JPS6070525A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置及び磁気ド
ラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。

一般に記憶再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は大別して次の二種の方法がある。

第１の方法は操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接
触状態でセットした後、該記憶体に所要の回転を与える
ことにより、該ヘッドと該記憶体面との間に空気層分の
空間を作り、この状態で、記録再生する方法である。こ
の方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が止マシ、
この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触
摩耗状態にある。第２の方法は、磁気記憶体に予め回転
を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体面上に押しつ
けることによシ、該ヘッドと該記憶体面との間に空気層
分の空間をつくり、この状態で記録再生する方法である
。この様に、第１の方法では、操作開始時及び終了時に
ヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第２の方
法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩擦
状態にある。

これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッド及び磁気記憶体を摩耗させ、
ついにはヘッド及び金層磁性薄膜媒体に傷を生じせしめ
ることがある。又該接触摩擦状態に於いてヘッドのわず
かが姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘ
ッド及び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。又更に
記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触しヘッ
ドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働きヘッド及び磁気
記憶体が破壊されることがしばしば起こる。

この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦、摩耗や破壊
からヘッド及び磁気記憶体を保護するために磁気記憶体
の表面に保護被膜を被覆することが必要である。従来か
ら保護被膜として金属メッキ膜（例えばＣｒ、Ｒｈ、Ｎ
ｉ　−ｐ等）を被覆する方法或いは金層磁性薄膜媒体を
酸化する方法、該酸化の後酸化）換を被栓する方法等が
あるが、いずれも上記の接触摩耗現象に対して有効な手
段とはならない。

上記の欠点をなくしたテトラアルコキシシランの加水分
解物を用い形成したポリケイ酸から成る保護被膜も提案
されている（特公昭５７−５８７３１）このポリケイ酸
から々る保護被膜はヘッドと磁気記憶体との接触Ｗ擦、
ヘッドの突発的な磁気記憶体との接触摩耗に於ける耐久
性でかなり良好な特性を示し、且つ高温高湿状態におい
ても前記金属磁性薄膜をかなり長期間保護しうるもので
ある。

しかし、ヘッドと磁気記憶体どの間にごみが引き込まれ
る手が多く、そのごみが研貼剤の役割を果たしヘッド及
び磁気記１届体を摩耗し、その摩耗によって生じた摩耗
粉が更にヘッド及び磁気記憶体を摩耗させるため、岨顯
耗性や血４衝撃性面からも前記ポリケイ酸は保護膜１凍
として充分とは名゛えない。又ポリケイ酸被膜は、出発
利料がテトラアルコキシシランであることから、その加
水分解物を脱水縮合しても、かなり不充分な輪台状態に
しか成り得す、水に苅する１制久性は、壕だ不充分と言
わざるを得ない。

そこで、上記欠点を改善することを目的に、上記ポリケ
イ酸被膜中に、ＢａＱ　、ｓｒ□等がら選ばれる１種以
上の金属酸化物を含ませて保護被膜とすることが提案さ
れている。（特開昭５６−７６０１０） しかし、上記金属酸化物を直接テトラアルコキシシラン
の加水分解物液に均一分散させる事は、極めて困雌であ
り、保護被膜を約１００ＯＡ形成しても、μｍオーダー
の凸部が生じて、必要する特性が得られ々い。又口過に
ょシ、凝集した金属酸化物を除去しようとした場合、は
ぼ添加金属酸化物の全てが除去され、添加による効果は
得られない。以上の如く現実には、上記ポリケイ酸被膜
の品質の向上をはかることは不可能であり、金属酸化物
を添加するには、材料面からの工夫が不可欠である。

本発明の目的は上述のごみを引き込んだ場合であっても
充分に金属磁性薄膜媒体を保護し且つ長期間に渡る高温
高湿状態で、そして水への浸漬状態で、金属磁性薄膜媒
体に何等悪影響を及ぼさせ々い保護被膜を有する磁気記
憶体を提供することにある。

すなわち、本発明の磁気記憶体は、非磁性円盤状基体上
に金属磁性薄膜媒体を被覆され、この金属磁性薄膜媒体
上に、下記（Ａ）、（Ｂ）を少々くとも含む材料を原料
とする保護膜が被覆されている。

（Ａ）粒子ｆ１１〜１００ミリミクロンのコロイダルア
ルミナ （Ｂ）一般式　ｇ’ｎ−ｓ；−（ＯＲ２４−ｎ）　（式
中Ｒ１は炭素数１〜乙の炭化水紫括、ビニル基、メタク
リロキシ基、エポキシ含有基やハロゲンを有する有機基
を、Ｒ２は炭素数１〜乙の灰化水素基又は水素を、ｎは
０，１．２を表わす。）で示される小なくとも１種の有
機ケイ素化合物。

