JPS6069657A - 多層型感光性デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 層屋感光装置に関する。更に詳しく云えば、本発明は、
電子輸送材料としてフルオレニリデンメタルの新規な餞
導体を含有する改良された多層型感光装置に関する。本
発明のある特定の実施態様では、光発生層並びに、該層
に接している、不活性樹脂バインダー材料中に分散され
たデーフルオレニリデンメタン化分物のおる補のり導体
から成る電子輸送層を含有する多層型感光装置が提供さ
ｎる。更に、本発明は、本発明の範囲内において、選択
された電子輸送層に加えられでいる、すなわち、電子輸
送層が適当な電子輸送分子でドーピングされていて、電
子輸送層の物理的お工び／または電気的性質が改良され
ている感光装置も包含する。本発明の改良され交感光装
置は種々の像形成装置、特に、例えば最初に正に帯電さ
れる電子写真像形成製！δ中へ組込むのに有用である。

静電的手段によシ、光導電性材料の像形成表面上で静電
潜像を形成し、且つ現像することは周知であり、このよ
うな７種の方法では、当該技術でホトリセグターと称さ
れている感光板の表面で静ｉル潜像の形成を行っている
。この感光体は一般的に云えば、その表面に光導電性材
料の層を含有する導電性基体から成υ、そして、多くの
場合、基体と光導電性層との間にバリヤ一層を配置して
、発生する像の品質に悪影響を与える可能性のある基体
からの電荷の注入を防止している。

多数の種々のゼログラフ光導電性部材は公知であシ、こ
れらの部拐は、例えばガラス状セレンの如き単一材料か
ら成る均一層あるいは光導電性材料の分散体を含有する
複合多層型装置を包含している。成るタイプの複付ゼロ
グラフ光導電性部材の一例は、例えば、米国特許第３，
　／２／，　００１．号明細跡に記載されている。該明
細書には、電気絶縁性の有機樹脂バインダーに分散され
た微細粒子の光導電性無機化合物が開示されている。商
用形態では、バインダ一層は、樹脂バインダーに均一分
散され、且つ紙パッキング材上に塗布されｆｃＫ化亜鉛
の粒子を含有している。上記の米国特許明細書に開示さ
れているバインダー材料は、光導電性粒子により発生さ
せられる、注入きれ７ｃ電荷キヤリヤーをどんな有意距
離をも輸送することのできない化合物から成っている。

開示さｎた特定のノくインダー材料の例として、例えば
、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ボリアミ
ド樹脂等を包含する。

また、電荷キャリヤー発生および電荷キャリャー輸送機
能が、不連続の隣接し合った層によって達成される他の
無機または有機物質から成る感光体材料も知られている
。更に、電気的絶縁性局分子材料の被覆層を包含する多
ノー現感光材料が、従来技術に開示されている。しかし
ながら、ゼログラフィー技術は進歩し続けており、そし
て、性能基準の向上と高品質画像を得るために、エシき
びしい要求がコピー装置ＫＪ：つて満たさｎる必要があ
る。その上、正に帯電し得て、且つ電子輸送材料を内部
に含んでいる感光装置が要望されている。

最近、米ｌ：！！Ｉ特許第グ、　、２＆、！−，９９０
号明細書に記載さ扛ているような光発生ノＩｊおよび輸
送７ｍから成る多層型感光装置や、例えば、米国特許第
り、、２３；／、ｔｎ号明細書に記載されている輸送層
に接触した正孔注入ｌ―、光発生層の被覆および絶縁性
の有機樹脂から成るドッグ被６ｆを含有する被覆歴感光
材料が開示されている。これらの特許明細書に開示され
た光発生層の例では、三方晶系セレン、およびフタロシ
アニンを含有し、他方、使用しうる輸送層（該層は、電
子ｆｔ輸送する本発明の輸送層とは反対に正電荷を輸送
する）は、樹脂バインダー中に分散させた成る稙のジア
ミンを含有している。なお、上記の特許明細書、すなわ
ち、米国特＃！Ｆ第ダ、２乙Ｓ、９９θ号および同第乞
２ｓ／、乙／コ号明細省の開示は、すべて参照文献とし
て本明測曹に包含さ！しる。

米国特許第３．θり／、　１６７号明細書（該明細書は
、４電性基体、元４９ＬＭおよび成気的に絶縁性の高分
子材料からなる被覆層を有する被覆型像形成部材を開示
している。）の如く、光発生物質金含有する多層型装Ｒ
を包含する感光装置を開示している多くの他の特許明細
書が存在する。上記の部材は、電子写真複写機において
、例えば、該部材をまず最初に第１の極性の静電々荷で
帯電させ、且つ像露光して静電潜像（該潜像は、次に現
像す扛ば、可視像とすることができる。）を形成するこ
とにより、使用されている。各々の相継ぐ像形成サイク
ルの前に、この像形成部材は、極性において第１の極性
とけ反対の第２の極性の静電荷で帯電させることができ
る。更に十分な第２の極性の帯電を行って、部材を横切
る第コの極性の正味の遊場を生じさせる。同時に、第一
の極性の可動電荷が、導電性基体に電位金与えることに
よって光導電層内に生じる。現像して可視像を形成する
像形成電位は、光導電層および被覆層全横切って存在し
ている。

更に、米国特許第４１．　／８．９２を号明細書には、
電荷輸送物質として、７−ニトロ〜・ノーアザータ＝フ
ルオレニリデンマロノニトリルを含有する電子写真用感
光性部材が開示さｎている。この特許明細書の開示によ
れば、この電子写真用感光性部材は、２４′社支持体を
含有し、そのＩ−は電荷発生物質と、例えば第１イーに
例示される如き式の７−二トローコーア！−９−フルオ
レニリテンマロノニトリルから成っている。

多層型感光装置を開示している他の代表的特許明細書と
しては、米国特許第乞／／、ｔ、　／／１．号明細誓、
同第り、θり乙９４ｔ９号明則誓および同第ｑ、３／左
、　ｑｇｉ号明細曹が包含される。米国特Ｖｆ第グ、　
３／！；、　９ｇＩ号明細誓には、有機の二重ノーを含
有する′心子写冥記録部材が開示されている。当該特許
ＥｉＡ細誉の開示によれば、記録部材は４電支持材料、
ｖ４ｉｉ材料の光導電層および８る植のオキシジアゾー
ルの透明トラフ°層とから成っていて、該有機材料の光
導電層は、芳香族または複素環式多核キノン環系を有す
る化合物の電荷キャリヤーを生じる染料層を含有してい
る。明らかに、この記録部材は、電子供与性化合物を当
該装置に合うように選定した場合、トップ層に負の帯電
が生じる電子写真複写方式に有用である。

