JPS6068590A - 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜上への絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6068590A JPS6068590A JP58175188A JP17518883A JPS6068590A JP S6068590 A JPS6068590 A JP S6068590A JP 58175188 A JP58175188 A JP 58175188A JP 17518883 A JP17518883 A JP 17518883A JP S6068590 A JPS6068590 A JP S6068590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- electrodes
- forming
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、絶縁膜の形成方法に関し、特に透明導電膜が
形成された基板上に、透明導電膜を被うようにスノｅツ
タリングで絶縁膜を形成する方法に関するものである。
形成された基板上に、透明導電膜を被うようにスノｅツ
タリングで絶縁膜を形成する方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
例えば薄膜Ｅ Ｌ表示素子は、ストライノ°状の透明電
極群が形成されたガラス板上に第１の絶縁膜を介してＥ
Ｌ （Ｅｌｅｃｔ、ｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ
）発光層を形成し、さらにその上に第２の絶縁膜を形
成し、その上に上記透明電極群と直交するようにスＩ・
ライブ状の背面電極群を設けた構成になっている。
極群が形成されたガラス板上に第１の絶縁膜を介してＥ
Ｌ （Ｅｌｅｃｔ、ｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ
）発光層を形成し、さらにその上に第２の絶縁膜を形
成し、その上に上記透明電極群と直交するようにスＩ・
ライブ状の背面電極群を設けた構成になっている。
すなわち透明電極群はすくなくとも端部の室枠取出し部
を除いて絶縁膜で被われている。
を除いて絶縁膜で被われている。
上記絶縁膜は従来から高周波スパッタリング法で作製さ
れる。第１図に示すようにベルノー＼・−１内に対向さ
せて設置されたカソード電（扉２及びアノード電極３を
有するスパッタリング装置が用いられる。絶縁膜が被着
される基板４けアノード電極３」二に、被着面をカソー
ド電極２に向けて搭載され、両電極２，３間に所定の高
周波電源を１０カロしカソード電極２上に搭載された絶
縁物からなるターケゞット５から、アルゴン陽オン等に
よって絶縁物分子がたたき出され、基板４に付着して絶
縁膜が形成される。基板４を、第２図を用いてさらに詳
しく説明すると、たとえば力゛ラス基板６上に透明電極
７が形成されており、電極取出しのために透明電極７の
端部をメタルマスク８で被い、その」二にスパッタリン
グにより絶縁膜９がＪｉｌｔ成される０ ところで第１図のような構造のス・やツタリング装置で
、第２図のようにメタルマスクを用いて絶縁物のス・ク
ツクリングを行ない、透明電極を被うように絶縁膜を形
成すると、ス・七ツクリング工程中に透明電極の還元現
象がしばしば発生する。たとえば透明電極として酸化イ
ンジウムすず（以下１、Ｔ。０と略す）膜が厚さ１００
０Ｘで形成されているものに、ステンレスのメタルマス
クを用いて次のような条件で二酸化ケイ素をヌノＲツタ
リングのため本来透明であるはずの１．Ｔ、０膜が黒り
力′、色したように見える。
れる。第１図に示すようにベルノー＼・−１内に対向さ
せて設置されたカソード電（扉２及びアノード電極３を
有するスパッタリング装置が用いられる。絶縁膜が被着
される基板４けアノード電極３」二に、被着面をカソー
ド電極２に向けて搭載され、両電極２，３間に所定の高
周波電源を１０カロしカソード電極２上に搭載された絶
縁物からなるターケゞット５から、アルゴン陽オン等に
よって絶縁物分子がたたき出され、基板４に付着して絶
縁膜が形成される。基板４を、第２図を用いてさらに詳
しく説明すると、たとえば力゛ラス基板６上に透明電極
７が形成されており、電極取出しのために透明電極７の
端部をメタルマスク８で被い、その」二にスパッタリン
グにより絶縁膜９がＪｉｌｔ成される０ ところで第１図のような構造のス・やツタリング装置で
、第２図のようにメタルマスクを用いて絶縁物のス・ク
ツクリングを行ない、透明電極を被うように絶縁膜を形
成すると、ス・七ツクリング工程中に透明電極の還元現
象がしばしば発生する。たとえば透明電極として酸化イ
ンジウムすず（以下１、Ｔ。０と略す）膜が厚さ１００
０Ｘで形成されているものに、ステンレスのメタルマス
クを用いて次のような条件で二酸化ケイ素をヌノＲツタ
リングのため本来透明であるはずの１．Ｔ、０膜が黒り
力′、色したように見える。
ス・々ツクリング条件
