JPH0526834A - 熱線型半導体式ガスセンサ - Google Patents
熱線型半導体式ガスセンサInfo
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- JPH0526834A JPH0526834A JP20561291A JP20561291A JPH0526834A JP H0526834 A JPH0526834 A JP H0526834A JP 20561291 A JP20561291 A JP 20561291A JP 20561291 A JP20561291 A JP 20561291A JP H0526834 A JPH0526834 A JP H0526834A
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- JP
- Japan
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- gas sensor
- semiconductor
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】小型化でき、消費電力が少なく、しかもガス濃
度測定の感度が優れた熱線型半導体式ガスセンサを提供
する。 【構成】熱線型半導体式ガスセンサ１は、２端子半導体
デバイス１０と、該デバイスの表面に付着させた金属酸
化物半導体１２とから成る。この２端子半導体デバイス
１０のスイッチング作用を応用して、これ自体を周期的
に加熱ヒータとして機能させる。
度測定の感度が優れた熱線型半導体式ガスセンサを提供
する。 【構成】熱線型半導体式ガスセンサ１は、２端子半導体
デバイス１０と、該デバイスの表面に付着させた金属酸
化物半導体１２とから成る。この２端子半導体デバイス
１０のスイッチング作用を応用して、これ自体を周期的
に加熱ヒータとして機能させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱線型半導体式ガスセ
ンサに関する。
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物半導体ガスセンサは、ガス吸
着による金属酸化物半導体の導電率の変化を測定するこ
とによってガス濃度を検出する。ガスの吸脱着速度を増
すためには、金属酸化物半導体を一定の高温に保持する
必要がある。金属酸化物半導体ガスセンサには、熱線型
半導体式ガスセンサ、焼結体素子半導体ガスセンサ等が
従来から知られている。これらのガスセンサは、加熱方
法、及び金属酸化物半導体（センサ素子）の抵抗値の測
定方法が相違している。
着による金属酸化物半導体の導電率の変化を測定するこ
とによってガス濃度を検出する。ガスの吸脱着速度を増
すためには、金属酸化物半導体を一定の高温に保持する
必要がある。金属酸化物半導体ガスセンサには、熱線型
半導体式ガスセンサ、焼結体素子半導体ガスセンサ等が
従来から知られている。これらのガスセンサは、加熱方
法、及び金属酸化物半導体（センサ素子）の抵抗値の測
定方法が相違している。
【０００３】熱線型半導体式ガスセンサは、例えばセン
サ素子２０であるＳｎＯ2 セラミックの中心に、低抵抗
の加熱ヒータである貴金属線コイル２２を埋設した構造
を有する。センサ素子２０は貴金属線コイル２２によっ
て加熱され、ガス吸着によるセンサ素子２０の抵抗値の
変化を検出することによりガス濃度を測定する。このよ
うな熱線型半導体式ガスセンサの電気回路を図５に示
す。センサ素子２０と貴金属線コイル２２は並列に接続
されている。
サ素子２０であるＳｎＯ2 セラミックの中心に、低抵抗
の加熱ヒータである貴金属線コイル２２を埋設した構造
を有する。センサ素子２０は貴金属線コイル２２によっ
て加熱され、ガス吸着によるセンサ素子２０の抵抗値の
変化を検出することによりガス濃度を測定する。このよ
うな熱線型半導体式ガスセンサの電気回路を図５に示
す。センサ素子２０と貴金属線コイル２２は並列に接続
されている。
【０００４】焼結体素子半導体ガスセンサは、図６の
（Ａ）に一例を示すように、平行に設けた２本の貴金属
線電極２４，２４’にセンサ素子２０である金属酸化物
半導体ペーストを塗布し焼結したものである。貴金属線
電極の一方２４は加熱ヒータとしての機能も果たす。図
６の（Ｂ）にその電気回路を示す。
