極の位置をＰ／２ずらせて設ける
ことによって超音波トランス・／ユーザが得られるので
１例えば、光変調器や光偏向器のような、透明な強誘電
体表面に、直接超音波トランスジー−サを形成でき。
面に交差指電極を形成して分極処理を施すこと、あるい
は、その後、交差指電極の位置をＰ／２ずらせて設ける
ことによって超音波トランス・／ユーザが得られるので
１例えば、光変調器や光偏向器のような、透明な強誘電
体表面に、直接超音波トランスジー−サを形成でき。
従来のように、セラミック超音波トランスジューサを透
明誘電体上に接着する構成を採る必要がなくなるので１
本発明の圧電変換素子は、超音波光変調器等に有利に用
いることができる。
明誘電体上に接着する構成を採る必要がなくなるので１
本発明の圧電変換素子は、超音波光変調器等に有利に用
いることができる。
以上の説明から明かなように９本発明によれば２分域制
御された強誘電体単結晶からなる圧電変換素子が得られ
、しかも、その人カインピ−ダンスは共振レスポンスを
示すので、高周波での共振子を提供できるとともに、音
響損失の小さな超音波トランスジー−サを提供でき、遅
延素子に利用できるとともに、透明体に直接超音波トラ
ンスジューサを構成した超音波光変調器や光偏向器を可
能にするという種々の利点を奏する。
御された強誘電体単結晶からなる圧電変換素子が得られ
、しかも、その人カインピ−ダンスは共振レスポンスを
示すので、高周波での共振子を提供できるとともに、音
響損失の小さな超音波トランスジー−サを提供でき、遅
延素子に利用できるとともに、透明体に直接超音波トラ
ンスジューサを構成した超音波光変調器や光偏向器を可
能にするという種々の利点を奏する。
第１図は９本発明の圧電変換素子の一実施例を示す図で
、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は断面図である。 第２図は、第１図の変換素子における分域モデルを示す
図で、（ａ）図は単結晶が９５°回転Ｙ板の場合で、（
ｂ）図は１６４°回、転Ｙ板の場合である。 第６図は、実施例１におけるインピーダンスの周波数特
性を示す図で、（ａ）図は、単結晶として９５°回転Ｙ
板を用いた場合、（ｂ）図は、１６４゜回転Ｙ板を用い
た場合である。 第４図は、実施例２におけるインピーダンスの周波数特
性を示す図で、（ａ）図は９５°回転Ｙ板を用いた場合
、（ｂ）図は１６４°回転Ｙ板を用いた場合を示してい
る。 第５図は、遅延素子に用いた実施例を示す断面図である
。 第６図は、第５図の遅延素子の出力波形図である。 第７図は、第５図の交差指電極を半周期ずらせた実施例
４における出力波形を示す図である。 図において。 １・・・強誘電体単結晶。 ２・・・交差指電極。 ２ａ、２ｂ・・・電極指。 １１・・・強誘電体単結晶ブロック。 １２、１．３・・・交差指電極。 Ａ、Ｂ・・・単分域、 Ｃ・・・多分域。 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 （Ｑ） 第３図 周濠数（ＭＨｚ） 周滌数（にＨｚ） 琳４図 （０） 周波数（ＭＨｚ） 周５床数 （ＭＨｚ） 第５図 ｊ 弗６図 第７図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５８年特許願第１７４０７０号 ２、発明の名称 強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子 ６、補正をする者 氏名 清 水 洋 ４、代理人 〒１０５ ５、補正命令の日付 一ヤ 自発補正 〉＼ １【１０ｉｊｌ、ン（川 ６、補正の対象 １）明 細 書 ２）図 面 ３）委 任 状 ４）証 明 書 Ｚ 補正の内容
、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は断面図である。 第２図は、第１図の変換素子における分域モデルを示す
図で、（ａ）図は単結晶が９５°回転Ｙ板の場合で、（
ｂ）図は１６４°回、転Ｙ板の場合である。 第６図は、実施例１におけるインピーダンスの周波数特
性を示す図で、（ａ）図は、単結晶として９５°回転Ｙ
板を用いた場合、（ｂ）図は、１６４゜回転Ｙ板を用い
た場合である。 第４図は、実施例２におけるインピーダンスの周波数特
性を示す図で、（ａ）図は９５°回転Ｙ板を用いた場合
、（ｂ）図は１６４°回転Ｙ板を用いた場合を示してい
る。 第５図は、遅延素子に用いた実施例を示す断面図である
。 第６図は、第５図の遅延素子の出力波形図である。 第７図は、第５図の交差指電極を半周期ずらせた実施例
４における出力波形を示す図である。 図において。 １・・・強誘電体単結晶。 ２・・・交差指電極。 ２ａ、２ｂ・・・電極指。 １１・・・強誘電体単結晶ブロック。 １２、１．３・・・交差指電極。 Ａ、Ｂ・・・単分域、 Ｃ・・・多分域。 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 （Ｑ） 第３図 周濠数（ＭＨｚ） 周滌数（にＨｚ） 琳４図 （０） 周波数（ＭＨｚ） 周５床数 （ＭＨｚ） 第５図 ｊ 弗６図 第７図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５８年特許願第１７４０７０号 ２、発明の名称 強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子 ６、補正をする者 氏名 清 水 洋 ４、代理人 〒１０５ ５、補正命令の日付 一ヤ 自発補正 〉＼ １【１０ｉｊｌ、ン（川 ６、補正の対象 １）明 細 書 ２）図 面 ３）委 任 状 ４）証 明 書 Ｚ 補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強誘電体単結晶表面上に２周期Ｐとする交差指電極
が形成されており、該強誘電体単結晶表面層には１反平
行の自発分極を持った細長い領域が上記交差指電極と同
じ周期をもって交互に形成されていることを特徴とする
強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子。 ２、特許請求の範囲第１項の圧電変換素子において、上
記自発分極を有する細長い領域と上記交差指電極とは、
互いにＶ２周期ずれていることを特徴とする圧電変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174070A JPS6066483A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174070A JPS6066483A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066483A true JPS6066483A (ja) | 1985-04-16 |
