JPS6068590A - Method of forming insulating film - Google Patents
Method of forming insulating filmInfo
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- JPS6068590A JPS6068590A JP58175188A JP17518883A JPS6068590A JP S6068590 A JPS6068590 A JP S6068590A JP 58175188 A JP58175188 A JP 58175188A JP 17518883 A JP17518883 A JP 17518883A JP S6068590 A JPS6068590 A JP S6068590A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、絶縁膜の形成方法に関し、特に透明導電膜が
形成された基板上に、透明導電膜を被うようにスノｅツ
タリングで絶縁膜を形成する方法に関するものである。Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention relates to a method for forming an insulating film, and in particular to a method for forming an insulating film on a substrate on which a transparent conductive film is formed, insulating the film by sno-e-tuttering so as to cover the transparent conductive film. The present invention relates to a method of forming a film.
（従来例の構成とその問題点）
例えば薄膜Ｅ Ｌ表示素子は、ストライノ°状の透明電
極群が形成されたガラス板上に第１の絶縁膜を介してＥ
Ｌ （Ｅｌｅｃｔ、ｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ
）発光層を形成し、さらにその上に第２の絶縁膜を形
成し、その上に上記透明電極群と直交するようにスＩ・
ライブ状の背面電極群を設けた構成になっている。(Structure of conventional example and its problems) For example, in a thin film E L display element, an E
L (Elect,ro Lum1nescence
) A light-emitting layer is formed, a second insulating film is formed on the light-emitting layer, and a second insulating film is formed on the light-emitting layer so as to be orthogonal to the transparent electrode group.
The structure includes a live back electrode group.
すなわち透明電極群はすくなくとも端部の室枠取出し部
を除いて絶縁膜で被われている。That is, the transparent electrode group is covered with an insulating film except for at least the chamber frame extraction portion at the end.
上記絶縁膜は従来から高周波スパッタリング法で作製さ
れる。第１図に示すようにベルノー＼・−１内に対向さ
せて設置されたカソード電（扉２及びアノード電極３を
有するスパッタリング装置が用いられる。絶縁膜が被着
される基板４けアノード電極３」二に、被着面をカソー
ド電極２に向けて搭載され、両電極２，３間に所定の高
周波電源を１０カロしカソード電極２上に搭載された絶
縁物からなるターケゞット５から、アルゴン陽オン等に
よって絶縁物分子がたたき出され、基板４に付着して絶
縁膜が形成される。基板４を、第２図を用いてさらに詳
しく説明すると、たとえば力゛ラス基板６上に透明電極
７が形成されており、電極取出しのために透明電極７の
端部をメタルマスク８で被い、その」二にスパッタリン
グにより絶縁膜９がＪｉｌｔ成される０
ところで第１図のような構造のス・やツタリング装置で
、第２図のようにメタルマスクを用いて絶縁物のス・ク
ツクリングを行ない、透明電極を被うように絶縁膜を形
成すると、ス・七ツクリング工程中に透明電極の還元現
象がしばしば発生する。たとえば透明電極として酸化イ
ンジウムすず（以下１、Ｔ。０と略す）膜が厚さ１００
０Ｘで形成されているものに、ステンレスのメタルマス
クを用いて次のような条件で二酸化ケイ素をヌノＲツタ
リングのため本来透明であるはずの１．Ｔ、０膜が黒り
力′、色したように見える。The above-mentioned insulating film is conventionally manufactured by a high frequency sputtering method. As shown in Fig. 1, a sputtering device is used which has a cathode electrode (door 2 and an anode electrode 3) installed opposite each other in a Bernould \-1.A sputtering device is used which has a cathode electrode (door 2) and an anode electrode 3.The anode electrode 3 has four substrates to which an insulating film is deposited. ''Secondly, from a target 5 made of an insulator mounted on the cathode electrode 2 with the surface to be adhered facing the cathode electrode 2 and with a predetermined high frequency power source of 10 kg between both electrodes 2 and 3, , argon cations, etc., and adhere to the substrate 4 to form an insulating film.The substrate 4 will be explained in more detail with reference to FIG. A transparent electrode 7 is formed, and in order to take out the electrode, the end of the transparent electrode 7 is covered with a metal mask 8, and then an insulating film 9 is formed by sputtering. As shown in Figure 2, a metal mask is used to screen the insulating material using a structural screening device, and an insulating film is formed to cover the transparent electrode. A reduction phenomenon of electrodes often occurs.For example, when an indium tin oxide (hereinafter abbreviated as 1, T.0) film is used as a transparent electrode to a thickness of 100 mm,
0X, using a stainless steel metal mask under the following conditions to apply silicon dioxide to the 1. The T,0 film appears to be black and colored.
