JPS607062U - ガス検知素子 - Google Patents

ガス検知素子

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JPS607062U
JPS607062U JP9872583U JP9872583U JPS607062U JP S607062 U JPS607062 U JP S607062U JP 9872583 U JP9872583 U JP 9872583U JP 9872583 U JP9872583 U JP 9872583U JP S607062 U JPS607062 U JP S607062U
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JP
Japan
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oxide semiconductor
resistor
noble metal
detection element
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酒井　才
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New Cosmos Electric Co Ltd
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New Cosmos Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａ、　　ｂはこの考案の一実施例を示す平面図お
よびＡ−Ａ線による断面図、第２図は動作回路の一例を
示す図、第３図は合成抵抗値と白金抵抗体の抵抗値の比
に対するガス感度との関係を示す図である。 図中、１はアルミナ基板、２はｐｔ膜電極、３はＳｎＯ
２焼結体、４はガス検知素子、５は定電流電源、６は電
圧検出端子である。 補正　昭５９．　３．１３ 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する。 Ｏ実用新案登録請求の範囲 耐熱性、電気絶縁性基板上に形成した貴金属薄膜抵抗体
、または貴金属線コイル抵抗体に酸化物半導体を塗布し
、大気中通電状態での前記いずれかの抵抗体と酸化物半
導体の合成抵抗値Ｒｏが前記抵抗体の抵抗値ｒ。に対し
て０．　３＜Ｒ，／ｒ。＜０゜９８の範囲にあるように
前記酸化物半導体の粉体の比抵抗値を調整して焼結した
ことを特徴とするガス検知素子。 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書第６頁第２０行のｒＡ　−Ａ線」をｒＡ　−Ａ′
線」と補正する。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 耐熱性、電気絶縁性基板上に形成した貴金属薄膜抵抗体
    、または貴金属線コイル抵抗体に酸化物半導体を塗布し
    、通電待ち状態での前記いずれかの抵抗体と酸化物半導
    体の合成抵抗値Ｒ，が前記抵抗体の抵抗値ｒ。に対して
    ０．３〈Ｒｏｌｒｏ＜０゜９８の範囲にあるように前記
    酸化物半導体の粉体の抵抗値を調整して焼結したことを
    特徴とするガス検知素子。
JP9872583U 1982-12-28 1983-06-28 ガス検知素子 Granted JPS607062U (ja)

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KR1019830006122A KR870001325B1 (ko) 1982-12-28 1983-12-22 가스검지소자
EP19840300573 EP0115953B1 (en) 1983-02-03 1984-01-30 Gas sensor
DE8484300573T DE3476270D1 (en) 1983-02-03 1984-01-30 Gas sensor
US06/579,926 US4509034A (en) 1983-03-22 1984-02-14 Gas sensor
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JPS607062U true JPS607062U (ja) 1985-01-18
JPH0220681Y2 JPH0220681Y2 (ja) 1990-06-05

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