JPS6066877A - フオトダイオ−ド - Google Patents
フオトダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6066877A JPS6066877A JP58175856A JP17585683A JPS6066877A JP S6066877 A JPS6066877 A JP S6066877A JP 58175856 A JP58175856 A JP 58175856A JP 17585683 A JP17585683 A JP 17585683A JP S6066877 A JPS6066877 A JP S6066877A
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- JP
- Japan
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/221—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN homojunction
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、光検知素子であるソメトダイオードに関する
。
。
（ロ）従来技術
従来光通過域に、Ｉ３いて＋１型端η）ｔ」二にｐ型拡
ｉｆ＆層を形成−Ｊるフォトダイオードでは、光はｌ）
型拡散ｊｉ１を通追１してｐ−ｎ接合面に到達するため
、ｐ型拡＋ｉ＆ Ｉ＋％ ｃの入射光の減衰を少なくし
、（１１イリノ率を高めるためにはｐ型拡散層はできる
たり薄いほうが望まし５い（０，５ｐｍｌり下）。
ｉｆ＆層を形成−Ｊるフォトダイオードでは、光はｌ）
型拡散ｊｉ１を通追１してｐ−ｎ接合面に到達するため
、ｐ型拡＋ｉ＆ Ｉ＋％ ｃの入射光の減衰を少なくし
、（１１イリノ率を高めるためにはｐ型拡散層はできる
たり薄いほうが望まし５い（０，５ｐｍｌり下）。
とごろかｐ型拡散層にアルミニウムコンタクトを形成す
る際、コンタクト＜３１Ｘにおいてアルミニウムとシリ
コンの合金化によるノリザ・イトがｐ Ｊｉ’、Ｉ拡散
層内に形成される。そのため前記のようノ、會１〜いｐ
型拡散層にアルミニウムコンタクトを形成すると、前記
シリサイドがｐ −ｎ接合面伺近にまで達し暗電流が非
常に多くなっ−でしまい、フＡＩ・ダイオードの特性が
悪化してしまう。さらにｉ’＋ｉｉ記合金化が進むとｐ
−ｎ接合面が短絡してしまい、ソＡトダイオードとして
の機能がなくなってしまう。
る際、コンタクト＜３１Ｘにおいてアルミニウムとシリ
コンの合金化によるノリザ・イトがｐ Ｊｉ’、Ｉ拡散
層内に形成される。そのため前記のようノ、會１〜いｐ
型拡散層にアルミニウムコンタクトを形成すると、前記
シリサイドがｐ −ｎ接合面伺近にまで達し暗電流が非
常に多くなっ−でしまい、フＡＩ・ダイオードの特性が
悪化してしまう。さらにｉ’＋ｉｉ記合金化が進むとｐ
−ｎ接合面が短絡してしまい、ソＡトダイオードとして
の機能がなくなってしまう。
（ハ）Ｌ１的
本発明は、感度を下げることなく 、Ｉｌｌ電ＤＩこの
少ない食費性のフォトダイオ−１−を提供することを１
」的としている。
少ない食費性のフォトダイオ−１−を提供することを１
」的としている。
（ニ）構成
本発明に係るフォトダイオードＬ：ｌ： 、受光ｆ１１
４の−Ｊコンタク・下方の接合部分が該受光部の他の接
合部分よりも深く形成されていることを９１１徴として
いる。
４の−Ｊコンタク・下方の接合部分が該受光部の他の接
合部分よりも深く形成されていることを９１１徴として
いる。
（ボ）実施例
第１図は本発明の一実施例を示す構成断面図Ｃある。
同図に１６いで１はｎ型基盤で、その上面部の−Ｄ：ｊ
＋にｎ−１八旧〃、散層２が形成され、それと少し間隔
を隔ててｎ型基盤１１面の受光部に相当する部分にｐ型
拡ｉｔ＆ Ｉ丙３が形成されている。これにまって＋１
型ｉ、弓ｊｉｉ ｌとｐ型拡散１ｅｊ ３のあいだにｐ
−ｎ接合＋Ｉｉｉ ４が形成される。
＋にｎ−１八旧〃、散層２が形成され、それと少し間隔
を隔ててｎ型基盤１１面の受光部に相当する部分にｐ型
拡ｉｔ＆ Ｉ丙３が形成されている。これにまって＋１
型ｉ、弓ｊｉｉ ｌとｐ型拡散１ｅｊ ３のあいだにｐ
−ｎ接合＋Ｉｉｉ ４が形成される。
ｒｌ型ノＩ’； ａ：Ｉ ’、ｒｌｌ型拡ｉ１＆Ｉｅ２
及びｐ型拡ｔｔ＆Ｅ７３上ｉ’ｊｐにソリコン酸化１１
