JPS6070304A - マスク検査装置 - Google Patents
マスク検査装置Info
- Publication number
- JPS6070304A JPS6070304A JP18168483A JP18168483A JPS6070304A JP S6070304 A JPS6070304 A JP S6070304A JP 18168483 A JP18168483 A JP 18168483A JP 18168483 A JP18168483 A JP 18168483A JP S6070304 A JPS6070304 A JP S6070304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- photoelectrons
- projected
- mask pattern
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
- G01N23/2273—Measuring photoelectron spectrum, e.g. electron spectroscopy for chemical analysis [ESCA] or X-ray photoelectron spectroscopy [XPS]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、微細前エバターン形成用の、Ｘ線露光時に
使用するＸ線マスクの検査装置に関するものである。
使用するＸ線マスクの検査装置に関するものである。
従来、この種の装置として第１図に示すものがあった。
図において、２ｏは露光用のマスクであり、該マスク２
０において、１はマスク支持枠、２はこのマスク支持枠
１上に形成されＸ線に対する透過率の高い支持薄膜、３
はこの薄膜舎内に所定の平面パターンを描くように形成
されたＸ線吸収体より成るマスクパターンである。また
４は適当な光源系（図示せず）より出された照明光、５
はこの照明光４によってできたマスク２０の陰影パター
ンを拡大観察するための光学顕微鏡である。
０において、１はマスク支持枠、２はこのマスク支持枠
１上に形成されＸ線に対する透過率の高い支持薄膜、３
はこの薄膜舎内に所定の平面パターンを描くように形成
されたＸ線吸収体より成るマスクパターンである。また
４は適当な光源系（図示せず）より出された照明光、５
はこの照明光４によってできたマスク２０の陰影パター
ンを拡大観察するための光学顕微鏡である。
次に動作について説明する。照明光４をマスク２０に照
射して、透過光の強度分布を観測するという手法は、従
来から良く知られている光学顕微鏡による透過像観察と
原理的には全く同じである。
射して、透過光の強度分布を観測するという手法は、従
来から良く知られている光学顕微鏡による透過像観察と
原理的には全く同じである。
すなわち、Ｘ線マスク２０の支持薄膜２として、例えば
ポリイミド等を使い、その内部のＸ線吸収体３として、
例えば金を使うと、吸収体３の部分では照明光４の透過
がさまたげられるため、照明光４の出口側での光の濃淡
分布を光学顕微鏡５によって拡大観察すれば、マスクパ
ターン３の形状を評価することができる。そしてこのよ
うな原理にもとづくマスクパターン３の拡大観察をマス
ク２０全面にわたって逐次行ない、パターンの寸法。
ポリイミド等を使い、その内部のＸ線吸収体３として、
例えば金を使うと、吸収体３の部分では照明光４の透過
がさまたげられるため、照明光４の出口側での光の濃淡
分布を光学顕微鏡５によって拡大観察すれば、マスクパ
ターン３の形状を評価することができる。そしてこのよ
うな原理にもとづくマスクパターン３の拡大観察をマス
ク２０全面にわたって逐次行ない、パターンの寸法。
欠陥の有無を検出することによって、マスク２０の良否
を検査するようになっている。なお図示されていないが
、実際の検査では、そのような寸法や欠陥の検出は例え
ばコンピュータを用いたパターン認識によって自動的に
行なわれる。
を検査するようになっている。なお図示されていないが
、実際の検査では、そのような寸法や欠陥の検出は例え
ばコンピュータを用いたパターン認識によって自動的に
行なわれる。
従来のマスク検査装置は、以上のように光を透過させて
、その透過強度分布からマスクパターンを拡大観察する
ように構成されているので、マスクパターン３の大きさ
がサブミクロン領域になってくると、光の回折効果が大
きくなって十分な解像度が得られないという原理的な欠
点があった。
、その透過強度分布からマスクパターンを拡大観察する
ように構成されているので、マスクパターン３の大きさ
がサブミクロン領域になってくると、光の回折効果が大
きくなって十分な解像度が得られないという原理的な欠
点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、マスクパターンに光の代わりに
Ｘ線を照射し、その透過Ｘ線を金属薄膜にあてて光電子
放出を行なわ−１、放出された電子を電子レンズによっ
て蛍光スクリーン上に拡大投射することによって、サブ