米国特許第グ、　、２Ａ＆、　９９０号明細書に開示さ
ｎたものの如く、文献に記載さｎている多くの感光装置
ｕは、鳩送層を有しておシ、そしてその機能は、光発生
層によって生じた正の電荷を輸送することである。１殖
形成過程において、これらの装置は、負に帯電され、か
くして正電荷を移動させうる電荷キャリヤー輸送材料が
必要となる。電子輸送Ｉ―金含有する類似の装置は比較
的知られていない。

このように、上記の感光装置は、その意因した目的に適
しているが、機械環境や周囲＋件による劣化を示さずに
、多数回の像形成サイクルで反復使用しうる、改善され
た装置１１特に多層型装置が引続き要望さ扛ている。更
に電子輸送材料有し、かくして、このような装置を正に
帯電させることができる改良された多層型像形成部材も
引続き要望されている。更に、最小限の処理段階数で製
造でさ、且つ、層同志が十分に互に接着して、繰返しの
像形成３よび印刷システムに訃いて、装置の連続的使用
が可能となる改良された感光装置が引続き要望さ扛てい
る。更にまた、改良された多ノー型感光装置が引続き要
望されている。

従って、本発明の目的は、上述の欠点を解消し１こ改良
されｆｃ感光像形成装置を提供することである。

本発明の別の目的は、新規な′ｉ子輸送物質を含有する
改良された多層型感光装置を提供することである。

本発明の更に別の目的ｔｊ１光発生Ｊ−と、該層に按じ
ていて、不活性樹脂バインダー材料中に分散され７ｔ９
−フルオレニリデンメタンの成る柚の誘導体を含む電子
輸送層とを有する被覆さ扛た多層型感光装置全提供する
ことである。

本発明の更に別の目的は、本発明の改良された感光像形
成装置による像形成方法を提供することである。

本発明の他の目的は、光発生層と、該ノーに接していて
、適当な成子供与分子をドーピングした不活性樹力旨バ
インダー内の電子輸送化合物から成る輸送層とを含有す
る多層型感光装置 とでおる。

本発明の上記目的および他の目的は、光発生ｊ−および
七扛に接している電子輸送層から成る改良された感光装
置の提供によって達成される。更に詳しく云えば、本発
明は、支持基体、光発生層および下記式 のフルオレニリデン誘導体工９成る電子輸送層から成る
改良された感光装置に関する。なお、上記式中のＸお工
びＹは、シアノ基（ＣＮ　）　、まｆｃはアルコキシカ
ルボニル基（ＣＯＯＲ）であり、Ａ、Ｂお工びＷはアシ
ル、アルコキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノカ
ルボニルま及はこれらの誘導体を包含する電子吸引基か
ら独自に選ば扛、ｍはθ〜約コまでの数字であシ、ｎは
θまたは／の数字である。

更に、ＸおよびＹ基はＣ０ＲＸＣＯＯＲ−！たはＣ０Ｎ
Ｒ’Ｒ５５−ら選ぶことができる。ζこでＲはアルキル
基、例えばアルコキシに工っで置換された置換アルキル
基、アリール基またはカルボキシル基であシ、そしてＲ
１またはＲ２は、水素、アルキル基ま７ｔはアリール基
である。史に、本発明の特定の実施態様では、１ｄ換基
Ａお工びＢば、アルキル基から独自に選ばｎる。

アシル基の例としては、式ＲＣＤ　（ここでＲは、アル
ギル基である）の９勿質、例えばアセチル、グロビオニ
ル、インバレリル、アニソイル、ステアロイル等を包含
し、好ましくはインバレリルである。

アルコキシカルボニル基Ｃ０ＯＲ（ここでＲは、アルキ
ル基またはその誘４体である）の例としては、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、イングロボギシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、フエネトキシカルボニル
、カルビトギシカルポニル等ヲ包含し、他方、アルギル
アミノカルボニル置換基またはその誘導体の例とＲ７て
は、プロピルアミノカルボニル、ブチルアミノカルボニ
ル、ジエチルアミノカルボニル、コーメトキシエチルア
ミノ力ルボニル、ステアリルアミノカルボニル等金包含
する。

電子吸引性ｆ＆置換基およびＢのためのアルキル基を含
むアルキル基の例としては、７個〜約２θ個の炭素原子
、好ましくは／個〜約ｇ個の炭素原子を含有するアルキ
ル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、オクチル、ノニル、デシル、ペンタ
デシル、スｒアリン等を包含する。特定の好ましいアル
キル基トしては、メチル、エチル、プロピルおよびブチ
ルを包含する。アリール置換基としては、フェニルおよ
びナフチルのごとき６〜．２４を個の炭素原子全音する
アリール置換基を包含する。

前記一般式に包含される電子輸送材料で且つ本発明の感
光装置の電子帖送層に適する材料の例としては、下記式
で表わされる化合物を包含する。

ＣＯ２（ＣＨＪ　ｓ　ＣＨｓ 上記式中のｍは／又はコであり、ｔは０又は／でちる。

本発明に包含される電子輸送性化合物は、それぞれの官
能化フルオレノン前記体から合成さｎる。

こｎらの前駆体の成るものは、市販されてお夛、或いは
合成によって容易に入手できる。例えば、工゛ドローｔ
　７’Ｃはジニトロフルオレノンカルボン酸前駆体は、
対応するフルオレノンカルボン酸の制御され九ニトロ化
によって得られ、また前記化合物Ｖお工び■のための前
駆体はフルオリンの７リーデル・クラフトアシル化、続
く適切な酸化によって得ることができる〔ジャーナル・
オプ・オルガニック・ケミストリー、第３３巻、第２７
６２頁、（７９７０年）およびジャーナル・オプ・アメ
リカン・ケミカル・ソサイエテイ、第１０巻、第！；１
Ｉｔ９頁、（／９！ｒｇ年）参照〕。下記の反応式は（
７ルコキシカルボニルー９−フルオレノンデン）マロノ
ニ）　ＩＪルをベースとする電子輸送性化合物が得られ
る基本的な反応過程を示している。

反応工程／ Ｃ０ＯＨＣｏ（ｊ ＯＯＲ 対応するアルキルアミノカルがニル置換［４逆性化合物
は、上記反応工程／に示したのと実質的に同じ方法で製
造されるが、例外として、対応する酸クロライド＠を、
アルキルアミンＲＮ）Ｉ２と反応させることにより、Ｃ
０ＯＲの代りにＣ０ＮＨＲ基を有する、対応するアミド
０）が得られる。次いテ、コノ対応するアミドは、電子
輸送性アルキルアミノカルｓｌニル置換化合物に転化さ
れる。それはイψｒ造式←）で示されるが、但しＣ０Ｏ
Ｒ基はＣ０Ｎ）−ＩＲ基で眉き換えられる。