（Ａ）に一例を示すように、平行に設けた２本の貴金属
線電極２４，２４’にセンサ素子２０である金属酸化物
半導体ペーストを塗布し焼結したものである。貴金属線
電極の一方２４は加熱ヒータとしての機能も果たす。図
６の（Ｂ）にその電気回路を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】熱線型半導体式ガスセ
ンサは、小型化でき、加熱ヒータの消費電力が約１５０
ｍＷと少ない長所を有しているが、低抵抗の加熱ヒータ
とガス濃度を測定するセンサ素子とが並列に接続されて
いるために、焼結体素子半導体ガスセンサと比較したと
き、ほぼ加熱ヒータの抵抗分ガス濃度測定感度が低下す
るという欠点を有する。
ンサは、小型化でき、加熱ヒータの消費電力が約１５０
ｍＷと少ない長所を有しているが、低抵抗の加熱ヒータ
とガス濃度を測定するセンサ素子とが並列に接続されて
いるために、焼結体素子半導体ガスセンサと比較したと
き、ほぼ加熱ヒータの抵抗分ガス濃度測定感度が低下す
るという欠点を有する。
【０００６】焼結体素子半導体ガスセンサは、ガスがセ
ンサ素子の表面に吸着することによるセンサ素子の電気
抵抗値の変化をそのまま測定することができるので高感
度であるが、小型化することが困難であり、しかも加熱
ヒータに常時電流を流す必要があるため消費電力が約１
０００ｍＷ〜３０００ｍＷと大きくバッテリー駆動をす
ることが困難であるという問題を有する。
ンサ素子の表面に吸着することによるセンサ素子の電気
抵抗値の変化をそのまま測定することができるので高感
度であるが、小型化することが困難であり、しかも加熱
ヒータに常時電流を流す必要があるため消費電力が約１
０００ｍＷ〜３０００ｍＷと大きくバッテリー駆動をす
ることが困難であるという問題を有する。
【０００７】従って、本発明の目的は、小型化でき、消
費電力が少なく、しかもガス濃度測定の感度が優れた熱
線型半導体式ガスセンサを提供することにある。
費電力が少なく、しかもガス濃度測定の感度が優れた熱
線型半導体式ガスセンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、本発明に
より、図１に一部破断斜視図にて示すような、２端子半
導体デバイス１０と、該デバイスの表面に付着させた金
属酸化物半導体１２とから成ることを特徴とする熱線型
半導体式ガスセンサ１によって達成される。
より、図１に一部破断斜視図にて示すような、２端子半
導体デバイス１０と、該デバイスの表面に付着させた金
属酸化物半導体１２とから成ることを特徴とする熱線型
半導体式ガスセンサ１によって達成される。
【０００９】２端子半導体デバイス１０としては、ＰＮ
接合ダイオード、ＰＩＮダイオード、ツェナダイオー
ド、発光ダイオード、バリスタ、又はサージ吸収素子を
例示することができる。しかしながら、これらに限定さ
れるものではなく、整流作用を有する２端子半導体デバ
イスであれば如何なるものをも使用することができる。
尚、サージ吸収素子とはサージを吸収する素子を意味
し、例えば、特開昭５５−１２８２８３号公報、特開昭
５６−１６８３７９号公報、実開昭５５−１４６６９２
号公報、実開昭５５−１６１３８２号公報、実開昭５５
−１６１３８３号公報に記載されている。
接合ダイオード、ＰＩＮダイオード、ツェナダイオー
ド、発光ダイオード、バリスタ、又はサージ吸収素子を
例示することができる。しかしながら、これらに限定さ
れるものではなく、整流作用を有する２端子半導体デバ
イスであれば如何なるものをも使用することができる。
尚、サージ吸収素子とはサージを吸収する素子を意味
し、例えば、特開昭５５−１２８２８３号公報、特開昭
５６−１６８３７９号公報、実開昭５５−１４６６９２
号公報、実開昭５５−１６１３８２号公報、実開昭５５
−１６１３８３号公報に記載されている。
【００１０】用いるべき金属酸化物半導体１２は、検出
すべきガスの種類に応じて適宜選択すればよい。金属酸
化物半導体１２として、例えば、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、α
−Ｆｅ2Ｏ3、γ−Ｆｅ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、又はＷＯ3 を用
いることができる。金属酸化物半導体には、増感剤とし