ス・々ツクリング条件
アルゴン分圧 ５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ投入パワー ４
．５ Ｗ／１ｙｎ２
クーケゝット ニ酸化ケイ素
スパッタモード ＲＦマグネトロン方式％式％
スパッタ時間 ７ｍ１ｎ
このような１．Ｔ。０膜の還元反応が発生ずる原因とし
ては次のようなことが考えられている。すなわち、ス／
ぐツタリング工程中にアルゴン陽イオンなどの陽イオン
種によシチャーノアソフ０されたガラス基板の表面と通
常ブー２電位のアノード電極との間で放電が起り、瞬間
的に電子流入が発生するからである。これによって透明
電極は部分的に黒化して透明度を失い、表示素子の透明
電極としての機能を果たさなく女る。Scheduling conditions Argon partial pressure 5 x 10 Torr Input power 4
．． 5 W/1yn2 Couquette Silicon dioxide sputtering mode RF magnetron method % type % Sputtering time 7m1n Such 1. T. The following is thought to be the cause of the reduction reaction of the 0 film. In other words, S/
This is because, during the guttering process, a discharge occurs between the surface of the glass substrate, which has been oxidized by cation species such as argon cations, and the anode electrode, which is normally at a potential of 2, and an instantaneous inflow of electrons occurs. . As a result, the transparent electrode partially turns black and loses its transparency, so that it no longer functions as a transparent electrode of a display element.
（発明の目的）
本発明は、」二記従来のス・ぐツタリングによる絶縁膜
の形成力法の欠点を除去し、透明導電膜の黒化を防止し
た絶縁膜の形成法を提供するものであるＯ
（発明の構成）
本発明は、上記の目的を達成するために、以下のような
方法で絶縁膜を形成することを特徴とする。透明導電膜
からなる複数の電極上に、それらの電極どうしが電気的
に短絡し々いようにマスクをしてス・Ｒツタリングによ
Ｉ）絶縁膜を形成する０このような条件に適合するマス
クキング法としては種々考えられるが、層も容易で安価
な方法はマスク自身の材料として絶縁性材料を用い、絶
縁物のマスクを使用することが考えられる。あるいは金
（１名などの層重性材料のマスクを用いる場合は基板と
マスクとの間に絶縁物を介在させ、電気的に絶縁するな
どが考えられる。(Object of the Invention) The present invention provides a method for forming an insulating film which eliminates the drawbacks of the conventional method of forming an insulating film by stumbling and prevents blackening of a transparent conductive film. (Structure of the Invention) In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that an insulating film is formed by the following method. I) Form an insulating film on a plurality of electrodes made of a transparent conductive film by S-R stumbling with a mask so that the electrodes are not electrically short-circuited 0 Meets these conditions Various masking methods can be considered, but a method that is easy to form layers and is inexpensive is to use an insulating material as the material of the mask itself, and use an insulating mask. Alternatively, if a mask made of a layered material such as gold is used, an insulator may be interposed between the substrate and the mask to provide electrical insulation.
本発明の主旨を損なわない範囲であればマスクの形状や
椙料などは％に制限されるものではない。The shape and thickness of the mask are not limited to % as long as they do not impair the spirit of the present invention.
上記のような方法で透明導電膜上にスパッタリングによ
って絶縁膜を形成すると、そのメカニズムについてはよ
く分かってい々いが、従来問題があったよう々透明導電
膜の黒化は全く発生しない。When an insulating film is formed by sputtering on a transparent conductive film using the method described above, the blackening of the transparent conductive film, which has been a problem in the past, does not occur at all, although the mechanism is not well understood.
