JPS606854A - 磁気デイスク面板の表面の欠陥検出方法 - Google Patents
磁気デイスク面板の表面の欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPS606854A JPS606854A JP11274283A JP11274283A JPS606854A JP S606854 A JPS606854 A JP S606854A JP 11274283 A JP11274283 A JP 11274283A JP 11274283 A JP11274283 A JP 11274283A JP S606854 A JPS606854 A JP S606854A
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- Japan
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- scattered light
- magnetic disk
- inclination
- angle
- face plate
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気ディスク表面の欠陥検出方法に関するもの
である。
である。
磁気ディスクは研磨仕上げしたアルミ面板に酸化鉄砥粒
を塗布する。酸化鉄砥粒はこの塗布工程以前に十分細か
く粉砕されているが、時々粗い酸化鉄砥粒や異物か血布
工程に混入し、磁気ディスク表面欠陥の原因となる＠ 第１図に示す様に、アルミ面板３上の酸化鉄１の厚さ１
μｍであり、酸化鉄表面は０．１Ｓ程度の −細かい梨
地状を呈している。Ｉ４物４／ｉ酸化鉄衣而からの突出
高さ０．５μｍ以上、大きさ１０μｍ以上を欠陥として
いる。
を塗布する。酸化鉄砥粒はこの塗布工程以前に十分細か
く粉砕されているが、時々粗い酸化鉄砥粒や異物か血布
工程に混入し、磁気ディスク表面欠陥の原因となる＠ 第１図に示す様に、アルミ面板３上の酸化鉄１の厚さ１
μｍであり、酸化鉄表面は０．１Ｓ程度の −細かい梨
地状を呈している。Ｉ４物４／ｉ酸化鉄衣而からの突出
高さ０．５μｍ以上、大きさ１０μｍ以上を欠陥として
いる。
この異物を自動的に検査することが本発明の目的である
。平板上の表面きず、微小凹６を検査する目的で従来か
らレーザビームを平板上に照射し、散乱光を集光検出す
る方式が用いられている。この方式を本試料１に適用す
ると以下に示す欠点が生じる。第１図、第２図ではレー
ザビーム２を試料１と異物４に照射した場合の散乱光の
強度分布を示している。試料１からの散乱光は傾斜角度
２５変以上で散乱光強度か大きい、他方、異物からの散
乱光は異物の突出部側面からの散乱が強いだめ、傾斜角
２０度以下でも残置が十分大きい。以上の分布特性を考
慮していない従来の検査装置（第６図）では、試料１上
の酸化鉄梨地表面での散乱光を常に検出しており、異物
からの散乱光との区別が出来なかった、この為、１０μ
ｍ程度の微小異物からの散乱光は梨地表面散乱光に埋も
れて検出出来ない。
。平板上の表面きず、微小凹６を検査する目的で従来か
らレーザビームを平板上に照射し、散乱光を集光検出す
る方式が用いられている。この方式を本試料１に適用す
ると以下に示す欠点が生じる。第１図、第２図ではレー
ザビーム２を試料１と異物４に照射した場合の散乱光の
強度分布を示している。試料１からの散乱光は傾斜角度
２５変以上で散乱光強度か大きい、他方、異物からの散
乱光は異物の突出部側面からの散乱が強いだめ、傾斜角
２０度以下でも残置が十分大きい。以上の分布特性を考
慮していない従来の検査装置（第６図）では、試料１上
の酸化鉄梨地表面での散乱光を常に検出しており、異物
からの散乱光との区別が出来なかった、この為、１０μ
ｍ程度の微小異物からの散乱光は梨地表面散乱光に埋も
れて検出出来ない。
本発明の目的は上記従来技術の欠点をなくし、極めて感
度が畠く、又安定な検出が可能な磁気ディスク表面検出
方法の提供するにある。
度が畠く、又安定な検出が可能な磁気ディスク表面検出
方法の提供するにある。
本発明はレーザ光を２０μｍ〜５０μｍの大きさのスポ
ット状として酸化鉄を塗布した磁気ディスク面板の表面
に照射し、照射点から傾斜角度を２０度以下として、磁
気ディスク表面からの散乱光の影響を防いで散乱光を集
光検出し、磁気ディスク面板の表面の欠陥を検出するこ
とを特徴とするものである。
ット状として酸化鉄を塗布した磁気ディスク面板の表面
に照射し、照射点から傾斜角度を２０度以下として、磁
気ディスク表面からの散乱光の影響を防いで散乱光を集
光検出し、磁気ディスク面板の表面の欠陥を検出するこ
とを特徴とするものである。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて説明する。
第５図、第６図を用い、散乱光集光傾斜角度とレーザビ
ームのスポット径の最適値を説明する。
ームのスポット径の最適値を説明する。