て、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ等を含有させてもよい。
すべきガスの種類に応じて適宜選択すればよい。金属酸
化物半導体１２として、例えば、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、α
−Ｆｅ2Ｏ3、γ−Ｆｅ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、又はＷＯ3 を用
いることができる。金属酸化物半導体には、増感剤とし
て、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ等を含有させてもよい。
【００１１】２端子半導体デバイス１０の表面への金属
酸化物半導体１２の付着は、２端子半導体デバイス表面
上にて金属酸化物半導体を所定形状に成形した後金属酸
化物半導体を焼結、焼成することにより、あるいは２端
子半導体デバイス表面に金属酸化物半導体をスパッタ、
蒸着することにより、更には、２端子半導体デバイス表
面に金属酸化物半導体を印刷、塗布することにより行う
ことができる。
酸化物半導体１２の付着は、２端子半導体デバイス表面
上にて金属酸化物半導体を所定形状に成形した後金属酸
化物半導体を焼結、焼成することにより、あるいは２端
子半導体デバイス表面に金属酸化物半導体をスパッタ、
蒸着することにより、更には、２端子半導体デバイス表
面に金属酸化物半導体を印刷、塗布することにより行う
ことができる。
【００１２】
【作用】本発明の熱線型半導体式ガスセンサ１において
は、図２に示すように、２端子半導体デバイス１０と金
属酸化物半導体１２は並列に接続されている。通常、本
発明の熱線型半導体式ガスセンサ１は３００゜Ｃ以上の
高温にて使用される。従来技術においては、ガスセンサ
を加熱するために加熱ヒータを使用する。しかるに、本
発明においては、２端子半導体デバイスのスイッチング
作用を応用して、２端子半導体デバイスを加熱ヒータと
して機能させる。例えば、２端子半導体デバイスとして
接合型ダイオードを使用した場合を例に取り、本発明の
熱線型半導体式ガスセンサ１の動作を以下説明する。
は、図２に示すように、２端子半導体デバイス１０と金
属酸化物半導体１２は並列に接続されている。通常、本
発明の熱線型半導体式ガスセンサ１は３００゜Ｃ以上の
高温にて使用される。従来技術においては、ガスセンサ
を加熱するために加熱ヒータを使用する。しかるに、本
発明においては、２端子半導体デバイスのスイッチング
作用を応用して、２端子半導体デバイスを加熱ヒータと
して機能させる。例えば、２端子半導体デバイスとして
接合型ダイオードを使用した場合を例に取り、本発明の
熱線型半導体式ガスセンサ１の動作を以下説明する。
【００１３】一般に接合型ダイオードは、図３に示すよ
うなダイオード特性を有している。２端子半導体デバイ
スに順方向に順方向電圧ＶF を印加する。順方向印加電
圧ＶF が順方向電流が流れ始める電圧ＶTH以上のとき、
２端子半導体デバイスは導通状態となり電流ＩF が流
れ、２端子半導体デバイスは発熱する（以下、この状態
を加熱モードという）。尚、２端子半導体デバイスにＶ
TH’以下の逆方向電圧を印加した場合にも加熱モードと
なる。この２端子半導体デバイスの発熱によって、金属
酸化物半導体を一定温度に加熱することができる。一
方、２端子半導体デバイスにＶTH’以上ＶTH以下の電圧
を印加した場合、２端子半導体デバイスには電流が流れ
ず、不導通状態となる。即ち、金属酸化物半導体（セン
サ素子）と並列に接続された加熱ヒータとして作用した
２端子半導体デバイスは、金属酸化物半導体と電気的に
切り離された状態となる。この状態でガスセンサの電気
抵抗値を測定すると、実質的には金属酸化物半導体の電
気抵抗値を測定する（以下、この状態を測定モードとい
う）ことになり、ガス濃度を高精度で測定することがで
きる。従って、従来の熱線型半導体式ガスセンサよりも
ガス濃度測定を高精度で行うことができる。
うなダイオード特性を有している。２端子半導体デバイ
スに順方向に順方向電圧ＶF を印加する。順方向印加電
圧ＶF が順方向電流が流れ始める電圧ＶTH以上のとき、
２端子半導体デバイスは導通状態となり電流ＩF が流
れ、２端子半導体デバイスは発熱する（以下、この状態
を加熱モードという）。尚、２端子半導体デバイスにＶ
TH’以下の逆方向電圧を印加した場合にも加熱モードと
