JPH0323629B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0323629B2 JPH0323629B2 JP58174770A JP17477083A JPH0323629B2 JP H0323629 B2 JPH0323629 B2 JP H0323629B2 JP 58174770 A JP58174770 A JP 58174770A JP 17477083 A JP17477083 A JP 17477083A JP H0323629 B2 JPH0323629 B2 JP H0323629B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- width
- particles
- particle flow
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
１ 産業上の利用分野
本発明は薄膜形成方法に関するものである。
２ 従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメツシユ状開
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。 第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第１図では赤色フイルター４
６は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
４７は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層
１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転す
ると感光層１８がコロナ帯電器５４によつて均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。 感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。 一方、感光層１８の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。 この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。 この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スク
リーン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２
１′は矢印で示すように開口１０を通して基体１
１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第４図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４
と基体１１とが導通（短絡）してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体１１上のAl膜１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１
１ａに薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。 ３ 発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如き薄膜を精度よく形成できる方法を提供するこ
とにある。 ４ 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えば
Al）を飛翔させ、対向配置された基体上に堆積
させるに際し、前記基体を筒状に配置してその中
心軸の周りに回転させ、前記基体の近傍に配した
粒子流制御手段の単一の粒子流通過口を介して前
記粒子を前記基体上に一定角度の所定方向から導
びき、かつ、前記粒子を前記粒子流通過口の幅の
５倍以下の幅で前記基体に入射させるように、単
位時間当りの粒子飛翔量を４〜６ｇ／min以下に
制御することを特徴とする薄膜形成方法を係るも
のである。 本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に
対し粒子流制御手段の単一の粒子流通過口を介し
て一定角度の所定方向から入射させるようにして
いるので、粒子が基体の表面上にて順次堆積し、
既述した如き廻り込みや裏面への直接付着を阻止
するようにできる。従つて、得られた薄膜は何ら
の後処理を加えることなく、そのまま次の工程
（例えば感光層の形成）に供することが可能であ
る。しかも、この際、粒子の飛翔量（特に蒸発速