第５図では、スポット径６０μｍ、試料１と１０μｍ異
物からの散乱光の強度を傾斜角度ψ、集光角度θ−３°
で配置した光電変換器７の出力で表わす・第５図（ａ）
にかす如く、光電変換器７から得られる試料１からの散
乱光出力をＮ、％５図（ｂ）に示す如く光電変換器７か
ら得られる異物からの出力をＳとして、傾斜角度ψを変
化させて出力比Ｎ／Ｓを計測した。この結果、第５図（
Ｃ）に示す如く、傾斜角度２０度以下とすればＮ／Ｓ
−０，４以下で極めて安定に異物散乱光を検出出来る・
第６図では、１０μｍ異物で傾斜角度ψを１５゜と固定
し、レーザビーム）Ｄを変化させて出力比Ｎ／Ｓを開側
した。
物からの散乱光の強度を傾斜角度ψ、集光角度θ−３°
で配置した光電変換器７の出力で表わす・第５図（ａ）
にかす如く、光電変換器７から得られる試料１からの散
乱光出力をＮ、％５図（ｂ）に示す如く光電変換器７か
ら得られる異物からの出力をＳとして、傾斜角度ψを変
化させて出力比Ｎ／Ｓを計測した。この結果、第５図（
Ｃ）に示す如く、傾斜角度２０度以下とすればＮ／Ｓ
−０，４以下で極めて安定に異物散乱光を検出出来る・
第６図では、１０μｍ異物で傾斜角度ψを１５゜と固定
し、レーザビーム）Ｄを変化させて出力比Ｎ／Ｓを開側
した。
第６図（α）に示す装置の実験では試料１をＸ方向に移
動して、光電変換器７からは第６図（ｂ）に示す信号が
得られる。そしてその間の最大出力をＮとしだ。ここで
レーザスポットＤを２０μｍ以下とした場けには、レー
ザのコヒーレンシイと試料１の梨地粗面に起因したスペ
ックル現象か生じ、ノイズ成分Ｎが大きい。又、スポッ
トＤを５０μｍ以上とすると照度が低下する為、出力比
Ｎ／Ｓは大きくなシ、安定検出は不可能となる。以上よ
り１０μｍ異物を安定に検出する為にはスポット径は２
０〜５０μｍの範囲が最適であると云える。 〔 第７図は本発明の散乱光集光能力を著しく向上させ、異
物検出安定性に後れた実施例である楕円球１０の一部１
ｏαは傾斜角度２０度以下の全ての散乱光をピンホール
６上に集光する。 ４遮光板４は傾斜角度２０度以上の
散乱光を遮光する機能を持つ・ピンホール６は楕円球１
ｏの焦点Ｆ ’ ＳＦ ２と等価位置に配置されており
、反射ミラー９と遮光板４の中央部の穴はレーザ２を通
過するためにある。
動して、光電変換器７からは第６図（ｂ）に示す信号が
得られる。そしてその間の最大出力をＮとしだ。ここで
レーザスポットＤを２０μｍ以下とした場けには、レー
ザのコヒーレンシイと試料１の梨地粗面に起因したスペ
ックル現象か生じ、ノイズ成分Ｎが大きい。又、スポッ
トＤを５０μｍ以上とすると照度が低下する為、出力比
Ｎ／Ｓは大きくなシ、安定検出は不可能となる。以上よ
り１０μｍ異物を安定に検出する為にはスポット径は２
０〜５０μｍの範囲が最適であると云える。 〔 第７図は本発明の散乱光集光能力を著しく向上させ、異
物検出安定性に後れた実施例である楕円球１０の一部１
ｏαは傾斜角度２０度以下の全ての散乱光をピンホール
６上に集光する。 ４遮光板４は傾斜角度２０度以上の
散乱光を遮光する機能を持つ・ピンホール６は楕円球１
ｏの焦点Ｆ ’ ＳＦ ２と等価位置に配置されており
、反射ミラー９と遮光板４の中央部の穴はレーザ２を通
過するためにある。
第８図、及び第９図に本実施例１５を用いた磁気ディス
ク検査装置の構成を示す、１３はレーザ発振器１１、ミ
ラー１２、集光レンズ８、中央に穴があいだミラー５、
遮光板４、ピンホール６、光電変換器７、楕円球の一部
１ｏαにょシ構成されている。モータ１５と軸受１８に
より回転運動を行うターンテーブル１９上の試料１は、
同時にモータ１７とステージ１６によりＸ方向に並進運
動可能である。この構成によ多試料１はスパイラル状に
全面検肴が行なわれる。
ク検査装置の構成を示す、１３はレーザ発振器１１、ミ
ラー１２、集光レンズ８、中央に穴があいだミラー５、
遮光板４、ピンホール６、光電変換器７、楕円球の一部
１ｏαにょシ構成されている。モータ１５と軸受１８に
より回転運動を行うターンテーブル１９上の試料１は、
同時にモータ１７とステージ１６によりＸ方向に並進運
動可能である。この構成によ多試料１はスパイラル状に
全面検肴が行なわれる。
］発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、磁気ディスク表面
の欠陥を感度よく、しかも安定して検出できる効果を奏
する。
の欠陥を感度よく、しかも安定して検出できる効果を奏
する。
第１図は磁気ディスク表面からのレーザ散乱光の強度分
布を示す図、第２図は異物からのレーザ散乱光強度分布
を示す図、第３図は従来の異物検査装置の構成図、第４
図は本発明の要点を示す図、第５図は散乱光傾斜角度の
最適値を説明する図、第６図はレーザスポット径の最適
値を説明する図、第７図は本発明の一実施例を示す図、
第８図、及び第９図は本発明による検査装置の構成図を
示す図である。 １・・・・・・試料（磁気ディスク向板）４・・・・・
・遮光板 ５・・・・・・中央に穴があいたミラー６・・・・・・
