JPS6069846A - 消去可能光学デ−タ記憶媒体および該媒体へのデ−タ書込み、消去兼読取方法並びに装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｙｉ、明の背足 発すワの分野 本発明はデータ記憶立体および該媒体にデータを記録す
る方法並びに装置に関するものでちり、管に、消去ｎＪ
能光学データ記憶媒体および該データ記憶媒体にデータ
を宵込んだシ、消去したシ、データを前１取る方法並び
に装置に関するものである０ 従来技術の説明 現在、データを記録するだめの実用的または商業的手法
は殆ど磁気記憶手法に基づいている。

一般に、アークはディスクおよびテープのような磁気媒
体に記憶され、論理１データビツトおよび論理０データ
ピッｌ−社媒体の磁化方向によって表わされる。例えば
、データ記憶媒体の成る所定位置、即ちビット記憶領域
の一方向の磁化によって論理１に表わすことができ、ま
た、そのビット領域の他方向の磁化によって論理１を表
わすことができる。各データビットは記録ヘッドを用い
て所定のビット記憶領域を磁化することによって媒体上
に■゛込まれ、かつ各データビットは磁気記録ヘッドを
用い゛Ｃ所定ビット領域の上に他のビットを宵込むこと
によって消去することができる０各データビツトは記録
ヘッドを用いて所定ビット領域の磁化方向を検出するこ
とによりｉ７１．取られるＯ磁気記憶手法は商業的に成
功しており、しかも有利ではあるが、１９６０年代のｌ
Ｏ年間の初期頃から光学記録として一般に知られている
記録手法が行われるようになり、これが従来のデータ記
憶に代わるものとして極めて将来有望であると見なされ
ている。光学記録は、データ記憶密度が高く、ｊ“−夕
速度が速く、シかもデータ記録保管能力が長いことから
して磁気記録よシも擦かに有利である。潜在能力が最高
の成るタイプの光学記録には、磁気記録ヘッドの代υに
超繊ｆｔＱな記憶をするライトペンのような高集束レー
ザビームを用いて極めて高いデータ速度および記録密度
でデータを宵込んだり、読取ったシし、かつそのデータ
を消去する光学記録装置ｌ！または光学記録方式がある
。このような光学記録装置または方式には、レーザビー
ムに応答してデータを記憶する消去可能光学データ記憶
が；１４体が含まれる。例えば、データ記憶媒体はレー
ザビームが発生ずる熱に応答してデータを消−人し７た
り、眉込んだシし、咬ノこ１／−ザビームの光に応答し
てアークｌ　ＷＭ取ったシする。

代るゲ１′、学記（子方式では、データビットを真込む
のに、レーザビームを消去可能媒体に集束させて、その
媒体を加熱し、これによシ例えば非晶状態のような成る
形態学的、または物理的状態から、例えば結晶状態のよ
うな仙の形態学的、または物理的状態への安定な転拶を
誘発させるようにしている。これら２つの物理的状態は
、それぞれ異なる光学的特性を呈し、これらの特性とは
各状態での光の透、過半すぐよび光の反射率特性のこと
である。

これがため、アークビットを読取るには、データを書込
−４ｒのに用いるレーザビームよりも電力（出力）レベ
ルの低いレーザビームからの光をデータｆｔ１２憶媒体
に集束させ、かつその光を記憶媒体の物理的状態に応じ
てその媒体によって透過または反射させ、これにより論
理１か、論理Ｏかを呈示させる０データビツトは睨取り
時のレーザビームよリモ電力レベルが高いレーザビーム
で記憶媒体の材料を再び加熱して、その媒体を元の物理
的状態に戻すことによって消去することができる。

上述した消去可能データ記憶媒体は、前述したように、
加熱すると成る状態から他の状態に変わる半導体または
カルコゲナイド材料で形成する。

このデータ記憶媒体に関する１つの問題は、これらの状
態の変化が極めて小さく、ごく僅かであると云うこと、
即ち、非晶状態と結晶状態が殆ど光学的に区別できない
と云うことにある。これがため、データビットを読取る
際に論理１と論理０とを区別するための信号対雑音比が
高い反射レーザビームを得ることができない。斯かるデ
ータ記１，６媒体に関する他の問題点は、データ速度、
特に切込み、および消去速度が不所望に極めて低く、例
えば１マイクロ秒もかかると云う点にある０これは成る
所定の材料を一方の物理的状態から他の状態に変えるの
に必要な時間が相当長くなるからである。」二記データ
記憶媒体には、その媒体材料を成る物理的状態から他の
状態に変換し得るように、その材料を加熱するのに相当
高いμ、のレーザエネルギー、即ち相当高い電力を必要
とすると云う問題もある。さらにまだ、このよう外高い
レーザエネルギーで物理的状態の変換を行うだめに、比
較的少ない回数の消去／′■込みサイクルで記憶媒体が
疲労してしまうと云う問題もある０この疲労度は、１０
０万のオーダの消去／書込みサイクルを達成し、得る磁
気記憶技術によるものとに競争にならないｆ？である。

米国特γ１゛第４，２７８．７３４号には、媒体拐料の
物理的状態が変わると、光学濃度が増減する光学媒体が
開示さｉｌている。この米国特許でトし、データを例え
＋Ｊ：　！’ｉ　０ナノ秒のような速い速度で居込んだ
り、また日、消去し得るようにしだと云う点でデータ速
度の間ｍ　４７１．　解決したものと思え、１だ、コン
トラストの問題も、物理的状態を光学的に識別し得るよ
うにしたど天う点で解決したものと思える。しかし、＋
１’ｌかる米国性ｎ′［の場合には、ビット領域の位置
を局部化することができないだめに、データをビット毎
に消去てきないと云う欠点がある。また、異常または不
規則部分がある表面では物理的な状態変化、即ち状態変
換をさせることができず、さらに光学媒体用に使用する
利Ｔｚ１も高価である、）米国特許第４，２６４，９８
６号には他のタイプの消去可能光学データ記憶媒体が開
示さ１１ている０この場合にはデータビットを書込むの
に、レーザビームを媒体」二に集束させて、加熱により
ビット領域の体積を膨張させ、これによシ小さな隆起部
、まだは変形部を形成するようにｌ〜ている。このよう
外隆起部の存在は成る論理状態を表わし、隆起部の不在
は他の論理状態を表わす。」二記し−ザビーノ、による
加熱時にデータ記憶媒体のビット領１或は成る物理的状
態、即ち結晶状態から、他の物理的状態、即ち非晶状態
に変わシ、この現象によって容積膨張を来たし、これに
より可逆的に固定される小さな隆起部が形成される。ビ
ットのユ取シは、そのビットを書込むのに用いた電力レ
ベルよシも低い電力のレーザビームをビット領域域に集
束させて、反射光の光量または散乱所を検出することに
より行う。隆起部がある場合には、反射光が殆ど散乱す
るため、検出光の強度は低くなるが、隆起部がない場合
には、反射光が殆ど散乱しないため、検出）“Ｃ４の強
度は高くなる。このような読取シ／切込み記録方法は、
信号対雑音比を良好とし、論理１と論理Ｏとを明確に識
別可能とするから好都合である。

し、かじ、上述した米国特Ｗｒ第４．２　Ｇ　４，９８
６号の消去可能光学データ記憶媒体の場合には、隆起部
を消去または除去するのに、レーザビームの電力レベル
ｋＥ極めて高くして、記憶媒体の拐料を融点以上に高め
る必要があると云う問題がある。これにｔよ高価で、高
出力のレーザを必要とすると云う欠点がちる。さらに、
隆起部のかかる溶融は媒体表面を平滑にＶず、即ち媒体
羽村の冷却時にその表面に波しわを形成する。絶えず隆
起部を満足に再生して、データビットを適切に読取れる
ようにするには、媒体表面を平滑にする必要がある。さ
らに前記米国特ＦＩ’第４．２（ｉＪ、９８６号の場合
には、前述したように媒体羽村の物理的状態を変える必
要があるために、データ速度が相当遅くなると云う問題
もある。さらに斯かるデータ記（Ｔ：’、　ｉｔ’！：
体の場合には、物理的状態の変化に起因する炉労と云う
問題があυ、斯かる記１．亡媒体にて達成しイＣる消去
／署込みサイクルの回数は僅か約１　（１００回程度に
過きない。

米国特許第４．３７１．９５４号には、底部材料層と頂
部利料層とを有している二重層を支持する熱膨張率の低
い基板を具えでいる消去＋＋Ｊ能光学データ記憶謀休に
体いて開示されている。底部加熱層は比較的伸長し難い
金ＦＳまだは熱膨張率が高いポリマーとし、頂部利料層
は周囲温度でマルテンサイト相（ｍａｒ　ｔｅ１１Ｓｉ
’ｌ；１０　ｐｂａ、Ｓｅ　）　とシ・す、しかも熱膨
張率が低い全屈合金としている。ｔだ、頂部層と底部層
の粘性も互いに低く、即ちこれらの両層は互いに接着し
合わず、底部層の変態温度Ｔｔは周囲温度よシも高く、
かつ頂部層の％Ｉｊ点以下と１〜ている。変態温度Ｔｔ
以上ては頂部層υ、［層相（ｐａｒｅｎｔ　ｐｈａｓｅ
　）　Ｊ　トｆｘ　ル。？ニー　ｉｌ　テ、層相、！：
　ｉＪ：、頂部層の冶金学上の相を意味し、変態温度以
上において、、　ＪＪｉ部層の原子の配列が格子点にお
いてランダムになっている。

上記」′；国ｌ庁許第４．３７１．９５４号に當２市（
−されているように、データビットを店込むためにはレ
ーザパルス、に上る）′１、パルスをニル１層により吸
収させて、この二重層を乳、ｑｌ’、温度Ｔし以下の温
度に加熱し、頂部層と）ｉ″（部層全それぞれ別々に膨
張させる。とｉＬにより底部層は基板から離層または外
れて、頂部層の上に容積的に膨張し、隆起部を形成する
。ついで、二重層を玲却′ノーると、頂部層はｎ」逆的
な固定隆起部を形成し、底部層は基板の方へと元通シに
収縮する。

ｙ゛−タビソトを消去するには、前記米国／侍γ「第４
、：１７１，９５４号に記載され７ているように、例え
ば出力レベルがより高いレーザパルスによるか、また１
Ｊ、レ−リ゛ビームを横切らぜるデータ記憶媒体の変位
また仁１、移動速度を遅らせることによってフルテンタ
イ１的な頂部層の温度を変態温度Ｔし以上に高めて、Ｊ
Ｒ部層をその親和に変換させる。この際頂部層は底部層
の上で収縮し、この］１１１１部は冷却すると元のマル
テンサイト相にノ２・ζる。

」二連したような米国１１をｔ′［第１Ｉ、：１７１，
９７４号による消去可能光学データ記憶媒体の場イ）に
は、金属ニー重層、特に底部層が比較曲伸、１丁し！１
“１１′いと云う問題がある。従って、この１１，５合
（し形成１〜？１１Ｚ）隆起部の高さｔよ、データビッ
トを正確に読取るのに望ましい程には高くならないと云
う欠点がえする。他の間１１℃は、データ消去の場合に
頂部層をマルデンーリーイト相から親和へと変換させる
必要があるも、データをイ１込む、鳴合には、そのよう
ｆＪ：、渡換をさゼないようにする必要がある点にある
。この相変換の欠点は、消去モードが遅くなシ、このだ
めに店込みモードを早くできず、これにより各モードに
対するデータ速度を著しく相違さゼる必要があると云う
ことにある。他の欠点は、データビットをシ：込んだシ
、消去したシするのに、別々のレーザ出力パルスを必要
とし、データビットを消去する場合には、レーザ出力を
極めて高くする必要があシ、このためには高価な高出力
レーザ゛を使用しなければならないと云う点にある。

