JPS6070782A - 発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6070782A JPS6070782A JP58179856A JP17985683A JPS6070782A JP S6070782 A JPS6070782 A JP S6070782A JP 58179856 A JP58179856 A JP 58179856A JP 17985683 A JP17985683 A JP 17985683A JP S6070782 A JPS6070782 A JP S6070782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- diffusion
- hole
- substrate
- lattice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Weting (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は特にプリンタヘッド等に好適な発光面の均一な
発光ダイオードの製造方法に関す己。
発光ダイオードの製造方法に関す己。
口）従来技術
一般に第１図に示すように選択拡散によりｐｎ接合＜１
６）を形成し、その拡散領域（１５）で発光させる場合
、この拡散領域（１５）に電極（１７）付けを行ない給
電を行なう。この場合、電極（１７）はウェハ全体にＭ
、極材料を蒸着し、所望部分を残し発光部が表面に現わ
れるようにフォトリングラフィ技術を用いる。そのエツ
チングにおいては、電極材料に対するエッチャントが化
合物半導体をも溶かず事が多く、例えば金糸電極に対す
るエラチャ〉１・（Ｅ ウ化力’））＋：ＬＧａＡＱＡ
ｓ系の半導体を、またアルミニウム系電極に対するエラ
チャンｌ−（リン酸系）はＧａＡｓＰ系の化合物半導体
をよく溶が４゜一方拡散による不純物濃度は拡散深さに
従って低濃度となり高抵抗であるから表面側の方が低抵
抗トナっている。従って電極（１７）のエンチングに伴
って半導体表面も溶かされて凹部（１１’）がでさると
、電流の流れ方が不均一（中央や電極他端部で電流が流
れにくい）となり、暗い表示となったり寿命が短かくな
る。これは直接目視する表万く器においては目立たない
が、カメラ等の表示やプリンタヘッドにおいては、その
発光状態によって対象物（フィルムや感光ドラム）が感
光するし、また特に光ブリンクにおいてはブリンクヘッ
ドが機器の心臓部なので寿命が短かいと不都合である。
６）を形成し、その拡散領域（１５）で発光させる場合
、この拡散領域（１５）に電極（１７）付けを行ない給
電を行なう。この場合、電極（１７）はウェハ全体にＭ
、極材料を蒸着し、所望部分を残し発光部が表面に現わ
れるようにフォトリングラフィ技術を用いる。そのエツ
チングにおいては、電極材料に対するエッチャントが化
合物半導体をも溶かず事が多く、例えば金糸電極に対す
るエラチャ〉１・（Ｅ ウ化力’））＋：ＬＧａＡＱＡ
ｓ系の半導体を、またアルミニウム系電極に対するエラ
チャンｌ−（リン酸系）はＧａＡｓＰ系の化合物半導体
をよく溶が４゜一方拡散による不純物濃度は拡散深さに
従って低濃度となり高抵抗であるから表面側の方が低抵
抗トナっている。従って電極（１７）のエンチングに伴
って半導体表面も溶かされて凹部（１１’）がでさると
、電流の流れ方が不均一（中央や電極他端部で電流が流
れにくい）となり、暗い表示となったり寿命が短かくな
る。これは直接目視する表万く器においては目立たない
が、カメラ等の表示やプリンタヘッドにおいては、その
発光状態によって対象物（フィルムや感光ドラム）が感
光するし、また特に光ブリンクにおいてはブリンクヘッ
ドが機器の心臓部なので寿命が短かいと不都合である。
ハ）発明の目的
本発明は一ヒ述の点を改良するためになされたものであ
る。
る。
二）発明の構成
本発明は拡散の時に生じるサイド拡散を利用することで
発光領域は従来通り広い領域を形成するが、その時のマ
スクを利用して少なくともエツチングする時に発光部を
Ｆｆ、数の微４’ｙ領域に分割して侵蝕を防ぐもので、
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
発光領域は従来通り広い領域を形成するが、その時のマ
スクを利用して少なくともエツチングする時に発光部を
Ｆｆ、数の微４’ｙ領域に分割して侵蝕を防ぐもので、
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
ホ）実施例
第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明実施例の発光ダイオー
ドの製造方法を説明する工程図である。まず第２区＜ａ
）に示すように化合物半導体の基板（１）を準備するが
、例きしてＧａＡｓ上に積層されたＧａＡｓｐを用いプ
リンタ用ヘッド（発光部は一辺５０μｍの角形）の製造
をする場合として説明する。
ドの製造方法を説明する工程図である。まず第２区＜ａ
）に示すように化合物半導体の基板（１）を準備するが
、例きしてＧａＡｓ上に積層されたＧａＡｓｐを用いプ
リンタ用ヘッド（発光部は一辺５０μｍの角形）の製造
をする場合として説明する。
この基板（１）上に選択拡散用のマスク（２〉を設（づ
るが、同図（ｂ）に示すようにマスク（２）の透孔（３
）には格子（４）が設けである。この格子（４）は透孔
（３）を複数領域に分割するもので、ストライプ状又は
＃指状をなした拡散マスク剤で形成しであるが、その巾
（Ｗ＞はサイド拡散長より狭い巾となっている。ここに
サイド拡散とは、マスクの透孔の太き・さに対し、基板
表面側で拡散法がりを呈し、透孔より大きい面積で拡散
される現象かあり、その時マスクの下にある拡散領域を
筈う。
るが、同図（ｂ）に示すようにマスク（２）の透孔（３
）には格子（４）が設けである。この格子（４）は透孔
（３）を複数領域に分割するもので、ストライプ状又は
＃指状をなした拡散マスク剤で形成しであるが、その巾
（Ｗ＞はサイド拡散長より狭い巾となっている。ここに
サイド拡散とは、マスクの透孔の太き・さに対し、基板
表面側で拡散法がりを呈し、透孔より大きい面積で拡散
される現象かあり、その時マスクの下にある拡散領域を
筈う。
従ってこの透孔（３）から拡散を行なった場合、同図（
Ｃ）に示すように拡散領域（５）は互いに連接しあい、
連続したｐｎ接合（６）が得られる。例えは７００°ｃ
−ｃｐ型不純物を２時間拡散した場合１ザイド拡散が行
なわれるので、そのサイド拡散長（２ザイド拡散長）は
約５μｍである。従っ〔上述の格子く４）の１１］りＷ
）は５μｍ以下であれはＪ：いが、歩留まりや発光量を
考慮すると８０％舅、ｌ”（４ａｍ以下）が好ましい。
Ｃ）に示すように拡散領域（５）は互いに連接しあい、
連続したｐｎ接合（６）が得られる。例えは７００°ｃ