反応工程ｄ ＣＯｃｔｃｏｏＲ Ｃ）　（ロ） 更に詳しく云えば、上記反応工程／および反応工程ノで
例示される反応順序は、下記のプロセスパラメーターを
有する。

フルオレノンカルボン酸誘導体（１）からエステル（３
）への酸触媒エステル化は、該誘導体物質と７０〜３０
倍モル過剰のアルコール、例えばエタノールまたはブタ
ノールとを適当な溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キ
シレン等）中で、触Ｈ址の濃硫酸または１）−）ルエン
スルホン酸の存在で還流させることにより達成すること
ができる。溶媒は反応によって生じた水分をディーン・
スターク装置に上り共沸的に除去するために水と共沸混
合物を形成しつるものでなければならない。一般的に云
えば、エステル化は約７．２〜３６時間で完了する。一
方、カルづ（ン酸は、先ず、チオニルクロライド（カル
が７１波の０１モル当り３０〜７３０ｍ１＞中で７〜８
時間還流させることによシ、対応する酸クロライド＠に
転化され得る。続いて、適当な乾燥溶媒、例えばメチレ
ンクロライドまだはテトラハイドロ７５ン中に含ませた
、化学量論上過剰のトリエチルアミンの存在下、理論′
Ｍ−または任意過剰のアルコールによシ室温で処理され
る。得られたカルボン酸エステル（３）は、一般的には
、適切な溶媒からの簡単な再結晶化によｐ精製されうる
。

引キ続くフルオレノン−カル日？ギシレート■のソシア
ノメチレン化は、無水メタノール中で触媒社のビＲリジ
ンの存在で、７３〜３倍過剰の蒸留マロノニトリルと一
緒に７２〜３６時間還流させることにより達成される。

エステル化およびソシアノメチレン化の程度は、′Ｒ層
クロマトグラフにより都合よく追跡でき、そして生成物
は、ＩＲＸＮＭＲおよび質幇分析法を含む分光手段によ
って同定することができる。

反応工程ユに例示されている別の反応は、フルオレノン
カルボンｅ（１）を、対応するジシアノメチレン化合物
（ト）へと最初にソシアノメチレン化することを包含す
る。このジシアノメチレン化反応は、反応工程／に関し
て説明したのと同様の方法で行なわれるが、約Ｊ４〜約
５０時間という、よシ長い反応時間を必要とする点で異
なる。０）から対応する酸クロライド（乙）への転化は
還流条件下、ｉ＋、’を剰チオニルクロライドによる、
ａ〜〜７０時間の処理によって達成される。この酸クロ
ライドは、メチレンクロライドおよびヘギザンからの再
結晶化によって精製される。一般的には、対応するエス
テノン（鉤を生成するためのアルコールとの次の反応は
、乾燥メチレンクロライドまだはテトラビトロフラン中
で化学量論上過剰のトリエチルアミンの存在下、室温で
達成される。この反応において選定されたアルコールの
七トば、理論量〜過剰でよい。該反応は、一般的には、
／〜約左左時間完了し、そして生成物は、反応工程／に
関して先に開示した如く同定することができる。

本発明の新規な電子輸送性化合物を含イ１する感光装置
は、第１図、第２図および第３図に例示されている。更
に詳しく云えば、第１図には、基体１、不活性樹脂バイ
ンダー４中に分散させたものでよい光発生、１葎３およ
び初詣バインダー１６中に分散させたものでよい本発明
の電子輸送性化合物を含有する電子輸送層５から成る感
光装置が例示されている。同様に、第２図には、基体１
、注入バリヤ一層９、不活性樹脂バインダー１２に分散
させたものでもよい光発生顔料を含有する光発生層１１
および樹脂バインダー１６中に分散させたものでもよい
本発明の電子輸送性化合物よ構成る電子輸送層１５から
成る感光装置が例示されている。そして、第３図は、第
２図に関連して記載した感光装置と実質的には同じであ
るが、光発生層１１が輸送層１５と注入バリヤ一層９と
の間に位置している点で異なる本発明の別の修正感光装
置が例示されている。

開示された感光装置は、電子写真像形成装置、特に静電
像形成装置に有用である。該装置では、本感光装置を最
初に正に帯電させ、続いて該装置を画像露光し、得られ
た潜像をトナー樹脂粒子とキャリヤー粒子とから成る現
像剤によって現像し、次いで現像した像を適当な基体、
例えば紙に転写し、且つ該像を基体上に恒久的に定着さ
せる。

感光装置について、更に言及すれば、基体層は約／ミル
（θθθコｌＩα）〜約３０ミル（θ／コｃＩＩＴ）の
厚みのもので、必要な機械的特性を有する任意の適切な
材料から構成することができる。がくして、基体層は、
無機若しくは有機高分子材料のような絶縁材料、または
例えばアルミ；ラム、クロム、ニッケル、黄銅等の如き
導電材料の層から構成することができる。基体は柔軟性
でも剛性でもよく、また、例えば、プレート、円筒形ド
ラム、スクロール、柔１１’４Ｅのエンドレスベルト等
多様な外形のものでよい。好ましくは、基体は柔軟性の
エンドレスベルトの形状のものである。

光発生層は、公知の光導電性電荷ギヤリヤー発生材料か
ら構成でき、かかる材料としては、例えば、非晶質セレ
ン、非晶質セレン合金、ハロダンをドーピングした非晶
質セレン、ハロダンをドーピングした非晶質セレン合金
、三方晶系セレン、三方晶系セレンのセレン化物および
炭酸塩（米国特許第ダ２．２３ツ１０２号明細曹および
第り、２３３．２ｇ３号明細書か照）、硫化カドミウム
、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化セレ
ン化カドミウム、硫化テルル化カドミウム、セレン化テ
ルル化カドミウム、銅および塩素をドーピングした硫化
カドミウム等を包含する。

本発明の範囲内に含塘れるセレン合金とし°Ｃは、セレ
ン−テルル合金、セレン−ひ素合金、セレン−テルル−
ひ素合金を包含する。好ま＋、　＜は、これらの合金は
、塩素のようなハロダン物質を約３θ〜約、２００　ｐ
ｐｍの責で含有する。

他の光発生層としては、金属フタロシアニン、無金属フ
タロシアニン、バナソルフタロシアニン、その他、米国
特許第３．ｇｉｔ、ｉｉｇ号明細書（この明細書の開示
はすべて参照文献として、本明細書に包含される。）に
開示されている如き既知のフタロシアニン、スクアリリ
ウム顔料等を包含する。好ましい光発生層としては、三
方晶系セレン、スクアリリウム顔料、バナソルフタロシ
アニンを包含する。

光発生層は、一般的にはその厚みが約００３ミフロン〜
約／θミクロンまたはそれ以とで、１）、好ましくは約
０４ミフロン〜約３ミクロンの厚ミである。しかしなが
ら、この層の厚みは、主として、光導電性材料の添加短
（ｓ〜／θ０容讐％）に依存している。