さらに前記米国′１〒ｎ′Ｆ第４，３７１，９５４号の
場合には、消去可能光学データ記憶媒体が、その媒体の
不良による表りでイ）るハード的なピットπ１シの影響
を非常しく：受りやずいと云う間」もある。特に、媒体
表面のゲー、′畠、６だ番、１、小規則な部分がいずれ
もマルテンーリイト相と親和との間での頂部層の相変換
能力に悪影ｊＷ　（ｆ−及はして、ビット誤９を起生せ
しめる。さらに他の問題ｔよ、頂部層が熱膨張率の低い
金属化自物剤だＱ」、金Ｆ１の合金である点にある。こ
のことを」１、Ｊ９１ｆ市の拐オｌを膨張さぜるのに高
出力の光パルスが必７５［となり、このだめに高価な高
出力シノ−ザも必要とすることを意味している。さらに
データビットを１！１込む際に底部層が基板から離層す
ると云う間■・亀もある。これによる欠点ｂ１、基板伺
近の底部層が１クレープ」し、これにょシ媒体の使用中
に不良部のが形成され、Ｉ’／：休が平、Ｔｉｊｉにな
らなく外ることにある。

５：１）す１１のｉＩ′Ｊ、彎 、・１・発ツｊの「１的は新規なデータ記憶媒体を提供
することにある。

本発明の他の目的は、データを光学的に記録するための
新規な方法および装置を提イＪ（することにある。

さらに本発明の他の目的は、高いデ〜り速度でデータを
記憶させるための消去可能光学データＨ１：憶奴体を折
（Ｊｔ；することにある。

本発明の他の目的は、安価な低看−・、力光源を用いて
データを記憶させるための消去ｔ＋Ｊ能光学データ記憶
々■休を体供することにある。

さらに本発明の他の目的は、磁気記憶技術による場合の
疲労度とは競争にならない８′優れている消去可能光学
データ記憶媒体を折ｇ（することにある０ 本発明のさらに他の目的は、消去可能）゛Ｃ１学データ
記憶４ｔ、１．体を７ｊ８数の任意所望波長のいずれと
も使用することにある。

さらに木兄すワの目的は、不規則部分甘だは異猟部分を
有している媒体にデータをＲＯ録し得るようにすること
にある。

本発明は、基板と、該基板上に第１利料および第２４−
Ｊ打製の二重層とを具え、データを熱的に偶込んだり、
データを熱的および機拡的に消去したり、データを光学
的に読取るために、前記二重層を膨ＩＩＩ！および緩和
しやすいものとし、前記第１材料と第２＋４旧とを互い
に接着し、前記二重層の前記膨張および緩和時に前記Ｗ
ｆＪ１利料および第２材刺がそれぞれ物理的に同じ状態
の１１となるようにしたことを特徴とする消去可能光学
データ記憶々１．１体にある。

さらに本発明は、基板と、該基板上にて互いに接着され
る第１打料および第２利料製の二重層とを有しておシ、
前記第１材料を弾性とし、前記第２利料をガラス転移温
度を有するものとした消去ｎＪ能）゛（、学データ記憶
媒体にデータを２４込む方法が；第１Ｆ４判を加熱して
、該第１材料を第１層の弾性限度内で弾性的に膨張さぜ
、少量の熱によつでＭ　２１４料もガラス転移温度以上
に加熱して、該第２月１をゴノ、状にする加熱工程と１
加熱した第１ｔＪ１′ｌをｎ＋ｊ？脹させ、かつ加熱し
た第１利料が弾性白に膨張する際に前記加熱した第２４
１料を押上げるようにする二［程と多剤記憶１Ｈ別を伸
張させ、茄眼させた状態の寸まで前記第２１１’　Ｊ’
ｉをガラス転子？温度以下に冷やし、この冷やした第２
利料かり逆面な固定変形を呈し、かつ該第２８　Ｆｌが
前記第１材料を伸張した膨張状態に保持せしめるように
する工程とを含むようにしたことを背へとするデークη
込み方法にある。

本発明はさらに、基板と、該基板上に第１材料および第
２利料製の二重層とを有している消去ＩＪＪ能な光学デ
ータ記憶媒体にデータを記録する方法にあって、前記二
重層が前記消去用能光学データ記憶媒体における成るビ
ット領域に記憶される成るデータビットに対応するよう
にするデータ記録方法が、第２利別を加熱することによ
り、前記消去可能な光学データ記憶媒体の成る位置に記
憶されている成るデータビットを消去する工程と１第２
ｔＪ料がまだ冷却されない間に前記消去１．ＩＪ’　を
屯光学データ記憶媒体における前記成る位置に他のデー
タビット金書込む工程とを含むようにしたことを特Ｔ２
にとするデータ記録方法にある。

さらに本発明ケよ、基板と、該基板上に第１材料訃上び
第２＋４料製の二ｉ７ｉ層とを有しでおり、データに一
熱的にｆ）込んだり、データを熱的および機械的に消去
したり、データを光学的に読取るために、前ｎ己二屯層
を膨張および緩和しやすいものとし、前ｎ１．：　ｐＨ
゛口４４　ｉ’ｌと；、ｒｌ　２利料とを互いに接着し
、前記二重層の前％Ｅ膨張および緩和時に前記第１利料
および第２＋（料がそれぞれ物理的に同じ状態のままと
なるようにした消去可能光学データ記憶媒体と５前記第
１月料によっては吸収されるも、前記第２利料に対して
は殆ど透過性の第２レーザビームおよび前記第２材料に
よって吸収される第２レーザビームを−Ｌれそれ発生す
るレーザビーム発生手段と野前記憶ル−ザビームを前記
第１利料上に集束させて加熱し、かつ該第１利料を前記
第２相判の」−にす；１１性的に膨張させてデータビッ
トを書込むだめの第ル−ザビーム集束手段とテ前記第２
レーリ°ビームを前記第２利料」二に集束させて該第２
　＋ｔ　４１を加熱して、データビットを消去するため
の′Ｗ、２レーザビーム集束手段と多前記消去可能光学
データ記憶媒体を前記第２レーザビームおよび前記第２
レーザビームに対して移動させるだめの光学データ記憶
媒体移動手段とを兵えるようにしたことを特徴とするデ
ータビット記録装置にある。

下記に詳述する多数の利点の中でも特に本発明は、レー
ザのような低出力光源を用いて高いデータ速度でデータ
を書込んだり、消去したり、読取ったりすることができ
、しかも磁気記憶技法に匹敵する多数の消去／書込み一
す−イクルを実男し得るものである。

＼ へ ＼ ＼ ＼ ＼、 ＼ 実施例の説明 以下図面につき木ツ１１明を説明する。

第１図は下記に詳述する本発明に係わる材ｔ１に関？１
目−る多τ９のｔ；’＋　を成約な力１′１〜Ｆ４を説
明するのに用いる説明図である。説明図Ｌ１に示す力Ｆ
１は、成る所定材料の分子鎖Ｍの伸張丑たは伸長に応じ
て発生ずるばね状の力である。説明図Ｌ２ｄ、成る所定
材料の原子または分子間の錆の伸張に応じて発生する力
Ｆ２を示す。説明図Ｌ３は粘１＋’ｌｔ性をイ１する材
料の伸張または伸長に応じて発生する力Ｆ、を示ず。説
明図Ｌ４は可変弾性率を有している材料の伸張に応じて
発生ずる力Ｆ４を示す。

第１図にｔｉｔ僅かの結合Ｂにより軽度に架橋さぜる本
発明に係わる４′Ａ料の分子鎮ト１をイリわ−、Ｊ説、
明図Ｌ５もあり、説明図Ｌ６１ｆ、ｉ：多フシの結合Ｂ
により高ｙｐ：に架橋させる本発明に係わる′Ａ４第１
Ｌ７）−３）子ｆ’＝”ＩＭを、１−３したものである
。

後にｎ）１述するように、ル１科の旧Ｆｌは上述した！
１″う性および性？（を；ｔ１シているだけでなく、他
の１１８「性および性質も多５：＜ｒ有して、本発明の
目的を遂行す２３ものであ″る。

第２図し」、データワードを記１７１させる消去ｎ」能
記ｉＦ２　ＱｔＦ体１０を一般的に示したものでハ・、
す、この記（（１１）１．１　ｆｌにおりる各データワ
ードは論理ｌまたは論３す！０のピットを多数有してい
る。）ｊ４去可能データ記１．＠　ｉｌｌ：体１０は、
多数の同心トラックＴの上にデータワードを記憶する消
去可能な光学データ記１（？ディスク１２とすることが
できる。−ｙｔ学−ディスク１２は下記に詳述するデー
タ記録に対しては矢印にて示す方向に回転可能でも才）
る。

第３図は論理１か、ま／ζは論理０のいずえｌか１つの
データビットを記憶させるだめの光学ディスク１２の小
さなビット領域ＢＡの断面を示したものである。

ｌ［イに、光学ディスク１２の名ビット領域ＢＡは基（
↓と１４と、この基板上にＪ′ＩＩ′積しだ二重層１６
を包含している。後に詳述するように、データな熱的（
膨張）に書込んだシ、データを熱的および機械的（ｙ和
）に消去したり、データを光学的に読取ったりするため
に、二％片ｉ　１６　ｋ［ＩＦＩ；ｌＩ＋＋および緩和
しやすいものとする。第３図し１、二％’　Ｆ、’ｉ　
］　６が例えば論理０のような成る論理状態に対応する
ｎ１和状態にある損金を示し、これに対し、第４図は二
重ＷＪ１６が例えば論理１のような他の論理状態をｌソ
わず膨張状態にある賜金を示す。

二重層１６は成る材料１８Ａから成る底部層１８と、他
の材料２０Ａから成る頂部層２０とを千１している。材
料１８Ａも材料２０Ａも二重層１６の膨張またに１緩和
時に物理的な状態が変わらず、これにより例えは速度、
即ちデータ速度が向上し、［７かもデータビットを書込
んだり、消去し／（−り−Ｊｊ）　６’、）に必要な電
力が低くて済む。月Ｉ１．１８Ａ　ｉｉ・よひ、（」イ
′１２０Ａ　ｔＪｌ、それらの界面２２にて互いに接譜
し５て、例えば後に詳述するように、データビットを高
いデータ速度で；１゛１去さゼるようにする。な」、・
、ｔＩ才１１８ＡｋＪ１、第４図に示すよう表二重ｆｉ
？ｉ　Ｉ　６の膨張時に、この材料１８Ａと基板Ｊ４と
の界面２４にて」ｊ刺１８Ａが基板１４から離層しない
ように基板１４上に堆積する。これにより基板１４（・
１近における１’＋□ｉ　１”の”クリープ”がいずわ
も殆ど介くなるだめ、ビット領域ＢＡは後に詳述するよ
うに反復を自失／書込みザイクルを通じて光学的に平？
け状態の゛・Ｆ、ｔとカる。従って、第４図に示すよう
に、二沖１音１６の膨張時には界面２２および界面２４
の個所が接着されているため、材料１１（Ａと材オ’１
．２０Ａは一１′ｉ、いに接着されたま＼となり、亥だ
月１１８Ａも基板１４と接触したま＼で、基板１４から
離層−Ｊ−ることも安い。

