JPS6067662A - 薄膜形成方法及びその装置 - Google Patents
薄膜形成方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS6067662A JPS6067662A JP17477383A JP17477383A JPS6067662A JP S6067662 A JPS6067662 A JP S6067662A JP 17477383 A JP17477383 A JP 17477383A JP 17477383 A JP17477383 A JP 17477383A JP S6067662 A JPS6067662 A JP S6067662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- particles
- evaporation source
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１、産業上の利用分野
本発明は薄膜形成方法及びその装置に関するものである
。
。
２、 従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメツシュ状開口）を有
する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電荷
像によシイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制御
して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）に
所定の静電荷像を形成する多色電子写真複写方式が知ら
れている。
する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電荷
像によシイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制御
して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）に
所定の静電荷像を形成する多色電子写真複写方式が知ら
れている。
第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画像部とか
らなる２色原稿から画像を再現するだめの２色刷シ用複
写機が示されている。 この装置本体の上部には往復動
する原稿台４１が設けられておシ、この原稿台４工上に
載置された原稿５は照明レンズ４２によシ照明される。
らなる２色原稿から画像を再現するだめの２色刷シ用複
写機が示されている。 この装置本体の上部には往復動
する原稿台４１が設けられておシ、この原稿台４工上に
載置された原稿５は照明レンズ４２によシ照明される。
４３、封はミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中
に出入れし得るように構成された可動の赤色フィルター
、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシア
ン色は通過させる可動式のダイクロイックフィルターで
あり、光路中に出入れし得るように構成されている。
に出入れし得るように構成された可動の赤色フィルター
、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシア
ン色は通過させる可動式のダイクロイックフィルターで
あり、光路中に出入れし得るように構成されている。
第５図では赤色フィルター４６は光路からはずれ、ダイ
クロイックフィルター４７は光路中に配置されている状
態を示している。 ドラム状をなした感光体５３の表面
に感光層１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転
すると感光層１８がコロナ帯電器冴によって均一に帯電
される。 感光層１８はセレンあるいは有機半導体など
によシ作られる。
クロイックフィルター４７は光路中に配置されている状
態を示している。 ドラム状をなした感光体５３の表面
に感光層１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転
すると感光層１８がコロナ帯電器冴によって均一に帯電
される。 感光層１８はセレンあるいは有機半導体など
によシ作られる。
感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯電する帯
電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒色現
像器４８と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器４９と、感光層１８上に残留するトナーおよび電荷
を除去するクリーニング装置３０とが配置されている。
電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒色現
像器４８と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器４９と、感光層１８上に残留するトナーおよび電荷
を除去するクリーニング装置３０とが配置されている。
３１は感光体５３と同径で、感光層１８と接触して従
動するか又は反時計方向に回転する転写ドラムである。
動するか又は反時計方向に回転する転写ドラムである。
６３はコロナ放電器から彦る転写電極、３２は複写紙
給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された複写紙５
２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４は複写紙を転写
ドラム３Ｊに搬送する第１搬送ローラ、３５は転写後に
複写紙をドラム３１から分離し易くするための除電を行
なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１から強制的
に分離する分離爪である。 また、３７はヒーター内蔵
の定着装置である。 但、実際には複写紙５２を案内す
るガイド板を設けるが、この図示は省略されている。
給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された複写紙５