光発生層は、一般的には不活性樹脂バインダー材料中に
分散された上記光発生用顔料を約Ｓ〜９ｓ容鎗チ、好ま
しくは約２５〜約７３容蓋チの一緻で含有する。選定す
ることのできる高分子バインダー樹脂材料の例としては
、例えば、米国特許第３、／　２　／、００　Ａ　’ｋ
ｊ明細書（この開示はすべて参照文献として本明細書に
包含される）に開示されている如き物質、ポリエステル
、ポリビニルブチリル、ポリカーブネート樹脂、＋ｊ？
リビニルヵルバゾール、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂
、特に、市販されているポリ（ハイドロキシエーテル）
樹脂等を包含する。

電子輸送層の厚みは、約２ミフロン〜約７００ミクロン
であり、好ましくはＳミクロン−約３θミクロンの範囲
である。

また、電子輔送材料は、一般的に高度に絶縁性で透明な
樹脂材料、すなわち不活性樹脂バインダー材料中に分散
されている。かがる樹脂材料としては、米国特許館＆、
／２／、００１．号明細省（この開示はすべて参照文献
として本明細曹に包含される）に記載の物質を包含する
。樹脂材料の特定の例としては、ポリカーがネート、ア
クリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリ
マー、ポリエステル、ポリシロキサン、？す′アミド、
ポリウレタン、エポキシ位相１旨並びに、これらのブロ
ック、ランダムまたは交互コポリマーを包含する。

好ましい電気的に不活性なバインダー材料は、分子量約
２０，０００〜約１００，０００のポリカー日ζネート
値脂であり、特に好ましいのは分子値が約ｓｏ、θ０θ
〜約１０θ、θθ０　の範囲のものである。一般的には
、とれらの樹脂バインダーは電子輸送層内に約２ｓ重甘
チ〜約９θＭ量チ、好ましくは、約５０重蓋チ〜約乙Ｓ
１門チの量で存在する。本発明の目的が達成される限シ
、電子輸送層用に他の不活性樹脂バインダー材料が選定
でき、例えば、ユニオンカーバイド社から市販されてい
るようなポリハイドロキシエーテル等がある。

本発明の感光装置に有用な注入バリヤ一層の例ト”ン）
、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ニトロセ
ルロース、ポリ（ビニリデンクロライド）等を包含し、
好捷しくはポリ（ビニルピロリドン）である。この層は
、約００３ミフロン〜約２ミクロンの厚さのものである
。

本発明の電子輸送性化合物は、合成され、且り容易にＮ
製される。なお、これらの化合物は、ドナー分子と電荷
移動錯体を形成しないか、或いは非常に弱い電荷移動錯
体を形成するものが望ましい。更に、本発明の電子輸送
性化合物は、安定であり、且つ可視光線に対して透過性
であることが実質的に望ましい。

以下、本発明を特定の好ましい実施態様に関して詳述す
るが、これらの実施例は、本発明を単に例示するためで
あシ、本発明は、これら実施例に記された材料、条件、
または、プロセスパラメーター等に限定されるものでは
ない。特に断シのない限シ、すべてのチおよび部は、１
廿基準である。

実施例ｒ （ｌｌ−ｎ−ブトキシカルｙｌζニルー９−フルオレニ
リデン）マロンニトリル（Ｉ）の調製：ディーンスター
ク装置と水凝縮器を備えたｓ、ｏｏ。

ｒｎｅの丸底フラスコにアルドリッチ・ケミカル（Ａｌ
ｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）社から入手しうる／
θθｙ（ｏ、　＜ｚ　＋　ｇモル）のフルオレノン−ｑ
−カルボン酸、ｔｓｏｙのｎ−ブタノール、Ｓ−の濃硫
酸、λθｏｏｍｔのトルエンを入れた。この混合物を、
電磁攪拌し、且つ、２ｑ時間還流下で加熱した。次いで
、該混合物を室温Ｋまで冷却し、減圧下／θｇの炭酸水
素ナトリウムの存在で、ｎ−ブタノール溶媒を蒸発させ
た。そのあと、桟留物に７，０００ｍ１のメチレンクロ
ライドを加え、得られた溶液を稀薄な炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で２回洗浄し、さらに水で２回洗浄しｆｃ０無
水硫酸マグネシウムによる乾燥のあと、溶液をｆ過し、
減圧下で蒸発させて、７２０ｇのｎ−ブチルフルオレノ
ン−グーカル？キシレートエステルを得た。

得られたエステル／２θｇを、次いで、コ、θθθｍｌ
の丸底フラスコに入れた。これに７００ｇｍｌの無水メ
タノール、５９ｇ（０３９モル）のマロノニトリルおよ
び一２Ｓ滴の１４リジンを加えた。この混合物を電磁攪
拌し、２０時間還流下で加熱した。冷却された反応混合
物から固形生成物をｒ別し、／θＱ　ｍｅのメタノール
で２回洗浄し１．２ｏθｍｌの水で７回洗浄し、文空下
５０℃で７０時間乾燥した。次いで、得られた生成物を
ア七トン」？よびメタノールから再結晶させて、／：２
３ｇの純粋＆（ｌ／１−ｎ−ブトキシカル号でニルーワ
ーフルオレニリデン）マロノニトリルを取得した。その
融点は９９〜７００℃であった。

Ｃ２，Ｈ１６Ｎ２０２としての分析 計算１直　実測値 Ｃ；７直ｇｉ　ｃ；クム！５′ｄ １−１；　’Ａ９／　ｌ−１；　左θりＮ；　ｇ３３　
Ｎ；　ｇ、２３ 本化合物をさらに分光手段によシ同定して次の結果を得
た。

ＮＭＲ（ＣＤＣＩ　３）、δ：　／、０　（ｔｓ　３Ｈ
）　；／３　（ｍ。

、２Ｈ）　；ｉｇ　（ｍ、　、２Ｈ）　；４５（ｔ、　
２Ｈ）　；７３−ｇ、７　（ｍ。

７Ｈ）。

ＩＲ（にＳｒベレット）：、２２’１Ｏｃ１ｎ　（ＣＮ
）；／り３θσ−’（ｃ＝ｏ）。

実施例■ 実施例■で調製した化合物５０重ｉ％を、ポリ（Ｎ−ビ
ニルカルバゾール）（ＰＶＫ）Ｋ分散させたものを輸送
層として含有し、また非晶質セレンを発生体として含有
する感光装置を以下のように調製した。