度）を、粒子が粒子流通過口の幅５倍以下の幅で
基体に入射するように４〜６ｇ／min以下に制御
することによつて、粒子流制御手段の粒子流通過
口から粒子が横方向へ拡散する幅を小さくでき、
所定の決められた領域にのみ粒子を基体上に堆積
させることができる。このことは、本発明者によ
つてはじめて見出された新規で有用な事実であ
り、後記において詳細に説明する。 ５ 実施例 以下、本発明を第５図〜第１６図に示す実施例
について詳細に説明する。 第５図には、既述した感光性スクリーン導電性
スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外面
上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、Al
蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引か
れたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１１
上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空蒸
着方向又はその装置を示す。スクリーン基体１１
は、マンドレル２２の周りにセツトされ、共に例
えば15rpｍの速度で回転し得るように配されてい
る。 ここで注目すべきことは、基体１１と蒸発源２
０との間の領域において、基体１１の近傍にスリ
ツト２３付きの遮蔽板２４を設けていることであ
る。そしてこの場合、第６図に明示する如く、蒸
発源２０からのAl蒸気は、一点鎖線２１′で示す
斜め方向の成分は遮蔽板２４によつて完全に遮断
され、基体１１に対してその垂直方向成分２１の
みがスリツト２３を通して導びかれ、絶縁層１３
上に順次堆積するように構成している。スリツト
２３を通過するAl蒸気２１の蒸発源からの角度
αは例えば0.5度に設定される。また実際には、
スリツト２３の幅を５mmとすれば、このスリツト
幅内には第６図に示すように基体１１のメツシユ
構成部分が多数個（例えば20個）分収まるように
構成される。 このように、スリツト２３付きの遮蔽板２４に
よつて、Al蒸気（又は分子）の垂直方向成分２
１のみを選択して基体１１上に導びいているか
ら、基体１１の表面又は外面上にのみAlが堆積
し、その裏面上へは廻り込み又は直接付着が全く
生じず、このために基体１１−Al膜間の導通が
生じることはない。 ここで、Al蒸着膜１４が本発明の目的を達成
するように堆積されるためには、主として次の５
つの条件を考慮するのが望ましい。 (1)、DSM（遮蔽板２４と基体１１との距離） (2)、DBS（蒸発源２０と遮蔽板２４との距離） (3)、Ｗ＝（スリツト２３の幅） (4)、Al蒸発速度（RAl） (5)、Al膜１４の膜厚（TAl） これらの条件について、本発明者が行なつた実
験結果を基に詳細に説明する。 まず、次の条件を一定にして、スリツト幅Ｗを
変化せしめた場合、下記表−１に示す結果が得ら
れた。 DSM＝５mm DBS＝300mm RAl＝１ｇ／min
口）を有する感光性スクリーンに静電荷像を形成
し、この静電荷像によりイオン流（例えば正イオ
ン粒子）の通過を制御して、帯電可能な層（例え
ば感光体ドラムの感光層）に所定の静電荷像を形
成する多色電子写真複写方式が知られている。 第１図には、例えば白地に黒色画像部と赤色画
像部とからなる２色原稿から画像を再現するため
の２色刷り用複写機が示されている。この装置本
体の上部には往復動する原稿台４１が設けられて
おり、この原稿台４１上に載置された原稿２５は
照明ランプ４２により照明される。４３，４４は
ミラー、４５は固定レンズ、４６は光路中に出入
れし得るように構成された可動の赤色フイルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係に
あるシアン色は通過させる可動式のダイクロイツ
クフイルターであり、光路中に出入れし得るよう
に構成されている。第１図では赤色フイルター４
６は光路からはずれ、ダイクロイツクフイルター
４７は光路中に配置されている状態を示してい
る。ドラム状をなした感光体５３の表面に感光層
１８が設けられ、感光体５３が時計方向に回転す
ると感光層１８がコロナ帯電器５４によつて均一
に帯電される。感光層１８はセレンあるいは有機
半導体などにより作られる。 感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯
電する帯電器５４と、正に帯電された黒色トナー
を有する黒色現像器４８と、正に帯電された赤色
トナーを有する赤色現像器４９と、感光層１８上
に残留するトナーおよび電荷を除去するクリーニ
ング装置３０とが配置されている。３１は感光体