アルゴン分圧 ５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ投入パワー ４
．５ Ｗ／１ｙｎ２ クーケゝット ニ酸化ケイ素 スパッタモード ＲＦマグネトロン方式％式％ スパッタ時間 ７ｍ１ｎ このような１．Ｔ。０膜の還元反応が発生ずる原因とし
ては次のようなことが考えられている。すなわち、ス／
ぐツタリング工程中にアルゴン陽イオンなどの陽イオン
種によシチャーノアソフ０されたガラス基板の表面と通
常ブー２電位のアノード電極との間で放電が起り、瞬間
的に電子流入が発生するからである。これによって透明
電極は部分的に黒化して透明度を失い、表示素子の透明
電極としての機能を果たさなく女る。
．５ Ｗ／１ｙｎ２ クーケゝット ニ酸化ケイ素 スパッタモード ＲＦマグネトロン方式％式％ スパッタ時間 ７ｍ１ｎ このような１．Ｔ。０膜の還元反応が発生ずる原因とし
ては次のようなことが考えられている。すなわち、ス／
ぐツタリング工程中にアルゴン陽イオンなどの陽イオン
種によシチャーノアソフ０されたガラス基板の表面と通
常ブー２電位のアノード電極との間で放電が起り、瞬間
的に電子流入が発生するからである。これによって透明
電極は部分的に黒化して透明度を失い、表示素子の透明
電極としての機能を果たさなく女る。
（発明の目的）
本発明は、」二記従来のス・ぐツタリングによる絶縁膜
の形成力法の欠点を除去し、透明導電膜の黒化を防止し
た絶縁膜の形成法を提供するものであるＯ （発明の構成） 本発明は、上記の目的を達成するために、以下のような
方法で絶縁膜を形成することを特徴とする。透明導電膜
からなる複数の電極上に、それらの電極どうしが電気的
に短絡し々いようにマスクをしてス・Ｒツタリングによ
Ｉ）絶縁膜を形成する０このような条件に適合するマス
クキング法としては種々考えられるが、層も容易で安価
な方法はマスク自身の材料として絶縁性材料を用い、絶
縁物のマスクを使用することが考えられる。あるいは金
（１名などの層重性材料のマスクを用いる場合は基板と
マスクとの間に絶縁物を介在させ、電気的に絶縁するな
どが考えられる。
の形成力法の欠点を除去し、透明導電膜の黒化を防止し
た絶縁膜の形成法を提供するものであるＯ （発明の構成） 本発明は、上記の目的を達成するために、以下のような
方法で絶縁膜を形成することを特徴とする。透明導電膜
からなる複数の電極上に、それらの電極どうしが電気的
に短絡し々いようにマスクをしてス・Ｒツタリングによ
Ｉ）絶縁膜を形成する０このような条件に適合するマス
クキング法としては種々考えられるが、層も容易で安価
な方法はマスク自身の材料として絶縁性材料を用い、絶
縁物のマスクを使用することが考えられる。あるいは金
（１名などの層重性材料のマスクを用いる場合は基板と
マスクとの間に絶縁物を介在させ、電気的に絶縁するな
どが考えられる。
本発明の主旨を損なわない範囲であればマスクの形状や
椙料などは％に制限されるものではない。
椙料などは％に制限されるものではない。
上記のような方法で透明導電膜上にスパッタリングによ
って絶縁膜を形成すると、そのメカニズムについてはよ
く分かってい々いが、従来問題があったよう々透明導電
膜の黒化は全く発生しない。
って絶縁膜を形成すると、そのメカニズムについてはよ
く分かってい々いが、従来問題があったよう々透明導電
膜の黒化は全く発生しない。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
（実施例の説明）
第３図は、本発明にかかる絶縁膜の形成法の一実施例に
より製造された尚膜ＥＬ素子を示しだものである。１」
は縦２２０ｍｍ９横２２０１躍、厚さ］、 ｍｍの透明
なガラス基板、１２は絶縁層であり、膜厚５０００Ｘの
二酸化ケイ素からなっている。
より製造された尚膜ＥＬ素子を示しだものである。１」
は縦２２０ｍｍ９横２２０１躍、厚さ］、 ｍｍの透明
なガラス基板、１２は絶縁層であり、膜厚５０００Ｘの
二酸化ケイ素からなっている。
１３はＩＴＯ膜よシなる幅Ｏ１５” ＋長さ２００ｍｍ
１厚さ２５００Ｘの透明平行電極、１４は膜厚５０００
久のマンガン付活硫化亜鉛から々るＥＬ発光層、１５は
膜厚５０００Ｘの酸化イツトリウムからなる発光制御用
の絶縁層、］６は幅０．１５ ｍｍ 、長さ２２０ ｍ
ｍ ｌ厚さ１０００Ｘのアルミよシなる背面平行電極で
あり、透明平行電極１３とは直交するような配置となっ
ている。透明平行電極Ｊ３は？［ｍ、極取出しのため端
部が長さ５ ｍｒｎだけ露出されている。
１厚さ２５００Ｘの透明平行電極、１４は膜厚５０００
久のマンガン付活硫化亜鉛から々るＥＬ発光層、１５は
膜厚５０００Ｘの酸化イツトリウムからなる発光制御用
の絶縁層、］６は幅０．１５ ｍｍ 、長さ２２０ ｍ
ｍ ｌ厚さ１０００Ｘのアルミよシなる背面平行電極で
あり、透明平行電極１３とは直交するような配置となっ
ている。透明平行電極Ｊ３は？［ｍ、極取出しのため端
部が長さ５ ｍｒｎだけ露出されている。
このような薄膜Ｅ Ｌ素子は以下の手順で製造される。
寸ず透明なガラス基板］１上にＩＴＯ膜を電子ビーム蒸
着で被着し、写真蝕刻法を用いて透明平行電極］３を選
択的に形成する。その上眞幅ｌ Ｑ ＋ｎＴｌ、長さ２