珂１．４図に示ず、ｌ二うに、４４別ＬＯＡすｉ・よび
２０Δｔ、Ｊ−二重層１６のｌ１ｒｔ：眼に応じてざｈ
　４トするＦす械的な力Ｌ〜・［喝゛４を；ｆ−＋　ス
ル。（’Ａ　ニｎ’ｌ’　；１３−Ｊルｊ、つ（ト、’
ｃ　：ｈ　ラッカＦ。

・−Ｆ４１ｊ２、データビット庖迅他に消去さ、け−る
目的Ｃ）ダＨ−，Ｊ、’）に、二重１？’ｌ　］、　＋
３を第３図に】１、し１．た状ｑす？肩、５・和さ一１
ｙ　、７．、のにも化分イ′１”川する。

」ｊオ’１１ｆｔＡシ」、（１１低い熱伝導率と、（２
）高１７）熱１１．’ｉｉ脹率ど、（：３）周回路、１
度上りも遥かい−低いガラス転移温度′１゛、とを有（
７、そのガラス転移温度以下−Ｃ′月科料１８Ａ１佳ガ
ラス状斤る。即ち、Ｊｖｉかる特性（３）に関連し、１
ｉ１１８Ａは周囲温度では、例えばガラヌ状、つまりｌ
ｌ（’、、い状態にあるのではなく、コ゛ム状になる。

このどとは、上記３つの特性からし、で、羽村１８Ａを
加熱してゴム状とし、その材料を局部的に、広チ′１１
囲に、または大きく、しかも迅速に膨張させるのに比較
的低い加熱電力を必要とするだけであると云うととを意
味する。また、この局部的膨張に」：す、データ記１１
密度を高くすることもできる。また、材料１８Ａは比較
的高度に架橋さぜるたに′）、１３脹時にこの材料の粘
性流れは殆ど起らない。さらに、月旧１８Ａは弾性率が
高いつ１１性を呈するため、この材料は膨張ｏ！ｉにそ
の弾性限度を越えることなく伸張して、ばね状の力Ｆ１
を発生することになり、しかも後に詳述するように、冷
却、？　ｔ’ｒ　ｉｔ’　ｉｆｆ、：力の除去時に材１
”ｌ　１８Ａをその緩和状態に戻すように７ｆ−る。つ
ぎに材料２０Ａの性質および１”￥性につき以下説明す
る。

利用２０Ａは（１）周囲温度よりも高い例えシ、１：　
ｔｏｏｏＣのガラス転移温度Ｔｇをイ１する。従って、
周囲温度またＣ［常温では、オう料２０Ａはグラス状で
脆いが、ガラス転移ン晶度以上に加熱されると、この月
利ｌＪ′。

なめし革のような柔軟な状態を経て、ゴム状の状態に直
ちに変化する。材＄；ｌ　２０Ａはまた、（２）比較的
低い熱体Ｐメ率を有し５、し、かも（３）比較的低い熱
１ｊυ脹串をイｊしている。これがため、これらの３つ
のそｊｌぞれの性質からし、て、′Ａ４オー１．２ＯＡ
を迅速、かつ局部的ではあるも、この月１を１イ１かプ
どり膨張さぜるのには、低電力加熱を用いることができ
る。まだ１．１・１第１２０Ａは、ぞのＩＪ（部表面か
外９１１ｊに露出しているため、比軌的早くそのガラス
転移湿度以下に冷え、これによシ第４図に示すような二
重層１６の膨張ＩＪ？態に゛内部凍結”する。

４ｊ料２ＯＡは第１図の説明図ＪＪ　ｓに示すように、
軒Ｊ（ｒに架橋さぜだり、または鎧のからみ合いに依存
さ、１１、ることかでき、しかも熱１１狸ｊ性としたり
、粘ｊｉ・１１１’１．のものとすることができ、かつ
仲性阜が比較的低いものとすることができる。これがた
め、膨１１１ζ［Ｆ′ｌには架橋が粘性流れ庖制限し、
（Ａ料２０Ａの伸張が４１−じて、力Ｆ５を発４Ｌする
。−また、膨張時には以前示しブ仁ように栃才１２ＯＡ
には力Ｆ２も発生する。

さらに、第４４゛Ｉ２０Ａ　＋Ｊ、　を易度に応じて変
化するｕＪ変弾性率をイｊするため、この拐オ・１．　
ｌ−、ｉ膨１１１＊　１１′、に力Ｆ４を発４１；する
。ＪＩＪｉかる弾ｅｌ：率（・ま温度の上昇に伴なって
低下し、このことからして利用２（ＩＡは応力が殆ど々
くてもこのイ」料中に歪をＲ”ｒ起することになる。

こねにより低い光出力で極めて迅速に歪がん３発さ才１
、従って第４図に示すような隆起部Ｂが形成されること
になる。

基板１４は熱膨張率が低い旧制とするのが好適である。

層１８と層２０は光学的に結合さすて、バー１２０を経
て伝搬される殆どすべての光が層Ｊ８にて吸収されるよ
うにする。この光学的結合＆ｊ、材旧ＩＦｔへとほぼ同
じ屈折率を有する４シ４旧２０Ａによっ−Ｌ行カう。従
って、層２０を経て伝搬さ、１する殆どすべての光をこ
の］工゛（部層２０を糺て底部層１８へと結合させるこ
とができるため、光の損失がなく、この）ｉ二めに低出
力の光源を使用することができる。

利用１８Ａおよび利用２ＧＡ＆−１、多数の所望波長、
またｔよ所定波長の光のいずれにも光学的に同１．’、
＋させることもできる。このように光学的に同訓さぜる
だめに、拐才’１１８Ａおよび２０Ａの各々は光透過ｒ
１の月オ・１で惜成することかてへ、とノｌら（＝’ｌ
各１、卜１に・）゛！オ’１　′！ｌたｔ、ｊ顔オ・１
を添加して、各′１ｌ−１旧１と３Ａおよび“２ＯＡが
所定波長の光を吸収せしｈｏ）ろようにする。

Ｆ記にさらに詳述するように、月十’１１１！Ａおよび
２ｎＡＩｌ−ｔ　秒々の波長の光を１１受取するように
同訓させ−し、利用１８Ａが吸Ｊ［Ｖ　Ｌ得る波長の光
に夕・１して＆ｊ、月Ｈ２ｆＪＡが完全でｄ、ないにし
ても殆どＪ？ａ　：ｌｌα性となるようにする。このよ
うな光学的な同調によれｉＪ：、１１°ｌ！；σ１性に
富んだ光学的データ記１Ｍ侭Ｉ体１２を作製するに当り
、その記憶ｆｒｒ１体を現在利用でき、しかも瓜価な、
１プＦＬｉ、将う１（利用できる多（山のレーザ源で作
動させるべく同調さゼることがてきると云う１１」点が
ある。

Ｂ”ｔ　１８と２０　ｉＪ、互いに熱的にｈｏ：合さ、
、Ｉ±るξともできる。即１８、利用１８Ａと２ＯＡの
熱容Ｍを相違さｌ↓、利オ’ＩＩＲＡ番、１．二重層１
６の内１１りに［７、利用２０Ａ１に部層１６の夕１．
１１１．１１にして、外側の４−４訃１２０Ａを前「・
ＩＥ　Ｌ、六ようにｍｍｔｉｔ　＜冷却することができ
る。

内込みモード 第５Ａ〜５Ｃ図はデータビットをビット釦ＪＴ！；、Ｂ
Ａに熱的に書込む方法を示す。第５Ａ図は消去可能な光
学データ記憶ｕ体１２のビット領域ＢＡが第３図につき
述べた緩和状態にあるものとする。この緩和状態では、
前述したように周囲湿度（（−て［４料ＩＲＡはそのガ
ラス転移温度Ｔ、以上にあるため、この材料１８Ａはゴ
ム状になっているが、；ｌ−ｊ’Ｆｌ　２０Ａはそのガ
ラス転移温度Ｔｇ以下であるだめに、この月相２０Ａは
ガラス状になっている。また、この時点には機械的な力
Ｆ１〜Ｆ４は全く発４Ｊ三していない。

さらに材料１８Ａお」、び２０Ａは、例えは利才゛’１
．１８Ａは高い弾性を呈し、材料２　（’ｌＡは色°ｔ
かの弾性しか呈ン）ないと云うような前述した他の特性
および性Ｔ′［も有している。

ついで、データビットを熱的に書込むためにＣ１１１、
月相１’８Ａを加熱して、この利旧をその胛性限度内で
膨張させる。この４：ｊ料１８Ａを加熱する時、＋；、
ｉに７（，１料２０Ａもそのガラス転移温度Ｔ８以上に
加熱され、相別２ＯＡはゴｌ、状になる。第５Ａ［＞Ｉ
に示すように、４」旧１８Ａおよび２０Ａの加熱は、Ｕ
料２０Ａに対してしＬ殆ど透過性で、しかも月刺１８Ａ
によ−って亘吸１■八れる波長を有するレーザビームＬ
Ｂ＋を発牛良せ、このレーザビームＬＢ、を１１′；１
着２０．Ａ４紅て」）１ノ、１．１８Ａ上に年束愼ぜる
ことにより行んう。し・−→ノ′ビートＬＲＩの）０−
１ＡＩ”ｌ　２〇八に、１、リイ１１゛３か（て１１す
１又さ１ｔ−Ｃ１この、１１号料を加熱してゴム状にす
ると共に、Ｊｖｌかるレーザビームの光１ｑｌ：、利旧
１８八を材料２ＯＡの方へと弾性的に膨張さ−ｔ↓るべ
く殆どこの月利に吸収される。

ついで、２；＋、　５　Ｂ図に示す上りに、つぎの工程
では加熱された１′ｊ第４；ｆｉＦＩＡがＩＩ／ｉグ眼
しＣ１同じく加熱さλ１．７’；−１’４’　ｉ・１２
０Ａを押上けて変形１“り１〜、即ち隆起部をブヒ１ｉ
’ｊ、−Ｊ”ると共に、加と１．月利１１３Ａを弾性的
に伸張させ７も。第５Ｃ図に示すつぎの工程では−１！
；１ｉＬｉ　した材許１２０Ａ４そのガラス転移温度Ｔ
５以下に冷−１，１１ｔ、て、月産’ｌ］８Ａを伸張し
た膨張状態のますとする。この冷却１１．′ｐに＋４’
　Ｆ１２０Ａは可逆固定変形部、即゛１）隆起部ＢをＪ
ｒ？成すると共に、この４°、ｌｆ：１．１８Ａを伸張
した膨張状態にイ゛ス゛持する。従って、この時、ｑ・
にす°シる論理レベル、例えば論理１のデータビットが
第４図（ζつき述べた膨ｌＩｒ１　：υぐ態にあるビッ
ト領域Ｐ、　Ａに丁シ込′まれたことになる。節用！０
をビット剣ｉ　５％’、に千′を込む１易合には、レー
ザビームＬＢ＋を作動させないで、そのビット領域ＢＡ
Ｑ第３図に示す緩和状態の寸まとする。

