JPS6069656A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6069656A JPS6069656A JP58176994A JP17699483A JPS6069656A JP S6069656 A JPS6069656 A JP S6069656A JP 58176994 A JP58176994 A JP 58176994A JP 17699483 A JP17699483 A JP 17699483A JP S6069656 A JPS6069656 A JP S6069656A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
- G03G5/0646—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system
- G03G5/0651—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system containing four relevant rings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、更に詳しくは、光感度
に優れ、安定性が高く、層形成が容易な光電荷発生層を
有し、耐久性・帯電特性及び残留電位特性に優れた電子
写真感光体に関する。
に優れ、安定性が高く、層形成が容易な光電荷発生層を
有し、耐久性・帯電特性及び残留電位特性に優れた電子
写真感光体に関する。
電子写真感光体の光導電プロセスは、光電荷発生プロセ
ス及び電荷輸送プロセスとから構成される。従来から知
られている電子写真感光体は次の２種類のものに大別で
きる。すなわち、上記した２つのプロセスを１個の物質
で行なわせる形式のものとそねぞねのプロセスをそねそ
れ別個の物質で行なわせる形式のものである。
ス及び電荷輸送プロセスとから構成される。従来から知
られている電子写真感光体は次の２種類のものに大別で
きる。すなわち、上記した２つのプロセスを１個の物質
で行なわせる形式のものとそねぞねのプロセスをそねそ
れ別個の物質で行なわせる形式のものである。
後者の形式のものとしては、例えば真ちゅう、アルミニ
ウムのような導電性材料から成る導電性支持体の上に、
例えば無定形セレンのような光電荷発生物質の薄層を設
け、更にその上にポリビニルカルバゾールのような電荷
輸送物質の層を設けた積層構造体のものがよく知られて
いる。この積層型のものは、感光体に用いる材料の選択
範囲が広くなり、得られた感光体の感光及び受容電位等
の電子写真特性に優れ、かつ製造時には被膜物性の優れ
た感光体を製造することができるという利点を備えてい
る。
ウムのような導電性材料から成る導電性支持体の上に、
例えば無定形セレンのような光電荷発生物質の薄層を設
け、更にその上にポリビニルカルバゾールのような電荷
輸送物質の層を設けた積層構造体のものがよく知られて
いる。この積層型のものは、感光体に用いる材料の選択
範囲が広くなり、得られた感光体の感光及び受容電位等
の電子写真特性に優れ、かつ製造時には被膜物性の優れ
た感光体を製造することができるという利点を備えてい
る。
しかしながら、この感光体は、光電荷発生物質である無
定形セレンの製造が困難で、それゆえ製造コストが高く
な）、シかも可撓性がないためベルト状に加工すること
は困難であるという欠点を有する。
定形セレンの製造が困難で、それゆえ製造コストが高く
な）、シかも可撓性がないためベルト状に加工すること
は困難であるという欠点を有する。
また、この積層型の感光体においては、光電荷発生層と
して光電荷発生性の有機物の塗布層がよく知られている
。例えば、有機アミンを溶媒とするクロルダイアンブル
ーの塗布層、カルバゾール系ジアゾ顔料の層、オキサジ
アゾール系ジスアゾ染料の層、ペリレン誘導体の層、フ
タロシアニン類の層などである（米国特許第３，８７１
，８８２号、特開昭５２−５５６４３号、特開昭５３−
９５０３３号、特開昭５６−９１２３７号、特開昭５６
−７８８４１号などを参照）。
して光電荷発生性の有機物の塗布層がよく知られている
。例えば、有機アミンを溶媒とするクロルダイアンブル