５３と同径で、感光層１８と接触して従動するか
又は反時計方向に回転する転写ドラムである。６
３はコロナ放電器からなる転写電極、３２は複写
紙給紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された
複写紙５２を一枚ずつ給紙する給紙ローラ、３４
は複写紙を転写ドラム３１に搬送する第１搬送ロ
ーラ、３５は転写後に複写紙をドラム３１から分
離し易くするための除電を行なう静電分離器、３
６は複写紙をドラム３１から強制的に分離する分
離爪である。また、３７はヒーター内蔵の定着装
置である。但、実際には複写紙５２を案内するガ
イド板を設けるが、この図示は省略されている。 一方、感光層１８の外側には、光導電層が面す
るように円筒状をなした感光性スクリーンドラム
１７が配され、このドラム１７は原稿台４１およ
び感光層１８と同期して反時計方向に回転し得る
ように配置されている。また、このドラム１７の
外側周辺には、スクリーン帯電器２８と、感光ス
クリーンドラム１７上に残留する電荷を除去する
EL（エレクトロルミネセンス）板またはACコロ
ナ除電器などで作つたスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３
に対向する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源
（コロナ放電器）１９とが設けられている。 この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如
く、多数の微細開口１０を有しかつ一方の面が露
出したドラム状導電性スクリーン１１と、この導
電性スクリーンの少なくとも他方の面に設けられ
た（図示の例では開口１０内の壁面にも設けられ
ている）絶縁層１３と、この絶縁層上に設けられ
たバイアス用のAl等の導電膜１４と、光導電性
（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによつて構
成されている。導電性スクリーン１１はステンレ
ス、Al等の金属メツシユで、絶縁層１３はポリ
エチレン等で、感光層１５及び電荷輸送層１６は
有機光半導体で夫々形成される。 この感光性スクリーン１７の製作に際し、特に
上記導電膜１４は第３図に示す如くAl蒸発源２
０の蒸着によつて形成される。ところがこの場
合、蒸発源２０からのAl蒸気２１のうち、スク
リーン基体１１に対し斜め方向に入射する部分２
１′は矢印で示すように開口１０を通して基体１
１の裏側へ廻り込み易いか、或いは基体１１の裏
面へ直接付着してしまう。この結果、第４図のよ
うに裏面に付着したAl部分によつて導電膜１４
と基体１１とが導通（短絡）してしまい、その作
用を発揮できなくなる。従つて従来は、電流を流
すことによつて、基体１１上のAl膜１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１
１ａに薄く付着した部分）を焼切つて、基体１１
に対する短絡を防いでいる。しかしながら、その
ための作業工程が必要である上に、上記焼切によ
るダメージがAl膜１４に残り、その耐圧が低下
するという欠点がある。 ３ 発明の目的 本発明の目的は、作業容易にして上記導電膜の
如き薄膜を精度よく形成できる方法を提供するこ
とにある。 ４ 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えば
Al）を飛翔させ、対向配置された基体上に堆積
させるに際し、前記基体を筒状に配置してその中
心軸の周りに回転させ、前記基体の近傍に配した
粒子流制御手段の単一の粒子流通過口を介して前
記粒子を前記基体上に一定角度の所定方向から導
びき、かつ、前記粒子を前記粒子流通過口の幅の
５倍以下の幅で前記基体に入射させるように、単
位時間当りの粒子飛翔量を４〜６ｇ／min以下に
制御することを特徴とする薄膜形成方法を係るも
のである。 本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に
対し粒子流制御手段の単一の粒子流通過口を介し
て一定角度の所定方向から入射させるようにして
いるので、粒子が基体の表面上にて順次堆積し、
既述した如き廻り込みや裏面への直接付着を阻止
するようにできる。従つて、得られた薄膜は何ら
の後処理を加えることなく、そのまま次の工程
（例えば感光層の形成）に供することが可能であ
る。しかも、この際、粒子の飛翔量（特に蒸発速
度）を、粒子が粒子流通過口の幅５倍以下の幅で
基体に入射するように４〜６ｇ／min以下に制御
することによつて、粒子流制御手段の粒子流通過
口から粒子が横方向へ拡散する幅を小さくでき、
所定の決められた領域にのみ粒子を基体上に堆積
