JPH06169104A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPH06169104A JPH06169104A JP34162692A JP34162692A JPH06169104A JP H06169104 A JPH06169104 A JP H06169104A JP 34162692 A JP34162692 A JP 34162692A JP 34162692 A JP34162692 A JP 34162692A JP H06169104 A JPH06169104 A JP H06169104A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光ダイオードアレイを長寿命化・高出力化
させる。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＧａＡｓＰ
層１２をＶＰＥにて成長させる。次に、封管法にてＺｎ
を拡散し、表面にｐ型ＧａＡｓＰ層１３を形成する。そ
して、発光部分の並ぶアレイ方向が＜０ −１ １＞方
向になるように、フォトレジストをパターニングしてこ
れをマスクとし、リン酸過水を用いてエッチングし、ｐ
ｎ接合面１４よりも深い溝を形成する。このとき、アレ
イ方向と平行に形成される＜０ −１ １＞方向の溝は
順メサ形状となり、各発光部分間の＜０ １ １＞方向
の溝は発光面からｐｎ接合面１４までが順メサ形状で、
それより深い部分が逆メサ形状となってｐｎ接合面１４
が広くなる。この結果、ｐｎ接合面１４での抵抗、発熱
を少なくすることができる。
させる。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＧａＡｓＰ
層１２をＶＰＥにて成長させる。次に、封管法にてＺｎ
を拡散し、表面にｐ型ＧａＡｓＰ層１３を形成する。そ
して、発光部分の並ぶアレイ方向が＜０ −１ １＞方
向になるように、フォトレジストをパターニングしてこ
れをマスクとし、リン酸過水を用いてエッチングし、ｐ
ｎ接合面１４よりも深い溝を形成する。このとき、アレ
イ方向と平行に形成される＜０ −１ １＞方向の溝は
順メサ形状となり、各発光部分間の＜０ １ １＞方向
の溝は発光面からｐｎ接合面１４までが順メサ形状で、
それより深い部分が逆メサ形状となってｐｎ接合面１４
が広くなる。この結果、ｐｎ接合面１４での抵抗、発熱
を少なくすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モノリシック発光ダイ
オードアレイなどの半導体発光装置に関するものであ
る。
オードアレイなどの半導体発光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、発光ダイオードアレイは、デ
ィスプレイ装置やＬＥＤプリンタ装置の光源として使用
されるなど各種装置に使用されている。そして、単結晶
基板上にエピタキシャル成長させた各層からなる化合物
半導体の表面に複数の発光部分（発光ダイオード部）を
列状に形成したモノリシック発光ダイオードアレイで
は、それぞれの発光部分が、選択拡散法やメサ型エッチ
ング法などによって各々分離されている。そして、例え
ば、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓＰ層をエピタキシャル成
長させた化合物半導体の発光部分の分離を選択拡散法に
よって行う場合は、エピタキシャル成長されたＧａＡｓ
Ｐ層の各発光部分の境界部分にＺｎを拡散する方法が多
く採られているが、この方法は、拡散マスクとＧａＡｓ
Ｐ層表面との界面にＺｎが拡散しやすく、製造歩留まり
が悪くなるという欠点があった。
ィスプレイ装置やＬＥＤプリンタ装置の光源として使用
されるなど各種装置に使用されている。そして、単結晶
基板上にエピタキシャル成長させた各層からなる化合物
半導体の表面に複数の発光部分（発光ダイオード部）を
列状に形成したモノリシック発光ダイオードアレイで
は、それぞれの発光部分が、選択拡散法やメサ型エッチ
ング法などによって各々分離されている。そして、例え
ば、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓＰ層をエピタキシャル成
長させた化合物半導体の発光部分の分離を選択拡散法に
よって行う場合は、エピタキシャル成長されたＧａＡｓ
Ｐ層の各発光部分の境界部分にＺｎを拡散する方法が多
く採られているが、この方法は、拡散マスクとＧａＡｓ
Ｐ層表面との界面にＺｎが拡散しやすく、製造歩留まり
が悪くなるという欠点があった。
【０００３】そこで、基板表面に凹凸を形成して各発光
部分を分離するメサ型エッチング法が多く用いられてい
る。このメサ型エッチング法を図４〜図６と共に説明す
る。図４は従来の発光ダイオードアレイを示す斜視図、