| JPH0354894B2 JPH0354894B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=15972104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174070A Granted JPS6066483A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066483A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471207A (en) * | 1986-09-02 | 1989-03-16 | Hiroshi Shimizu | Device utilizing linbo3 substrate having polarization inverting region |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959551A (ja) * | 1972-06-27 | 1974-06-10 | ||
| JPS5583274A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Toshiba Corp | Piezo-electric sheet and method of fabricating the same |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58174070A patent/JPS6066483A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959551A (ja) * | 1972-06-27 | 1974-06-10 | ||
| JPS5583274A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Toshiba Corp | Piezo-electric sheet and method of fabricating the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471207A (en) * | 1986-09-02 | 1989-03-16 | Hiroshi Shimizu | Device utilizing linbo3 substrate having polarization inverting region |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0354894B2 (ja) | 1991-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nakamura et al. | Orientation dependence of electromechanical coupling factors in KNbO/sub 3 | |
| JPH025327B2 (ja) | ||
| Nakamura et al. | Broadband ultrasonic transducers using a LiNbO/sub 3/plate with a ferroelectric inversion layer | |
| US20110006638A1 (en) | Multidomain acoustic wave devices | |
| EP1111585A3 (de) | Verfahren zur Erregung von Lambwellen in einer Platte, insbesondere in einer Behälterwand, und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und zum Empfang der erregten Lambwellen | |
| US4464639A (en) | Ferroelectric surface acoustic wave devices | |
| JPH10178331A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| US2669666A (en) | Piezoelectric transducer | |
| JPS6066483A (ja) | 強誘電体単結晶を用いた圧電変換素子 | |
| JP2565346B2 (ja) | 分極反転領域を有するＬｉＮｂＯ▲下３▼／ＬｉＴａＯ▲下３▼単結晶圧電基板及びその製造方法 | |
| US5714830A (en) | Free edge reflective-type surface acoustic wave device | |
| Hachigo et al. | SAW device modeling including velocity dispersion based on ZnO/diamond/Si layered structures | |
| Nakamura et al. | Electromechanical coupling factor of KNbO/sub 3/single crystal | |
| Nakamura | Piezoelectric applications of ferroelectric single crystals | |
| Matic et al. | Numerical Simulation on Periodically Poled Lithium Niobate Transducers on Rotated Cuts | |
| JPH0537533Y2 (ja) | ||
| JPH08204499A (ja) | 表面波装置 | |
| SU807330A1 (ru) | Устройство дл определени сверткиОгибАющиХ МОдулиРОВАННыХ СигНАлОВ | |
| Nakamura et al. | LiNbO/sub 3/ultrasonic transducers with an inverted-domain layer for radiation to a solid medium | |
| JPS6025312A (ja) | 圧電振動子 | |
| SU704669A2 (ru) | Устройство дл формировани ультразвукового пол | |
| JP3222965B2 (ja) | エラスティックコンボルバ装置 | |
| Yamanouchi et al. | KNbO3 and Super High Coupling Single Crystals for SAW and BAW Devices | |
| JPH07108039B2 (ja) | 正方形板振動子駆動方法 | |
| Matsumoto et al. | 1J2-1 High Frequency Thickness Expansion Mode Bulk Acoustic Wave Resonator Using LN Single Crystal Thin Plate |