既知の慣用の真空蒸着技法によシ、が−ルで粗面化した
厚さ７ミル（θ０／乙ｇα）のアルミニウム基体上に、
／ミクロン厚の層状に非晶質セレンを真空蒸着させた。

真空蒸着は、／θ　トルの真空度で行ｌい、その間、基
体を約Ｓθ℃の温度に維持した。実施例！で調製した化
合物３０重警俸とＰＶＫ、！；０重景チとから成る。厚
さ７ｇミクロンの輸送層を、バードアプリケーターによ
って非晶質セレン層上に形成した。輸送層用の酸液は、
実施例Ｉで調製した化合物３ＩおよびＰＶＫ５ｇを、７
θＳのメチレンクロライドに溶かすことによって調製し
た。次いで、この溶液を、バードフィルムアプリケータ
ーにより、非晶質セレン層上に塗布した。次いで、得ら
れた装置を５θ℃で７２時間乾燥して、厚さ７ｇミクロ
ンの乾燥輸送層を形成した。冷却に続いて、この装置を
、ｌｌ汐４ζルト／ミクロンの電場に正に帯電させ、且
つ波長ａＯＯ〜７００ナノメーター（ｎｍ）の白色光を
用いて放電させることにより電気的に試５験した。

この装置の半減衰露光感度は、約ｇｏエルグ／ｃｒＩで
あった。

実施例［１ 実施例■で調製した化合物をポリカーボネートに分散さ
せたものを輸送層として含鳴し、まだＰＶＫ中の三方晶
系セレンを発生体と１〜て含有する多層型感光装置を以
下のように調製した。

すなわち、ＰＶＫ中の三方晶系セレンとＮ、Ｎ’−ゾフ
ェニルーＮ、Ｎ’−ビス（３−メチル７エ二ル）−〔／
、／’−ビフェニル’）−＋、＋’−ノアミン（米国特
許Ｗ、４ｔ、コ乙九ワタθ号明細１″）とから成る２ミ
クロン厚の光発生層を、テトラハイドロア　ラン（Ｔ　
ＨＦ　）　／　）ルエン中の上記物質の分散体にして、
バードフィルムアプリケーターによシ３ミル（０００７
，２ｃｍ）厚のアルミニウム化マイラー基体上に塗布し
、且つ７３５℃の強制通風炉内でＳ分間乾燥させて調製
した。上記分散体は、θｇ＆の三方晶系セレンとθｇｇ
のＰＶＫを、ＴＨＦおよびトルエン各７ゴ中でＭ−ルミ
リングし、続いて、得られたスラリーよ０ｇをＴＨＦお
よびトルエン各Ω、ｊゴ中の０．　／　Ｊ　ｐの上記ジ
アミンの溶液で稀釈することによ＃）調製した。実施例
Ｉで調製した／、０ｇの化合物と７０９のマークロロン
（ポリカーボネート）をスθ―のメチレンクロライド中
に分散させて調製した電荷輸送層用溶液を、次いで実施
例Ｈの手順に従い光発生層のトップ上に塗布した。次い
で、得られた装置を７３重℃の強制油風炉で３０分１ｉ
Ｊ］乾燥し、厚さ７１７ミクロンの乾燥輸送層を得た。

続いて、装置を室温Ｋまで冷却し、セしてｓ　Ｂ　ｓｅ
ルト／ミクロンの電場に正に帯電させ、且り波長りθθ
〜７θθｎｍの白色光を用いて放電させることによシミ
気的に試験した。この装置の半減衰露光感度は／ｇエル
グ／ｃ１４であった。

実施例■ 実施例■で別製した化合物（Ｉ）を輸送分子と［７て含
有し、またスクアリリウム顔料を発生層として含有する
多層型感光装置°を以下のように調製した。

ボールで粗面化したアルミニウムの基体に、グｍｌのメ
チレンクロライド中の、２−の３−アミノグロビルトリ
メトキシシランの耐液を塗布し、７１０℃で７０分間加
熱して、厚さ０７ミクロンのポリシランＪｔｊを侍だ。

／２ｔｎｌのメチレンクロライド中、００７３ｇのヒ゛
ス（Ｎ、Ｎ−ツメチルアミノフェニル）−スクアライン
およびθ／３９のパイチル（Ｖｉｔｅｌ）　Ｐ　Ｅ　−
，２００ｙｌｅｌエリテル（グツドイヤー社）の混合物
をＪ４時間ｓｐ−ルミリングして得た光発生層相の分散
体を上記のポリシラ／ドッグ層上に塗布した。／３に℃
の強制通風炉内で６分間乾燥して、厚さ７ミクロンのス
クアリリウム光発生層を得た。　− 輸送層用の溶液は、２０−のメチレンクロ２イドに７０
１１の化合物（１）、０３ｇのＮ、Ｎ’−ゾフェニルー
Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−ＣＩ、／’−
ビフェニル］−１．’ａ’−ジアミンおよび７０ｇのマ
ークロロンを浴解させることにより調製した。次いで、
この溶液をバードフィルムアプリケーターによシ発生層
上に塗布し、７３３℃の強制通風炉内で３θ分間乾燥し
て、厚さ７７ミクロンの輸送層を得た。得られた装置を
室温に冷却し、そしてグθポルト／ミクロンの電場に正
に帯電させ、且つｇ３θｎｍの単色光で放電させること
によシ箪気的に試験した。この装置の半減衰感度は７エ
ルグ／ｄであった。

実施例■ 本実施例では、比較的薄い輸送層を有する多層型感光装
置を説明する。

実施例ｍの手順をくシかえずことで、アルミニウム化マ
イラー上に厚さ２ミクロンの三方晶系セレ／の光発生層
を有する感光装置を調製した。実施例■における輸送層
用の溶液組成物を、光発生層上に塗布し、７３３℃の強
制通風炉内で３θ分次いで、得られた装置を実施例■に
記載の手順に従って、電気的に試験したが、装置をｇｏ
デルト／ミクロンの電場に正に帯電させ、続いて該装置
をグ０θ〜７θＯｎｍの白色光によシ放電させた。

この装置の半減衰露光感度は１０エルグ／ｃｒ／ｌであ
った。

実施例■ （４−フエネトキシカルがニル−９−フルオレニリデン
）マロンニトリル（ＩＩ）の調製：（ａ）　前ｇ体（、
＋−カルがキシ−９−フルオレノンｆン）マロノニトリ
ルの調製：　９３．　／　Ｆ　（θ＋／、５’モル）の
フルオレノン−クーカルボン酸と７ｓθ−の無水メタノ
ールとの混合物を、還流冷却器を備えたコ、θ００　ｔ
ｔｒｌの丸底フラスコに入れ、電磁攪拌し、且つ還流温
度にまで加熱した。続いて、このフラスコにｇ、２．３
１ｃ１２！；モル）のマロノニトリルと２０滴のピペリ
シンを加えた。

次いで、この混合物を還流下でダざ時間加熱した。固体
生成物（を−カルブキシ−９−ツルオレニリデン）マロ
ノニトリルを吸引濾過で集め、３００ｍ１の淋騰してい
るメタノール中で／、５−分間指押し、続いて沢過した
のち、２θθｍｌのメタノールで連続的に洗浄して４−
＆　［した。生成物を真空下る３℃で７２時間乾燥した
ところ、デθ／ｇが得られた。