ｔｌｌ１２０ＡがレーザビームＬＢ、の光を伜かにＩ（
ぐＩ■ぜしめる上述しプこ加熱工程とは別に、月相２０
Ａが１１＋＋様なレーザビーム光を全く吸ＩＶｙ、Ｌな
いようにすることもできる。どちらかと云えＶ」′、月
相１８Ａにて吸収される熱の少昂部を月別２（ＩＡに伝
導、即ち伝達させて、この利Ｆｌ　２０Ａをそのガラス
転移温度Ｔｇ１．ＨＬ」二に力］１熱づるのがＶ（適で
ある。

レーザビームＬＢ＋だりを用いる第５Ａ図にシＪ０す加
熱工程とは別に、この第５Ａ図に破線で示すように、レ
ーザビームＬＢ２を発生さぜ、とのレーザビームを月相
２〔ＩＡ上に集束さ、辻て、この利１゛１２０Ａを先ず
そのガラス転移温度以上に加ｆ％する工程を含ませるこ
ともできる。この工１．−自のレーザビーノ、ＬＢ２の
波長は、そのレーラ弓Ｃが月相２〇八によって殆ど吸収
されるような波長とする。レーザビームＬＢ２での照射
後直ちにレーザビーノ、ＬＢ＋を作動す、１鼾、これを
上述したように材料１８Ａ上に集束させて、同じく上述
したようにデータビットを熱的に書込ませる。このよう
に、レーザビームＬＢ２を最初に用いるようにすれば、
ｎＪｌ　２ＯＡをより一層迅凍にゴト状の状態にするこ
とができ、これによりデータビットの書込みを一層早く
することができると云う利点がある。

消去モード 第６Ａ〜６０図はデータビットを熱的および機械的に消
去する方法を示したものである。ビットａｕＪ或ＢＡは
第６Ａ図に示すように既に書込まれているデータビット
を治しているものとする。この第６Ａ図は、材料２０Ａ
が周囲温度にて４°４才’１１８Ａを伸ｒｒシた膨張状
態に保持している第５Ｃ図に示したビット領域と同じ膨
張状態にあるビット領域ＢＡを示したものである。乙の
場合におりるデータビット消去方法は一月制２０Ａをそ
のガラス転移濡庶ｊンｔ　Ｊニレこ力１１熱して、この
材料２０Ａをコ゛ム４１（、にする工これを’ＩＩ、１
）」２０Ａ　Ｊ二に集束させることにより行安うことが
できる。旧オ゛１．２（ＩＡを加熱することによって、
この材料２ＯＡによるゼ料１８Ａの保持力を緩和させる
ことにより、榎械力Ｆ１〜Ｆ４によっでビット領域ＢＡ
を第５Ａ図に示した糾和状態に直ちに戻すようにする。

行に、相打１８１Ｖにおける弾性力Ｆ１は、二乗層１６
を緩和状態に迅速に戻す主力である。

この緩和時に第６Ｂ図に示すように、月４４１２０Ａ　
＆：Ｌ力Ｆ、と力Ｆ、とによって内方へと引戻され、月
相２０ＡはビットＰを形成する中間状態をとる。その後
、第６Ｃ図に示すように、全体を周囲温匹に１で冷却し
／こ後には、利Ｆｌ　２０Ａおよび二重層１６の全体が
第３図につき述べたように完全な１゛１ン和゛Ｉ）、態
に復すΦする。ルｆかる冷却時に二重層１６は、）；ｔ
、ｌ：’１２０Ａにピークおよび谷部（図］■、ぜず）
が光の波長のｌ／４以下となるような光学的に平ｆｐト
な状態に復すｉｉｌする。

さらに、上述したように二重層１６は材料１８Ａの粘弾
性にＬｌ・７、じで発生する力に幾分依存する絆オ］１
萌間を有する。この緩和時間ｋｌ　、利１２０Ａの湿度
上昇に伴って早くなる。

読取りモード 第７Ａ〜７Ｂし１は−フータビットλ光学的に読取る方
ＹＪを示す。第７Ａ図に示すように、ビット領Ｍ　Ｂ　
Ａ　ｒ　Ｉ−′１．前述したように隆起部Ｂを形成し２
て、ｆｆ１ｌえは論理■のようなデータビットが書込ま
れいるものとする。このデータビットを読取るだめに、
データビットをシン込んだり、サブｒａｔよ消去するの
に用いられるレーザビームの電力レベルよりも低いレベ
ルのレーザビームＬＢ２を発生させ、これを拐料２ＯＡ
の隆起部Ｂに集束させる。同様に、論Ｊ犯Ｏのデータビ
ットがビット領域ＢＡに世込壕れているものとすＩｌば
、第７Ｂ図に示すように、この世・合には陸起・部は形
成さねてい／Ｃい。この程゛７合にもデータビットを書
込んだり、まだは消去したりするのに用いるレーザビー
ムよりも低％’、カレベルのレーザビームＬＢ２を発生
させ、これを材オニ１２０Ａ上に集束させる。

論理１または論理Ｏのい１第１を読取る賜金でも、ＬＩ
＋ レーザビームの′″広吉利拐料０Ａにより反射される。

第７Ａ図に示しだ二重層１６のＩＩＨ，７ｊ脹状態と％
　７　Ｂ図に示した二重層１６の緩和状態との間のＩｋ
さ、即ち高さＨの差のために、月相２０Ａによりそわ、
それ反射されるレーザビーム■ｊＢ２の光には位相のシ
フトがある。との位相シフト、即ち位相六′を高い例月
対雑音比で検出して、ｎ：Ｄ旦１！■と論理Ｏビットと
を区別することができる。或い番」、寸だ、第７Ａ図の
ビット領域ＢＡの状態と、ｇ５７　Ｂ図のビット領域Ｂ
Ａの状態とのＤｉｊには光の散乱、従って反射光の振幅
にも差がある。この振幅の差をそれぞれ論理１および論
理（）ビットとして高い信号刻雇ｔ゛１比で検出するこ
とができる。なお、第７Ｂ図の゛１ノ態よりも第７Ａ図
の状態の方が光の散乱−Ｆ１１が多くなり、従って振幅
も小さくなる。

ン自失／世込巧ザイクル 第８Ａ〜８Ｂ図を参照して、成るビット領域ＢＡにおけ
る成るデータビットを消去して、そこに他のデータビッ
トを書込むだめの消去／書込みサイクルにつき説明する
。後に詳述するように消去／書込みサイクルは、レーザ
ビーム■」Ｂ１：ｌ−よひＬＢ２を材料１８Ａおよび拐
料２ＯＡにそれぞれ集束させるのに用いる対物レンズの
祈界内で迅速に行われ、この沸ビット領域ＢＡは上記対
物レンズを横切って動かすようにする。

ｒｎ　ｓ　Ａ図に示すように、ビット領域ＢＡには成る
ビットが膨張状態で書込ま第１ているものとする。

この１ん合の消去／書込みサイクルは、先ずビット１１
　Ｊ代１３　Ａにおりる相不−１２ＯＡを加熱して、そ
のビット全消去する工程を含んでいる。拐料２０Ａの加
熱ｉ＋：　、レーザビームＬＢ２を発生させ、そのレー
ザビームを・）・口・ｉ　２（ＩＡ土に集束させて行な
うことができ、こｔｒにより月ｆ１２０Ａをそのガラス
転移温晟Ｔｇ以上に加熱し−Ｃゴム状にする。ついで、
１料２０Ａがまだ力ＩＩｒ、″、シされている間で、し
かも三方１層１６が緩和し／Ｃしまう前に、書込みモー
ドにっきｎｌ」述した方法で他のデータビット、例えば
論理１をピット領Ｊｉｍ、　＋３　Ａに書込むっこの書
込み工程は、レーザビームＬＢ、を発４１゛さぜ、この
ビームを第８Ｂ図に示ｌ−よ・）に′＋ＡＦｌ　１８Ａ
上に集束させて、これにより前述１、りこ弾性膨張を牛
ぜしめ、その後１料２０Ａを冷却さぜる工哲を含んでい
る。しかし、消去／乳込みサイクル中に論理“Ｏを書込
む場合には、相８へ図に示すようにオメ享；ｌ　２０Ａ
を加熱したｕ二、に、消去モードにつきｉｆ＋述したよ
うに二重Ｊｉｊ１６を緩和さゼてから冷却する。

拐刺１８Ａおよびイ」相２０Ａはポリマー、判に非晶質
ポリマーとするのが好適である。殊に、月利１８Ａは、
例えば前述した熱クド性特性あよひ性ψＬを有している
エラストマーとすることができる。このエラストマーに
ハ、フチルゴム、シリコンゴム。

天然コム、エチレンコポリマー、ブタジエンスヂレンゴ
ム、および池の多酊？の合成ゴムを触ｌることができる
。

利刺２０Ａの非晶質ポリマーＶ」１、土ｉＪりしノにｌ
ｒ＆　（’Ｌ　、！・相俟って熱硬化性または熱６Ｊ塑
性のＬトＴをイＴ　ｔ、　−Ｃいる。これらのポリマー
にけ、ｆ；１え＋Ｊ’士ル［Ｉ−スアセテート、セルロ
ースアセドブデレー１−　、ポリスチレン、ポリスルホ
ンアミド、ボリナーボオ・−ト、セルロースナイトレー
ト、ヒドロアビエチルコルコール（ヘルカルスーゲミカ
ル：ｌ：ｌニＪ、　ｈ　−７”　ヒト−ル（Ａｂｉｔｏ
ｌ　）　ＡＵＫ　２５７として市販さ１１ている１、）
、ポリ（エチル−メタクリレート）、ポ１ノ（ビニルブ
チラール）、芳香族ポリエステル、　、Ｉ？リアミド卦
よびこれらの多秒の化合物を含めることかで％′Ａａ他
の非晶質ポリマーとして、例えはアクリルポリマー、ポ
リビニルアセテート、シリコンｔｆｆＪ　ＪＩＴｈ　−
アルキド樹脂、スチレンフ゛タジエンコホリマー、ｉｆ
ｉ化ビニル酢酸ビニルコホリマー、ニトロセルロース、
エチルセルロース、ポリビニルアルコール、ゼラチング
ルー、カゼイン、エラグアルブミン駁よびｒｔ＋Ｌの種
々のポリマーを用いることもできる。

ｉ、１　ｆ’）　１８Ａお↓び２０Ａを同調させるのに
用いることのできる（）１！享１ｔたは顔オ゛１として
は、例えにニグロノンｌ”ｔ’ｌ＋アニリンブルー、カ
ルコオイルフ゛ルー、クロムエロー、ウルトラマインブ
ルー、キノリ／エロー、塩化メチレンブル−、モナスト
ラルブルー、マラカイドグリーンオザレート、ロー、ズ
ペ／ガル、モナストラルレッド、スダンブラック１１　
Ｍおよびこれらの混合物がある。他の染８１′１として
は、米国特許第３，６８９，７６８号の第３　（Ｉ’ｌ
ｌ第１〜２２行および米国特許第４　、３３６　、５４
５月の第８（閂。