ーの塗布層、カルバゾール系ジアゾ顔料の層、オキサジ
アゾール系ジスアゾ染料の層、ペリレン誘導体の層、フ
タロシアニン類の層などである（米国特許第３，８７１
，８８２号、特開昭５２−５５６４３号、特開昭５３−
９５０３３号、特開昭５６−９１２３７号、特開昭５６
−７８８４１号などを参照）。
これら有機物の光電荷発生層は無機物のそれに比べて製
造上有利な点を備えている反面、一般に光感度が低いと
いう欠点を有している。しかも、クロルダイアンブルー
の塗布層は、その層形成時に、有毒・悪臭の有機アミン
を溶媒として用いるため作業性の低下を招く。
造上有利な点を備えている反面、一般に光感度が低いと
いう欠点を有している。しかも、クロルダイアンブルー
の塗布層は、その層形成時に、有毒・悪臭の有機アミン
を溶媒として用いるため作業性の低下を招く。
本発明は、光電荷発生層に有機物を用いる積層型の電子
写真感光体において、安定性に優れ、真空蒸着法を適用
できる有機物の光電荷発生物質で光電荷発生層を形成す
ることにょシ、感度に優れ、耐久性、帯電特性及び残留
電位特性に優れた電子写真感光体を提供することが目的
である。
写真感光体において、安定性に優れ、真空蒸着法を適用
できる有機物の光電荷発生物質で光電荷発生層を形成す
ることにょシ、感度に優れ、耐久性、帯電特性及び残留
電位特性に優れた電子写真感光体を提供することが目的
である。
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と、該支持体
の上に積層さねた光電荷発生層と、該発生Ｍの上に更に
積層さハた電荷輸送層とから成る電子写Ｘ感光体におい
て該光電荷発生層が、（式中、Ｘは硫黄、セレン、テル
ルのいずれかを表わす。） で示されるナフタレン誘導体； （式中、Ｘは式■のＸと同じ意味を有すン、） でポさ７するアトラセン助導体； （式中、Ｘは式Ｉ、式■のＸと同じ意味を有し、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は同一であっても異なっていてもよく
、それぞれ、水 素原子、フェニル基、炭素数１〜５の アルキル基を表わす。） で示さｔするフルバレン誘導体；の群から選ばれる少な
くとも１種の化合物の真空蒸着層であることを特徴とす
る。
の上に積層さねた光電荷発生層と、該発生Ｍの上に更に
積層さハた電荷輸送層とから成る電子写Ｘ感光体におい
て該光電荷発生層が、（式中、Ｘは硫黄、セレン、テル
ルのいずれかを表わす。） で示されるナフタレン誘導体； （式中、Ｘは式■のＸと同じ意味を有すン、） でポさ７するアトラセン助導体； （式中、Ｘは式Ｉ、式■のＸと同じ意味を有し、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は同一であっても異なっていてもよく
、それぞれ、水 素原子、フェニル基、炭素数１〜５の アルキル基を表わす。） で示さｔするフルバレン誘導体；の群から選ばれる少な
くとも１種の化合物の真空蒸着層であることを特徴とす
る。
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体の上に光電荷
発生層と電荷輸送層とをこの順序で積層した構造体であ
る。
発生層と電荷輸送層とをこの順序で積層した構造体であ
る。
丑ず、導電性支持体としては、真ちゅう、アルミニウム
、金、銀等の材料で構成され、これらは適当な厚さ、硬
さ又は屈曲性のあるシート、博捜、円筒状であってもよ
く、プラスチックの薄層で被覆さｉｌでいてもよい。ま
た、これは金属被覆紙、金属被覆プラスチックシートま
たはヨウ化アルミニウム、ヨウ化銅あるいは酸化クロム
または酸化スズの導電層で被覆されたガラスであっても
よい。
、金、銀等の材料で構成され、これらは適当な厚さ、硬
さ又は屈曲性のあるシート、博捜、円筒状であってもよ
く、プラスチックの薄層で被覆さｉｌでいてもよい。ま
た、これは金属被覆紙、金属被覆プラスチックシートま
たはヨウ化アルミニウム、ヨウ化銅あるいは酸化クロム
または酸化スズの導電層で被覆されたガラスであっても
よい。
通常、支持体はそれ自体導電性であるか、または導電性
の表面をもち、取扱うのに十分な強度を有していること
が望ましい。