ピンホール ８・・・・・・集光レンズ １０・・・・・・楕円琢 １１・・・・・・レーザ発振器 １２・・・・・・ミラー 第 １国 第２国 第３国 防４０ 第 ５０ （と〕−）（しン 第６０ （０−） （し） □鉱片低Ｌ （Ｃ） レーサ°ズ小−ノ［罹 ｐ 第７虐 第８０ 第 ９０
布を示す図、第２図は異物からのレーザ散乱光強度分布
を示す図、第３図は従来の異物検査装置の構成図、第４
図は本発明の要点を示す図、第５図は散乱光傾斜角度の
最適値を説明する図、第６図はレーザスポット径の最適
値を説明する図、第７図は本発明の一実施例を示す図、
第８図、及び第９図は本発明による検査装置の構成図を
示す図である。 １・・・・・・試料（磁気ディスク向板）４・・・・・
・遮光板 ５・・・・・・中央に穴があいたミラー６・・・・・・
ピンホール ８・・・・・・集光レンズ １０・・・・・・楕円琢 １１・・・・・・レーザ発振器 １２・・・・・・ミラー 第 １国 第２国 第３国 防４０ 第 ５０ （と〕−）（しン 第６０ （０−） （し） □鉱片低Ｌ （Ｃ） レーサ°ズ小−ノ［罹 ｐ 第７虐 第８０ 第 ９０
Claims (1)
- レーザ光を２０μｒＩＬ〜５０μｍの大きさのスポット
状として酸化鉄を塗布した磁気ディスク面板の表面に照
射し、照射点から傾斜角度を２０度以下として散乱光を
集光検出し、磁気ディスク面板の表面の欠陥を検出する
仁とを特徴とする磁気ディスク面板の表面欠陥検出方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11274283A JPS606854A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 磁気デイスク面板の表面の欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11274283A JPS606854A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 磁気デイスク面板の表面の欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606854A true JPS606854A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14594409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11274283A Pending JPS606854A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 磁気デイスク面板の表面の欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606854A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4682897A (en) * | 1984-12-10 | 1987-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Light scattering measuring apparatus |
| JPS63208747A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Teru Saamuko Kk | 光学検査装置 |
| JPS6453138A (en) * | 1987-05-28 | 1989-03-01 | Tel Sagami Ltd | Surface inspecting device for semiconductor wafer |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11274283A patent/JPS606854A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4682897A (en) * | 1984-12-10 | 1987-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Light scattering measuring apparatus |
| JPS63208747A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Teru Saamuko Kk | 光学検査装置 |
| JPS6453138A (en) * | 1987-05-28 | 1989-03-01 | Tel Sagami Ltd | Surface inspecting device for semiconductor wafer |
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