第５３〜６８行に開示さｉ［ているものを古めることが
でき、こす１らの特許は上記染刺または顔料に対する参
考までにと＼で記載した壕でである。

上述した本発明の原理に基いて予備実験製造処置および
試験処置を行なった。製造に当ってはニュージャージ州
所在のサンドーズ社製のレッド−オレンジ染狛で染めた
エポキシ樹脂を利刺２０Ａ川に用いた。剥離剤を被着し
たマンドレルに上記拐刺２０Ａを載せ、マンドレルを３
０００　ＲＰ１＝ｉで回転させて、上記拐刺を３ミクロ
ンの厚さの層としで、それを硬化させた。月別Ｈ（Ａと
し、てｔＪ、ダウーコー二／グア３４、即ち熱膨張率が
９２（ｌ　Ｘ　Ｉ　Ｑ−６ｃＩＩＩ／Ｃｍ１０°Ｃの透
明シリコーンゴムドツンドーズ社夛゛去の］′ルーグリ
ーン染料をン昆自さギたもの折用いた。

拐刺１８ＡをＶナイフ塗布ｊ法を用いてわ旧２１）八に
被着した。１ついでニル層１６をマンドレルから取外し
て、アルミニウム製の基板１４にＩＶり伺けた。

斯くして製造した基板１４および二ｍ層１６を、波升が
６４７ナノノートルのクリプトンレー−１−７：−１’
する”シングル−ショット”の１．・−ザ装ｆｉ’ｉに
取伺りた。ついで、データビットを書込むために電気光
学結晶を用いて５０ナノ秒間上記レーザを作動鳴せ、そ
のレーザ光をシャッター、２５ミクロンのビンポールお
よび反射防止剤を塗布しである０、４５　Ｎ、Ａ、の対
物Ｌ・ンズを紅て伝搬させた。レーザ電力（出力）は８
２０〜８８０ミリワツトとし、この内の約２０〜３０％
の電力をニル層１６に与えた。斯くシ、て拍、径が２．
５〜５ミクロンの範囲内の大きさの隆起部Ｂを形成しｉ
ｔ。

マンドレルの表面が均一でなかったために、製造された
ノー板１４およびニル層Ｊ６が光学的に平滑でなく、こ
第１らに比較的大きなピットまたは谷部があっても、こ
れらピットまたは谷部にも隆起部Ｂが形成されることを
？ｉωめた。このことの１、これまでは明らかに使用で
きなかったピッ）・領域ＢＡにも満足な隆起も１１Ｂを
形成し得ることからして、ハード的なピット誤りを最小
にしイするど云う利点を呈する。さらに、下記に詳述す
るようにＭ　４’ｊｒに書込まれたデータビットを消去
する場合でも、ビットまたは谷部がアニールまたは平滑
化されて、表面が光学的に平滑となることを鎖めた。

上述し７かようにデータビットを書込むための同様な製
造および試験処置を、マンドレルを７　、５００ＲＰＭ
で回転させて行なった。この場合には材料２０Ａの厚さ
か０．５ミ・クロンと々つた。データビットは、出力が
約１５０ミリワツトのクリプトンレーザを用い、とのレ
ーザの約４０〜４５ミリワツトの出力を二重層１６に用
いて書込んだ。従って、薄い二重層にデータビットを書
込むのに必要な電力は少なくて済むことを確めた。

二重層１６に賛を込んだデータビットを消去するために
、波長が５１４ナノメートルのアルゴンレーザを有して
いる”シングルショット°′の消去装置を用いた。レー
ザビームは音物−光学蛮調器后用いて変調させ、かつ２
０倍の対物レンズを用いる顧徽ｒｌ装置を介して隆起部
Ｂに焦束させた。レーザは１マイクロ秒のパルス勤続時
間で、しかも５５ミリワツトの出力で作動さぜ、このレ
ーザ出力の内の１１〜１２％を二重層１６に与えた。Ｊ
ｕｌ＜　して隆起部Ｂは前述したように消去された。

前述し７たようにＬ７て１造した基板１４および二重層
１６に書込１れているデータビットを、白色光および顕
微鏡を用いて隆起部Ｂ　（１）仰をガラス板上に投影し
て読取った。ついで、光増倍器に配置したファイバーオ
プヂックの束を用いてガラス板における光の画成を検出
した。隆起部Ｂを有しているガラス板の個所と、隆起部
Ｂがないガラス板の個所との曲に約２＝１〜３：１の明
確なコントラスト比があることを確めた。

第９図は消去可能光学記憶媒体１２にデータを光学的に
記憶させるだめの実際の電気工学装置２６の−［５１ｊ
を示したものである。特にこの第９図には上述したよう
にビットを舊込んだり、読取ったり、消去したりするだ
めの第３図に示したビット領域Ｂと同様なビット領域Ｂ
Ａを示しである。

電気−光学装置２６はディジタルデータ処理回路２８を
具えており、この回路の各ライン出力３０および３２は
パルス化した可変強度レーザ３４および３６を制御する
。レーザ３４はレーザビームＬＢ２を出力し、レーザ３
６はレーザビームＬＢ１を出力する。−？Ｊのレンズ３
８および４０はレーザビームＬＲ２およびＬＢ、をそれ
ぞれ平行にし、ついでとわらのレーザビームはミラー４
２により反射されて、ビームスプリッタ−４４を経て伝
搬される。

その後レーザビームＬＢ２およびＬＢ、）↓フィルター
４６（例えばし。波長板）を辿３（ｒ；　して、レーザ
ビームを移動中のビット飴域ＢＡＯ上に集束さぜる対物
レンズ４８を経て伝搬される。ビット領域ＢＡの材料２
（ＩＡによって反射される光はレンズ４８によってＭ（
光され、フィルター４６を経てビームスプリッタ−４４
に伝搬され、と＼で反射光は光センサ５０に伝搬される
。

レーザビームＬＢ２およびＬＢ、は図示のように、互い
に空間的に分離させる。捷た、レーザビームＬＢ２け、
下記の消去／ν）込みの場合にはビット領域の移動方向
に対してレーザビームＬＢ、の前方にてビット領域ＢＡ
上に集束させる。

’ｔ＋ｔ、気−光学装Ｙ７２６の伯動に当り、先ず成る
ビットがビット領域ＢＡｌｌ’を込寸れでおり、このビ
ットを消去して、他のビットをそのビット領（ｇＢＡに
書込１’ｒものと一七る。こｉｌは消去／書込ルザイク
ルをｐ才ものであり、このライフルの説明に当っては、
１１す述した本発明の消去／書込みライフルを参照すべ
きものとする。

ビット領域１３　Ａか対物レンズ４８の視界を横切って
動くと、レーザ３４はデータ処理回路２８の出力ライン
３０によって変調されて高強戻二のレーザビームＬＢ２
を発生する。このレーザビームＬ１３２（しレンズ４８
によって＋４料２０Ａ上に′ｔ！１束さｈ−１このｔ４
享°１をｊ）１＋熱してコ゛ム牟４ζする。つきに利木
１２０Ａが寸だゴム状の状態にある間で、し７かもビッ
ト領；１４ＢＡが対物レンズ４８の同じ親界内にある間
にレーザ３６をデータ処理回路２８の出力ライン３２に
より直ちに変調してレーザビームＬＢ、を発生さぜる。

従って、このレーザビームＬＢ、は対物レンズ４８によ
り材料１８Ａ上に集束され、これを加熱１７て前述した
ように弾性的に膨張させる。その後、ビット領域ＢＡが
移動して対物レンズ４８の祁界から外れ、冷却されるこ
とにより論理１またｉｔ　７′ｑ理０が書込寸れること
になる。換白するに、消去／書込みザイクルは１ピツト
セルの時間内、っ甘り対セルレンズ４８の同一イｑ界範
１１．ｌｊ内で行なうことができる。

つきに、消去／書込み−リーイクルの代シに、ビット領
域ＢＡにが１込甘れているビットを、そのビット領域Ｂ
Ａに他のビットを書込まずに消去すべきとする消去・ラ
イクルだけが必要とされるル冶にっきｉｔ２明する。ビ
ット側域ＢＡが対物レンズの視ゲ１′−範囲内を動くと
、データ処〕ノ１１回ｔ７Ｆ’＋　２８はライ／３０を
糾てレーザ３４を変ｉｉ１．唱詣ぜて、篩強度のレーザ
ビームＬＢ２を出力させ、このビームを月１’（２０Ａ
　ｌに４月束させる。これがブこめ利１２０Ａは加熱き
れ、この材料２０Ａｌ′ｉビツト領域ＢＡが対物レンズ
４Ｂの祁界から外！（ると冷却される。これによりビッ
トは前述したように消去される。

つぎにビット領域ＢＡに記１１りさｉｌでいる論理１か
、論理００ビツトを読取る場合にっき８ｊす明１ろ、。

ｅ　ツｔ・ｆｉ’ｊ、　ＨＥ　Ａが文Ｊｑりｑｖレンズ
　８　〕？ｌｊ！’７Ｎ’ｉｊ＃［Ｉ内を動くと、デー
タ処理回いＸ＋２８はライン３０を糸Ｙてレーザ３４を
変孔１．１シで、（：Ａ料２０Ａ上に集束される低り・
１′ｉ度のレーザビームＬＢ２を発生１′る。反射光は
レンズ４８によって竿先され、ついでフィルター４８お
よびビームスグリツク−４４を紅てセンサ５０へと伝搬
さオ］、このセンサ５０によりビットの論理状態か検出
される。前述したように、センサ５０により反射光の缶
用またけ振幅の差を検出して論理１か、砧堆０かを識別
することができる。

Ｓｕ　Ｉｏ　図ハｍ　９　図ノＴｔ＋、気−光学’ＪＩ
”４ｔ　２６　Ｋ５Ｎｉ似″、Ｊイ）ものであり、この
第１０図の揚台にしし、レーザビーム、Ｌ＋１３．とＬ
Ｂ２とを空ｌ１１・的に分離させて、これらのレーザビ
ームを同心的、まだｄ同一線上に装置させるようにした
点が相違し７ているだけである。同−ｉｆｆ線上のビー
ムＬＢ、およびＬＢ２ｒ−１：、ビット領域ＢＡが対物
レンズ４８の祁界内を動くと、これらのビームが月産１
１８Ａおよび拐料２０Ａ　Ｊ二に同一直線的に集＋１１
されるように伝搬させる。同−Ｗ１井１１のレーザビー
ムＬＪ３．およびＬＩ３２は図示のように配置したレー
ザ３４および３６によって発生さぜ、各レーザからの先
日、ペリツクビームスプリッタ−ＢＳを紅で伝搬させる
。第１　（１図の装置でも第９Ｍにつき述べた。と同様
にしＣ？ｉ’ｌ去／書込みザイクノト、　ｊｉ！ｌ去→
ノイクルおよびｇ’−’ｔ　Ｊｌ＜　”ｔイクルを行な
う。