の表面をもち、取扱うのに十分な強度を有していること
が望ましい。
このような導電性支持体の上に、式■、式■、弐■で示
した光電荷発生物質が真空蒸着法によって被着されて光
電荷発生層を形成する。
した光電荷発生物質が真空蒸着法によって被着されて光
電荷発生層を形成する。
該発生層は、式■、式■、式■の化合物のそれぞハ単独
の層、２種以上が適宜に混在して被着されている層、又
は式■、式■、式■の化合物のうち適宜な２種類若しく
は３種類全体を順序不同に積層して成る層のいずれであ
ってもよい。
の層、２種以上が適宜に混在して被着されている層、又
は式■、式■、式■の化合物のうち適宜な２種類若しく
は３種類全体を順序不同に積層して成る層のいずれであ
ってもよい。
これらの光電荷発生物質は通常の薄膜成形法に用いられ
ている真空蒸着装置を使って支持体上に容易に層形成で
きる。このとき形成すべき光電荷発生層の厚みは、蒸着
時の条件を制御することによシ適宜に調節することがで
きる。層厚は％製造すべき電子写真感光体として必要な
帯電時特性によって決定されるが、通常は０．１〜５μ
ｍ程度である。
ている真空蒸着装置を使って支持体上に容易に層形成で
きる。このとき形成すべき光電荷発生層の厚みは、蒸着
時の条件を制御することによシ適宜に調節することがで
きる。層厚は％製造すべき電子写真感光体として必要な
帯電時特性によって決定されるが、通常は０．１〜５μ
ｍ程度である。
この光電荷発生層の上に電荷輸送層を形成して本発明の
電子写真感光体が構成される。
電子写真感光体が構成される。
電荷輸送層の形成に用いる電荷輸送物質は、止孔輸送物
質、電子輸送物質のいずれをも使用することができる。
質、電子輸送物質のいずれをも使用することができる。
まず、正孔輸送物質としては例えば次のようなものがあ
げられる。すなわち、アントラセン、フェナントレン、
ピレン、コロネンなどの縮合多環式化合物；ポリビニル
ピレン、ポリビニルアントラセン、ポリ−９，−ビニル
フェニルアントラセンなどの縮合多環式化合物の高分子
化物；ジフェニルアミン、ジナフチルアミン、トリフェ
ニルアミン、４，４′−ビス−ＣＮ、Ｎ−ジエチルアミ
ノコテトラフェニルメタンなどの芳香族アミン化合物；
４−ジメチルアミノベンジリデンベンズヒドラジド、４
−ジメチルアミノベンジリデン−２−メチル安息香酸ヒ
ドラジドなどのアシルヒドラジド誘導体：２−〔４−ジ
メチルアミノフェニルツー５−フェニル−オキサゾール
、２−［：４’−ジエチルアミノフェニルゴーベンズオ
キサゾールナトのオキサゾール誘導体；４−Ｃｅ−ジメ
チルアミノフェニルツー５−フェニル−イミダゾール、
１−エチル−２−［４’−ジエチルアミノフェニルツー
６−メチル−ベンズイミダゾールなどのイミダゾール誘
”１体： ２− Ｃ４’ −ジエチルアミノフェニルコ
ーチアゾール、２−（４’−ジメチルアミノフェニルツ
ーベンズチアゾールなどのチアゾール誘導体：１，３．
５−トリフェニルピラゾリン、１−フェニル−３−（４
’−ジエチル７ ミ／ スｆ ＩＪ ル：） −４−メ
チル−５−Ｃ４“−ジエチルアミノフェニルシービラプ
リンなどのピラゾリン誘導体：４，５−ジフェニルイミ
ダシロンなどのイミダシロン誘導体：４，５−ジフェニ
ルイミダゾチオンなどのイミメゾチオン誘導体；２，５
−ビス−〔４′−ジメチルアミノフェニル：］−］１．
３．４−オキサシアｙ ／ｌ／、２−（４’−ジメチル
アミノフェニル〕−５−〔４“−アミノ−３″−クロル
フェニル〕−１゜３．４−オキサジアゾールなどのオキ
サジアゾール誘導体；２，５−ビス−〔４′−ジメチル
アミノフェニル］−１，３，４−チアジアゾールなどの
チアジアゾール誘導体；２，５−ビス−〔４′−ジメチ
ルアミノフェニル］−１，３，４−）リアゾールなどの
トリアゾール誘導体；カルノ（ゾール、Ｎ−エチルカル
バゾール、Ｎ−１ソプロビルカルバゾール、Ｎ−フェニ
ルカルバゾール、ベンズカルバゾールなどのカルバゾー
ル誘導体；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ニトロ化ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、塩素化ポリ−Ｎ−ビニル
カルノ（ゾール、！素化ボ１Ｊ−Ｎ−ビニルカルノ（ゾ