００ＴｎＪｎＰ厚さ１１１ｍのガラス板を透明乎行電４
ｉ１３の端部が５１１ＩＩ１１だけ被われるように設置
し、その上に前述の条件にて高周波スパッタリングを用
いて５ＩＯ２からなる絶縁層１２を形成する。しかる後
（（、マンガン付活硫化亜鉛から々るＥ Ｌ発光層］４
、酸化イツトリウムからなる発光制御用の絶縁層］５を
順次電子ビーム蒸着にて積層して形成Ｉ〜、その上に写
真蝕刻法を用いてアルミニウムからなる背面平行電極］
６を形成してなるものである。このときＩＴＯ膜からな
る透明平行電極１３は全く黒化が発生しておらず、表示
素子の透明電極として問題々く機能することが確認され
、た。
着で被着し、写真蝕刻法を用いて透明平行電極］３を選
択的に形成する。その上眞幅ｌ Ｑ ＋ｎＴｌ、長さ２
００ＴｎＪｎＰ厚さ１１１ｍのガラス板を透明乎行電４
ｉ１３の端部が５１１ＩＩ１１だけ被われるように設置
し、その上に前述の条件にて高周波スパッタリングを用
いて５ＩＯ２からなる絶縁層１２を形成する。しかる後
（（、マンガン付活硫化亜鉛から々るＥ Ｌ発光層］４
、酸化イツトリウムからなる発光制御用の絶縁層］５を
順次電子ビーム蒸着にて積層して形成Ｉ〜、その上に写
真蝕刻法を用いてアルミニウムからなる背面平行電極］
６を形成してなるものである。このときＩＴＯ膜からな
る透明平行電極１３は全く黒化が発生しておらず、表示
素子の透明電極として問題々く機能することが確認され
、た。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、同一基板上に拓載された
透明導電膜からなる複数の電極を、電極どうしが相互に
電気的に短絡しないようにマスクをしてその上にスパッ
クリングで絶縁膜を形成することにより、簡単な方法で
透明導電膜が全く黒化することなく効果的に絶縁膜を形
成することができる。
透明導電膜からなる複数の電極を、電極どうしが相互に
電気的に短絡しないようにマスクをしてその上にスパッ
クリングで絶縁膜を形成することにより、簡単な方法で
透明導電膜が全く黒化することなく効果的に絶縁膜を形
成することができる。
第１図は、従来のス・母ツタリング装置の概略図、第２
図（ａ）は、従来例の構成による絶縁膜の形成方法を示
す平面図、第２図（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図、第３図
（ａ）は、本発明にかかる絶縁膜の形成方法の一実施例
によシ製造された薄膜ＥＬ素子の］／面図、第３図（ｂ
）は、そのＢ−Ｂ断面図である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・絶縁層、１；う・・
・透明平行電極、１４・・・ＥＬ発光層、１５・・・絶
縁層、１６・・・背面平行電極。 第１図 第２図 （０） 第３図 （ａ） ３
図（ａ）は、従来例の構成による絶縁膜の形成方法を示
す平面図、第２図（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図、第３図
（ａ）は、本発明にかかる絶縁膜の形成方法の一実施例
によシ製造された薄膜ＥＬ素子の］／面図、第３図（ｂ
）は、そのＢ−Ｂ断面図である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・絶縁層、１；う・・
・透明平行電極、１４・・・ＥＬ発光層、１５・・・絶
縁層、１６・・・背面平行電極。 第１図 第２図 （０） 第３図 （ａ） ３
Claims (3)
- （１）透明導電膜からなる複数の電極を形成した基板上
で、前記複数の電極の上に絶縁膜をス・ぐツタリングに
よって形成する方法において、前記複数の電極が相互に
電気的に短絡しないようにマスクをして絶縁膜拐料をス
パツタリングすることを特徴とする絶縁膜の形成法。 - （２） ＡｊＪ記透明導電膜が、互いに直交する方向に
それぞノ１．複数本配列された２組の帯状電極群で構成
される７トリノクス電極間傾絶縁膜を介して層設された
ＥＬ発光層を基板上に搭載して成る薄膜Ｅ Ｌ素子の、
前記２組のうちの一方の帯状質、極群であることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の絶縁膜の形成力
法。 - （３）＠記透明導電膜が、酸化インジウムすず膜からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）頂載の絶縁
膜の形成力法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175188A JPS6068590A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175188A JPS6068590A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068590A true JPS6068590A (ja) | 1985-04-19 |
