JPS6322382B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322382B2 JPS6322382B2 JP58176907A JP17690783A JPS6322382B2 JP S6322382 B2 JPS6322382 B2 JP S6322382B2 JP 58176907 A JP58176907 A JP 58176907A JP 17690783 A JP17690783 A JP 17690783A JP S6322382 B2 JPS6322382 B2 JP S6322382B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- propagation
- propagation path
- ion implantation
- permalloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子計算装置の記憶装置として用いら
れる磁気バブルメモリ装置に関するものである。
れる磁気バブルメモリ装置に関するものである。
従来技術と問題点
従来、磁気バブルメモリ素子の伝播路には第１
図ａ，ｂに示すパーマロイ薄膜により形成された
伝播路１と第２図ａ，ｂに示す如きイオン注入に
より形成された伝播路２が知られている。そして
何れもホトリソグラフイ技術を応用して形成され
る。ところが前者のパーマロイによる伝播路１は
バブル径の2/3以下のギヤツプｇが必要であるた
め、1μm程度の微小バブルを用いた場合、0.7μm
以下のギヤツプが要求され、通常のホトリソグラ
フイ技術では実現できない欠点があつた。一方後
者のイオン注入伝播路２はイオン注入部と非イオ
ン注入部の境界に生ずるチヤージドウオールによ
つてバブルを伝播させるため、ギヤツプを必要と
せず1μm程度の最小寸法で1μm以下のバブルを伝
播させることができる。しかしこのイオン注入伝
播路でバブルを停止保持する場合、凹部（以下カ
スプと称す）４には極めて小さい保持磁界（以下
ホールド磁界と称す）で保持できるが凸部（以下
テイツプと称す）５に停止保持するためには極め
て大きなホールド磁界が必要になる。第３図に示
すようにホールド磁界方向６を90゜ずつ変化させ
ても必ず１個所以上はテイツプに停止するバブル
７があるため全体としてホールド磁界の大きさは
極めて大きくする必要があるという欠点があつ
た。なおパーマロイ伝播路においては小さなホー
ルド磁界でいずれの位置にも停止、保持すること
ができる。
図ａ，ｂに示すパーマロイ薄膜により形成された
伝播路１と第２図ａ，ｂに示す如きイオン注入に
より形成された伝播路２が知られている。そして
何れもホトリソグラフイ技術を応用して形成され
る。ところが前者のパーマロイによる伝播路１は
バブル径の2/3以下のギヤツプｇが必要であるた
め、1μm程度の微小バブルを用いた場合、0.7μm
以下のギヤツプが要求され、通常のホトリソグラ
フイ技術では実現できない欠点があつた。一方後
者のイオン注入伝播路２はイオン注入部と非イオ
ン注入部の境界に生ずるチヤージドウオールによ
つてバブルを伝播させるため、ギヤツプを必要と
せず1μm程度の最小寸法で1μm以下のバブルを伝
播させることができる。しかしこのイオン注入伝
播路でバブルを停止保持する場合、凹部（以下カ
スプと称す）４には極めて小さい保持磁界（以下
ホールド磁界と称す）で保持できるが凸部（以下
テイツプと称す）５に停止保持するためには極め
て大きなホールド磁界が必要になる。第３図に示
すようにホールド磁界方向６を90゜ずつ変化させ
ても必ず１個所以上はテイツプに停止するバブル
７があるため全体としてホールド磁界の大きさは
極めて大きくする必要があるという欠点があつ
た。なおパーマロイ伝播路においては小さなホー
ルド磁界でいずれの位置にも停止、保持すること
ができる。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、通常のホトリ
ソグラフイ技術で微小バブルの伝播路を形成する
ことができ、しかも小さなホールド磁界でバブル
保持することができる磁気バブルメモリ素子を提
供することを目的とするものである。
ソグラフイ技術で微小バブルの伝播路を形成する
ことができ、しかも小さなホールド磁界でバブル
保持することができる磁気バブルメモリ素子を提
供することを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、バブル結晶
の表面にイオン注入法によりバブル伝播路を形成
した磁気バブルメモリ素子において、前記イオン
注入バブル伝播路は該伝播路上でホールド磁界に
よりバブルが停止する凸部近傍に該イオン注入伝
播路に沿つてパーマロイ伝播素子を配置したこと
を特徴とする磁気バブルメモリ素子を提供すこと
によつて達成される。
の表面にイオン注入法によりバブル伝播路を形成
した磁気バブルメモリ素子において、前記イオン
注入バブル伝播路は該伝播路上でホールド磁界に
よりバブルが停止する凸部近傍に該イオン注入伝
播路に沿つてパーマロイ伝播素子を配置したこと
を特徴とする磁気バブルメモリ素子を提供すこと
によつて達成される。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によつて詳述する。
第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子を
説明するための図であり、ａは構成図、ｂは作用
説明図である。同図において、１０はイオン注入
部、１１は非イオン注入部、１２はイオン注入伝
播路、１３はパーマロイ伝播素子をそれぞれ示し
ている。
説明するための図であり、ａは構成図、ｂは作用
説明図である。同図において、１０はイオン注入
部、１１は非イオン注入部、１２はイオン注入伝
播路、１３はパーマロイ伝播素子をそれぞれ示し
ている。
本実施例は図に示す如くイオン注入伝播路１２
のバブルがホールド磁界により停止するテイツプ
近傍に沿つてシエブロン形のパーマロイ伝播素子
１３を配置したものである。
のバブルがホールド磁界により停止するテイツプ
近傍に沿つてシエブロン形のパーマロイ伝播素子
１３を配置したものである。
このように構成された本実施例はパーマロイ伝
播素子１３間のギヤツプ部はイオン注入伝播路１
２のカスプ１４が伝播を受け持つためパーマロイ
伝播素子１３のギヤツプｇをバブル径以上にする
ことができ、従つて通常のホトリソグラフイ技術
でも微小バブルの伝播路の作成が可能となる。
播素子１３間のギヤツプ部はイオン注入伝播路１
２のカスプ１４が伝播を受け持つためパーマロイ
伝播素子１３のギヤツプｇをバブル径以上にする
ことができ、従つて通常のホトリソグラフイ技術
でも微小バブルの伝播路の作成が可能となる。