させることができる。このことは、本発明者によ
つてはじめて見出された新規で有用な事実であ
り、後記において詳細に説明する。 ５ 実施例 以下、本発明を第５図〜第１６図に示す実施例
について詳細に説明する。 第５図には、既述した感光性スクリーン導電性
スクリーン基体１１（実際にはその表面又は外面
上に絶縁層１３が既に形成されている。）と、Al
蒸発源２０とを10-4〜10-5Torrの真空度に引か
れたベルジヤー（図示省略）内に配し、基体１１
上にAl蒸着膜（既述の１４）を形成する真空蒸
着方向又はその装置を示す。スクリーン基体１１
は、マンドレル２２の周りにセツトされ、共に例
えば15rpｍの速度で回転し得るように配されてい
る。 ここで注目すべきことは、基体１１と蒸発源２
０との間の領域において、基体１１の近傍にスリ
ツト２３付きの遮蔽板２４を設けていることであ
る。そしてこの場合、第６図に明示する如く、蒸
発源２０からのAl蒸気は、一点鎖線２１′で示す
斜め方向の成分は遮蔽板２４によつて完全に遮断
され、基体１１に対してその垂直方向成分２１の
みがスリツト２３を通して導びかれ、絶縁層１３
上に順次堆積するように構成している。スリツト
２３を通過するAl蒸気２１の蒸発源からの角度
αは例えば0.5度に設定される。また実際には、
スリツト２３の幅を５mmとすれば、このスリツト
幅内には第６図に示すように基体１１のメツシユ
構成部分が多数個（例えば20個）分収まるように
構成される。 このように、スリツト２３付きの遮蔽板２４に
よつて、Al蒸気（又は分子）の垂直方向成分２
１のみを選択して基体１１上に導びいているか
ら、基体１１の表面又は外面上にのみAlが堆積
し、その裏面上へは廻り込み又は直接付着が全く
生じず、このために基体１１−Al膜間の導通が
生じることはない。 ここで、Al蒸着膜１４が本発明の目的を達成
するように堆積されるためには、主として次の５
つの条件を考慮するのが望ましい。 (1)、DSM（遮蔽板２４と基体１１との距離） (2)、DBS（蒸発源２０と遮蔽板２４との距離） (3)、Ｗ＝（スリツト２３の幅） (4)、Al蒸発速度（RAl） (5)、Al膜１４の膜厚（TAl） これらの条件について、本発明者が行なつた実
験結果を基に詳細に説明する。 まず、次の条件を一定にして、スリツト幅Ｗを
変化せしめた場合、下記表−１に示す結果が得ら
れた。 DSM＝５mm DBS＝300mm RAl＝１ｇ／min
【表】
上記表−１の結果から、スリツト幅Ｗが20mm程
度では、拡散幅ｄが24mm程度に抑えられ、裏面へ
のAl粒子の廻り込みが生じると不利な薄めの絶
縁層を形成した場合でもその廻り込みの影響がな
い（即ち、基体の表−裏間の抵抗が10MΩ以上と
高く保持される）ことが分る。絶縁層が厚めのと
きは、いずれの場合も良好な結果が得られる。 次に、下記の条件を一定にして操作したとこ
ろ、表−２に示す結果が得られた。 DSM＝５mm DBS＝300mm Ｗ＝10mm RAl＝１ｇ／min 絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）
度では、拡散幅ｄが24mm程度に抑えられ、裏面へ
のAl粒子の廻り込みが生じると不利な薄めの絶
縁層を形成した場合でもその廻り込みの影響がな
い（即ち、基体の表−裏間の抵抗が10MΩ以上と
高く保持される）ことが分る。絶縁層が厚めのと
きは、いずれの場合も良好な結果が得られる。 次に、下記の条件を一定にして操作したとこ
ろ、表−２に示す結果が得られた。 DSM＝５mm DBS＝300mm Ｗ＝10mm RAl＝１ｇ／min 絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）
【表】
この結果から、Al膜厚を目標とする300Å程度
としても抵抗値は充分に保持できるが、電流のリ
ークが生じ易くなることが分る。Al膜厚は薄め
の方が、Al廻り込みの影響を軽減できる。 また、上記DSM（遮蔽板−基体間の距離）を選
択することによつて、拡散幅ｄを低めに抑え、
Al粒子流の平行度を充分にし得ることを確認し
ている。即ち、第８図に示すように（但し、DBS
＝300mm、Ｗ＝550mm、RAl＝１ｇ／min）、DSMを
40mm以下として基体と遮蔽板の距離を短かくする
と、付着拡散幅を25mm（即ちＷの５倍）以下と小
さくし、目的とするAl蒸着膜が得易くなる。第
８図に見られるように、DSMが40mm弱（付着拡散
幅がスリツト幅Ｗの５倍）を越えると、付着拡散
幅の増大が急激になつている。 上記DBSとｄとの間には、第９図に示す関係が
得られ、DBSを60mm以上の範囲で適切に設定（特
に100mm以上）することが望ましい（但、第９図
の条件は、DSM＝５mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／