２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４は複写紙を転写
ドラム３Ｊに搬送する第１搬送ローラ、３５は転写後に
複写紙をドラム３１から分離し易くするための除電を行
なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１から強制的
に分離する分離爪である。 また、３７はヒーター内蔵
の定着装置である。 但、実際には複写紙５２を案内す
るガイド板を設けるが、この図示は省略されている。
一方、感光層１８の外側には、光導電層が面するように
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。 ま
た、このドラム１７の外側周辺には、スクリーン帯電器
部と、感光スクリーンドラム１７上に残留する電荷を除
去するＥＬ（エレクトロルミネセンス）板またはＡＣコ
ロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、感光
性スクリーン除電器１７の内側で感光体５３に対向する
位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源（コロナ放電器）
１９とが設けられている。
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。 ま
た、このドラム１７の外側周辺には、スクリーン帯電器
部と、感光スクリーンドラム１７上に残留する電荷を除
去するＥＬ（エレクトロルミネセンス）板またはＡＣコ
ロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、感光
性スクリーン除電器１７の内側で感光体５３に対向する
位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源（コロナ放電器）
１９とが設けられている。
この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如く、多数
の微細開口１０を有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーンエ１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開ロ工０内
の壁面にも設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス用のＭ静の導電膜１４と、光導
電性（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによって構成
されている。 導電性スクリーン１１はステンレス、Ｍ
等の金属メツシュで、絶縁層１３はポリエチレン等で、
感光層１５及び電荷輸送層１６は有機光半導体で夫々形
成される。
の微細開口１０を有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーンエ１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開ロ工０内
の壁面にも設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス用のＭ静の導電膜１４と、光導
電性（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによって構成
されている。 導電性スクリーン１１はステンレス、Ｍ
等の金属メツシュで、絶縁層１３はポリエチレン等で、
感光層１５及び電荷輸送層１６は有機光半導体で夫々形
成される。
この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に上記導電
［１４は第３図に示す如くＭ蒸発源２ｏの蒸着によって
形成される。 ところがこの場合、蒸発源２０からのＭ
蒸気２１のうち、スクリーン基体１１に対し斜め方向に
入射する部分２１′は矢印で示すように開口１０を通し
て基体１１の裏側へ廻シ込み易いか、或いは基体１１の
裏面へ直接付着してしまう。
［１４は第３図に示す如くＭ蒸発源２ｏの蒸着によって
形成される。 ところがこの場合、蒸発源２０からのＭ
蒸気２１のうち、スクリーン基体１１に対し斜め方向に
入射する部分２１′は矢印で示すように開口１０を通し
て基体１１の裏側へ廻シ込み易いか、或いは基体１１の
裏面へ直接付着してしまう。
この結果、第４図のように裏面に旬着したＭ部分により
て導電膜１４と基体１１とが導通（短絡）してしまい、
その作用を発揮できなくなる。 従って従来は、電流を
流すことによって、基体ｌｌ上のＭ膜１４の比較的薄い
部分１４ａ （％に基体１１のエツジ部分１１ａに薄く
付着した部分）を焼切って、基体１工に対する短絡を防
いでいる。 しかしながら、そのだめの作業工程が必要
である上に、上記焼切によるダメージがＭ膜１４に残シ
、その耐圧が低下するという欠点がある０ ３、発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の如き薄膜
を精度良く形成し、特性良好な製品を作成できる方法及
びその装置を提供することにある。
て導電膜１４と基体１１とが導通（短絡）してしまい、
その作用を発揮できなくなる。 従って従来は、電流を
流すことによって、基体ｌｌ上のＭ膜１４の比較的薄い
部分１４ａ （％に基体１１のエツジ部分１１ａに薄く
付着した部分）を焼切って、基体１工に対する短絡を防
いでいる。 しかしながら、そのだめの作業工程が必要
である上に、上記焼切によるダメージがＭ膜１４に残シ
、その耐圧が低下するという欠点がある０ ３、発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の如き薄膜
を精度良く形成し、特性良好な製品を作成できる方法及
びその装置を提供することにある。
４、発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、薄膜構成物質（例えばＡＬ）の粒子を
飛翔させ、対向配置された基体上に対し実質的に垂直方
向にのみ入射させることを特徴とする薄膜形成方法に係
るものである。 ここで、「実質的に垂直」とは、基体
に対し完全に垂直である場合の他、既述した廻シ込みが
生じない範囲で幾分基体に対し斜めになっている場合も
意味する。
飛翔させ、対向配置された基体上に対し実質的に垂直方