ールなとノボＩＪ −Ｎ−ビニルカルノくゾール誘導体
である。
げられる。すなわち、アントラセン、フェナントレン、
ピレン、コロネンなどの縮合多環式化合物；ポリビニル
ピレン、ポリビニルアントラセン、ポリ−９，−ビニル
フェニルアントラセンなどの縮合多環式化合物の高分子
化物；ジフェニルアミン、ジナフチルアミン、トリフェ
ニルアミン、４，４′−ビス−ＣＮ、Ｎ−ジエチルアミ
ノコテトラフェニルメタンなどの芳香族アミン化合物；
４−ジメチルアミノベンジリデンベンズヒドラジド、４
−ジメチルアミノベンジリデン−２−メチル安息香酸ヒ
ドラジドなどのアシルヒドラジド誘導体：２−〔４−ジ
メチルアミノフェニルツー５−フェニル−オキサゾール
、２−［：４’−ジエチルアミノフェニルゴーベンズオ
キサゾールナトのオキサゾール誘導体；４−Ｃｅ−ジメ
チルアミノフェニルツー５−フェニル−イミダゾール、
１−エチル−２−［４’−ジエチルアミノフェニルツー
６−メチル−ベンズイミダゾールなどのイミダゾール誘
”１体： ２− Ｃ４’ −ジエチルアミノフェニルコ
ーチアゾール、２−（４’−ジメチルアミノフェニルツ
ーベンズチアゾールなどのチアゾール誘導体：１，３．
５−トリフェニルピラゾリン、１−フェニル−３−（４
’−ジエチル７ ミ／ スｆ ＩＪ ル：） −４−メ
チル−５−Ｃ４“−ジエチルアミノフェニルシービラプ
リンなどのピラゾリン誘導体：４，５−ジフェニルイミ
ダシロンなどのイミダシロン誘導体：４，５−ジフェニ
ルイミダゾチオンなどのイミメゾチオン誘導体；２，５
−ビス−〔４′−ジメチルアミノフェニル：］−］１．
３．４−オキサシアｙ ／ｌ／、２−（４’−ジメチル
アミノフェニル〕−５−〔４“−アミノ−３″−クロル
フェニル〕−１゜３．４−オキサジアゾールなどのオキ
サジアゾール誘導体；２，５−ビス−〔４′−ジメチル
アミノフェニル］−１，３，４−チアジアゾールなどの
チアジアゾール誘導体；２，５−ビス−〔４′−ジメチ
ルアミノフェニル］−１，３，４−）リアゾールなどの
トリアゾール誘導体；カルノ（ゾール、Ｎ−エチルカル
バゾール、Ｎ−１ソプロビルカルバゾール、Ｎ−フェニ
ルカルバゾール、ベンズカルバゾールなどのカルバゾー
ル誘導体；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ニトロ化ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、塩素化ポリ−Ｎ−ビニル
カルノ（ゾール、！素化ボ１Ｊ−Ｎ−ビニルカルノ（ゾ
ールなとノボＩＪ −Ｎ−ビニルカルノくゾール誘導体
である。
また、電子輸送物質としては例えば次のようなものがあ
げられる。すなわち、クロオニル、プロモアニル、ジク
ロロジシアノ−ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、テトラシアノエチレン、テトラ
シアノキノジメタン、２．４．７−）ジニトロ−９−フ
ルオレノン、２゜４．５．７−ケトンニトロフルオレノ
ン、２，４゜７− ） ＩＪニトロ−９−ジシアノメチ
レンフルオレノン、２，４，５．７−テトラニトロキサ
ントン、２．４．５−トリニドロチオキサントンなど、
又はこれらを高分子化したものである。
げられる。すなわち、クロオニル、プロモアニル、ジク
ロロジシアノ−ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、テトラシアノエチレン、テトラ
シアノキノジメタン、２．４．７−）ジニトロ−９−フ
ルオレノン、２゜４．５．７−ケトンニトロフルオレノ
ン、２，４゜７− ） ＩＪニトロ−９−ジシアノメチ
レンフルオレノン、２，４，５．７−テトラニトロキサ
ントン、２．４．５−トリニドロチオキサントンなど、
又はこれらを高分子化したものである。
′Ｕ電荷輸送層形成に当っては、上記した電荷輸送物質
をテトラヒドロフラン、トルエン、メチルエチルケトン
、塩化メチレンなどのような有機溶媒に溶解若しくは分
散して成る溶液を、通常の塗布法、例えばスピニング法
、浸漬法、四−ラ塗布法、スプレー塗布法によｐ光電荷
発生層の上に塗布したのち乾燥すればよい。上記した電
荷輸送物質のうち低分子のものは成膜能がないので、こ