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
（実施例の説明）
第３図は、本発明にかかる絶縁膜の形成法の一実施例に
より製造された尚膜ＥＬ素子を示しだものである。１」
は縦２２０ｍｍ９横２２０１躍、厚さ］、 ｍｍの透明
なガラス基板、１２は絶縁層であり、膜厚５０００Ｘの
二酸化ケイ素からなっている。(Description of Examples) FIG. 3 shows a film EL device manufactured by an example of the method for forming an insulating film according to the present invention. 1"
12 is an insulating layer made of silicon dioxide with a film thickness of 5000×.
１３はＩＴＯ膜よシなる幅Ｏ１５” ＋長さ２００ｍｍ
１厚さ２５００Ｘの透明平行電極、１４は膜厚５０００
久のマンガン付活硫化亜鉛から々るＥＬ発光層、１５は
膜厚５０００Ｘの酸化イツトリウムからなる発光制御用
の絶縁層、］６は幅０．１５ ｍｍ 、長さ２２０ ｍ
ｍ ｌ厚さ１０００Ｘのアルミよシなる背面平行電極で
あり、透明平行電極１３とは直交するような配置となっ
ている。透明平行電極Ｊ３は？［ｍ、極取出しのため端
部が長さ５ ｍｒｎだけ露出されている。13 is ITO film width O15” + length 200mm
1 transparent parallel electrode with a thickness of 2500X, 14 with a film thickness of 5000X
15 is an insulating layer for light emission control made of yttrium oxide with a film thickness of 5000×, ] 6 is a width of 0.15 mm and a length of 220 m.
ml is a rear parallel electrode made of aluminum with a thickness of 1000×, and is arranged so as to be orthogonal to the transparent parallel electrode 13. What about transparent parallel electrode J3? [m, the end is exposed for a length of 5 mrn for pole extraction.
このような薄膜Ｅ Ｌ素子は以下の手順で製造される。Such a thin film EL element is manufactured by the following procedure.
寸ず透明なガラス基板］１上にＩＴＯ膜を電子ビーム蒸
着で被着し、写真蝕刻法を用いて透明平行電極］３を選
択的に形成する。その上眞幅ｌ Ｑ ＋ｎＴｌ、長さ２
００ＴｎＪｎＰ厚さ１１１ｍのガラス板を透明乎行電４
ｉ１３の端部が５１１ＩＩ１１だけ被われるように設置
し、その上に前述の条件にて高周波スパッタリングを用
いて５ＩＯ２からなる絶縁層１２を形成する。しかる後
（（、マンガン付活硫化亜鉛から々るＥ Ｌ発光層］４
、酸化イツトリウムからなる発光制御用の絶縁層］５を
順次電子ビーム蒸着にて積層して形成Ｉ〜、その上に写
真蝕刻法を用いてアルミニウムからなる背面平行電極］
６を形成してなるものである。このときＩＴＯ膜からな
る透明平行電極１３は全く黒化が発生しておらず、表示
素子の透明電極として問題々く機能することが確認され
、た。An ITO film is deposited on a transparent glass substrate 1 by electron beam evaporation, and transparent parallel electrodes 3 are selectively formed using photolithography. Moreover, true width l Q +nTl, length 2
00TnJnP 111m thick glass plate transparent to line 4
The end portion of i13 is placed so as to be covered by 511II11, and the insulating layer 12 made of 5IO2 is formed thereon using high frequency sputtering under the above-mentioned conditions. After that ((, E L light emitting layer made from manganese activated zinc sulfide) 4
, an insulating layer for light emission control made of yttrium oxide] 5 is sequentially laminated by electron beam evaporation, and a rear parallel electrode made of aluminum is formed thereon by photolithography.
6. At this time, it was confirmed that the transparent parallel electrode 13 made of the ITO film was not blackened at all, and functioned satisfactorily as a transparent electrode of a display element.
