JPS6070577A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6070577A JPS6070577A JP58176907A JP17690783A JPS6070577A JP S6070577 A JPS6070577 A JP S6070577A JP 58176907 A JP58176907 A JP 58176907A JP 17690783 A JP17690783 A JP 17690783A JP S6070577 A JPS6070577 A JP S6070577A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- propagation path
- ion implantation
- propagation
- bubbles
- bubble
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用いられる磁
気バブルメモリ装置に関するものである。
気バブルメモリ装置に関するものである。
従来技術と問題点
従来、磁気バブルメモリ素子の伝播路には第１図ａ、ｂ
に示すｉ４−マロイ薄膜により形成された伝播路１と第
２図ａ、ｂに示す如きイオン注入によ多形成された伝播
路２が知られている。そして何れもホトリングラフィ技
術を応用して形成される。ところが前者のパーマロイに
よる伝播路１はバブル径の２／３以下のギャップｇが必
要であるため、１μｍ程度の微小バブルを用いた場合、
０．７μｍ以下のギャップが要求され、通常のホトリソ
グラフィ技術では実現できない欠点があった。一方後者
のイオン注入伝播路２はイオン注入部と非イオン注入部
の境界に生ずるチャージドウオールによってバブルを伝
播させるため、ギャップを必要とせず１μｍ程度の最小
寸法で１μｍ以下のバブルを伝播させることができる。
に示すｉ４−マロイ薄膜により形成された伝播路１と第
２図ａ、ｂに示す如きイオン注入によ多形成された伝播
路２が知られている。そして何れもホトリングラフィ技
術を応用して形成される。ところが前者のパーマロイに
よる伝播路１はバブル径の２／３以下のギャップｇが必
要であるため、１μｍ程度の微小バブルを用いた場合、
０．７μｍ以下のギャップが要求され、通常のホトリソ
グラフィ技術では実現できない欠点があった。一方後者
のイオン注入伝播路２はイオン注入部と非イオン注入部
の境界に生ずるチャージドウオールによってバブルを伝
播させるため、ギャップを必要とせず１μｍ程度の最小
寸法で１μｍ以下のバブルを伝播させることができる。
しかしこのイオン注入伝播路でバブルを停止保持する場
合、凹部（以下カスプと称す）４には極めて小さい保持
磁界（以下ホールド磁界と称す）で保持できるが凸部（
以下ティップと称す）５に停止保持するためには極めて
大きなホールド磁界が必要になる。第３図に示すように
ホールド磁界方向６を９０°ずつ変化させても必ず１個
所以上はティップに停止するバブル７、があるため全体
としてホールド磁界の大きさは極めて大きくする必要が
あるという欠点があった。なおパーマロイ伝播路におい
ては小さなホールド磁界でいずれの位置にも停止、保持
することができる。
合、凹部（以下カスプと称す）４には極めて小さい保持
磁界（以下ホールド磁界と称す）で保持できるが凸部（
以下ティップと称す）５に停止保持するためには極めて
大きなホールド磁界が必要になる。第３図に示すように
ホールド磁界方向６を９０°ずつ変化させても必ず１個
所以上はティップに停止するバブル７、があるため全体
としてホールド磁界の大きさは極めて大きくする必要が
あるという欠点があった。なおパーマロイ伝播路におい
ては小さなホールド磁界でいずれの位置にも停止、保持
することができる。
発明９目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、通常のホトリング２フ
イ技術で微小バブルの伝播路を形成することができ、し
かも小さなホールド磁界でバブルを保持することができ
る磁気バブルメモリ素子を提供することを目的とするも
のである。
イ技術で微小バブルの伝播路を形成することができ、し
かも小さなホールド磁界でバブルを保持することができ
る磁気バブルメモリ素子を提供することを目的とするも
のである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、バブル結晶の表面に
バブル伝播路を形成した磁気パプルメそり素子において
、前記バブル伝播路はイオン注入法により形成されたイ
オン注入伝播路の凸部近傍に該イオン注入伝播路に沿っ
て・そ−マロイ伝播素子を配置したことを特徴とする磁
気バブルメモリ素子を提供することによって達成される
。
バブル伝播路を形成した磁気パプルメそり素子において
、前記バブル伝播路はイオン注入法により形成されたイ
オン注入伝播路の凸部近傍に該イオン注入伝播路に沿っ
て・そ−マロイ伝播素子を配置したことを特徴とする磁
気バブルメモリ素子を提供することによって達成される
。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によって詳述する。
第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子を説明する
ための図であり、ａは構成図、ｂは作用説明図である。
ための図であり、ａは構成図、ｂは作用説明図である。
同図において、１０はイオン注入部、１１は非イオン注
入部、１２はイオン注入伝播路、１３はパーマロイ伝播
素子をそれぞれ示している。
入部、１２はイオン注入伝播路、１３はパーマロイ伝播
素子をそれぞれ示している。
本実施例は図に示す如くイオン注入伝播路１２のティッ
プに沿ってシェブロン形のパーマロイ伝播素子１３を配
置したものである。
プに沿ってシェブロン形のパーマロイ伝播素子１３を配
置したものである。
このように構成された本実施例はノｅ−マｐイ伝播素子
１３間のギャップ部はイオン注入伝播路１２のカスプ１
４が伝播を受け持つためパーマロイ伝播素子１３のギャ
ッｆ、をバブル径以上にすることができ、従って通常の
ホトリソグラフィ技術でも微小バブルの伝播路の作成が
可能となる。
１３間のギャップ部はイオン注入伝播路１２のカスプ１
４が伝播を受け持つためパーマロイ伝播素子１３のギャ
ッｆ、をバブル径以上にすることができ、従って通常の
ホトリソグラフィ技術でも微小バブルの伝播路の作成が
可能となる。
またバブルを停止保持する場合第４図すのようにホール
ド磁界１５を矢印方向に印加しておけば伝播路の上側で
はパーマロイ伝播素子１３の頂点に、下側ではイオン注
入伝播路のカス７’１４にそれぞれバブル１６．１７が
保持される。このとき必要なホールド磁界の大きさはパ
ーマロイ伝播素子１３の頂点にバｆ／Ｉ／を安定に保持
する大きさでよく、イオン注入伝播路のティップに保持
する場合に比較して１／３以下の大きさとなる。
ド磁界１５を矢印方向に印加しておけば伝播路の上側で
はパーマロイ伝播素子１３の頂点に、下側ではイオン注
入伝播路のカス７’１４にそれぞれバブル１６．１７が