（Ａ）のコロイダルアルミナは、三次元構造の強固なア
ルミと酸素の結合を主骨格する粒径１〜１００ミリミク
ロンの粒子であり、核粒子の表面には、＞Ａｌ−ＯＨ基
及び−ＯＨイオンが存在する。この様に該コロイダルア
ルミナは、強固な結合よシなるため、極めて、化学的に
安定であシ、品温、高湿状態や水への浸漬に対しても、
優れた耐久性を示す。又コロイダルアルミナを主要成分
トスる保護被膜は、テトラアルコキシシランより成る保
護被膜より、熱膨張率に於いてよシ下地金属体に近く、
該保護被膜の内部応力は小さい。これにより該保護被膜
の強度は高く、ヘッドに対する耐摩耗性は向上する。

（Ｂ）の有機ケイ累化合物は、（Ａ）のコロイダルアル
ミナト化学結合し、又コロイダルアルミナ同様下地金属
体と化学結合して保護被膜を構成しヘッドの衝撃力を緩
和する能力を高めるものである０ 該有機ケイ素化合物は、希釈剤の有無の状態で水又は希
酸添加により加水分解され、必要に応じて濃度調節がな
され、更にコロイダルアルミナを加えて処理液とする。

そして金属磁性薄膜媒体上に塗布した後、全体を焼成す
る。

次に実施例を挙げて詳細に説明する。

実施例１ 鏡面仕上げ（表面粗さ、０．０５μｍ以下、ＡＣＣ３０
ｍ／ｓｅｃ以下）されたディスク状アルミニウム合金基
板上に、非磁性合金メッキとしてＮＩ−Ｐ合金を約５０
ｐｍの厚さにメッキし、このメッキを＠摩によシ表面粗
さ０，０３μｍ以下、厚さ６０μｍまで鏡面仕上げをし
た後、その上に金属磁性薄膜媒体としてｃｏ−Ｎｉ−ｐ
合金を約０，０５μｍの厚さにメッキした。更にＣ０−
Ｎ１−Ｐ合金メッキ上に、下記処理液をスピンナー法に
より８００人の膜厚になるように塗布した。次にディス
ク状円盤を２５０　’０で６時間、恒温槽内で焼成し、
磁気ディスクとした。

（処理液） アルミナシ／Ｌ／（日照化学製品）　３″Ｍｊｘｋ％γ
−グリシドキシプロピルトリメト キシシラン１雛チ ０、０５　Ｎ塩酸水溶液　０３難チ イソプロビルアルコール　残部 実施例２ 実施例１と同様外方法で、ただし処理液は以下に示す液
を用いて塗布したディスク状円盤、２５０°０で３時間
焼成したものを磁気ディスクとした。

（処理液） アルミナゾル　２　別Ｉ テトラメトキシシラン　１　謔チ ００５Ｎ塩酸水溶液　０．４母Ｉ ｎ−ブチルアルコール　残　部 比較例 実施例１と同様な方法で、ただし処理液は、以下に示す
液を用いて塗布したディスク状円盤を、２５０°Ｃで５
時間焼成したものを磁気ディスクとした。

（処理液） テトラメトキシシラン　５　諭「 ０、０５　Ｎ塩酸水溶液　１．５重量％ｎ−ブチルアル
コール　残　部 比較例及び実施例１，２に示した各磁気ディスクを用い
て、ヘッドと磁気ディスク面とが操作開始時及び操作終
了時に接触状態にある記録再生方法に於いて、この操作
開始と終了の繰り返し試験を１００００回ｔｓｂ返し行
なったところ、比較例の磁気ディスクではヘッドとの摩
耗跡の約１０％がハクリしたが、実施例１，２の各磁気
ディスクではハクリは皆無であったＯ 又純水（液温４０　ａ　）に磁気ディスクを浸漬し７０
時間放置後に取り出し、水分を除去してから前記同様の
操作開始及び終了の繰り返し試験を、１００００回行な
ったところ、比較例の磁気ディスクではヘッドとの介耗
跡の約８０チが７１クリしたが、実施例１，２の各磁気
ディスクでは、ノ１クリは皆無であった。

同、比較例、実施例では、非磁性円盤状基板として金属
を用いだが、プラスチックなども使用可能であり、非磁
性合金メッキの有無、や材質、磁性薄膜媒体の材質を問
わないことは明らかである。

以上 出願人株式会社諏訪精工舎 代理人弁理士　最　上　務

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 鏡面研摩された非磁性基板上に、金属磁性薄膜媒体が被
   覆され、この金属磁性薄膜媒体上に、下記（Ａ）及び（
   Ｂ） （Ａ）粒径１〜１００ミリミクロンのコロイｐｌｖアル
   ミナ （Ｂ、）一般式　Ｒ゛ｎ−ｓ＋−（ｏＲ２）、−ｎ（式
   中Ｒ。 は炭素数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロキ
   シ基、エポキシを有する有機基やハロゲンを有する有機
   基を、Ｒ２は炭素数１〜乙の炭化水素基又は水素を、ｎ
   はＯ＋　１＋　２を表わす。）で示される少なくとも１
   種の有機ケイ素化合物 を少なくとも含む材料を原料とする保護膜を被覆せしめ
   た事を特徴とする磁気記憶体。