図５はそのＡ−Ａ断面を示す一部拡大図、図６は同じく
Ｂ−Ｂ断面を示す一部拡大図である。
部分を分離するメサ型エッチング法が多く用いられてい
る。このメサ型エッチング法を図４〜図６と共に説明す
る。図４は従来の発光ダイオードアレイを示す斜視図、
図５はそのＡ−Ａ断面を示す一部拡大図、図６は同じく
Ｂ−Ｂ断面を示す一部拡大図である。
【０００４】図４に示す発光ダイオードアレイは、（１
０ ０）ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＶＰＥ（気相成長
法）などによりｎ型ＧａＡｓＰ層２をエピタキシャル成
長させ、このｎ型ＧａＡｓＰ層２に、封管法によりＺｎ
を拡散してｐ型ＧａＡｓＰ層３を形成する。そして、こ
の上にＳｉＯ2 、ＳｉＮ等のエッチングマスクを設け
て、図のような結晶軸の方向にアレイを形成するように
パターニングしたのち、硫酸系のエッチャントを使用し
てｐｎ接合面４よりも深くエッチングを行うと図５，図
６のようにエッチングされて各発光部分が分離される。
０ ０）ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＶＰＥ（気相成長
法）などによりｎ型ＧａＡｓＰ層２をエピタキシャル成
長させ、このｎ型ＧａＡｓＰ層２に、封管法によりＺｎ
を拡散してｐ型ＧａＡｓＰ層３を形成する。そして、こ
の上にＳｉＯ2 、ＳｉＮ等のエッチングマスクを設け
て、図のような結晶軸の方向にアレイを形成するように
パターニングしたのち、硫酸系のエッチャントを使用し
てｐｎ接合面４よりも深くエッチングを行うと図５，図
６のようにエッチングされて各発光部分が分離される。
【０００５】一般に、III −Ｖ族化合物半導体結晶はエ
ッチング方向に異方性が強く存在し、（１ ０ ０）面
を＜０ １ １＞方向の溝を形成するようにメサエッチ
ングすると、その溝の側面の稜角は鋭角（逆メサ）とな
り、＜０ −１ １＞方向の溝を形成するようにメサエ
ッチングすると、その溝の側面の稜角は鈍角（順メサ）
となる。したがって、この例では、発光部分の並ぶ列方
向（アレイ方向）の結晶軸が＜０ −１ １＞方向であ
るので、この列と平行方向にエッチングされる溝は図６
に示すように順メサ型のエッチング溝となり、この溝と
垂直方向では、結晶軸が＜０ １ １＞方向であるの
で、各発光部分を分離するためにその間にエッチングさ
れる溝は、図５に示すように逆メサ型のエッチング溝と
なる。そして、全体にＳｉＯ2 、ＳｉＮ等の保護膜５を
設けて、発光面上の電極コンタクト部分にスルーホール
６を設けた後、Ａｌ等のオーミック電極７を順メサ型の
エッチング溝上を這うように（アレイ方向とは垂直方向
に）して引き出している。さらに、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等
の保護膜８を表面全体に付けてから、ｎ型ＧａＡｓ基板
１の裏面側を研磨して、ｎ型電極９を取り付ける。な
お、電極７を順メサ型のエッチング溝上に配線するの
は、逆メサ型のエッチング溝上に金属を蒸着すると断切
れを生じる恐れがあるからである。
ッチング方向に異方性が強く存在し、（１ ０ ０）面
を＜０ １ １＞方向の溝を形成するようにメサエッチ
ングすると、その溝の側面の稜角は鋭角（逆メサ）とな
り、＜０ −１ １＞方向の溝を形成するようにメサエ
ッチングすると、その溝の側面の稜角は鈍角（順メサ）
となる。したがって、この例では、発光部分の並ぶ列方
向（アレイ方向）の結晶軸が＜０ −１ １＞方向であ
るので、この列と平行方向にエッチングされる溝は図６
に示すように順メサ型のエッチング溝となり、この溝と
垂直方向では、結晶軸が＜０ １ １＞方向であるの
で、各発光部分を分離するためにその間にエッチングさ
れる溝は、図５に示すように逆メサ型のエッチング溝と
なる。そして、全体にＳｉＯ2 、ＳｉＮ等の保護膜５を
設けて、発光面上の電極コンタクト部分にスルーホール
６を設けた後、Ａｌ等のオーミック電極７を順メサ型の
エッチング溝上を這うように（アレイ方向とは垂直方向
に）して引き出している。さらに、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等
の保護膜８を表面全体に付けてから、ｎ型ＧａＡｓ基板
１の裏面側を研磨して、ｎ型電極９を取り付ける。な
お、電極７を順メサ型のエッチング溝上に配線するの
は、逆メサ型のエッチング溝上に金属を蒸着すると断切
れを生じる恐れがあるからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の発光ダイオード
アレイは、各発光部分を分離する溝が、図５に示すよう
な逆メサ形状のエッチング溝であるので、エッチング溝
を深くするほど各発光部分のｐｎ接合面での電流通過面
積が小さくなって抵抗が大きくなり、その結果発光出力