min）。 スリツト幅Ｗについては、第１０図のように拡
散幅ｄを左右し、Ｗを20数mm以下とすればよいこ
とが分る。また、第１１図のように、スリツト幅
Ｗ−拡散幅ｄは、DSMのとり方によつても変化
し、DSMを５mmと小さくする方が拡散幅を少なく
できることが分る（但、DBS＝300mm、DSM＝５mm
又は40mm、RAl１、２、４〜６ｇ／min）。 ここで本発明者は、上記した如くに遮蔽板２４
を用いてAl蒸気を蒸着させるに際し、Alの蒸発
速度が上記拡散幅ｄ（第７図参照）、即ちAlの付
着幅を大きく左右するという事実を見出した。即
ち、第１１図に示す如く、Al蒸発速度（RAl）が
早い程拡散幅が大きくなるが、これはAl分圧
（粒子量）が大きくなるに従つてその平均自由行
程が小さくなり、遮蔽板に接近した基体上に付着
し得るAl量又は付着幅が多くなるためであると
考えられる。これに反し、RAlを２ｇ／min以下
と小さめにすれば、平均自由行程が大きくなり、
基体上に達してそこに付着するAlの付着幅が相
対的に小さくなるのである。この結果は特に、
DSMを大きくとつた場合に顕著である。第１１図
から次のことが理解できる。DSMを５mmと小さく
とれば、RAlを４〜６ｇ／min、スリツト幅Ｗを
20mmと夫々大きくとつても、拡散幅ｄを略25mmに
抑えることができる。また、DSMを40mmと大きく
とつても、スリツト幅Ｗを５mm、RAlを１〜２
ｇ／minと夫々小さくとれば、拡散幅ｄを略25mm
（ｄ≒5W）と小さくすることができる。 Al蒸発速度に対する拡散幅ｄの変化を更に調
べたところ、第１２図に示す結果が得られた。こ
れによれば、Al蒸発速度によつて拡散幅が変化
し、その蒸発速度を小さめ（単位時間当りの蒸発
量を少なめ）に設定すると良好な結果が得られる
ことが分る。特に、Al蒸発速度を２ｇ／min以下
とすれば、拡散幅が大幅に減少することが明らか
である。 このように、本発明に基いて、上述の遮蔽板の
使用によつて粒子流を制御しながら、その蒸発速
度を小さめに設定すれば、拡散幅を小さくし、平
行粒子流を多くして、基体の表面（外面）上のみ
Al蒸着膜を精度良く形成することができるので
ある。 上述したマンドレル２２について、第１３図を
用いてより詳細に説明する。 このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。 第１４図は、他の蒸着装置を示すが、この場合
には、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、比較
的小さい蒸発速度で蒸発源２０から飛翔する粒子
２１を電子銃２８からの電子によつて活性化若し
くはイオン化することにより、粒子２１の基体１
１上への吸着効率を高めている。 第１５図は、コイル電極２９に高周波３８を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。 第１６図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、上述と同様に比較的小さ
い速度で叩き出されたAl粒子又はクラスターを
スリツト２３を介して基体１１上にほぼ垂直に入
射させ、上述したAl導電膜１４を形成する。 なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えば
Co−Cr膜）の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合わせてよいし、スリツトに対し粒子流が収束す
るような電界又は磁界を作用させてもよい。ま
た、基体の断面形状は矩形等、他の形状であつて
よい。
としても抵抗値は充分に保持できるが、電流のリ
ークが生じ易くなることが分る。Al膜厚は薄め
の方が、Al廻り込みの影響を軽減できる。 また、上記DSM（遮蔽板−基体間の距離）を選
択することによつて、拡散幅ｄを低めに抑え、
Al粒子流の平行度を充分にし得ることを確認し
ている。即ち、第８図に示すように（但し、DBS
＝300mm、Ｗ＝550mm、RAl＝１ｇ／min）、DSMを
40mm以下として基体と遮蔽板の距離を短かくする
と、付着拡散幅を25mm（即ちＷの５倍）以下と小
さくし、目的とするAl蒸着膜が得易くなる。第
８図に見られるように、DSMが40mm弱（付着拡散
幅がスリツト幅Ｗの５倍）を越えると、付着拡散
幅の増大が急激になつている。 上記DBSとｄとの間には、第９図に示す関係が
得られ、DBSを60mm以上の範囲で適切に設定（特
に100mm以上）することが望ましい（但、第９図
の条件は、DSM＝５mm、Ｗ＝５mm、RAl＝１ｇ／
min）。 スリツト幅Ｗについては、第１０図のように拡