向にのみ入射させることを特徴とする薄膜形成方法に係
るものである。 ここで、「実質的に垂直」とは、基体
に対し完全に垂直である場合の他、既述した廻シ込みが
生じない範囲で幾分基体に対し斜めになっている場合も
意味する。
また、本発明は、上記方法を効果的に実施する装置とし
て、薄膜構成物質の粒子の飛翔源と、これに対向配置さ
れた基体との間の基体近傍域に、スリットを有する遮蔽
手段が配置され、前記基体に対し前記粒子の実質的に垂
直な流れのみが前記スリットを通して導びかれるように
構成したことを特徴とする薄膜形成装置も提供するもの
である。
て、薄膜構成物質の粒子の飛翔源と、これに対向配置さ
れた基体との間の基体近傍域に、スリットを有する遮蔽
手段が配置され、前記基体に対し前記粒子の実質的に垂
直な流れのみが前記スリットを通して導びかれるように
構成したことを特徴とする薄膜形成装置も提供するもの
である。
本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に対し実質
的に垂直方向にのみ入射させるようにしているので、粒
子が基体の表面上にて順次堆積し、既述した如き廻シ込
みや裏面−＼の直接付着を阻止することができる。 従
って、得られた薄膜は何らの後処理を加えることなく、
そのまま次の工程（例えば感光層の形成）に供すことが
可能である。
的に垂直方向にのみ入射させるようにしているので、粒
子が基体の表面上にて順次堆積し、既述した如き廻シ込
みや裏面−＼の直接付着を阻止することができる。 従
って、得られた薄膜は何らの後処理を加えることなく、
そのまま次の工程（例えば感光層の形成）に供すことが
可能である。
５、 実施例
以下、本発明を第５図〜第１２図に示す実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第５図には、既述した感光性スクリーンの導電性スクリ
ーン基体１１（実際にはその表面又は外面上に絶縁層１
３が既に形成されている。）と、Ｍ蒸発源２０とを１０
′−４〜１０−Ｉ′Ｔｏｒｒの真空度に引かれたペルジ
ャー（図示省略）内に配し、基体１１上にＭ蒸着膜（既
述の１４）を形成する真空蒸着方法又はその装置を示す
。 スクリーン基体１１は、マンドレルｎの周シにセッ
トされ、共に例えば１５ｒｐｍの速度で回転し得るよう
に配されている。
ーン基体１１（実際にはその表面又は外面上に絶縁層１
３が既に形成されている。）と、Ｍ蒸発源２０とを１０
′−４〜１０−Ｉ′Ｔｏｒｒの真空度に引かれたペルジ
ャー（図示省略）内に配し、基体１１上にＭ蒸着膜（既
述の１４）を形成する真空蒸着方法又はその装置を示す
。 スクリーン基体１１は、マンドレルｎの周シにセッ
トされ、共に例えば１５ｒｐｍの速度で回転し得るよう
に配されている。
ここで注目すべきことは、基体１１と蒸発源２ｏとの間
の領域において、基体工１の近傍にスリット２３付きの
遮蔽板Ｕを設けていることである。 そしてこの場合、
第６図に明示する如く、蒸発源２０からのＭ蒸気は、一
点鎖線２１′で示す斜め方向の成分は遮蔽板列によって
完全に遮断され、基体１１に対してその垂直方向成分２
１のみがスリブ）２３を通して導びかれ、絶縁層１３上
に順次堆積するように構成している。 スリブ）４３を
通過するＭ蒸気２■の蒸発源からの角度αは例えば０．
５度に設定される。
の領域において、基体工１の近傍にスリット２３付きの
遮蔽板Ｕを設けていることである。 そしてこの場合、
第６図に明示する如く、蒸発源２０からのＭ蒸気は、一
点鎖線２１′で示す斜め方向の成分は遮蔽板列によって
完全に遮断され、基体１１に対してその垂直方向成分２
１のみがスリブ）２３を通して導びかれ、絶縁層１３上
に順次堆積するように構成している。 スリブ）４３を
通過するＭ蒸気２■の蒸発源からの角度αは例えば０．
５度に設定される。
また実際には、スリブ）２３の幅を５阿とすれば、この
スリット幅内には第６図に示すように基体１１のメツシ
ー構成部分が多数個（例えば２０個）分収まるように構
成される。
スリット幅内には第６図に示すように基体１１のメツシ
ー構成部分が多数個（例えば２０個）分収まるように構
成される。
このように、スリット２３付きの遮蔽板別によって、Ｍ
蒸気（又は分子）の垂直方向成分２１のみを選択して基
体１１上に導びいているから、基体１１の表面又は外面
上にのみＭが堆積し、その裏面上へは廻り込み又は直接
付着が全く生じず、このために基体１ｌ−ＡＬ模膜間導
通が生じることはない。
蒸気（又は分子）の垂直方向成分２１のみを選択して基
体１１上に導びいているから、基体１１の表面又は外面
上にのみＭが堆積し、その裏面上へは廻り込み又は直接
付着が全く生じず、このために基体１ｌ−ＡＬ模膜間導
通が生じることはない。
ここで、Ｍ蒸着膜１４が本発明の目的を達成することに
よって、拡散幅ｄを低めに抑え得ることを確認している
。 即ち、第８図に示すように（但、ＤＢ Ｓ Ｆ ３
００ｍ、Ｗ＝５ｗ、ＲＡｔ＝１ｆ／ｍ１ｎ）、ＤＳＭを
４０■以下として基体と遮蔽板の距離を短かくすると、
付着拡散幅を２５−以下と小さくシ、目的とするＭ蒸着
膜が得易くなる。
よって、拡散幅ｄを低めに抑え得ることを確認している
。 即ち、第８図に示すように（但、ＤＢ Ｓ Ｆ ３
００ｍ、Ｗ＝５ｗ、ＲＡｔ＝１ｆ／ｍ１ｎ）、ＤＳＭを
４０■以下として基体と遮蔽板の距離を短かくすると、
付着拡散幅を２５−以下と小さくシ、目的とするＭ蒸着
膜が得易くなる。
上述したマンドレル２２について、第９図を用いてよシ
詳細に説明する。
詳細に説明する。
このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接して設け
られているので、基体１１のメツシュを通過したＭ粒子
はマンドレル２２で阻止され、基体１１の他の内面への
付着が効果的に防止される。 この場合、マン砿゛レル
２２は実際には、追加のスリーブ２５と接合、一体化さ
れ、このスリーブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２
６に対し上述した基体１１が固定される。
られているので、基体１１のメツシュを通過したＭ粒子
はマンドレル２２で阻止され、基体１１の他の内面への
付着が効果的に防止される。 この場合、マン砿゛レル
２２は実際には、追加のスリーブ２５と接合、一体化さ
れ、このスリーブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２