木う６明Ｑ」、上述した例のみに限シ↓ニされるもので
δＳく、幾多の変更を加メイ：Ｉること勿＾１：１であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１妃吐明）ｌｔ４徴’；ｃ　ＨｊＪ　；ｕ＋するのに
用イ４　ｉｉ’ａ１．１月　図　； に’　２図（：１本発明にょおデータ記１、す々Ｊ７体
の６１彷１糾′１・　へ−３図ｔよ２１）２図の３−３
８ｊ」−での断面で、糾Ｉ状を目におけるデータ記１ζ
１ν体のピノｌ−仙１域舌示り断面図； 第４図は同じく第２図の３−３　＃Ｉ＋Ｊ−での断面て
、データｎ己１μ妨休の膨張状態にお・けるピッ１−（
ｉｔ’！城をヲ」くずｔｌＪｉ而図； 面Ｊ’　５　Ａ〜５０図し」本発明に係るシ１込士−ト
ｄ？７．明用に用いられる第３および４図と同様なビッ
ト釦域のＮｊｉ面図； 第６Ａ〜６０図は本発明に係る消去モード説明用の同じ
く第３３−２・よび４図と同符二などット領域の［（Ｊ
１１図； 第７Ａ〜７Ｂ図は本発明に係る読取モード説明用の第３
および４図に類似するビット領域のｐ１面１４； 第８Ａ〜８Ｂ図は本発明に係る消去／書込みす・ｒクル
説明用の第４図と同様なビット領域の断面１・（Ｉ； ｒ、′＋　Ｃ３図は本発明光学記録装置ｆｉｊの一例を
示すブロック線図； ｔ＋ｓ　］　０図は同じく本発明光学記録装置の他の例
ツト示ずブロック線図である。 １０・記１．Ｏ１〜体、 １２・光学データ記（−ｆ４ディスク １４・・・基板、 １Ｇ・・・二重層、 １８・・・第１月料層、 ２０・第２利料層、 ２２．２４・・・界面、 ２６・・・データ記録用電気−光学装置１２８・・・−
データ処理回路、 ３０．３２・・・ライン出力、 ３４．３６・・・レーザ、 ３８．４０・・対物レンズ、 ４２・・・ミラー、 ４４・・・ビームスプリッタ−１ ４６・・・フィルター、 ４８・・・対物レンズ、 ５０・・・光センサ、 ＢＡ・・・ビット領域、 Ｆ、〜Ｆ４・杖シ械力、 Ｂ・・・隆起部、 ＬＢ、ＬＢ２　・レーザビーム、 Ｐ・・・ピット。 ＦＩＧ、８Ａ　ＦＩＧ、８Ｂ 第１頁の続き ＠発明者　ダブリュ　ニージン　アメリカ合衆国スキエ
ンス　ヤクソンコート ９９３５２　ワシントン州リッチランド　ジ２５ 子糸光４市正書　（方式） ％式％ ２、発明の名称 ３、補正をする渚 事件との関係　特許出願人 ４、代　理　人 〒１０７ ７、補止の内容 別紙の通り 図面の；？書“（内容にｌ東なり