なる。この２端子半導体デバイスの発熱によって、金属
酸化物半導体を一定温度に加熱することができる。一
方、２端子半導体デバイスにＶTH’以上ＶTH以下の電圧
を印加した場合、２端子半導体デバイスには電流が流れ
ず、不導通状態となる。即ち、金属酸化物半導体（セン
サ素子）と並列に接続された加熱ヒータとして作用した
２端子半導体デバイスは、金属酸化物半導体と電気的に
切り離された状態となる。この状態でガスセンサの電気
抵抗値を測定すると、実質的には金属酸化物半導体の電
気抵抗値を測定する（以下、この状態を測定モードとい
う）ことになり、ガス濃度を高精度で測定することがで
きる。従って、従来の熱線型半導体式ガスセンサよりも
ガス濃度測定を高精度で行うことができる。
【００１４】以上まとめると、２端子半導体デバイスを
用いて加熱モードと測定モードを切り替えるためには、
加熱モードにおいてはダイオードに一定電圧以上の順方
向電圧を印加するかあるいは一定電圧以下の逆方向電圧
を印加して２端子半導体デバイスを導通状態とし、測定
モードにおいては一定電圧以下の順方向電圧を印加する
かあるいは一定電圧以上の逆方向電圧を印加して２端子
半導体デバイスを不導通状態とすればよい。
用いて加熱モードと測定モードを切り替えるためには、
加熱モードにおいてはダイオードに一定電圧以上の順方
向電圧を印加するかあるいは一定電圧以下の逆方向電圧
を印加して２端子半導体デバイスを導通状態とし、測定
モードにおいては一定電圧以下の順方向電圧を印加する
かあるいは一定電圧以上の逆方向電圧を印加して２端子
半導体デバイスを不導通状態とすればよい。
【００１５】加熱モードと測定モードとを交互に切り替
えることが好ましい。加熱モードから次の加熱モードま
での時間は１０μ秒乃至１００ｍ秒であることが好まし
い。加熱モードの時間と測定モードの時間の割合は、
６：９４乃至９４：４であることが好ましい。
えることが好ましい。加熱モードから次の加熱モードま
での時間は１０μ秒乃至１００ｍ秒であることが好まし
い。加熱モードの時間と測定モードの時間の割合は、
６：９４乃至９４：４であることが好ましい。
【００１６】加熱モードと測定モードとを短い時間にて
切り替えることによって、ガスセンサの消費電力を焼結
体素子半導体ガスセンサと比較して少なくすることがで
きる。例えば、熱線型半導体式ガスセンサに順方向電圧
１．２Ｖを印加すると、順方向に約１．５Ａの順方向電
流ＩF が流れる。このとき、ガスセンサの消費電力は約
１８００ｍＷである。加熱モードと測定モードの時間を
例えば１：１とすれば平均消費電力は約９００ｍＷとな
り、消費電力を低減させることができる。更に、ガスセ
ンサの大きさは２端子半導体デバイスの大きさと概ね同
じあるいは若干大きい程度でありであり、焼結体素子半
導体ガスセンサよりも小型化することができる。
切り替えることによって、ガスセンサの消費電力を焼結
体素子半導体ガスセンサと比較して少なくすることがで
きる。例えば、熱線型半導体式ガスセンサに順方向電圧
１．２Ｖを印加すると、順方向に約１．５Ａの順方向電
流ＩF が流れる。このとき、ガスセンサの消費電力は約
１８００ｍＷである。加熱モードと測定モードの時間を
例えば１：１とすれば平均消費電力は約９００ｍＷとな
り、消費電力を低減させることができる。更に、ガスセ
ンサの大きさは２端子半導体デバイスの大きさと概ね同
じあるいは若干大きい程度でありであり、焼結体素子半
導体ガスセンサよりも小型化することができる。
【００１７】
【実施例】図１に一部破断斜視図にて示した熱線型半導
体式ガスセンサ１を作製した。２端子半導体デバイス１
０としてはツェナーダイオードを使用した。金属酸化物
半導体１２として、Ｐｔを１重量％添加したＳｎＯ2 を
使用した。熱線型半導体式ガスセンサ１は、２端子半導
体デバイス１０の両端にリードワイヤ１４を接合し、次
に２端子半導体デバイス１０の表面を覆い更にリードワ
イヤ１４の一部分をも覆うように金属酸化物半導体１２
を所定形状に成形したのち、金属酸化物半導体１２を焼
成することによって作製した。
体式ガスセンサ１を作製した。２端子半導体デバイス１
０としてはツェナーダイオードを使用した。金属酸化物
半導体１２として、Ｐｔを１重量％添加したＳｎＯ2 を
使用した。熱線型半導体式ガスセンサ１は、２端子半導
体デバイス１０の両端にリードワイヤ１４を接合し、次
に２端子半導体デバイス１０の表面を覆い更にリードワ