（ｂ）（ｇ−クロロホルミル−９−フルオレニｌｊ　ｆ
ン）マロノニトリルの調製二上で得た２７ググｇ（０１
０モル）の（＋−カルボキシ−９−フルオレノンカン）
マロノニトリルと／！；０−のチオニルクロライドとの
混合物を、還流冷却器を取り付けた２！ｒＯｍ／！の丸
底フラスコに入れ、電磁攪拌し、乾燥皇索察囲気中６時
間還流下で加熱した。固体の酸は、７時間の加熱で溶解
した。反応の進行とともに、反応混合物の色は茶色に変
シ、さらに暗褐色になった。次いで、反応混合物を減圧
で蒸発せしめて固体残留物を得て、この粗生成物に３０
０　ｍｌのジクロロエタンを加えた。減圧下の蒸発を続
けて、痕跡のチオニルクロライドを除去した。粗生成物
をメチレンクロライド／ヘキサン（３！；　Ｏｒｎｌ　
／　’ｌ　００　ｍｌ　）から再結晶させた。９０℃で
７２時間の真空乾燥後に、取得された純粋な（４ｔ−ク
ロロホルミル−９−フルオレニリデン）マロノニトリル
は、２７．９９９であった。

（ｃ）　化合物（１１）の調製：ｇｓｙｃθθ３モル）
の（ｌＪｔ−クロロホルミルーワーフルオレニリデン）
マロノニトリルを乾燥Ｗ素雰囲気下で２！；Ｏｍｌの丸
底フラスコ内の／汐Ｏｍｅの乾燥メチレンクロライドに
溶解させた。この溶液を室温で電磁指押した。３　Ｑ　
ｍｅのメチレンクロライドに３．乙７Ｉ（００３モル）
の７エネチルアルコールとｌＡｓｍｔのトリエチルアミ
ンとを溶かしてなる溶液を、等圧滴下漏斗によって１０
分間にわたｐ滴加した。そのあと、反応混合物を室温で
グ時間反応させた。混合物をＳθθ−の分離漏斗に注入
し、稀薄な炭酸水素ナトリウム水溶液（３回）で洗浄し
、次いで水（２回）で洗浄したのち、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、且っ濾過した。Ｐ液を減圧下で蒸発させ
て化合物（ｎ）の粗生成物を得て、これをメチレンクロ
ライド／ヘキサンから再結晶させた。純生成物の収量は
ｇ３ｇであった。その融点は／／左−／／７℃であった
。

計算値：Ｃ’７９．７７；＋り、２ｇ；Ｎ７．４ｔグ。

実側値二Ｃ７デ１．２　；）−１クク／；Ｎ’ｌクムＮ
ＭＲＣＣＤＣ１３）、δ：３．／！；Ｃｔ、　、２Ｈ）
　；４６．ｌ　ｔ。

２Ｈ）：ｌ〜ｇ乙（ｍ、／、２Ｈ）、 ＩＲ（ＫＢ　ｒペレッ）　）：２２’１Ｏｃｒｎ　’（
ＣＮ）ｉ／７３ｈ−”（ｃ＝０実施例■ （クー力ルビトキシー９−フルオレニリデン）マロノニ
トリル（至）の調製： 実施例ＩＩ　（ｂ）で得九り０ｇ（００１３ｇモル）の
（ｌｌ−クロロホルミルーヲーフルオレニリデン）を７
５ｍ／のメチレンクロライドに溶かしてなる溶液を、２
θＯｍｌの丸底フラスコ内で乾燥窒素雰囲気下で電磁攪
拌した。２．　／　ｍｅ　（０，０／　５２モル）の、
２−Ｃ，２−エトキシエトキシ）エタノール（カルピ）
−＃）ｆ加え、続いてＳ−のメチレンクロライドに、２
．　／　ｍｅのトリエチルアミンを溶かしでなる溶液を
、３分間にわたってカｎえた。反応混合物は、トリエチ
ルアンモニウムクロライドの生成によって濁った。得ら
れた混合物を室温でｑ時間反応させた。次いで、反応混
合物を実施例ＩＦ　（ｃ）の千１＠で処理した。純化合
物ω０の収量はり０Ｋｇであった。

融点はりＳＳ′〜７Ａ”Ｃであった。

計算値：　Ｃ７／／２：Ｈ！；、／９　：Ｎ’１２ハ）
、　ＩＮＩＩＩ（ｉｆｆ　：　Ｃ７／、　０／　；Ｉ−
１，ｉ、２／　；Ｎ’２．２／。

ＮＭＲ（Ｃｒ）Ｃ３）、ａ　：ｉ、２　（ｔ、　、３Ｈ
）　；、？、ダ螺θ（ｍ。

ｇＨ）　；ｌＡ、４　（ｔ、　、！Ｈ）　；’２．２２
−４４（，７Ｈ）−ＩＲ（にＢｒベレット）：、２．２
’ｌθｃｙｎ−’　（ＣＮ）ｉ／７３（ｌｘ−’（ｃ＝
０）、実施例■ 化合物（１ｒ）を含有する多層型感光装置を以下のよう
に調製した。

実施例■と同じように、厚さ３ミル（θθ０７２０）の
アルミニウム化マイラー上に／ミクロン厚の三方晶系セ
レンの発生層を形成し、次いで実施例■で調製した／コ
ミの化合物（ＩＩ）、／θｇのポリ（カーボネートビス
フェノールＡ）（ポ１，１　？イエンシズ社よシ入手）
およびθ３Ｓのビンエニールーｇ、ｌｌ’−ジアミンを
２０−のメチレンクロライドに溶かしてなる溶液を、バ
ードフィルムアゾリケーターを用いて塗布した。この塗
膜を、／３！；℃の強制通風炉で３０分間乾燥し、次い
で室温に冷却して厚さ７７ミクロンの輸送層を得た。装
置を、Ｓ０ボルト／ミクロンの電場に正に帯電させ、且
つｑθθ〜り０θｎｍの白色光で放電させることによシ
、電気的試験に付したところ、この装（４の半減衰露光
感度は３２エルグ／ｄであった。

実施例■ 化合物（至）を輸送用分子として用いる多層型感光装置
を以下の手順によって製造した。

輸送層用の溶液は／２９の化合物（ト）と１０ｇのマー
クロロン（ポリカーがネート）とを２０−のメチレンク
ロライドに溶解させることにょシ調製した。次いで、と
の溶液を、厚さ３ミル（θ００’７２ｃＩＲ）のアルミ
ニウム化マイラー上に蒸着させた厚さコミクロンの三方
晶系セレン光発生層の上面に塗布し、乾燥して７９ミク
ロンの厚さにした。該製餅を実施例■に健って４ｔ３　
ｙｒ？ルト／ミクロンの電場に正に帯′４１させ、且つ
白色光で放電させた。