| JPH056319B2 JPH056319B2 (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=15991819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175188A Granted JPS6068590A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068590A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320461A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2007534847A (ja) * | 2004-04-29 | 2007-11-29 | ファスロック．インターナショナル．リミテッド | 犠牲陽極アセンブリ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152882A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Sharp Corp | Structure of thin film el element |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58175188A patent/JPS6068590A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152882A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Sharp Corp | Structure of thin film el element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320461A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2007534847A (ja) * | 2004-04-29 | 2007-11-29 | ファスロック．インターナショナル．リミテッド | 犠牲陽極アセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH056319B2 (ja) | 1993-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5559399A (en) | Low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays | |
| US5403614A (en) | Method for making an electroluminescent element | |
| JP2001076866A (ja) | 有機電界発光装置 | |
| JPS60126687A (ja) | 固体映像表示板およびその製造法 | |
| JPH056319B2 (ja) | ||
| JP2001291580A (ja) | 有機電界発光装置 | |
| JPS60124393A (ja) | 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPH056318B2 (ja) | ||
| KR100273848B1 (ko) | 평판소자의 전극 | |
| JP2001217073A (ja) | 有機電界発光装置 | |
| JPH0290489A (ja) | 分散型ｅｌ素子 | |
| JP3062637B2 (ja) | 蛍光表示管の製造方法 | |
| JPS6359519B2 (ja) | ||
| JPH0666155B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPS61188890A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JPH01204394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS62115694A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2773773B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPH05205874A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH01315985A (ja) | Ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPS60160507A (ja) | 薄膜生成法 | |
| JPS6248359B2 (ja) | ||
| JPS63244581A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05198376A (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPS6320461A (ja) | 薄膜形成装置 |