が低下する。特に、１０μｍ程度の狭ピッチで発光部分
が形成された発光ダイオードアレイでは、１ドットあた
り数ｍＡの電流を流しただけで異常な高電流密度とな
り、この結果生じる発熱により、数百時間の寿命しか得
られなかった。そこで本発明は、ｐｎ接合面での電流通
過面積を大きくして、各発光部分の抵抗を小さくした半
導体発光装置及びその製造方法を提供することにより、
狭ピッチで発光部分が形成された発光ダイオードアレイ
を長寿命化・高出力化させることを目的とする。
アレイは、各発光部分を分離する溝が、図５に示すよう
な逆メサ形状のエッチング溝であるので、エッチング溝
を深くするほど各発光部分のｐｎ接合面での電流通過面
積が小さくなって抵抗が大きくなり、その結果発光出力
が低下する。特に、１０μｍ程度の狭ピッチで発光部分
が形成された発光ダイオードアレイでは、１ドットあた
り数ｍＡの電流を流しただけで異常な高電流密度とな
り、この結果生じる発熱により、数百時間の寿命しか得
られなかった。そこで本発明は、ｐｎ接合面での電流通
過面積を大きくして、各発光部分の抵抗を小さくした半
導体発光装置及びその製造方法を提供することにより、
狭ピッチで発光部分が形成された発光ダイオードアレイ
を長寿命化・高出力化させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体
からなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体
発光装置において、前記複数の発光部分が並ぶアレイ方
向と平行方向に形成された溝は順メサ形状に形成され、
隣合う前記各発光部分を分離する溝は前記各発光部分の
発光面から前記ｐｎ接合面までは順メサ形状で前記ｐｎ
接合面よりも深い部分は逆メサ形状に形成されているこ
とを特徴とする半導体発光装置、及び、基板上にｐｎ接
合を有する化合物半導体からなる複数の発光部分を列状
に形成する半導体発光装置の製造方法であって、基板上
にｐｎ接合を有する化合物半導体を形成する工程と、リ
ン酸過水またはその水溶液にてエッチングを行って、前
記複数の発光部分が並ぶアレイ方向と平行方向に順メサ
形状の溝を形成するとともに隣合う前記アレイ方向と垂
直方向に前記各発光部分の発光面から前記ｐｎ接合面ま
では順メサ形状で前記ｐｎ接合面よりも深い部分は逆メ
サ形状の溝を形成して前記各発光部分を分離する工程
と、前記各発光部分にそれぞれ電極を設ける工程とより
なることを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供
しようとするものである。
の手段として、基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体
からなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体
発光装置において、前記複数の発光部分が並ぶアレイ方
向と平行方向に形成された溝は順メサ形状に形成され、
隣合う前記各発光部分を分離する溝は前記各発光部分の
発光面から前記ｐｎ接合面までは順メサ形状で前記ｐｎ
接合面よりも深い部分は逆メサ形状に形成されているこ
とを特徴とする半導体発光装置、及び、基板上にｐｎ接
合を有する化合物半導体からなる複数の発光部分を列状
に形成する半導体発光装置の製造方法であって、基板上
にｐｎ接合を有する化合物半導体を形成する工程と、リ
ン酸過水またはその水溶液にてエッチングを行って、前
記複数の発光部分が並ぶアレイ方向と平行方向に順メサ
形状の溝を形成するとともに隣合う前記アレイ方向と垂
直方向に前記各発光部分の発光面から前記ｐｎ接合面ま
では順メサ形状で前記ｐｎ接合面よりも深い部分は逆メ
サ形状の溝を形成して前記各発光部分を分離する工程
と、前記各発光部分にそれぞれ電極を設ける工程とより
なることを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供
しようとするものである。
【０００８】
【作用】発光ダイオードアレイの発光部分の並ぶアレイ
方向と平行方向にエッチングされる溝が順メサ型のエッ
チング溝のままで、各発光部分を分離する溝がｐｎ接合
面を広くする形状であれば、上記した課題は解決する。
Ｚｎを拡散したｎ型ＧａＡｓＰ半導体を、リン酸と過酸
化水素水を混合したリン酸過水またはその水溶液でエッ
チングすると、＜０ −１ １＞方向にエッチングされ
る溝は順メサ型のエッチング溝となり、＜０ １ １＞
方向にエッチングされる溝はＺｎを拡散したｐ型部分で
は順メサ形状となり、ｎ型部分では逆メサ形状のエッチ
ング溝となることが判った。したがって、各発光部分を
分離する溝が＜０ １ １＞方向と平行になるようにし
て上記した方法によりエッチングすれば、各発光部分を
分離する溝は、発光面からｐｎ接合面までが順メサ形状
で、それより深い部分が逆メサ形状となってｐｎ接合面