イヤ１４の一部分をも覆うように金属酸化物半導体１２
を所定形状に成形したのち、金属酸化物半導体１２を焼
成することによって作製した。
【００１８】約３００°Ｃに加熱された定常状態のと
き、金属酸化物半導体１２の端子間抵抗値ＲS は、ガス
吸着がない場合には約５．５ｋΩである。そして、１０
０ｐｐｍのエタノールガスを熱線型半導体式ガスセンサ
１に吸着させたとき、金属酸化物半導体１２の端子間抵
抗値は約１．８ｋΩに減少した。抵抗値の減少はガス濃
度に比例するのでガス濃度の測定が可能となる。導通状
態、即ち加熱モードにおける２端子半導体デバイス１０
の端子間抵抗値は数十Ωであり、非導通状態、即ち測定
モードにおける端子間抵抗値ＲDRは数百ｋΩ以上にな
る。２端子半導体デバイス１０と金属酸化物半導体１２
は、図２に示すように並列に接続されている。従って、
２端子半導体デバイス１０が非導通状態（測定モード）
の場合には、 ＲDR 》 ＲS であり、熱線型半導体式ガスセンサ１の抵抗値Ｒは、金
属酸化物半導体１２の抵抗値にほぼ等しくなる。即ち、
測定モードにおいては、２端子半導体デバイス１０は、
金属酸化物半導体１２から電気的に切り離された状態に
あると見なすことができる。なお、加熱モードの時間を
２０μ秒、測定モードの時間を６５μ秒とした。また、
加熱モードにおいてガスセンサ１に印加する電圧を７．
５Ｖとした。このとき、ガスセンサ１を流れる電流は
０．１５Ａであった。また、測定モードにおいてガスセ
ンサ１に印加する電圧を３Ｖとした。このとき、ガスセ
ンサ１を流れる電流は１５０μＡであった。本発明の熱
線型半導体式ガスセンサは小型であり、しかも加熱モー
ドと測定モードを極めて短時間で切り替えるために、測
定モードのときでも、ガスセンサの温度低下が生じるこ
とがない。従って、高い精度でガス濃度の測定を行うこ
とができる。
き、金属酸化物半導体１２の端子間抵抗値ＲS は、ガス
吸着がない場合には約５．５ｋΩである。そして、１０
０ｐｐｍのエタノールガスを熱線型半導体式ガスセンサ
１に吸着させたとき、金属酸化物半導体１２の端子間抵
抗値は約１．８ｋΩに減少した。抵抗値の減少はガス濃
度に比例するのでガス濃度の測定が可能となる。導通状
態、即ち加熱モードにおける２端子半導体デバイス１０
の端子間抵抗値は数十Ωであり、非導通状態、即ち測定
モードにおける端子間抵抗値ＲDRは数百ｋΩ以上にな
る。２端子半導体デバイス１０と金属酸化物半導体１２
は、図２に示すように並列に接続されている。従って、
２端子半導体デバイス１０が非導通状態（測定モード）
の場合には、 ＲDR 》 ＲS であり、熱線型半導体式ガスセンサ１の抵抗値Ｒは、金
属酸化物半導体１２の抵抗値にほぼ等しくなる。即ち、
測定モードにおいては、２端子半導体デバイス１０は、
金属酸化物半導体１２から電気的に切り離された状態に
あると見なすことができる。なお、加熱モードの時間を
２０μ秒、測定モードの時間を６５μ秒とした。また、
加熱モードにおいてガスセンサ１に印加する電圧を７．
５Ｖとした。このとき、ガスセンサ１を流れる電流は
０．１５Ａであった。また、測定モードにおいてガスセ
ンサ１に印加する電圧を３Ｖとした。このとき、ガスセ
ンサ１を流れる電流は１５０μＡであった。本発明の熱
線型半導体式ガスセンサは小型であり、しかも加熱モー
ドと測定モードを極めて短時間で切り替えるために、測
定モードのときでも、ガスセンサの温度低下が生じるこ
とがない。従って、高い精度でガス濃度の測定を行うこ
とができる。
【００１９】図４に、本発明の熱線型半導体式ガスセン
サ１の駆動回路を示した。２端子半導体デバイス１０と
してツェナーダイオードを使用している。尚、熱線型半
導体式ガスセンサのセンサ素子としての金属酸化物半導
体１２の抵抗値測定には直流電源だけでなく交流電源を
使用することもできる。
サ１の駆動回路を示した。２端子半導体デバイス１０と
してツェナーダイオードを使用している。尚、熱線型半
導体式ガスセンサのセンサ素子としての金属酸化物半導
体１２の抵抗値測定には直流電源だけでなく交流電源を
使用することもできる。
【００２０】図１においては、熱線型半導体式ガスセン
サ１にリードワイヤ１４を設けたが、熱線型半導体式ガ
スセンサ１をリードレスにすることも可能である。
サ１にリードワイヤ１４を設けたが、熱線型半導体式ガ