−ｃｐ型不純物を２時間拡散した場合１ザイド拡散が行
なわれるので、そのサイド拡散長（２ザイド拡散長）は
約５μｍである。従っ〔上述の格子く４）の１１］りＷ
）は５μｍ以下であれはＪ：いが、歩留まりや発光量を
考慮すると８０％舅、ｌ”（４ａｍ以下）が好ましい。
統いて第２図（ｄ）に示すように全面にアルミ−ラム又
はアルミ合金からなる電極膜（７）を蒸着し、同図（ｄ
）に示ずようにエンーＪ−ングマスク（８）を設けてリ
ン酸系エッチャントで電極膜（７）’ｓ−エツチングす
る。（同図（ｆ）参照）その後工／グ−ングマスク（８
）除去、オーミ・／り化処理等を行なうか、上述の工程
のうち電極膜（７）のエツチングでは拡散用のマスク（
２）の格子（４〉によって基板（１〉の表面は露出部分
が小きく区切られているので、エッチャントによる基板
の侵蝕量は極めて小きい。マスク（２〉の格子（４ンは
後工程で除去し一〇もよいし、発光波長に対し透明であ
れば表面保護用に残しておいてもよい。
はアルミ合金からなる電極膜（７）を蒸着し、同図（ｄ
）に示ずようにエンーＪ−ングマスク（８）を設けてリ
ン酸系エッチャントで電極膜（７）’ｓ−エツチングす
る。（同図（ｆ）参照）その後工／グ−ングマスク（８
）除去、オーミ・／り化処理等を行なうか、上述の工程
のうち電極膜（７）のエツチングでは拡散用のマスク（
２）の格子（４〉によって基板（１〉の表面は露出部分
が小きく区切られているので、エッチャントによる基板
の侵蝕量は極めて小きい。マスク（２〉の格子（４ンは
後工程で除去し一〇もよいし、発光波長に対し透明であ
れば表面保護用に残しておいてもよい。
へ）発明の効果
以上の如く本発明は化合物半導体の表面に透孔を有した
マスクを設け、そのマスクの透孔を通して選択拡散する
ことによりｐ ＋１接合を形成する発光ダイオードの製
造方法において、前記マスクの透孔はサイド拡散長より
狭い１〕の格子を崩しているものであるから、連続した
ｐ ｎ接合の広い発光領域を具備しなから、後工程で表
面を侵蝕され発光量が不拘−又は低下することなく、ま
た寿命が短かくなることもない。
マスクを設け、そのマスクの透孔を通して選択拡散する
ことによりｐ ＋１接合を形成する発光ダイオードの製
造方法において、前記マスクの透孔はサイド拡散長より
狭い１〕の格子を崩しているものであるから、連続した
ｐ ｎ接合の広い発光領域を具備しなから、後工程で表
面を侵蝕され発光量が不拘−又は低下することなく、ま
た寿命が短かくなることもない。
第１図は従来の製造方法による発光ダイオードの断面図
、第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明実施例の発光ダイオ
ードの製造方法を説明する工程図である。 （１）・・（化合物半導体の）基板、（２）・ （拡散
用の）マスク、（３〉・・透孔、（４）・・格子、（５
） ・拡散領域、（６ン ｐｎ接合、（７）・・電極膜
、（１３）エツチングマスク。
、第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明実施例の発光ダイオ
ードの製造方法を説明する工程図である。 （１）・・（化合物半導体の）基板、（２）・ （拡散
用の）マスク、（３〉・・透孔、（４）・・格子、（５
） ・拡散領域、（６ン ｐｎ接合、（７）・・電極膜
、（１３）エツチングマスク。
Claims (1)
- １〉化合物半導体の表面に透孔を有したマスクを設け、
そのマスクの透孔を通して選択拡散することによりｐｎ
接合を形成する発光ダイオードの製造方法において、前
記マスクの透孔はザイド拡散長より狭い巾の格子を有し
ている事を特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179856A JPS6070782A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179856A JPS6070782A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070782A true JPS6070782A (ja) | 1985-04-22 |
Family
ID=16073107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58179856A Pending JPS6070782A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161479A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| US4956684A (en) * | 1987-09-24 | 1990-09-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Printer head with light emitting element array |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915367A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-02-09 | ||
| JPS5114239A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-02-04 | Ibm | |
| JPS5856370A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58179856A patent/JPS6070782A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915367A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-02-09 | ||
| JPS5114239A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-02-04 | Ibm | |
| JPS5856370A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161479A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| US4956684A (en) * | 1987-09-24 | 1990-09-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Printer head with light emitting element array |
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