が広くなる。
方向と平行方向にエッチングされる溝が順メサ型のエッ
チング溝のままで、各発光部分を分離する溝がｐｎ接合
面を広くする形状であれば、上記した課題は解決する。
Ｚｎを拡散したｎ型ＧａＡｓＰ半導体を、リン酸と過酸
化水素水を混合したリン酸過水またはその水溶液でエッ
チングすると、＜０ −１ １＞方向にエッチングされ
る溝は順メサ型のエッチング溝となり、＜０ １ １＞
方向にエッチングされる溝はＺｎを拡散したｐ型部分で
は順メサ形状となり、ｎ型部分では逆メサ形状のエッチ
ング溝となることが判った。したがって、各発光部分を
分離する溝が＜０ １ １＞方向と平行になるようにし
て上記した方法によりエッチングすれば、各発光部分を
分離する溝は、発光面からｐｎ接合面までが順メサ形状
で、それより深い部分が逆メサ形状となってｐｎ接合面
が広くなる。
【０００９】
【実施例】本発明の半導体発光装置及びその製造方法を
図面と共に説明する。図１は、本発明の半導体発光装置
の一実施例である発光ダイオードアレイを示す斜視図で
あり、図２はそのＡ−Ａ断面を示す一部拡大図、図３は
そのＢ−Ｂ断面を示す一部拡大図である。まず、この発
光ダイオードアレイの製造方法を図面を参照しながら以
下に説明する。（１ ０ ０）ｎ型ＧａＡｓ基板１１上
に、ｎ型ＧａＡｓＰ層１２をＶＰＥ（気相成長法）にて
８０μｍ成長させる。次に、封管法にてＺｎを拡散し、
表面から２μｍの深さまでｐ型ＧａＡｓＰ層（拡散層）
１３を形成する。そして、発光部分の並ぶ列方向（アレ
イ方向）が＜０ −１ １＞方向の結晶軸と平行になる
ように、そのアレイ方向と各発光部分を分離するための
アレイ方向と垂直な方向に溝を形成するためのフォトレ
ジストをパターニングしてこれをマスクとし、ｎ型Ｇａ
ＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との境界面である
ｐｎ接合面１４よりも深い溝を形成するために、表面か
ら３μｍの深さまでリン酸過水を用いてエッチングする
と、アレイ方向と平行に形成される＜０ −１ １＞方
向の溝は図３に示すように順メサ形状となり、各発光部
分間の＜０ １ １＞方向の溝は図２に示すように発光
面からｐｎ接合面１４までが順メサ形状で、それより深
い部分が逆メサ形状となってｐｎ接合面１４が広くな
る。
図面と共に説明する。図１は、本発明の半導体発光装置
の一実施例である発光ダイオードアレイを示す斜視図で
あり、図２はそのＡ−Ａ断面を示す一部拡大図、図３は
そのＢ−Ｂ断面を示す一部拡大図である。まず、この発
光ダイオードアレイの製造方法を図面を参照しながら以
下に説明する。（１ ０ ０）ｎ型ＧａＡｓ基板１１上
に、ｎ型ＧａＡｓＰ層１２をＶＰＥ（気相成長法）にて
８０μｍ成長させる。次に、封管法にてＺｎを拡散し、
表面から２μｍの深さまでｐ型ＧａＡｓＰ層（拡散層）
１３を形成する。そして、発光部分の並ぶ列方向（アレ
イ方向）が＜０ −１ １＞方向の結晶軸と平行になる
ように、そのアレイ方向と各発光部分を分離するための
アレイ方向と垂直な方向に溝を形成するためのフォトレ
ジストをパターニングしてこれをマスクとし、ｎ型Ｇａ
ＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との境界面である
ｐｎ接合面１４よりも深い溝を形成するために、表面か
ら３μｍの深さまでリン酸過水を用いてエッチングする
と、アレイ方向と平行に形成される＜０ −１ １＞方
向の溝は図３に示すように順メサ形状となり、各発光部
分間の＜０ １ １＞方向の溝は図２に示すように発光
面からｐｎ接合面１４までが順メサ形状で、それより深
い部分が逆メサ形状となってｐｎ接合面１４が広くな
る。
【００１０】その後、フォトレジストを除去してからプ
ラズマＣＶＤにてＳｉＮの保護膜１５を1000Ａ（オング
ストローム）の厚さに付けて各発光部分の発光面にスル
ーホール１６をプラズマエッチングにより形成し、さら
に蒸着法によりＡｌ１７を8000Ａの厚さに付ける。さら
に、このＡｌ１７上に電極配線のパターンをフォトレジ
ストでパターニングし、これをマスクとして塩素系ガス
でＡｌ１７をプラズマエッチングしてからフォトレジス
トを除去することにより、アレイ方向と平行に設けられ
た順メサ形状の溝を通って引き出されるｐ型電極を形成
する。その後、表面全体にＳｉＮの保護膜１８を付け
る。最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨してか
らＡｕＧｅＮｉ合金１９を5000Ａ蒸着、熱処理してｎ型
電極を形成することにより、図１に示すような発光ダイ
オードアレイを製造することができる。
ラズマＣＶＤにてＳｉＮの保護膜１５を1000Ａ（オング
ストローム）の厚さに付けて各発光部分の発光面にスル
ーホール１６をプラズマエッチングにより形成し、さら