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ａ）ノＩ−板と； ｂ）該基板上に第１利利および第２月斗１製の二重層； とを具え、データを熱的にヂ）込んだり、データを熱的
   および機械的に消去したり、データを光学的に読取るた
   めに、前記二重Ｗｊを＋カ＋ｉｔおよび緩和しゃすいも
   のとし、ｎ１１記第１利イ′ｌと前記第２祠料とを互い
   に接Ｘ１シ、１３ｊｉ記二ｉＪ１層の前記＋１ｉ脹およ
   び緩和時にＭ＋ｉ記第１利才１および前記第２利利が、
   それぞれ物理的に同じ状態のままとなるようにス、゛・
   “を成し７たことを！１に徴とする消去”Ｉ’　（ｉｔ
   ：　）ｉ−生データ記憶ｈ１１体。 ２Ｊ　ｉｉｌ記二亀層を緩和させる場合に、ｎ１記記１
   月制およびｎす記憶２月１′・１が、ｎ１１記二爪層の
   ｌｌＨ’ｉ・眼に応じて発生される機械力をイ１するよ
   うにしたことをも徴とする％Ｆｒ請求の範囲第１項記載
   の消去■］能光学データ記憶ｐ体。 ３）　ｎｉ＋記相１月料および前記第２利利が、それぞ
   れ分子の架橋ｑｔｌを有し、前記空械力が、前記二重層
   の膨張ＩＬ′１における前記分子の架＠鎖の伸張に応じ
   て発生される力を含むようにしたことを特徴とする特許
   請求の範囲２０２項記載の消去可能光学データ記憶媒体
   。 ４）＾１１１１記憶１利料度に架橋させたことを特徴と
   する特許請求の範囲第３項記載の消去可能光学データ記
   憶媒体。 ５）　前記第２利料を軽度に架橋させたことを特徴とす
   る７ｒＪ、許請求の範囲第３　ＪＪＪ記載の消去可能光
   学データ記憶１１一体。 ６）前記第２材料が、多ル結合によって結合される坤イ
   かも成る高分子の鏑を有し、前記機械力が、前記二重層
   の膨張時における前記高分子鎖の伸張に応じて発生され
   る力を含むようにしたことを特徴とするｑ′４訂請求の
   範囲第２項記載の消去可能光学データ記憶奸一体。 ７）　ｎｉｉ記第２ｔＪ＄１を粘弾性のものとし、前記
   第２月相の膨１．ｊ　１１．’？に該第２利刺が少ＲＩ
   ｔｉｆれるようにし、かつ、ｆｆ１ｉｉ記習え械力が、
   ｒｔｉｉ記第２＋１Ａ′・１の膨張時に該第２利別の粘
   弾性に応じて発生込れる力を含むようにしたことｔ　’
   ｈ徴とする勃許請求の範囲第２項記載の消去可能光学デ
   ータ記１．Ｈ１ｌ’？、体。 Ｂ）　ｉｉ１＋記二爪層が、前記第２オ（ＰＩの粘弾性
   に応じて発ｄ−される前記力に依存する緩和時間をイ）
   し、かつ該緩和時間がｒ＋ｉ＋記第２利別の温度上昇に
   伴なって辻くなるようにしたことを特徴とする／ｉ！ｌ
   ￥「請求の範囲第７バｌ記載の消去■」能光学データ記
   １ｆＬ奸体。 ９）前記汗２４；４料を軽度に架橋させて、前記第２利
   ヤ１の粘性流れを防止し、前記二重層が、１）ｉ！記第
   ２４：４Ｙｌの粘弾性に応じて発〈Ｉされる前記力に依
   存する緩和時間をイ］し、かつ該緩和時間が、前記第２
   月利の温度上昇に伴ない、しかもＯｉ＋記角゛、２利別
   が軽度に架橋さＪｌているために、非常に速くなるよう
   に１７だととを特徴とする特許請求のハシ囲第７１゛１
   記載の消去可能光学データ記ｉ、ｔ’７．　ＩＡＩ体。 １〔１）削記憶２利別が、該月産」の１１．Ｉｊζ脹時
   に生ずるｎ１変弾性率を有し、訃可変弾性率が温度の上
   昇に伴なって低下し２、かつ前記機械力が、前記可変弾
   性率に応じて発生される力を含むようにしたことを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の消去可能光学データ
   記憶媒体。 １１）　ｉｉＪ記距２利料がガラス転移湿度を治し、該
   ａＦ；　２利別が周囲温度にてガラス状態となるように
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の消去
   可能光学データ記ｉｍ　１１！、体。 １２Ｊ　ｉｉｊ記ガラス転移温度を前記周囲温度よシも
   高＜ジノξことを特徴とする特許 １１項記載の消去可能光学データ記憶媒体。 １３）前記第２オｊ刺がｎｉ＋記ガラス転移湿度以一ヒ
   でゴム状となるようにしたことを特徴とする喝許請求の
   範囲第１２項記載の消去ｎＪ能光学データ記１，（ｊか
   １体。 １４）　ＴＩｉｊ記か：，　２　４−１料が低い弾性率
   をイ］することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の消去可能光学データ記憶心体。 １５Ｊ　ｎｉｉ記第２利刺の低弾性率がｏＪ蛮で、しか
   も該可変の低弾性率が温度の上昇に伴なって低下するよ
   うにしたことを特徴とする！１も一許請求の範囲第１４
   項記載の消去ｎ］能光学データ記１、は媒体。 １６〕　前記第２利制が低い熱伝導率をイ１することを
   住１徴とする特許請求の範囲第１項記載の消去可能光学
   データ記憶媒体。 １７）　ｔ３１」記憶２月旧か低いｋ・゜（膨張率を有
   することをｌ１′Ｉ徴とするｌ［イ８′１請求の愚問ε
   １＞　ｉ　ｇ｛記載の旧人ｔｉＪ能光学データ記憤ｔｌ
   １体。 １８｝　前記第１４′１制をゴム状のものとし７’＝こ
   とを特徴とする肋許紬求の範囲第１項記載の消去可能光
   学データ記憶媒体。 １９）前記第１利和が高い熱膨張率発布することを特徴
   とする重訂請求の範囲第１　ｇｉ記載の消去可能光学デ
   ータ記１．Ｃｉ奸体。 ２０）　ｎｉＩ記高い熱膨張率が、温度の上昇に伴疫っ
   で楕加するようにしたことを牛・徴とする重訂ｎＩｊ求
   の範囲卯１９卵記載の消去可能光学データ記憶４り体。 ２１１　６ｉ・記憶１月利がｒｔｉｉ記基板に完全に接
   触しながら膨張したり、緩和したり１るようにしたこと
   を特徴とする％　ｉ’ｒ請求の範囲第１川記ｆ２の消去
   可能光学データ記１，０媒休。 ２２Ｊ　Ｏｉ＋記ｔ１ルｌ月計１を光透過性の４」才二
   １と、該光，１過性の桐１が所望波長の光をＩＪ・ｌ．
   （　ＩＬ！するようにする物質とで構成したことを特徴
   とするｌ階許晶求の範囲第１頂記載の消去可能光学デー
   タ記憶媒体。 ２３）　ｆｆｉｊ記物質全物質としたことを／ｌ′１徴
   とずる唱ｉｔ’ｌ請求の範囲第２２ＪＩＪｌ記載の消去
   可能光学データ記憶ｌ．１，ｉ体。 ２４Ｉ　ｎｉｉ記第記号２４旧を光透過性の利判と、該
   光透過性の月別がＤｒ望波長の光を吸Ｉｌｌするように
   する物質とで構成したことを！特徴とする特許請求の範
   囲第１枳記載の消去■１能光学データ記１へ妓体。 ２５）前記ａノ質を東側とし、／ζことを特徴とする特
   許許請求の範囲第２４項記載の消去可能光学データ記憶
   誤Ｉ体。 ２６１　ｎｉｌ　記ｍ　１利Ｆｌオｉ　ヒ＝　記ｍ　２
   利４１ノ各々を、光透逆性のＩＮ料と、該光ゴーへ鍋性
   の月１１が所望波長の光を吸収するようにする物質とで
   ｔ１’！ｆ成し、前記第１利制が吸収する光の波長と、
   前記第２　４Ａ相が吸収する光の波長とを相ｉｉ′７さ
   一ｌ！、Ｏ（１記第１材料によって吸ＩＪされる波長に
   対してはｎＩＪ記第２利料が実質上透過１′｛となるよ
   うにしメζことを牛Ｊ徴とずる’Ｆ４許請求の範囲第１
   項記載の消去可能光学データ記１，切，ρＩ１体。 ２７］　前記第１利刺の前記駿ｊ質およびｎ１ｊ記ａｒ
   ｊ　２利制の前記物質をそれぞれ別の染刺としたことを
   特徴とする特ｉｊ’ｌ’　請求の範囲第２６Ｊ］゛１記
   載の消去可能光学データ記憶θ；．１体。 ２８）前記第１利峯１およびｎｉｊ記第２Ｈ制を光学的
   に結合さぜて、所望波長の殆どすべての光がｎｔＪ記第
   ２４゛４料を経て前記第１利別に伝搬されるよりにした
   ことを判徴とする特Ｗ｛請求の範囲第１項ｆｆｌ！載の
   消去ｎ」能光学データ記１，τ・媒体。 ２９）　ｉｉｉ記第１材旧および第２材料が５１５なる
   波長の光を吸収し７、かつｎ；１記第１材浩によりて吸
   吸さわない波長の光をｎｉｊ記卯，２旧わが殆どすべて
   ［１’＆　１Ｍ．するようにしたことをｌｌ）徴と−す
   るｌ１￥許請求の範囲第１頂記計ンの消去ＩＪＩ能光学
   データ記憶妨休。 体０）前記第１材犯１および第２材刺の各々が、光学的
   に同許しゃすい光酋過伯の利料を告むようにして、多数
   の波長の内のいずＩｌかの波長の光を吸収するようにし
   たことを重機とずるｌｉ．ｌ，″許請求の範囲第１項記
   載の消去ｎ」他光学データ記１，０媒体。 ろ１）　ｎ’ｓ：記号１　′ＪｒＡ料および前記第２　
   ４＝Ｊ　Ｆｌを光学的に同訓させて、異なる波長の光を
   吸取するようにし／；二ことを重機とする％　ｉ’＋請
   求のｉｊｆｉｊ囲第３０η゛１記一機の消去ｃｌ能光学
   データ記１（１θ１一体。 ３２）前記第１利刺と前記卯：２制１とを光学的に結合
   さぜて、所望な第１波長の光を前記第２材刺を経てｎ１
   １記第１ゼ料に殆どすべて伝搬させ、前記第２月相がｎ
   Ｉ１記所望な紀１波長とは異なる所望な第２波長の光を
   殆どすべて吸１１ｑし、かつ前記所望な第２波長の光（
   ｄｎｉｉ記と）１利制には伝搬されないようにし、前記
   舶ＪＩ料および第２利料の各々が、光学的に同ｐ．ＨＨ
   １　ｔ。 やすい光透ｆ）性の付和を含むようにして、ぐ。 κ（のＩｌｌｉ，々の波長の内のいずれかの波長の光を
   吸収するようにしたことをｌ［“ＦＦ＜とずるｌ１１許
   請求の範囲第１項記載の消去可能光学データ記１、憾媒
   体。 ３３）前記第１利別およびｎｊ　ｉｔ．！第２旧才”１
   を熱的に結合させて、書込み時に、前記第１利別にて吸
   収される熱の少ｈ）部が前記第２利別に伝冷されて、該
   第２旧才１をゴム状（・て−するようにしたことを４ン
   徴とずる／１１・許請求の範囲第１！１１記載の消去可
   能光学データ記憶媒体。 ５４　）　ｉ”ｌ！：記号１旧オ″゛１および前記第２
   ｔ１ネーｌ冷熱的に結合させて、消去時に、前記第２利
   料にて吸収される熱がｆ３ｉｉ記第１椙料に殆ど伝達さ
   れないようにしたことを重機とずる市８′ｌ請求の範囲
   第１項記載の消去可能光学データ記１息が１体。 ３５）　ｎｉｉ記第記憶料およびｎｔＩ記第２＋４オ：
   １を熱的に結合さぜて、書込時に、前記第１利料に各州
   の熱を吸１■させ、かつ０り配出２オ１刺には少量の熱
   を吸収させて、ｎ１１記館２月判をゴム状にし、消去時
   には０ｉ」記号２利料に吸取された熱が前記第１利別に
   は殆ど伝席されないようにしたことを！１゜Ｉ見するｑ
   〕’Ｗｒ’　請求の範囲第１項記載の消去■」能光学デ
   ータ記１ハ媒休。 ３６）　Ｊ）ｉｊ記二重層のｌＩ（ｊ’；肌状態の際に
   、前記汗，２利オ１かｎｉ・記憶１月１を該膨脂状態に
   保持するようにしたことを特徴とするｑ７？　ｆｔ’ｌ
   請求の範囲第１ＪＪ１記載の消去可能光学データ記憶媒
   体。 ロ７）前記紀．１利ｔ１およひ前記第２利刺を非品質の
   ものとしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の消去ａＪ能光学データ記１意稗体。 ロ８）前記第１材ネ゛１およびｎ１１記第２旧料をポリ
   マーとしたことを特徴とする特Ｗ［請求の範囲第１項記
   載の消去可能光学データ記使妓体。 ３９）前記第１利制および前記第２利オ・Ｉを非品質ポ
   リマーとしたことを特徴とする特許鮪求の範囲第１項記
   載の消去可能光学データ記憶媚体０ ４０）前記第１材料および前記第２利料を異なる速度で
   冷やすようにしたことを特徴とする特ｉＴ：請求の範囲
   第１項記載の消去可能光学データ記憶媒体。 ４１）前記第２利料を前記第１月判よりも速く冷やすよ
   うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第４Ｄ項記載
   の消去１」能光学データ記怪媒体。 ４２）　前記第２制料を熱町駈性利刺としたことを特徴
   とする特許請求のｌｌ１ｊ　’　ｌ第１項記Ｐの消去ｏ
   Ｊ能光学データ記憶媒体。 ４５）前記第２材刺を熱硬化性拐料としたことを／ｌ’
   Ｍ徴とする特許請求の範囲第１勇記載の消去ｐＪ能光学
   データ記憶媒体。 ４４）前記第１祠料をエラストマーとしたことを’ｔ４
   ＋徴とする牛ｊ詐ｉ８京の範囲第１項記載の消去ｆｉｌ
   能光学テータ記憶媒体０ ４５１　ｍ’Ｊ記基板基板膨張率を低くシ／；−ことを
   特徴とする特許請求の範囲第１珀記載の消去可能光学デ
   ータ記憶＃￥体。 ４６）前記第２材料が表面不整を崩し、かつ前記二重層
   が前記表面不整に拘らず該二Ｊ＋層にデータを書込みし
   やすくするようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の消去可能光学データ記憶媒体。 ４７）前記第２利料が表面不整を崩し、かつ該表面不整
   をデータ消去に応じてアニールしやすくするようにした
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の消去可能
   光学データ記憶媒体。 ４ａｌ　ａ）　基板と； ｂ）該基板上に第１材別および第２利料製の二重層； とを具え、データを熱的に書込んだり、データ多−熱的
   および機械的に消去したり、データを光学的に読取るた
   めに、前記二重層を膨張および緩和しやすいものとし、
   前記第１材刺と第２材料とを互いに接着し、前記二重ｆ
   ７ｊの膨張状態において前記第２層が前記第１層を該膨
   張状態に保持するようにしたことを特徴とする消去可能