この装置の半減艮露光感［は３０エルグ／ｃｒＪｔであ
った。

実施例Ｘ （４ｔ−ｎ−ブトキシカルぜニル−２，７−シニトロー
９−フルオレニリデン）マロネ−１−（ＩＸ）の調製： ／ｉ２ｊ；／Ｃθθローモル）０フルオレノン−グーカ
ルダン酸をＳＯ０−の丸底フラスコに３０ｇｍｌの赤色
発煙硝酸を７０分間にわたって加えた。この添加は室温
で行なった。続いて、ＳＯ−の濃硫酸をＳ分間にわたり
加えた。得られた溶液を室温で／θ分間指押し、次いで
足常的な渦巻状態の７５氷冷水にゆつくシと注入した。

固体生成物である。２，７−ジ二トロンルオレノンーゲ
ーカル？ン酸を吸引ｆ過によって集め、１０θ−の、、
５″俤塩ば水溶液で洗浄し、６０℃で２１１ｔ時間減圧
乾燥した。コ、ターゾニトロフルオレノンーグーカルぜ
ン酸の乾Ｊ・は／　、？、　３　ｆｉであった。

実施例■の手順に従ってコ、７−ゾニトロフルオレノン
ーグーカルがン酸９．４１２ＥＣ約００３モル）を、対
応するｎ−ブチルエステルに転化させた。このエステル
をメチレンクロライドおよびヘキサノから再結晶させる
ことによって精製した。

その収りは７ｇであった。

次いで、コθＯ＃Ｉｌの丸底フラスコにｌ１ｇ（００１
１モル）のｎ−グチル−２，７−シニトロフルオレノン
ークーカルポギシレート、蒸留した。２．　！；　ａ１
７！（θ０／乙モル）のジエチルマロネートおよび２３
　ｍｌ■メチレンクロライドを入れた。この溶液を°電
磁攪拌し、乾燥窒素雰囲気下で水浴によシ冷却した。該
溶液に７ｒｎｌ（θθＡ５モル）の四ｊＭ化チタンをＳ
分間にわたシ加え、続いて／θ’ｌ　ｍｌ（０７３モル
）のピリジンを加えた。次いで、反応混合物を室温でコ
時間攪拌し、そのあと水／２Ｓ−で処理した。有機層を
分離漏斗で分離し、Ｓチの炭酸水素ナトリウム水溶液で
洗浄し、次いで水で洗浄した。この有機溶液を乾燥し、
蒸発させて、粗生成物を得て、これをイソノロパノール
から再結晶させた。（４ｔ−ｎ−ブトキシ力ルポニルー
ス。

７−−）ニトロ−？−フルオレニリｒン）マロネートの
収ふｔはり乙ｙでを）つた。融点は／／ムＳ〜／／り℃
であった。

計算値：　Ｃ３ｇ、３９　；Ｈり７コ；Ｎ左り乙、実測
値：　Ｃ，ｌ：汐７；Ｈり９０；Ｎ左３３、ＮＭＲ（Ｃ
Ｄα３）、δ：ｌ０−２．０Ｃｍ、　／、Ｊ’Ｈ）　：
’１．３−’Ａ９（ｍ、乙Ｈ）；＆、２−９．０Ｃｍ、
５Ｈ）、上Ｒ（ＫＢｒペレット）：／７３３ｃｙｎ　（
ｃ＝ｏ）；／Ｓ’１０ｃｍ　ＣＣ−Ｎｏ　）、 実施例Ｘ （４−ｎ−ブトキシカルがニル−、）、、７−シニトロ
ー９−フルオレニリデン）マロネート（財）ラミ子輸送
分子として含有する感光装置を以下のように調製した。

実施例■のコミクロン厚の光発生層を厚さ３ミルＣＯＯ
Ｃ００Ｏ７２のアルミニウム化マイラー基体上に形成し
た。実施例■に記載のものと同様の電子輸送層を、（ク
ーｎ−ブトキシカル材ニルーデーフルオレニリデン）マ
ロンニトリル（Ｉ）の代シに上記の化合物■を用いて調
製した。該装置をり０ボルト／ミクロンの電場に正に帯
電させ、４／−００〜りθＯｎｍの白色光を用いて十分
に放電を行なったところ、装置はｇエルグ／ｄの半減衰
露光感度を示した。

実施側地 実施例Ｉで調製した化合物（Ｉ）を輸送分子として含有
し、またＰＶＫ中の三方晶系セレンを発生層として有す
る感光装置を以下のように調製した。

実施例■の手ｊ＠をくりかえして、厚さ３ミル（θ００
７２□）のアルミニウム化マイラー上に厚みΩミクロン
の三方晶系セレン光発生層を有する感光装置を１＝’ｆ
ｌ［シた。光発生層の上に実施例■の輛送層用溶液組成
物を塗布し、１３３℃の強制通風炉内で３θ分間乾燥し
て、厚さ７９ミクロンの層を得た。次いで、得られた装
置を実施例■に記載の方法に従って、電気的に試験した
が、該装置はｌ１２ボルト／ミクロンの電場に正に帯電
させた。

この装置は満足できる放電特性を示し、その半減衰露光
感度はｇエルグ／ｃｒｌであった。

実施例ｘ■ 実施側地に記載の方法に従って感光装置を調製シタが、
輸送層のバインダーポリマーヲ−ｑ　−ｏ　ン（ポリカ
ーゴネート）とし、また輸送層用塗料溶液の溶媒をＴＨ
Ｆとした。次いで、得られた装置を実施側地に記載の方
法に従って電気的に試験した。該装置は満足できる放電
特性を示し、その半減衰露光感度は７０エルグ／ｄであ
った。

実施例Ｘ■ 実施例Ｉで調製した化合物（１）を輛送分子と１〜で有
し、またフタロシアニン顔料を発生層とＬ７て有する多
層型感光装置を以下のように６１．Ｊ製した。

１０ｒｒｔのメチレンクロライドとθ０．２３’ｌｊｊ
のバナソルフタロシアニンとθ３１１／９（ｒ）４ｔ９
．θθθポリエステル樹脂（デュポン社）との混合物を
、３時間が一ルミリングして得られた光発生開用の分散
体を、ポールで粗面化したアルミニウム化基体のドッグ
上に塗布した。、夕５℃の真空炉内で／６時間の乾燥後
、厚さコミクロンのフタロシアニン光発生層を得た。こ
の光発生層とに実施例■の悔送層用溶液組成物を塗布し
、ｉｉｏ℃の真空炉で／乙時団乾燥して、厚さ／乙ミク
ロンの層を得た。次いで、得られた装置を実施例■に記
載の方法に従って電気的に試験したが、この装置はグア
がルト／ミクロンの電場に正に帯電させた。装置は満足
できる放電特性を示し、その半減衰露光感度はｂｏエル
グ／ｄであった。