に蒸着法によりＡｌ１７を8000Ａの厚さに付ける。さら
に、このＡｌ１７上に電極配線のパターンをフォトレジ
ストでパターニングし、これをマスクとして塩素系ガス
でＡｌ１７をプラズマエッチングしてからフォトレジス
トを除去することにより、アレイ方向と平行に設けられ
た順メサ形状の溝を通って引き出されるｐ型電極を形成
する。その後、表面全体にＳｉＮの保護膜１８を付け
る。最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨してか
らＡｕＧｅＮｉ合金１９を5000Ａ蒸着、熱処理してｎ型
電極を形成することにより、図１に示すような発光ダイ
オードアレイを製造することができる。
【００１１】そして、このような構造の発光ダイオード
アレイは、各発光部分のｐｎ接合面１４での電流通過面
積が大きいので、ここでの抵抗が低くなり発光出力を向
上させることができる。また、ｐｎ接合面１４での抵抗
が低ので、狭ピッチで発光部分を形成しても発熱が大き
くならず、長寿命化させることができる。さらに、各発
光部分のｐｎ接合面１４よりも下の部分が逆メサ形状と
なっているので、ｐｎ接合面１４から下側に発光する光
もこの面で反射して発光面から取り出すことができる。
そして、これらの結果、実用に絶え得るより狭ピッチの
発光ダイオードアレイを製造することが可能となる。な
お、上記各実施例で使用したＧａＡｓＰ以外の化合物半
導体材料による半導体発光装置においても応用可能であ
る。
アレイは、各発光部分のｐｎ接合面１４での電流通過面
積が大きいので、ここでの抵抗が低くなり発光出力を向
上させることができる。また、ｐｎ接合面１４での抵抗
が低ので、狭ピッチで発光部分を形成しても発熱が大き
くならず、長寿命化させることができる。さらに、各発
光部分のｐｎ接合面１４よりも下の部分が逆メサ形状と
なっているので、ｐｎ接合面１４から下側に発光する光
もこの面で反射して発光面から取り出すことができる。
そして、これらの結果、実用に絶え得るより狭ピッチの
発光ダイオードアレイを製造することが可能となる。な
お、上記各実施例で使用したＧａＡｓＰ以外の化合物半
導体材料による半導体発光装置においても応用可能であ
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置は、複数の発光
部分が並ぶアレイ方向と平行方向に形成された溝は順メ
サ形状に形成され、隣合う各発光部分を分離する溝は各
発光部分の発光面からｐｎ接合面までは順メサ形状でｐ
ｎ接合面よりも深い部分は逆メサ形状に形成されている
ので、各発光部分のｐｎ接合面での電流通過面積を大き
くすることができ、抵抗の増加による発光出力の低下を
防ぐことができる。また、ｐｎ接合面での抵抗を低く押
さえられる結果、狭ピッチで発光部分を形成しても発熱
が大きくならないので、長寿命化・高出力化させること
ができる。そして、本発明の半導体発光装置の製造方法
により、上記したような効果の得られる半導体発光装置
を簡単に製造することができ、より狭ピッチの発光ダイ
オードアレイを製造することができるという効果があ
る。
部分が並ぶアレイ方向と平行方向に形成された溝は順メ
サ形状に形成され、隣合う各発光部分を分離する溝は各
発光部分の発光面からｐｎ接合面までは順メサ形状でｐ
ｎ接合面よりも深い部分は逆メサ形状に形成されている
ので、各発光部分のｐｎ接合面での電流通過面積を大き
くすることができ、抵抗の増加による発光出力の低下を
防ぐことができる。また、ｐｎ接合面での抵抗を低く押
さえられる結果、狭ピッチで発光部分を形成しても発熱
が大きくならないので、長寿命化・高出力化させること
ができる。そして、本発明の半導体発光装置の製造方法
により、上記したような効果の得られる半導体発光装置
を簡単に製造することができ、より狭ピッチの発光ダイ
オードアレイを製造することができるという効果があ
る。
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１に示す本発明の一実施例のＡ−Ａ断面を示
す一部拡大図である。
す一部拡大図である。
【図３】図１に示す本発明の一実施例のＢ−Ｂ断面を示
す一部拡大図である。
す一部拡大図である。
【図４】従来の半導体発光装置の例を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】図４に示す従来例のＡ−Ａ断面を示す一部拡大
図である。
図である。
【図６】図４に示す従来例のＢ−Ｂ断面を示す一部拡大
図である。
図である。
１，１１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２，１２ ｎ型ＧａＡｓＰ層 ３，１３ ｐ型ＧａＡｓＰ層（拡散層） ４，１４ ｐｎ接合面 ５，８，１５，１８ 保護膜 ６，１６ スルーホール ７，９，１７，１９ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体か
らなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体発
光装置において、 前記複数の発光部分が並ぶアレイ方向と平行方向に形成
された溝は順メサ形状に形成され、 隣合う前記各発光部分を分離する溝は前記各発光部分の
発光面から前記ｐｎ接合面までは順メサ形状で前記ｐｎ
接合面よりも深い部分は逆メサ形状に形成されているこ
とを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体か
らなる複数の発光部分を列状に形成する半導体発光装置
の製造方法であって、 基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体を形成する工程
と、 リン酸過水またはその水溶液にてエッチングを行って、
前記複数の発光部分が並ぶアレイ方向と平行方向に順メ
サ形状の溝を形成するとともに隣合う前記アレイ方向と
垂直方向に前記各発光部分の発光面から前記ｐｎ接合面
までは順メサ形状で前記ｐｎ接合面よりも深い部分は逆
メサ形状の溝を形成して前記各発光部分を分離する工程
と、 前記各発光部分にそれぞれ電極を設ける工程とよりなる
ことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34162692A JPH06169104A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US08/112,669 US5406095A (en) | 1992-08-27 | 1993-08-26 | Light emitting diode array and production method of the light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34162692A JPH06169104A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169104A true JPH06169104A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18347549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34162692A Pending JPH06169104A (ja) | 1992-08-27 | 1992-11-27 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06169104A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236065B1 (en) | 1994-08-25 | 2001-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode array and method for fabricating the same |
| EP1141990A4 (en) * | 1998-10-21 | 2005-02-09 | Sarnoff Corp | WAVELENGTH CONVERTING APPARATUS USING LUMINOPHORES WITH LIGHT EMITTING DIODES |
| CN101863452A (zh) * | 2010-06-10 | 2010-10-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP34162692A patent/JPH06169104A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236065B1 (en) | 1994-08-25 | 2001-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode array and method for fabricating the same |
| EP1141990A4 (en) * | 1998-10-21 | 2005-02-09 | Sarnoff Corp | WAVELENGTH CONVERTING APPARATUS USING LUMINOPHORES WITH LIGHT EMITTING DIODES |
| CN101863452A (zh) * | 2010-06-10 | 2010-10-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 |
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