６に対し上述した基体１１が固定される。
第１０図は、他の蒸着装置を示すが、この場合には、基
体１１にバイアス電圧ｎをかけ、蒸発源２０からの粒子
２１を電子銃列からの電子によって活性化若しくはイオ
ン化することによシ、粒子２１の基体１１上への吸着効
率を高めている。
体１１にバイアス電圧ｎをかけ、蒸発源２０からの粒子
２１を電子銃列からの電子によって活性化若しくはイオ
ン化することによシ、粒子２１の基体１１上への吸着効
率を高めている。
第１１図は、コイル電極２９に高周波３８を加え、公知
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
第１２図は、スパッタ法によりＭ膜を形成する列を示し
、Ｍターゲット４０をＭガスによるプラズマでスパッタ
し、叩き出されたＭ粒子又はクラスクーをスリブ）２３
を介して基体１１−ヒにはソ垂直に入射させ、上述した
Ｍ導電膜１４を形成する。
、Ｍターゲット４０をＭガスによるプラズマでスパッタ
し、叩き出されたＭ粒子又はクラスクーをスリブ）２３
を介して基体１１−ヒにはソ垂直に入射させ、上述した
Ｍ導電膜１４を形成する。
なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限らず、他
の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えばＣｏ−Ｃｒ膜）
の形成にも適用可能であシ、その用途は広範である。
また、上述の遮蔽板は複数板組合せてよいし、スリット
に対し粒子流が収束するような電界又は磁界を作用させ
てもよい。 寸だ、基体の断面形状は矩形等、他の形状
であってよい。
の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えばＣｏ−Ｃｒ膜）
の形成にも適用可能であシ、その用途は広範である。
また、上述の遮蔽板は複数板組合せてよいし、スリット
に対し粒子流が収束するような電界又は磁界を作用させ
てもよい。 寸だ、基体の断面形状は矩形等、他の形状
であってよい。
第１図〜第４図は従来例を示すものであって、第１図は
２色刷シ用電子写真複写機の概略断面図、 第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図、第３図は
蒸着時の断面図、 第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。 第５図〜第１２図は本発明の実施例を示すものであって
、 第５図は蒸着時の断面図、 第６図は第５図の要部拡大図、 第７図は各部の位置関係を説明するだめの第６図と同様
の図、 第８図は遮蔽板と基体との距離による粒子拡散幅を示す
グラフ、 第９図は基体保持構造を示す断面図、 第１０図、第１１図、第１２図は他の製造装置の各概略
図 である。 汝お、図面に示した符号において、 １１・・・・・・・・・・−・・・導電性スクリーン基
体１３−・−・−・−・・・絶縁層 １４−・−・・−（ＡＪ）導電膜 １５−・・−・−・・・・感光層 １６−・−・・・・・・・電荷輸送層 １７−−−−−−・・−・感光性スクリーン加−・−・
−・−・・・蒸発源 ２１−・−ｍ−・−Ｍ蒸気 ｎ−・−・−・−・マンドレル ｎ・・・−・−・−−−・スリット 冴・・・−・・−・・・・・・遮Ｍ板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（他１名）第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 ＤｓＭ［ｍｍｌ 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 ４０
２色刷シ用電子写真複写機の概略断面図、 第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図、第３図は
蒸着時の断面図、 第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。 第５図〜第１２図は本発明の実施例を示すものであって
、 第５図は蒸着時の断面図、 第６図は第５図の要部拡大図、 第７図は各部の位置関係を説明するだめの第６図と同様
の図、 第８図は遮蔽板と基体との距離による粒子拡散幅を示す
グラフ、 第９図は基体保持構造を示す断面図、 第１０図、第１１図、第１２図は他の製造装置の各概略
図 である。 汝お、図面に示した符号において、 １１・・・・・・・・・・−・・・導電性スクリーン基
体１３−・−・−・−・・・絶縁層 １４−・−・・−（ＡＪ）導電膜 １５−・・−・−・・・・感光層 １６−・−・・・・・・・電荷輸送層 １７−−−−−−・・−・感光性スクリーン加−・−・
−・−・・・蒸発源 ２１−・−ｍ−・−Ｍ蒸気 ｎ−・−・−・−・マンドレル ｎ・・・−・−・−−−・スリット 冴・・・−・・−・・・・・・遮Ｍ板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏（他１名）第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 ＤｓＭ［ｍｍｌ 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 ４０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置された基
体上に対し実質的に垂直方向にのみ入射させることを特
徴とする薄膜形成方法。 ２、薄膜構成物質の粒子の飛翔源と、これに対向配置さ
れた基体との間の基体近傍域に、スリットを有する遮蔽
手段が配置され、前記基体に対し前記粒子の実質的に垂
直な流れのみが前記スリットを通して導ひかれるように