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、同一基板上に拓載された
透明導電膜からなる複数の電極を、電極どうしが相互に
電気的に短絡しないようにマスクをしてその上にスパッ
クリングで絶縁膜を形成することにより、簡単な方法で
透明導電膜が全く黒化することなく効果的に絶縁膜を形
成することができる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a plurality of electrodes made of a transparent conductive film laid out on the same substrate are masked to prevent electrical short-circuiting between the electrodes. By forming an insulating film thereon by spackling, the insulating film can be effectively formed by a simple method without any blackening of the transparent conductive film.
第１図は、従来のス・母ツタリング装置の概略図、第２
図（ａ）は、従来例の構成による絶縁膜の形成方法を示
す平面図、第２図（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図、第３図
（ａ）は、本発明にかかる絶縁膜の形成方法の一実施例
によシ製造された薄膜ＥＬ素子の］／面図、第３図（ｂ
）は、そのＢ−Ｂ断面図である。
１１・・・ガラス基板、１２・・・絶縁層、１；う・・
・透明平行電極、１４・・・ＥＬ発光層、１５・・・絶
縁層、１６・・・背面平行電極。
第１図
第２図
（０）
第３図
（ａ）
３FIG.
FIG. 2(a) is a plan view showing a method of forming an insulating film according to a conventional configuration, FIG. 2(b) is a cross-sectional view taken along line A-A, and FIG. 3 (b)
) is a BB sectional view thereof. 11... Glass substrate, 12... Insulating layer, 1; U...
- Transparent parallel electrode, 14... EL light emitting layer, 15... Insulating layer, 16... Back parallel electrode. Figure 1 Figure 2 (0) Figure 3 (a) 3
Claims (3)
で、前記複数の電極の上に絶縁膜をス・ぐツタリングに
よって形成する方法において、前記複数の電極が相互に
電気的に短絡しないようにマスクをして絶縁膜拐料をス
パツタリングすることを特徴とする絶縁膜の形成法。(1) In a method of forming an insulating film on a plurality of electrodes by strutling on a substrate on which a plurality of electrodes made of a transparent conductive film are formed, the plurality of electrodes are not electrically short-circuited with each other. A method for forming an insulating film, which is characterized by sputtering an insulating film coating material using a mask.
それぞノ１．複数本配列された２組の帯状電極群で構成
される７トリノクス電極間傾絶縁膜を介して層設された
ＥＬ発光層を基板上に搭載して成る薄膜Ｅ Ｌ素子の、
前記２組のうちの一方の帯状質、極群であることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の絶縁膜の形成力
法。(2) AjJ transparent conductive films are formed in the directions perpendicular to each other in 1. This is a thin film EL device consisting of an EL light-emitting layer mounted on a substrate with an EL light-emitting layer interposed between 7-trinox electrodes and a diagonal insulating film made up of two sets of strip-shaped electrodes arranged in plurality.
The method for forming an insulating film according to claim 1, wherein one of the two groups is a band-shaped material and a pole group.
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）頂載の絶縁
膜の形成力法。(3) The method for forming an insulating film according to claim 1, wherein the transparent conductive film is made of an indium tin oxide film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175188A JPS6068590A (en) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | Method of forming insulating film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175188A JPS6068590A (en) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | Method of forming insulating film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068590A true JPS6068590A (en) | 1985-04-19 |
| JPH056319B2 JPH056319B2 (en) | 1993-01-26 |
Family
ID=15991819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175188A Granted JPS6068590A (en) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | Method of forming insulating film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068590A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320461A (en) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin film forming device |
| JPH02226692A (en) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | Manufacture of thin-film el panel |
| JP2007534847A (en) * | 2004-04-29 | 2007-11-29 | ファスロック．インターナショナル．リミテッド | Sacrificial anode assembly |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152882A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Sharp Corp | Structure of thin film el element |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58175188A patent/JPS6068590A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152882A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Sharp Corp | Structure of thin film el element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320461A (en) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin film forming device |
| JPH02226692A (en) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | Manufacture of thin-film el panel |
| JP2007534847A (en) * | 2004-04-29 | 2007-11-29 | ファスロック．インターナショナル．リミテッド | Sacrificial anode assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH056319B2 (en) | 1993-01-26 |
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