スセンサ１をリードレスにすることも可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明の熱線型半導体式ガスセンサは、
２端子半導体デバイスを使用することにより小型化を図
れる。しかも、２端子半導体デバイスは加熱モードにお
いては加熱ヒータとして機能し、測定モードにおいては
センサ素子である金属酸化物半導体と電気的に切り離さ
れるので、ガスセンサの消費電力を少なくすることがで
き、電源としてバッテリーの使用が可能であり、携帯可
能なガス濃度測定装置を作製することができる。また、
従来の熱線型半導体式ガスセンサと比較してガス濃度の
測定を高精度で行うことができる。
２端子半導体デバイスを使用することにより小型化を図
れる。しかも、２端子半導体デバイスは加熱モードにお
いては加熱ヒータとして機能し、測定モードにおいては
センサ素子である金属酸化物半導体と電気的に切り離さ
れるので、ガスセンサの消費電力を少なくすることがで
き、電源としてバッテリーの使用が可能であり、携帯可
能なガス濃度測定装置を作製することができる。また、
従来の熱線型半導体式ガスセンサと比較してガス濃度の
測定を高精度で行うことができる。
【図１】本発明の熱線型半導体式ガスセンサの一部を破
断した斜視図である。
断した斜視図である。
【図２】図１に示す本発明のガスセンサの電気回路図で
ある。
ある。
【図３】２端子半導体デバイスのダイオード特性の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明のガスセンサの駆動回路を例示する回路
図である。
図である。
【図５】従来の熱線型半導体式ガスセンサの電気回路図
である。
である。
【図６】（Ａ）は従来の焼結体素子半導体ガスセンサを
示す斜視図であり、（Ｂ）はその電気回路図である。
示す斜視図であり、（Ｂ）はその電気回路図である。
１ 熱線型半導体式ガスセンサ
１０ ２端子半導体デバイス
１２ 金属酸化物半導体
１４ リードワイヤ
２０ センサ素子
２２ 貴金属線コイル
２４，２４’ 貴金属線電極
Claims (2)
- 【請求項１】２端子半導体デバイスと、該デバイスの表
面に付着させた金属酸化物半導体とから成ることを特徴
とする熱線型半導体式ガスセンサ。 - 【請求項２】２端子半導体デバイスは、ＰＮ接合ダイオ
ード、ＰＩＮダイオード、ツェナダイオード、発光ダイ
オード、バリスタ、又はサージ吸収素子から成ることを
特徴とする請求項１に記載の熱線型半導体式ガスセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20561291A JPH0526834A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 熱線型半導体式ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20561291A JPH0526834A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 熱線型半導体式ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0526834A true JPH0526834A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16509761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20561291A Pending JPH0526834A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 熱線型半導体式ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010223893A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20561291A patent/JPH0526834A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010223893A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
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