構成したととを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477383A JPS6067662A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法及びその装置 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477383A JPS6067662A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067662A true JPS6067662A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0344143B2 JPH0344143B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=15984414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17477383A Granted JPS6067662A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067662A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192859A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 連続式真空蒸着装置 |
| KR100764178B1 (ko) | 2000-03-06 | 2007-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 형성 장치 |
| WO2015062311A1 (zh) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 真空蒸镀装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477383A patent/JPS6067662A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192859A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 連続式真空蒸着装置 |
| KR100764178B1 (ko) | 2000-03-06 | 2007-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 형성 장치 |
| KR100764185B1 (ko) * | 2000-03-06 | 2007-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 형성 방법 및 ｅｌ 표시장치 제작방법 |
| US7564054B2 (en) | 2000-03-06 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
| WO2015062311A1 (zh) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 真空蒸镀装置 |
| US10316401B2 (en) | 2013-10-30 | 2019-06-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Vacuum evaporation device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344143B2 (ja) | 1991-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4634259A (en) | Apparatus for maintaining distinct edges between two colors in a two-color image forming device | |
| US4415256A (en) | Apparatus for transferring images | |
| JPS6067662A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| EP0173621B1 (en) | Method for forming a toner imager in electrophotographic printing | |
| EP0036290B1 (en) | Apparatus for cleaning particles from a surface | |
| US4601922A (en) | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes | |
| JPH02148075A (ja) | 転写装置 | |
| JPS6067658A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6067663A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0323629B2 (ja) | ||
| US4248951A (en) | Method of image formation with a screen element and charging means | |
| JPS6067661A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0352532B2 (ja) | ||
| US4265531A (en) | Electrophotography | |
| JP3094614B2 (ja) | 帯電装置 | |
| US4022528A (en) | Ion modulator having independently controllable bias electrode | |
| US4600292A (en) | Photoconductive screen | |
| US4022527A (en) | Ion modulator having independently controllable bias electrode | |
| JPS6147967A (ja) | 感光体および画像形成装置 | |
| JPH0215063B2 (ja) | ||
| JPH05297683A (ja) | 帯電装置 | |
| CA1114005A (en) | Method of image formation | |
| JPH06110297A (ja) | 帯電装置 | |
| JPS6197671A (ja) | 画像形成方法 | |
| JP2850732B2 (ja) | 画像形成装置 |