Ｎ ５が形成され、ｎ＋ ＞、＜２１１： ＨｋＪ７ｉ
コンタクｌ−６及びｐ型拡１ｔ＆ 層コンタク１〜７が
それぞれ所定位置に形成される。そし゛Ｃｐ型拡１ｆ＆
ｌｉコンタクｌ−７−Ｆ部にｐ型拡散１ｉ７過剰拡１
１に部分８が他の受光部のｐ−τｌ接合面４ 、Ｊ、り
も７朶く形成される。
及びｐ型拡ｔｔ＆Ｅ７３上ｉ’ｊｐにソリコン酸化１１
Ｎ ５が形成され、ｎ＋ ＞、＜２１１： ＨｋＪ７ｉ
コンタクｌ−６及びｐ型拡１ｔ＆ 層コンタク１〜７が
それぞれ所定位置に形成される。そし゛Ｃｐ型拡１ｆ＆
ｌｉコンタクｌ−７−Ｆ部にｐ型拡散１ｉ７過剰拡１
１に部分８が他の受光部のｐ−τｌ接合面４ 、Ｊ、り
も７朶く形成される。
また入射光はｐ型拡：ｉ’ｉ、 Ｉぜ；３を通過し−（
ｐ −ｎ接合面４に到達するか、光の減ｇを防止するた
めに、＋ｉｉｔ記ｐ−ｒｌ接合は、受光部のコンタクト
であるｐ型拡散１５’ｉ 二＋ンタクト７部分を除いて
極めて浅く （０，５μｍ以下）に形成されている。
ｐ −ｎ接合面４に到達するか、光の減ｇを防止するた
めに、＋ｉｉｔ記ｐ−ｒｌ接合は、受光部のコンタクト
であるｐ型拡散１５’ｉ 二＋ンタクト７部分を除いて
極めて浅く （０，５μｍ以下）に形成されている。
つぎに、本実施例に係るフォＩ−ダイオードの製造工程
につい′Ｃ述べろ。
につい′Ｃ述べろ。
第２図は本実施例に係るソ第１・ダ１羽−１・の製造工
程を説明するための図である。ｉ’； １．’、−４’
＋！に−）いて１ｌＩｌｉを追って説明する。
程を説明するための図である。ｉ’； １．’、−４’
＋！に−）いて１ｌＩｌｉを追って説明する。
（，１）研磨、洗浄したｒ１２（″１基４７．’ｉ ｌ
上面に水ブ・ｒ気１復化を行い、シリコン酸化膜４を形
成する。
上面に水ブ・ｒ気１復化を行い、シリコン酸化膜４を形
成する。
（ｂｌ 写真食刻工程によってシリコン酸化ｔ１１′ｌ
′！＋’＋にｎ ”型拡散部の窓開りをおこなう。
′！＋’＋にｎ ”型拡散部の窓開りをおこなう。
（Ｃ１リンなどの［１型不純物を拡１１にずイ）ごとに
、ｊ、ってｎｌ−型拡散ｊ聞２を形成する。
、ｊ、ってｎｌ−型拡散ｊ聞２を形成する。
ｔｄｌ 写真食刻」二稈によってソリフン酸化１１１叉
４に［）型拡散Ｉ腎過剰拡１１に部の窓開りをおこなう
。
４に［）型拡散Ｉ腎過剰拡１１に部の窓開りをおこなう
。
（ｃｌ ホ１′１ンなと゛のｐ暦り不に上物を１広１ｆ
Ｉ／、すること６．二、１、ってｐ型拡散層過刺拡１１
に部分８を形成する。
Ｉ／、すること６．二、１、ってｐ型拡散層過刺拡１１
に部分８を形成する。
（［）写真食刻工程によってシリ−ノンＨｆ、９化１１
９４にｐ型拡１ｆｋ層部の窓開けをおこなう。
９４にｐ型拡１ｆｋ層部の窓開けをおこなう。
（ｇｌ ボｔコン拡１’ｌによって浅いｐ型拡ｉ１Ｎ！
＃３を形成する。
＃３を形成する。
（１１）写真食刻工程によってシリコン酸化膜４にｎ
Ｆ型拡散ｊ苗コンタクト６及びｐ型拡散ｊジｊコンタク
ｌ−７部に窓開りをおこなう。
Ｆ型拡散ｊ苗コンタクト６及びｐ型拡散ｊジｊコンタク
ｌ−７部に窓開りをおこなう。
（ｉ＋ アルミニウＪ＼芸着及び写真食刻工程によって
０４型拡散１ｉ４ｉコンタク１−６及びｐ型拡散部［；
に１ンタクト７を形成する。
０４型拡散１ｉ４ｉコンタク１−６及びｐ型拡散部［；
に１ンタクト７を形成する。
なお、上述の実施例では、ｎ型基盤にｐ型拡散１ｉツを
形成するとしＣ説明したが、これは、ｐ型基＜（：ｔに
ｎ〕ｌ’ｌ拡故層を形成するものであっても勿論よい。
形成するとしＣ説明したが、これは、ｐ型基＜（：ｔに
ｎ〕ｌ’ｌ拡故層を形成するものであっても勿論よい。
また、′−１′−導体基Ｊｉｉｉ：とじては、シリコン
の他に、〔；（シ、 Ｇ１〕八ｓ１１ｎＧａ八ｓ、［；
ａ＾１八ｓへＧａ八へ Ｐ 、ｌ ｎ Ｇ ｄＡ ｓ
ｉ〕 であっζよい。
の他に、〔；（シ、 Ｇ１〕八ｓ１１ｎＧａ八ｓ、［；
ａ＾１八ｓへＧａ八へ Ｐ 、ｌ ｎ Ｇ ｄＡ ｓ
ｉ〕 であっζよい。
（・＼） リノ果
本発明に（糸る）、Ａ１タイオー１” ＆；ｌ、受光部
の、、ＪンククＦカの１）ｉ合を深く形成しであるから
、前記、ノンタクトｌ：’ ｒｒ＋＋に形成されるシリ
ザイ１′が寝易に１）−ｒ１１部面に達しない。したが
って、従来のものに比較して、ｌ’ｉｆ電流の少ない良
性性のフＡｌ・タイオー［を実現できる。
の、、ＪンククＦカの１）ｉ合を深く形成しであるから
、前記、ノンタクトｌ：’ ｒｒ＋＋に形成されるシリ
ザイ１′が寝易に１）−ｒ１１部面に達しない。したが