   光学データ記憶媒体。 ４９）前記第１材料を弾性的なものとし、かつ該第１材
   旧をｉ′Ｉｉｊ記膨張状態にて伸張させるようにしたこ
   とを’２徴とするｑｂ、許諸求の範囲第４８項記載の消
   去１Ｊ能光学デ一タ記憶媒体。 ５０）　ｊｉｊ記データを消去するために前記第２祠別
   を加熱する際に、前記第１層が前記二重層の緩和を助け
   るようにしたことをｑｌｊ　？’！＜とする牛１許請求
   の範囲第４８項記載の消去可能光学データｉ！８憶媒体
   。 ５１）前記第１オ］刺が周ｆｆｌ＋温度以下でゴム状と
   なるようにしたことを特徴とする特Ｗ［請求の範囲第５
   ０項記載の消去可能光学データ記１．ａ媒体。 ５２）前記第２わ料が周囲温度以上のプ１ラス転移温度
   を有し、かつ該棺２材刺が前記ガラス転移温度以上でゴ
   ム状となるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
   第５１項記載の消去可能光学データ記憶媒体。 ５３）　ａ）　基板と； ｂ）該基板上に第１月判および第２月刺ル′（の二重層
   ； とを具え、データを熱的に書込んだり、データを熱的お
   支び機械的に消去したりデータを光学的に読取るために
   、前記二重層を膨張および緩和しやすいものとし、前記
   二重層の前記膨張および緩和時に前記第１材利および第
   ２月判がそれぞれ物理的に同じ状態のままとなるように
   したことを特徴とする消去ｏＪ能光学データ記憶媒体。 ５ｉ１　）　ｉ’ｌｉｊ記第１旧別および第２月判を非
   晶質ポリマーとしプにとを特徴とする特許請求の範囲第
   ５６項記載の消去可能光学データ記憶媒体。 ５５）基板と、該基板上にて互いに接着した第１月判お
   よび第２材刺製の二重層とを有しており、前記第１材和
   を弾性とし、前記第２材料をガラス転移温度を有するも
   のとした消去可能光学データ記憶０．す３体にデータを
   書込む方法が： ａ）第１月利を加熱して、該第１月利を第１層の弾性限
   度内で弾性的に膨張さぜ、小用の熱によって第２材旧も
   ガラス転移温度以上に加熱して、該第２利旧をゴム状に
   する加熱工程と； ｂ）加熱した第１月利を膨張さぜ、この加熱した第１材
   料が弾性的に膨張すると、該第１材料が前記加熱した第
   ２材刺を押上けるようにする工程と； Ｃ）前記第１材料を伸張させ、膨張さぜた状態のままで
   前記第２月ｆ１をガラス転移温度以下に冷やし、この冷
   やした第２（」料が可逆的な固定変形を呈し、かつ該汗
   。 ２ｔ１刺が前記第１材オｚ１を伸張した膨張状態に保持
   せしめるようにする］：程； とを含むようにしたことを重機とするデータ書込み方法
   。 ５６）加熱工程が： ａ）第２月判に対してはイイｉど透過性で、第１月利に
   よっては吸収されるレーザビームを発生させる工程と； １））　前記レーザビームを第２利別を経て第１月第１
   上に集束さぜる工程； とを含むようにしたことをｑ″ｉ徴とする特許請求の範
   囲第５５項記載のデータＴ、１込み方法。 ５７）可逆的固定変形をなくす工程を含むようにしたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第５５Ｊ１１記戦のデー
   タ書込み方法。 ５８）固定変形をなくす工程が： ａ）第２利料をそのガラス転移温度以上に加熱してゴム
   状にする加熱工程と； ｂ）加熱した第２材料をその変形状態から緩和させる工
   程と； Ｃ）膨張した第１材料を収縮させ、かつ加熱した第２利
   料をその緩和状態に回復させる工程； とを含むようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
   ５７項記載のデータ書込み方法。 ５９）粘性流れを防ぐために第２月利を粘性で、しかも
   軽度に架橋したものとし１、かつ、加熱した第２材料を
   緩和させる工程が、膨張した第１材料の弾力と、膨張し
   た８ｒ！２材料の架橋の伸張による力とによって第２材
   料をその緩和状態に引下げるようにする工程を含むよう
   にしたことを特徴とする特許請求の＋ＭＩＩ囲第５囲板
   ５８項記載タ書込み方法。 ６０）　第２材ｔ１を加熱する工程が：ａ）該第２利料
   により吸収せしめる他のレーザビームを発４卜する工程
   と； ｂ）前記他のレーザビームを８１’−２４４料上に集束
   させる工程； とを禽むようにしたことを特徴とする特許の範囲第５８
   項記載のデータＹ′１込み方法。 ６１）基板と、該基板上にて互いに接着した第１利ｔ１
   および第２材料製の二重層とを有しており、前記第１利
   別を弾性とし、前記第２　ｌｔ　Ｆｌを周囲温度以上の
   ガラス転移温度をイラするものとした消去可能光学デー
   タ記憶媒体にデータを書込む方法は： ａ）第２利料をガラス転移ｉ品度以上に加熱して、該第
   ２材料をゴム状にする加熱工程と； ｂ）第１材料を加熱して、該２４！１材料をその弾性限
   度内で弾性的に膨張させる工程と；Ｃ）加熱した第１材
   料を膨張さぜ、かつ加熱した第１材相が弾性的に膨張す
   る際に該第１材料が前記加熱した第２利料を押上げるよ
   うにする工程と： ｄ｝　前記第１利料を伸張させ、膨張させた状態のまま
   で前記第２利料をガラス転移温度以下に冷やし、この冷
   やした第２利料がＴ＝Ｊ逆的な固定変形を呈し、かつ該
   第２利和が前記第１′＋Ａ利を伸張した膨張状態に保持
   せしめるようにする工程； とを含むようにしたこと苓こｉＦ！Ｉ′徴とするデータ
   書込み方法。 ６２）第２利刺を加熱する工程が： ａ）該第２利料によって吸収せしめるレーザビームを発
   生する工程と； ｂ）前記レーザビームを出２　、ｔ、Ｉ料」二に、ｊ（
   ＋！止させる工程； とを含むようにしたことをｌ［ＩＩ′徴とりる特許請求
   の範囲第６１項記載の−γ−タｆシ込み方法。 ６３）第１材刺を加熱する工程７）Ｋ：ａ）第２材料に
   対して１殆と５ん過４１（゛で、第１月利によっては吸
   収される他のレーザビームを発生１゛る工程ど； ｂ）　ｒＪｉ＋記他のレーザビームを第２月利を紅て第
   １利オ・１土に集束さぜる工程； とを含むよりにしたことｌ　’ｔ！ｉ？：反とする牛１
   許請求の範囲第６２ηｌ記Ｖ、のデータデ１込み方法。 ６４）第１（２料および第２月利を加熱する工程が：ａ
   ）汁ＩＩオ゛ｌによって多用に吸１１Ｖされ、かつ第２
   椙料によっては少Ｊｄ吸取されるだりのレーザビームを
   発生ずるユ、稈と；ｂ）該レーザビーム”；＋：　Ｔｄ
   ＞　Ｉ　Ｈ峯゛旨ヒに集束さぜる工程； とを含もようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
   ６１項配板１７４のデー７１　ｙｌ−込み方法。 ６５）第１利オ′１および第２第４判を１ノ１１熱する
   工程力；、ｐ、＋−ｉ　Ａ′ＡＲ’：＋　ｏ少ＥｔノＨ
   Ｑ　ヲｐ、　２　Ａ’：’＋’　ＦｌニＮｊｉ　合Ｊ　
   セル工・１７を含むようにし／こことを特徴とする特許
   請求の範囲第６１項記載のデータで４込み方法。 ト・６）基板と、該基板上に第１＋”＋オ”ｌおよび第
   ２＠料ｊ１ｉｌｊ．の二重層とを有しＣいる消去可能々
   光学デーク記憶ｃＶｏ体にデータを記憶・する方法にあ
   って、前記二乗層が前記消去可イ１ヒ光学′ｆ一タ記憶
   媒体における或る位置に記憶させた或るデークビツ１・
   に対応ずるようにするデータ記録方法が： ａ）へ’）２＋．Ｉ料を１川；づビ七ることによ（ノ、
   前記消去可能な光学一ｉ゛一夕記ｑ，＠　／＋１，４．
   体の或る位置に記憶されている或るデータビットを｝消
   去する工４呈と； １〕）第２利ネに１がまだ冷やされ々い間に前記消去可
   能光学データ記５憐媒体における前記或る位置に他のヂ
   ークビット＝書込む工程； とを含むようにしたことを特徴とするーｆ−り記録方法
   。 ６７ｌ　ｈｌ記他のデータビットを書込む工程が、第１
   月利を加熱して第２月才Ｆの上に第１利オ・１を膨張さ
   ぜる工程を２，むようにシ，，たことを４．′ｌ？：！
   Ｉｔ。 とする特許請求の範囲第６６頂記機のデータ記録方法。 ６Ｂ）第２材料を加熱する工程が二 ａ）第１レーザビームを発生ずる工程と；ｂ）該第１レ
   ーザビームを対物レンズ台・介して第２拐料上に集束さ
   せる工４，：，！；とを含むようにしたことを！１ラ徴
   とする’ｌ’ｌ’　Ｆｔ”ｌ’　請求の範囲第６７項記
   載のデーク記Ｈ方ｉＪ、６９）　ｖ＋１１月料を加熱す
   る工程が：ａ）第２レーザビームをメ′牛−ｊる７１−
   程と；ｂ）　該第２レ−ザビームを対′ｔｊ，．，レン
   ス玖一レンし一Ｃ第１月別上に隼Ｊ１ｊ憾４！７〕］’
   ：程；どイｒ含むようにしたことを’を脣：ＱとーＪる
   ｌ１′Ｊ言′［請求の範囲第６８項記載の一ン−り記録
   ；方法０７０）　或るデータビットの消去上｛１−お・
   よび仙、Ｑ）データビットの書込み工程を、対′向しン
   スの同一用界内で行なうことを４Ｍ徴と１るＩ侍ｉ′ｌ
   ’　請求の範囲第６９項記載のデータ記録、方法。 ７１）基板と、該ブ４を板上に第１４１旧４７・よび第
   ２４１旧守りの二重層とを有している消去＋１’　ｆｒ
   ｙ．’：　’）’ｅ学デーク記憶媒体にデータを記録、
   する方法にあって、データをチ、：（的にｆｌ込んだり
   、データを熱的およひ４２を械的に消去したり、データ
   を光学的に読取るために、前記二車ｊ１）を■｛２，脹
   および緩和しやすいものとし、前記第１１４料と第２月
   判を互いに接着し、前記二重層の前記膨脹および緩和時
   に前記第１月利および第２利別がそれぞれ物理的に同じ
   状態のｉｔとなり、かつ、前記二重層の膨張寸だは緩和
   ４ノ態が、前記消去可能光学データ記１，ψ妨．体の或
   る位置に記憶させたひとつのデータビットを表わすよう
   にするア゛−り記録、方法が： １　１）　Ｄ．’．１レーザビー１５を発生する工程と
   ； １１）該第１レーザピーノ、ヲ対ｊ吻レンズを介して第
   ２オ４制上に４１＜束させる工程と； １１１）第２利料を前記汗１集束１／−ザビームで加熱
   してゴム状にする工程； とを含み、消去可能光学データ記１〆、　ｌ！’；’ゴ
   ４゜におけるひとつの位ＩＰ′１′に記１．）テさせた
   Ｏ・とつのデータビットを先ずγｊ′１去する工程とｂ
   ）１）第２レーザビーノ、を午ｎ　’、ｌ−Ｊる］二程
   と； １１）前記第２４ｉ制に１）５わる対物レンズによる同
   −視界中にて前記亀２レーザ ビームを対物レンズち・よび第２利料を経て第１４−」
   村上に集束さぜる工程と；１１１）第１４］刺を加熱し
   て、該第１利才；を、Ｊ、’ｊ　＆と接触さ、υ−だ寸
   オでこの汀１１加熱を第２利旧の１−に弾４＜ｂ的に膨
   張さ、リーるＴ稈と； ｌｖ）　第２利料を冷やして、該第２４−」旧を可逆的
   に固定変形させて、該第２利 料により第１　ｔ４月を膨張状態に保持せしめる１躯； とを含み、消去可能）６学・アーータ記憶ｈｌＪ一体に
   ネ・ける１）ＩＩ記ひとつのイ１’装置に他のデータビ
   ットをｆ）込んで記憶さ山乙工程； とを含むようにしたことを特徴とするデータ記録方法。 ７２ノ　ｅ）１）熱膨張串が低い２１．１板と；１１ン
   　該基板上に第１１　ＰＩおよび第２４゛４石製の二重
   層とを具え、データを熱的 に１：）込んだり、データをｆｆｊｐ的および機械的に
   ）自失したり、データを光学的に４・℃取るブこめに、
   前記二重層を膨張および緩和しやすいものどじ、１Ｊ１
   １記第１月１１と第２　ｔｉ料とを互いに接着し、ｔ２
   ｉＪ記二重ｌ１）の前記膨張および緩和１１’、’？に
   前記第１　ｔ、ｔ　Ｆｌおよび第２４４　Ｆｌがそれぞ
   れ物理的に同じ状態のま１となるようにし た消去ｉｊＪ能光学データ記憶媒体と；ｈ）前記第１利
   料によっては吸ＩＪｙ、されるも、前記第２利料に対し
   てはｔユは透過性の第２レーザビーノおよび前記第２利
   料によって吸収される第２レーザビームをそれぞれ発生
   ずるレーザビーム発生手段と；Ｃ）前記第ル−ザビーム
   を前記第１月料−］二に集束させて加熱し、かつ該第１
   利ｆｉｌを前記第２材料の上に弾性的に膨張させてデー
   タビットを書込むだめの第ル− ザビーム集束手段と； ａ）　＋’ｊｉＪ記第２レーザビームを前記第２１／１
   イ：１上に集束させて該第２利料を加熱しＣ、データビ
   ットをｉｌｉ去するだめの２ｐ　２レ一ザビーム隼束手
   段と； ｅ）前記消去＋、＋Ｊ能光学データ記１．ｉｉ　ＩＩ！
   ’ｉ’；　（−トを１）１１記第ル−ザビームおよび前
   記２．ｆ　２レーザビームに対して移動させるだめの光
   学−ア゛−り記憶ｌツ体移動手段； とを具えたことを特徴とする一アータビット、ｉ１１、
   針装置。 ７６）前記汗ル−ザビーム集束手段および前、′１１Ｐ
   ［１２レー−リ゛ビーム集束手段が共通の夕・Ｊ物しン
   ズを具えたことを特徴とする特許請求の１１モ囲汀１，
   ７２項記載のデータピッ）　＋ｉ１．！録装置昌゛。 ７４）前記第ル−ザビームおよび前記ｐｐ、　２レ−−
   ＋１゛ビームを咋いに空間的に分熱８せプζことを１１
   ゛１徴とするも８′［請求の範囲３（＜　７２項記載の
   データビット記録装動。 ７５）　ｎ５　ＲＱ　８１’ｒ　’レーザビームおよび
   １）１１記第２レーザビームを同一線上に位置さぜ／に
   とを’ｔ′ｓ　ｆｆｉ改とする／ｌ’４許請求の範囲第
   ７２川記載のデータビット記灸イ、装置。 （以下余白）