ミクロンパターンを有するＸ線マスクを解像度良く検査
することができるマスク検査装置を提供することを目的
としている。
ためになされたもので、マスクパターンに光の代わりに
Ｘ線を照射し、その透過Ｘ線を金属薄膜にあてて光電子
放出を行なわ−１、放出された電子を電子レンズによっ
て蛍光スクリーン上に拡大投射することによって、サブ
ミクロンパターンを有するＸ線マスクを解像度良く検査
することができるマスク検査装置を提供することを目的
としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図は本発明の一実施例によるマスク検査装置を示し、図
において、第１図と同一符号は同一のものを示す。６は
Ｘ線、７は金属薄膜、８ばＸ線６が金属薄膜７に照射さ
れて発生した光電子の流れ、９は電子レンズ、１０は例
えばガラスより成る透明基板、１１は電子の衝突によっ
て発光する蛍光スクリーン、１２は透明基板１０に形成
した導電膜（図示せず）と金Ｍ薄膜７との間に直流電圧
を加え光電子を加速するための電源である。
図は本発明の一実施例によるマスク検査装置を示し、図
において、第１図と同一符号は同一のものを示す。６は
Ｘ線、７は金属薄膜、８ばＸ線６が金属薄膜７に照射さ
れて発生した光電子の流れ、９は電子レンズ、１０は例
えばガラスより成る透明基板、１１は電子の衝突によっ
て発光する蛍光スクリーン、１２は透明基板１０に形成
した導電膜（図示せず）と金Ｍ薄膜７との間に直流電圧
を加え光電子を加速するための電源である。
なお、図示されていないが、この系全体は真空チャンバ
、の中に置かれ、真空排気されている。
、の中に置かれ、真空排気されている。
次に動作について説明する。第２図において、Ｘ線源（
図示せず）より照射されたＸ線６がマスク２０に入射す
ると、軽元素より成る支持薄膜２の部分はＸ線が容易に
透過する。一方、吸収体パターン３の上に入射したＸ線
は、吸収体３によって吸収を受け、それより下には透過
してこない。
図示せず）より照射されたＸ線６がマスク２０に入射す
ると、軽元素より成る支持薄膜２の部分はＸ線が容易に
透過する。一方、吸収体パターン３の上に入射したＸ線
は、吸収体３によって吸収を受け、それより下には透過
してこない。
その結果、マスク２０の下部に配置された金属薄膜７上
には、Ｘ線マスクパターン３でさえぎられない部分７ａ
のめに入射Ｘ線が照射される。その結果、この照射部分
７ａからは光電子８が放出される。そしてこの放出され
た電子を直流電源１２によって蛍光スクリーン面１１の
方向に加速すると同時に、電子レンズ９によって拡大し
てやると、蛍光スクリーン１１上に、光電子放射部分７
ａの拡大された相似形パターンｔｔａが蛍光によって描
かれる。このスクリーン１１−ヒの蛍光による発光パタ
ーンを、透明基板１０を通して、光学顕微鏡５によって
観測する。なおここで観測パターンの認識による寸法の
１ｊｌｌ＋定や欠陥の発見をコンピュータによって自動
的に行ない得るようなシステムについては、従来例と全
く同じ手法を用いることができる。
には、Ｘ線マスクパターン３でさえぎられない部分７ａ
のめに入射Ｘ線が照射される。その結果、この照射部分
７ａからは光電子８が放出される。そしてこの放出され
た電子を直流電源１２によって蛍光スクリーン面１１の
方向に加速すると同時に、電子レンズ９によって拡大し
てやると、蛍光スクリーン１１上に、光電子放射部分７
ａの拡大された相似形パターンｔｔａが蛍光によって描
かれる。このスクリーン１１−ヒの蛍光による発光パタ
ーンを、透明基板１０を通して、光学顕微鏡５によって
観測する。なおここで観測パターンの認識による寸法の
１ｊｌｌ＋定や欠陥の発見をコンピュータによって自動
的に行ない得るようなシステムについては、従来例と全
く同じ手法を用いることができる。
この様に、本実施例では従来の光よりもはるかに波長の
短い（数百骨の１から十分の１程度）Ｘ線によってまず
パターンを照射し、しかもその透過パターンをいったん
光電子に変換して電子レンズで数十倍から数百倍に拡大
投射しているため、イ杢９ 従来法では全く不可能であった０、５μｍ以１のマスク
パターンでも鮮明に解像することが可能である。
短い（数百骨の１から十分の１程度）Ｘ線によってまず
パターンを照射し、しかもその透過パターンをいったん
光電子に変換して電子レンズで数十倍から数百倍に拡大
投射しているため、イ杢９ 従来法では全く不可能であった０、５μｍ以１のマスク
パターンでも鮮明に解像することが可能である。
なお、上記実施例では、光電子８を蛍光スクリーン１１
上に直接拡大投射する例について述べたが、この蛍光ス
クリーンの位置にいったんチャネル型電子増倍管を配置
して、光電子を増倍させてから蛍光スクリーンに投射す
るようにしても良し）。
上に直接拡大投射する例について述べたが、この蛍光ス
クリーンの位置にいったんチャネル型電子増倍管を配置
して、光電子を増倍させてから蛍光スクリーンに投射す
るようにしても良し）。
また、上記実施例では、系全体を真空中に置くようにし
た例について述べたが、適当な真空保持材によって光電