散幅ｄを左右し、Ｗを20数mm以下とすればよいこ
とが分る。また、第１１図のように、スリツト幅
Ｗ−拡散幅ｄは、DSMのとり方によつても変化
し、DSMを５mmと小さくする方が拡散幅を少なく
できることが分る（但、DBS＝300mm、DSM＝５mm
又は40mm、RAl１、２、４〜６ｇ／min）。 ここで本発明者は、上記した如くに遮蔽板２４
を用いてAl蒸気を蒸着させるに際し、Alの蒸発
速度が上記拡散幅ｄ（第７図参照）、即ちAlの付
着幅を大きく左右するという事実を見出した。即
ち、第１１図に示す如く、Al蒸発速度（RAl）が
早い程拡散幅が大きくなるが、これはAl分圧
（粒子量）が大きくなるに従つてその平均自由行
程が小さくなり、遮蔽板に接近した基体上に付着
し得るAl量又は付着幅が多くなるためであると
考えられる。これに反し、RAlを２ｇ／min以下
と小さめにすれば、平均自由行程が大きくなり、
基体上に達してそこに付着するAlの付着幅が相
対的に小さくなるのである。この結果は特に、
DSMを大きくとつた場合に顕著である。第１１図
から次のことが理解できる。DSMを５mmと小さく
とれば、RAlを４〜６ｇ／min、スリツト幅Ｗを
20mmと夫々大きくとつても、拡散幅ｄを略25mmに
抑えることができる。また、DSMを40mmと大きく
とつても、スリツト幅Ｗを５mm、RAlを１〜２
ｇ／minと夫々小さくとれば、拡散幅ｄを略25mm
（ｄ≒5W）と小さくすることができる。 Al蒸発速度に対する拡散幅ｄの変化を更に調
べたところ、第１２図に示す結果が得られた。こ
れによれば、Al蒸発速度によつて拡散幅が変化
し、その蒸発速度を小さめ（単位時間当りの蒸発
量を少なめ）に設定すると良好な結果が得られる
ことが分る。特に、Al蒸発速度を２ｇ／min以下
とすれば、拡散幅が大幅に減少することが明らか
である。 このように、本発明に基いて、上述の遮蔽板の
使用によつて粒子流を制御しながら、その蒸発速
度を小さめに設定すれば、拡散幅を小さくし、平
行粒子流を多くして、基体の表面（外面）上のみ
Al蒸着膜を精度良く形成することができるので
ある。 上述したマンドレル２２について、第１３図を
用いてより詳細に説明する。 このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接
して設けられているので、基体１１のメツシユを
通過したAl粒子はマンドレル２２で阻止され、
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止され
る。この場合、マンドレル２２は実際には、追加
のスリーブ２５と接合、一体化され、このスリー
ブ２５上の両端に嵌め込まれたリング２６に対し
上述した基体１１が固定される。 第１４図は、他の蒸着装置を示すが、この場合
には、基体１１にバイアス電圧２７をかけ、比較
的小さい蒸発速度で蒸発源２０から飛翔する粒子
２１を電子銃２８からの電子によつて活性化若し
くはイオン化することにより、粒子２１の基体１
１上への吸着効率を高めている。 第１５図は、コイル電極２９に高周波３８を加
え、公知のRFイオンプレーテイングと同様の原
理で、Arガスを導入しながら蒸着を行なう例で
ある。 第１６図は、スパツタ法によりAl膜を形成す
る例を示し、Alターゲツト４０をArガスによる
プラズマでスパツタし、上述と同様に比較的小さ
い速度で叩き出されたAl粒子又はクラスターを
スリツト２３を介して基体１１上にほぼ垂直に入
射させ、上述したAl導電膜１４を形成する。 なお、本発明は、上述の感光性スクリーンに限
らず、他の薄膜、例えば垂直磁気記録層（例えば
Co−Cr膜）の形成にも適用可能であり、その用
途は広範である。また、上述の遮蔽板は複数板組
合わせてよいし、スリツトに対し粒子流が収束す
るような電界又は磁界を作用させてもよい。ま
た、基体の断面形状は矩形等、他の形状であつて
よい。
第１図〜第４図は従来例を示すものであつて、
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
６図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図は各部の位置関係を説明するための第
６図と同様の図、第８図は遮蔽板と基体との距離
による粒子拡散幅を示すグラフ、第９図は蒸発源
と遮蔽板との距離による粒子拡散幅を示すグラ
フ、第１０図は遮蔽板のスリツト幅と粒子拡散幅
との関係を示すグラフ、第１１図は同スリツト幅
と粒子拡散幅との関係をAl蒸発速度及び遮蔽板
−基体間の距離との関連で示すグラフ、第１２図
はAl蒸発速度による粒子拡散幅の変化を示すグ
ラフ、第１３図は基体保持構造を示す断面図、第
１４図、第１５図、第１６図は他の製造装置の各