保持される。このとき必要なホールド磁界の大きさはパ
ーマロイ伝播素子１３の頂点にバｆ／Ｉ／を安定に保持
する大きさでよく、イオン注入伝播路のティップに保持
する場合に比較して１／３以下の大きさとなる。
第５図は他の実施例を説明するための図であシ、ａはダ
イヤモンド型、ｂは非ダイヤモンドＷを示す。同図にお
いて、第４図と同一部分は同一符号を付して示した。
イヤモンド型、ｂは非ダイヤモンドＷを示す。同図にお
いて、第４図と同一部分は同一符号を付して示した。
本実施例が前実施例と異たるところはａ、ｂともパーマ
ロイ伝播素子１３が非対称シェブロンであることである
。
ロイ伝播素子１３が非対称シェブロンであることである
。
このように構成された本実施例はパーマロイ伝播素子１
３が矢印で示すバブルの進行方向に対して非対称である
ので前実施例に比しパズルの伝播がさらに安定化される
。
３が矢印で示すバブルの進行方向に対して非対称である
ので前実施例に比しパズルの伝播がさらに安定化される
。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の磁気・ぐプルメモ
リ素子は、イオン注入伝播路のティップ近傍に／ｆ−マ
ロイ伝播素子を配し、この部分の・ぐプル伝播をパーマ
ロイ伝播素子が受け持ち、・（−マロイ伝播素子のギヤ
２７６部では伝播をイオン注入伝播路が受け持つように
したものであって、通常のホトリングラフィ技術によっ
て微小／６プルの伝播路を形成でき、しかも小さなホー
ルド磁界で・々プルを保持することができるといった効
果大なるものである。
リ素子は、イオン注入伝播路のティップ近傍に／ｆ−マ
ロイ伝播素子を配し、この部分の・ぐプル伝播をパーマ
ロイ伝播素子が受け持ち、・（−マロイ伝播素子のギヤ
２７６部では伝播をイオン注入伝播路が受け持つように
したものであって、通常のホトリングラフィ技術によっ
て微小／６プルの伝播路を形成でき、しかも小さなホー
ルド磁界で・々プルを保持することができるといった効
果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第４図は従来のパーマロイによる伝播路を示す図、第２
図は従来のイオン注入による伝播路を示す図、第３図は
従来のイオン注入伝播路におけるバブル停止位置の説明
図、第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子を説明
するための図、第５図は他の実施例を説明するための図
である。 図面において、ＩＯはイオン注入部、１１は非イオン注
入部、１２はイオン注入伝播路、１３はパーマロイ伝播
素子をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第２０ 第３回 第５０
図は従来のイオン注入による伝播路を示す図、第３図は
従来のイオン注入伝播路におけるバブル停止位置の説明
図、第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子を説明
するための図、第５図は他の実施例を説明するための図
である。 図面において、ＩＯはイオン注入部、１１は非イオン注
入部、１２はイオン注入伝播路、１３はパーマロイ伝播
素子をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第２０ 第３回 第５０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、バブル結晶の表面にバブル伝播路を形成した磁気バ
ブルメモリ素子において、前記バブル伝播路はイオン注
入法にょ多形成されたイオン注入伝播路の凸部近傍に該
イオン注入伝播路に沿ってノ臂−マ四イ伝播素子を配置
したことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。 ２．７や一マロイ伝播素子間のギャップがバブル径以上
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気バブルメモリ素子。 ３、／４’−マロイ伝播素子がバブルの伝播方向に対し
て非対称であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の磁気バブルメモリ素子０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176907A JPS6070577A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176907A JPS6070577A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070577A true JPS6070577A (ja) | 1985-04-22 |
| JPS6322382B2 JPS6322382B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=16021837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176907A Granted JPS6070577A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114801U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-09 | シユウ，ダー−ジエン | 家具の自在回転脚輪 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5896705A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS58108085A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS6032197A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58176907A patent/JPS6070577A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5896705A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS58108085A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS6032197A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114801U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-09 | シユウ，ダー−ジエン | 家具の自在回転脚輪 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322382B2 (ja) | 1988-05-11 |
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