の場合には各種の高分子化合物を併用して上記と同様に
塗布すればよい。
をテトラヒドロフラン、トルエン、メチルエチルケトン
、塩化メチレンなどのような有機溶媒に溶解若しくは分
散して成る溶液を、通常の塗布法、例えばスピニング法
、浸漬法、四−ラ塗布法、スプレー塗布法によｐ光電荷
発生層の上に塗布したのち乾燥すればよい。上記した電
荷輸送物質のうち低分子のものは成膜能がないので、こ
の場合には各種の高分子化合物を併用して上記と同様に
塗布すればよい。
このような高分子化合物の種類は特に限定されず、既知
の電子写真感光体用結合剤材料たとえば、ポリスチレン
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂を適宜使用すること
ができる。また、用いる高分子化合物それ自体が電荷輸
送能力を有するものであってもよい。
の電子写真感光体用結合剤材料たとえば、ポリスチレン
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂を適宜使用すること
ができる。また、用いる高分子化合物それ自体が電荷輸
送能力を有するものであってもよい。
電荷輸送層の厚みは、通常、５〜１００μｍが適当であ
る。そして、光電荷発生層と電荷輸送層の合計の厚みは
１００μｍ以下であることが好ましく、これよル厚くな
ると、光感度の低下、層全体の可撓性の低下傾向が増大
する。
る。そして、光電荷発生層と電荷輸送層の合計の厚みは
１００μｍ以下であることが好ましく、これよル厚くな
ると、光感度の低下、層全体の可撓性の低下傾向が増大
する。
実施例１、
アルミニウムが蒸着されたポリエステル支持体の上に、
真空度２．ＯＸ １０＝Ｔｏｒｒ、蒸発源温度３００〜
３５０℃、蒸着時間５分の条件で、テトラチオテトラセ
ン（式■でＸがＳのもの）を蒸着して厚み５０００大の
光電荷発生層を形成した。
真空度２．ＯＸ １０＝Ｔｏｒｒ、蒸発源温度３００〜
３５０℃、蒸着時間５分の条件で、テトラチオテトラセ
ン（式■でＸがＳのもの）を蒸着して厚み５０００大の
光電荷発生層を形成した。
この上に、ポリビニルカルバゾールをクロルペ・ン七ン
とテトラヒドロフラン２：１容量比の溶媒に溶解した溶
液をスピンコードし、減圧下で５０℃、３時間乾燥して
厚み４．２μｍの電荷輸送層を形成した。
とテトラヒドロフラン２：１容量比の溶媒に溶解した溶
液をスピンコードし、減圧下で５０℃、３時間乾燥して
厚み４．２μｍの電荷輸送層を形成した。
このようにして得られた感光体の負帯電および減衰の様
子をエレクトロ・スタティック・ペーパー・アナライザ
ーを用いて調べた。その結果は、感度を表面電荷の初期
値が１／２に減衰するのに必要な露光針（単位１ｕｘ−
ｓｅｅ ）で表わすと、負帯電で７．６１ｕｘ−ｓｅｅ
であった〇 この感光体を上記と同条件下で帯電、露光の繰ｐ返しを
５ 、０００回行なった結果、はとんど異常が認められ
ず耐疲労特性に優ねていることがわかった０ 実施例２゜ 実施例１と同様にして、アルミニウム蒸着したポリエス
テル支持体の上に厚み６２００大のテトラチオテトラセ
ンの光電荷発生層を形成した。
子をエレクトロ・スタティック・ペーパー・アナライザ
ーを用いて調べた。その結果は、感度を表面電荷の初期
値が１／２に減衰するのに必要な露光針（単位１ｕｘ−
ｓｅｅ ）で表わすと、負帯電で７．６１ｕｘ−ｓｅｅ
であった〇 この感光体を上記と同条件下で帯電、露光の繰ｐ返しを
５ 、０００回行なった結果、はとんど異常が認められ
ず耐疲労特性に優ねていることがわかった０ 実施例２゜ 実施例１と同様にして、アルミニウム蒸着したポリエス
テル支持体の上に厚み６２００大のテトラチオテトラセ
ンの光電荷発生層を形成した。
この上に、２，４．７−）ジニトロ−９−フルオレノン
２０ｔとポリスチレン５ｆとヲトリクロロベン七ンとト
ルエン１：１容量比の溶媒に溶解した溶液をスピンコー
ドし、減圧下５５℃、４時間乾燥して厚み６．４μｍの
電荷輸送層を形成した。
２０ｔとポリスチレン５ｆとヲトリクロロベン七ンとト
ルエン１：１容量比の溶媒に溶解した溶液をスピンコー
ドし、減圧下５５℃、４時間乾燥して厚み６．４μｍの
電荷輸送層を形成した。
得られた感光体を実施例１と同様に正帯電で半減露光量