って、従来のものに比較して、ｌ’ｉｆ電流の少ない良
性性のフＡｌ・タイオー［を実現できる。
ま）こ、本発明に係るフッ）・ダイオードは、１ｉｉｉ
記：ノンタクト−ｊ’ｌ（分局外の受光部の接合を深く
するごとがないから、受光感度をさげることがない。
記：ノンタクト−ｊ’ｌ（分局外の受光部の接合を深く
するごとがないから、受光感度をさげることがない。
！８１図は本発明の一実施例を示す構成断面１ツ１、第
２図は本実施例に係るフォトダ・イオー１−の製造工程
を説明するだめの図である。 １・・・ｎ型基盤、３・・・ｐ ４（、：ｊ拡散ＩＸづ
、７・・・ｐ型拡散層コンタクト、８・・・ｐ型拡散１
７ｉ過刺拡１ｉ（部分。 ４）許出ｊの１人 林ｊ（会７１．島〆Ｖ（シ旧７１所
代理人 弁理士 大 西 孝 治 第［図 第２図 （Ｃ） （ｈ） （ｅ）
２図は本実施例に係るフォトダ・イオー１−の製造工程
を説明するだめの図である。 １・・・ｎ型基盤、３・・・ｐ ４（、：ｊ拡散ＩＸづ
、７・・・ｐ型拡散層コンタクト、８・・・ｐ型拡散１
７ｉ過刺拡１ｉ（部分。 ４）許出ｊの１人 林ｊ（会７１．島〆Ｖ（シ旧７１所
代理人 弁理士 大 西 孝 治 第［図 第２図 （Ｃ） （ｈ） （ｅ）
Claims (1)
- （１）受光ｆ！１）のコンタク１〜下方の接合部分が該
受光部の他の接合部分よりも深く形成されていることを
特徴とするツメ１−ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175856A JPS6066877A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | フオトダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175856A JPS6066877A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | フオトダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066877A true JPS6066877A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=16003391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175856A Pending JPS6066877A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | フオトダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066877A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4986249A (en) * | 1988-10-12 | 1991-01-22 | Nissan Motor Co., Ltd. | Ignition apparatus mounting structure for internal combustion engine |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4858798A (ja) * | 1971-11-24 | 1973-08-17 | ||
| JPS5961191A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58175856A patent/JPS6066877A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4858798A (ja) * | 1971-11-24 | 1973-08-17 | ||
| JPS5961191A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4986249A (en) * | 1988-10-12 | 1991-01-22 | Nissan Motor Co., Ltd. | Ignition apparatus mounting structure for internal combustion engine |
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