概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面
図、第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面
図、第３図は蒸着時の断面図、第４図は蒸着後の
感光性スクリーンの断面図である。第５図〜第１
６図は本発明の実施例を示すものであつて、第５
図は蒸着時の断面図、第６図は第５図の要部拡大
図、第７図は各部の位置関係を説明するための第
６図と同様の図、第８図は遮蔽板と基体との距離
による粒子拡散幅を示すグラフ、第９図は蒸発源
と遮蔽板との距離による粒子拡散幅を示すグラ
フ、第１０図は遮蔽板のスリツト幅と粒子拡散幅
との関係を示すグラフ、第１１図は同スリツト幅
と粒子拡散幅との関係をAl蒸発速度及び遮蔽板
−基体間の距離との関連で示すグラフ、第１２図
はAl蒸発速度による粒子拡散幅の変化を示すグ
ラフ、第１３図は基体保持構造を示す断面図、第
１４図、第１５図、第１６図は他の製造装置の各
概略図である。 なお、図面に示した符号において、１１……導
電性スクリーン基体、１３……絶縁層、１４……
（Al）導電膜、１５……感光層、１６……電荷輸
送層、１７……感光性スクリーン、２０……蒸発
源、２１……Al蒸気、２２……マンドレル、２
３……スリツト、２４……遮蔽板である。
Claims (1)
- １ 薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置さ
れた基体上に堆積させるに際し、前記基体を筒状
に配置してその中心軸の周りに回転させ、前記基
体の近傍に配した粒子流制御手段の単一の粒子流
通過口を介して前記粒子を前記基体上に一定角度
の所定方向から導びき、かつ、前記粒子を前記粒
子流通過口の幅の５倍以下の幅で前記基体に入射
させるように、単位時間当りの粒子飛翔量を４〜
６ｇ／min以下に制御することを特徴とする薄膜
形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477083A JPS6067659A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477083A JPS6067659A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067659A JPS6067659A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0323629B2 true JPH0323629B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=15984362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17477083A Granted JPS6067659A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067659A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824544A (en) * | 1987-10-29 | 1989-04-25 | International Business Machines Corporation | Large area cathode lift-off sputter deposition device |
| JPH0745711B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1995-05-17 | 株式会社日立製作所 | 高指向性蒸着装置 |
| US5171412A (en) * | 1991-08-23 | 1992-12-15 | Applied Materials, Inc. | Material deposition method for integrated circuit manufacturing |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
| JPS53117559U (ja) * | 1977-02-24 | 1978-09-19 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477083A patent/JPS6067659A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067659A (ja) | 1985-04-18 |
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