を測定したところ８．Ｏ１ｕｘ−ｓｅｅであった。
を測定したところ８．Ｏ１ｕｘ−ｓｅｅであった。
この感光体を上記と同条件下で帯電、露光の繰ｐ返しを
５，０００回行なった結果、はとんど異常が認められず
耐疲労特性に優れていることがわかったＯ 〔発明の効果〕 以上の説明で明らかなように、本発明の電子写真感光体
は、■光電荷発生層の形成が容易であシ、また、その安
定性は高い、■光感度も大きく、帯電特性、残留電位特
性に優れている、■耐疲労特性が良好で耐久性に優れる
、■有害な溶媒等を用いることがないので作業性は良好
である、■電荷輸送物質を正孔輸送物質、電子輸送物質
のいずれかを適宜に選択することによシ、電荷輸送層の
表面を正負いずれの帯電も可能にすることができる、な
どの効果を奏しその工業的価値は大である。
５，０００回行なった結果、はとんど異常が認められず
耐疲労特性に優れていることがわかったＯ 〔発明の効果〕 以上の説明で明らかなように、本発明の電子写真感光体
は、■光電荷発生層の形成が容易であシ、また、その安
定性は高い、■光感度も大きく、帯電特性、残留電位特
性に優れている、■耐疲労特性が良好で耐久性に優れる
、■有害な溶媒等を用いることがないので作業性は良好
である、■電荷輸送物質を正孔輸送物質、電子輸送物質
のいずれかを適宜に選択することによシ、電荷輸送層の
表面を正負いずれの帯電も可能にすることができる、な
どの効果を奏しその工業的価値は大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体と、該支持体の上に積層さねた光電荷発生
層と、該発生層の上に更に積層さハた電荷輸送層とから
成る電子写真感光体において、該光電荷発生層が、 （式中、Ｘは硫黄、セレン、テルルのいずれかを表わす
。） で示されるナフタレン誘導体； −Ｘ （式中、Ｘは式ＩのＸと同じ意味を有する。、） で示されるテトラセン誘導体； Ｃ式中、Ｘは式１１式ＨのＸと同じ意味を有し、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は同一であっても異なっていてもよく
、そゎぞれ、水 素原子、フェニル基、炭素数１〜５の アルキル基を表わすり で示されるフルバレン誘導体； の群から選ばれる少なくとも１８＋の化合物の真空蒸着
層であることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176994A JPS6069656A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176994A JPS6069656A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069656A true JPS6069656A (ja) | 1985-04-20 |
Family
ID=16023321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176994A Pending JPS6069656A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6069656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02277070A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-13 | Somar Corp | 置換ナフタレン化合物含有有機感光体 |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58176994A patent/JPS6069656A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02277070A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-13 | Somar Corp | 置換ナフタレン化合物含有有機感光体 |
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