面７と蛍光スクリーン１１の間の空間のみを真空とし、
電子レンズ９や８ｎ微鏡５等を真空外に配置する構造と
してもよく、−上記実施例と全く同じ効果を発揮するこ
とは言うまでもない。
た例について述べたが、適当な真空保持材によって光電
面７と蛍光スクリーン１１の間の空間のみを真空とし、
電子レンズ９や８ｎ微鏡５等を真空外に配置する構造と
してもよく、−上記実施例と全く同じ効果を発揮するこ
とは言うまでもない。
また光電変換に用いる金属薄膜７としては、例えば１０
００Å以下の膜厚のアルミニウムや金などを用いること
ができる。
００Å以下の膜厚のアルミニウムや金などを用いること
ができる。
以上の様に１、この発明によれば、マスクパターンに光
の代わりにＸｖＭを照射し、その透過Ｘ線を金属薄膜に
あてて光電子放出を行なわせ、放出された電子を電子レ
ンズによって蛍光スクリーン上に拡大投射するようにし
たので、従来例では不可能であったサブミクロン領域の
マスクパターン検査を高解像度で行なえるという著しい
効果がある。
の代わりにＸｖＭを照射し、その透過Ｘ線を金属薄膜に
あてて光電子放出を行なわせ、放出された電子を電子レ
ンズによって蛍光スクリーン上に拡大投射するようにし
たので、従来例では不可能であったサブミクロン領域の
マスクパターン検査を高解像度で行なえるという著しい
効果がある。
第１図は従来のマスク検査装置の原理を示す断面側面図
、第２図は本発明の一実施例によるマスク検査装置を示
ず…ｉ面側面図である。 ２０・・・マスク、３・・・マスクパターン、６・・・
Ｘ線、７・・・金属薄膜、８・・・光電子流、９・・・
電子レンズ、１０・・・透明基板、１１・・・蛍光スク
リーン、１２・・・電源。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
、第２図は本発明の一実施例によるマスク検査装置を示
ず…ｉ面側面図である。 ２０・・・マスク、３・・・マスクパターン、６・・・
Ｘ線、７・・・金属薄膜、８・・・光電子流、９・・・
電子レンズ、１０・・・透明基板、１１・・・蛍光スク
リーン、１２・・・電源。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- ＋ｌ） 検査すべきマスクパターンで遮蔽される波長を
持つＸ線源と、該Ｘ線源からのＸ線が照射され光電子を
出す金属薄膜と、該光電子を加速する加速機構と、該加
速された光電子を拡大投射する電子レンズと、該拡大投
射された光電子の衝突によって可視光を発する蛍光スク
リーンとを備えたことを特徴とするマスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18168483A JPS6070304A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | マスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18168483A JPS6070304A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | マスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070304A true JPS6070304A (ja) | 1985-04-22 |
Family
ID=16105061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18168483A Pending JPS6070304A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | マスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287122A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Toshiba Corp | マスク検査方法 |
| JP2009069073A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Horon:Kk | モールド検査方法およびモールド検査装置 |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP18168483A patent/JPS6070304A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287122A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Toshiba Corp | マスク検査方法 |
| JP2009069073A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Horon:Kk | モールド検査方法およびモールド検査装置 |
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