またバブルを停止保持する場合第４図ｂのよう
にホールド磁界１５を矢印方向に印加しておけば
伝播路の上側ではパーマロイ伝播素子１３の頂点
に、下側ではイオン注入伝播路のカスプ１４にそ
れぞれバブル１６，１７が保持される。このとき
必要なホールド磁界の大きさはパーマロイ伝播素
子１３の頂点にバブルを安定に保持する大きさで
よく、イオン注入伝播路のテイツプに保持する場
合に比較して1/3以下の大きさとなる。
にホールド磁界１５を矢印方向に印加しておけば
伝播路の上側ではパーマロイ伝播素子１３の頂点
に、下側ではイオン注入伝播路のカスプ１４にそ
れぞれバブル１６，１７が保持される。このとき
必要なホールド磁界の大きさはパーマロイ伝播素
子１３の頂点にバブルを安定に保持する大きさで
よく、イオン注入伝播路のテイツプに保持する場
合に比較して1/3以下の大きさとなる。
第５図は他の実施例を説明するための図であ
り、ａはダイヤモンド型、ｂは非ダイヤモンド型
を示す。同図において、第４図と同一部分は同一
符号を付して示した。
り、ａはダイヤモンド型、ｂは非ダイヤモンド型
を示す。同図において、第４図と同一部分は同一
符号を付して示した。
本実施例が前実施例と異なるところはａ，ｂと
もパーマロイ伝播素子１３が非対称シエブロンで
あることである。
もパーマロイ伝播素子１３が非対称シエブロンで
あることである。
このように構成された本実施例はパーマロイ伝
播素子１３が矢印で示すバブルの進行方向に対し
て非対称であるので前実施例に比しバブルの伝播
がさらに安定化される。
播素子１３が矢印で示すバブルの進行方向に対し
て非対称であるので前実施例に比しバブルの伝播
がさらに安定化される。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の磁気バブ
ルメモリ素子は、イオン注入伝播路のテイツプ近
傍にパーマロイ伝播素子を配し、この部分のバブ
ル伝播をパーマロイ伝播素子が受け持ち、パーマ
ロイ伝播素子のギヤツプ部では伝播をイオン注入
伝播路が受け持つようにしたものであつて、通常
のホトリソグラフイ技術によつて微小バブルの伝
播路を形成でき、しかも小さなホールド磁界でバ
ブルを保持することができるといつた効果大なる
ものである。
ルメモリ素子は、イオン注入伝播路のテイツプ近
傍にパーマロイ伝播素子を配し、この部分のバブ
ル伝播をパーマロイ伝播素子が受け持ち、パーマ
ロイ伝播素子のギヤツプ部では伝播をイオン注入
伝播路が受け持つようにしたものであつて、通常
のホトリソグラフイ技術によつて微小バブルの伝
播路を形成でき、しかも小さなホールド磁界でバ
ブルを保持することができるといつた効果大なる
ものである。
第１図は従来のパーマロイによる伝播路を示す
図、第２図は従来のイオン注入による伝播路を示
す図、第３図は従来のイオン注入伝播路における
バブル停止位置の説明図、第４図は本発明による
磁気バブルメモリ素子を説明するための図、第５
図は他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０はイオン注入部、１１は非
イオン注入部、１２はイオン注入伝播路、１３は
パーマロイ伝播素子をそれぞれ示す。
図、第２図は従来のイオン注入による伝播路を示
す図、第３図は従来のイオン注入伝播路における
バブル停止位置の説明図、第４図は本発明による
磁気バブルメモリ素子を説明するための図、第５
図は他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０はイオン注入部、１１は非
イオン注入部、１２はイオン注入伝播路、１３は
パーマロイ伝播素子をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バブル結晶の表面にイオン注入法によりバブ
ル伝播路を形成した磁気バブルメモリ素子におい
て、前記イオン注入バブル伝播路は該伝播路上で
ホールド磁界によりバブルが停止する凸部近傍に
該イオン注入伝播路に沿つてパーマロイ伝播素子
を配置したことを特徴とする磁気バブルメモリ素
子。 ２ パーマロイ伝播素子間のギヤツプがバブル径
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の磁気バブルメモリ素子。 ３ パーマロイ伝播素子がバブルの伝播方向に対
して非対称であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の磁気バブルメモリ素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176907A JPS6070577A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176907A JPS6070577A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070577A JPS6070577A (ja) | 1985-04-22 |
| JPS6322382B2 true JPS6322382B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=16021837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176907A Granted JPS6070577A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070577A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114801U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-09 | シユウ，ダー−ジエン | 家具の自在回転脚輪 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5896705A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS58108085A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS6032197A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58176907A patent/JPS6070577A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6070577A (ja) | 1985-04-22 |
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