実施例Ｘ■ 輸送分子として化合物（至）を有する多層型感光装置を
以下の手順によって製造した。

厚さ２ミクロンの三方晶系セレン光発生層を実施例■の
手順をくシかえすことによシ調製した。

輸送層用溶液は／、２ｇの化合物（至）と／、０ｇのポ
リメチルメタクリレート（サイエンティフィックポリマ
ープロダクツ社より入手）とを／汐−のクロロホルムに
溶解させることによって調製した。との溶液をバードフ
イルムアノリケーターによって光発生層上に塗布り、、
１３０℃の通風炉で３０分間乾燥して、厚さ／Ｉ１ミク
ロンの輸送層を得た。

次いで、得られた装置を実施例ＩＩＩに記載の手ｊいを
くりかえすことによシミ気的に試験したが、この装置は
ダ０？ルト／ミクロンの電場に正に帯電させた。この装
置は満足できる放電特性を鳴し、その半減衰感度は３３
エルグ／ｄであった。

以上、本発明を好ましい実施態様に関して説明してきた
が、本発明はそれらに限定されるものではなく、むしろ
、当業者であれば、本発明の要旨と前記特許請求の範囲
内における各種の変形と修正が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１〜３図は本発明の実施に当って採用することのでき
る多層型感光装置の実施態様を示したものである。 １、Ｔ・・・基体　３．１１・・・光発生層４．１２・
・・不活性樹脂バインダー ５．１５・・・電子輸送層　９・・・注入バリヤ一層１
６・・・樹脂バインダー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持基体、光発生層および、該光発生層に接して
   いる下記式 （上記式中のＸおよびＹは、シアノ基、またはアルコキ
   シカルボニル基で６Ｌ　Ａ、Ｂおｆびｗｈアシル、アル
   コキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニル
   およびこれらの誘導体上υ成る群から独自に選ばれる電
   子吸引基であり、ｍは０から、２までの数字であり、ｎ
   はθまたは／の数字である）の化合物ニジ成る改良され
   た多層型感光装置。 （，２）　Ｘ　オｊ　ヒＹ　カ、ＣＯＲ基、ＧＯＯＲ基
   マタはＣ０ＮＲ’Ｒ２（Ｒは、アルキル基、アルコキシ
   置換アルキル基、アリール基またはカルボキシル基であ
   シ、Ｒ１およびＲ２は水素、アルキル基またはアリール
   基である）から成る群から選ばれる、特許請求の範囲第
   Ｖ）項に記載の改良された多層型感光装置。 ■　アルキル基が、約／〜約２０個の炭素原子を含有し
   、アリール基がフェニルである、特杵ｊｌＮ求の範囲第
   （至）項に記載の改良された感光装置。 （グ）Ａ、ＢおよびＷが、ニトロである、特許請求の範
   囲第Ｖ）項に記載の改良された感光装置。 （ｔ）　Ａ、ｓおよびＷが、式ＲＣＯのアシルまたは式
   ＧＯＯＲのアルコキシカルボニル（ここでＲは、／〜約
   ２θ個の炭素原子を有するアルキル基である）から独自
   に選ばれる特＃′ｆ請求の範囲第（１）項に記載の改良
   された感光装置。 （６）　アシルが、アセチル、グロピオニル、インバレ
   リル、アニンイルまたはステアロイルである、特許請求
   の範囲第（至）項に記載の改良され交感光装置。 （７）　アルコジカルボニルが、メトキシカルボニル、
   エトキシカルボニル、イングロポキシカルポニル、また
   はフエネトキ７カルボニルである、特許請求の範囲第（
   １）項に記載の改良された感光装置。 促）電子輸送材料が、下記式 ％式％ の化合物より成る、特許請求の範囲第（１）項に記載の
   改良された感光装置。 （９）　電子輸送材料が、下記式 の化合物よシ成る、特許請求の範囲第し）項に記載の改
   良された感光装置。 （１０）電子輸送材料が下記式 ％式％ の化合物より成る、特許請求の範囲第（１）項に記載の
   改良された感光装置。 （／／）電子輸送材料が、下記式 の化合物より成る、特許請求の範囲第（１）項に記載の
   改良された感光装置。 （／２）　電子輸送材料が、下記式 ０式％ の化合物より成る、特許請求の範囲第（１）項記載の改
   良された感光装置 （／３）　電子輸送材料が、下記式 （上記式ののｍは、／またはコであり、ｔは、０または
   ／である。）の化合物より成る、特許請求の範囲第（ハ
   項記載の改良された感光装置。 （／４ｔ）　電子輸送材料が、下記式 の化合物より成る、特許請求の範囲第（４項に記載の改
   良された感光装置。 （７９′α電子輸送材料、下記式 の化合物より成る、特許請求の範囲第（４項に記載の改
   良された感光装置。 （／乙）　電子輸送材料が、下記式 の化合物より成る、特許請求の範囲第１項にｄ１シ載の
   改良された感光装置。 （／り）　光発生層が、セレン、セレン合金、スクアリ
   リウム顔料、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニ
   ン、またはバナジルフタロシアニンから成る、特許請求
   の範囲第（４項に記載の改良された感光装置。 （７ｇ）　光発生層が、三方晶系セレンから成る、４Ｓ
   許請求の範囲第（１）項に記載の改良された感光装置。 （／９）電子輸送層が、約２ミフロン〜約／θ０ミクロ
   ンの厚みで、光発生層が、約Ｏ０θ３〜約コθミクロン
   の厚み軸回にある、特許請求の範囲第（１）項に記載の
   改良された感光装置。 Ｗ）電子輸送性化合物または光発生用化合物が、不活性
   樹カイバインダー材料内に分散されている、特許請求の
   範囲第（１）項記載の改良された感光装置。 （２／）樹脂バインダーが、ポリエステル、ポリカーボ
   ネート、エポキシ、ポリアミド、ポリシロキサン、ま几
   はビニールポリマーである、特許請求の範囲第（，２Ｏ
   ）項に記載の改良された感光装置。 （２２）電子輸送分子が、約／θ重量％〜約７５重景％
   の遺で存在し、樹脂バインダーが、約２５重量％〜約デ
   ０重量％の敏で存在する、特許請求の範囲第ＯＡ項に記
   載の改良され７を感光装置。 （，２７）光発生用化合物が、約１０重量％〜約／θＱ
   重量％の量で存在し、樹脂バインダーが、約Ｏ重量％〜
   約７θ重−Ｍ％の量で存在する、特許請求の範囲第（，
   ２／）項に記載の改良され７を感光装置。 （Ｊ）電子輸送層が、約／Ｍ辰％〜約３θ重景％の濃度
   で′ば子供与材料で任意にドーピングさ１１ている、ｇ
   Ｉ！′ｌ：請求の範囲第（１）項に記載の改良さｎた感
   光装置。