JPS607096A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPS607096A JPS607096A JP58113714A JP11371483A JPS607096A JP S607096 A JPS607096 A JP S607096A JP 58113714 A JP58113714 A JP 58113714A JP 11371483 A JP11371483 A JP 11371483A JP S607096 A JPS607096 A JP S607096A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- antenna
- heating device
- high frequency
- heating chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はたとえば１．Ｓ、Ｍ、（工業、科学、医事用）
周波数帯の一つである９ １５ ＭＨｚ帯を使用した高
周波加熱装置にかかり、特に反射電力に弱いトランジス
タ等の固体能動素子からなる高周波発生装置を使用した
場合の加熱室の改善に関するものである。
周波数帯の一つである９ １５ ＭＨｚ帯を使用した高
周波加熱装置にかかり、特に反射電力に弱いトランジス
タ等の固体能動素子からなる高周波発生装置を使用した
場合の加熱室の改善に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年トランジスタ技術の進歩に伴ない、従来広く使用さ
れＣ米たマグネトロンに代り高周波発生装置をトランジ
スタ等の固体能動素子で構成し、低電圧化、軽万４小型
化、長寿命化をはかることか検問されている。従来高周
波加熱装置として広く民生用に用いられている電子レン
ジの場合、そのほとんどか、Ｉ、Ｓ、Ｍ、周波数の１つ
である２４５０ＭＨｚを使している。しかしなから、ト
ランジスタの能力は一般に使用周波数ｆの１乗から２乗
に比例して低下すると言われ、２４５０ＭＨｚで大出力
、高効率の１〜ランジスタを作ることは困難か大きい。
れＣ米たマグネトロンに代り高周波発生装置をトランジ
スタ等の固体能動素子で構成し、低電圧化、軽万４小型
化、長寿命化をはかることか検問されている。従来高周
波加熱装置として広く民生用に用いられている電子レン
ジの場合、そのほとんどか、Ｉ、Ｓ、Ｍ、周波数の１つ
である２４５０ＭＨｚを使している。しかしなから、ト
ランジスタの能力は一般に使用周波数ｆの１乗から２乗
に比例して低下すると言われ、２４５０ＭＨｚで大出力
、高効率の１〜ランジスタを作ることは困難か大きい。
従ってトランジスタ化をはかるＫは、現在の技術をもっ
てしてももう１つの１．Ｓ、Ｍ０周波数帯である９ １
５ ＭＨｚ帯という低い周波数を使わざるを得ないのが
現状である。
てしてももう１つの１．Ｓ、Ｍ０周波数帯である９ １
５ ＭＨｚ帯という低い周波数を使わざるを得ないのが
現状である。
ところか、本発明にかかる９ １５ ＭＨｚ帯の周波数
を利用し、トランジスタ等の固体能動素子で構成した高
周波発生装置を使用した場合、第１図に示すように、高
周波発生装＠１と加熱室２へ電波を放出するアンテナ３
の間にザーキュレーク４と無反射終端５を介在させる構
成を収るのが一般的であった。このようにマグネ）ｏン
で２４５０ＭＨｚを使用した高周波加熱装置では一般に
使用され々い。サーキュレータといつだ高価な部品を使
うのけ、次の２つの理由による０ まず第１の理由は本発明にかかる９ １５ ＭＨｚとい
う周波数が２４５０ ＭＨｚに対して波長か約３倍で、
自由空間波長でいえば３３ｃｍもあり、本発明にかかる
一般民生用の高周波加熱装置の場合、その加熱室の大き
さに波長がほぼ対応することにある。このだめ、２４５
０ ＭＨｚに比較しＣ１加熱室２で共振可能なモード数
か大巾に減少し、従一つで被加熱物である負荷が変動す
るとアンテナＣ１’→５加熱室２側を見たインピーダン
スか大巾に変動する。従って加熱室２を設計する際は、
できるだけ広い範囲の負荷に対してインピーダンス整合
の収れるよう工夫はするが、一般に空や空に近い軽負荷
状態まで、定在波比を低く抑えることは困難である。こ
のため、こうした軽負荷時には、はとんどの電波が反射
することになる。これに対し、トランジスタを用いた高
周波加熱装置は、マグネトロン以」二に反射電力に弱く
、従つ’Ｃサーキ１．レータ４を用いて反射電力を無反
射終端５へ吸収させ、高周波発生装置１へ戻らないよう
にするためである。
を利用し、トランジスタ等の固体能動素子で構成した高
周波発生装置を使用した場合、第１図に示すように、高
周波発生装＠１と加熱室２へ電波を放出するアンテナ３
の間にザーキュレーク４と無反射終端５を介在させる構
成を収るのが一般的であった。このようにマグネ）ｏン
で２４５０ＭＨｚを使用した高周波加熱装置では一般に
使用され々い。サーキュレータといつだ高価な部品を使
うのけ、次の２つの理由による０ まず第１の理由は本発明にかかる９ １５ ＭＨｚとい
う周波数が２４５０ ＭＨｚに対して波長か約３倍で、
自由空間波長でいえば３３ｃｍもあり、本発明にかかる
一般民生用の高周波加熱装置の場合、その加熱室の大き
さに波長がほぼ対応することにある。このだめ、２４５
０ ＭＨｚに比較しＣ１加熱室２で共振可能なモード数
か大巾に減少し、従一つで被加熱物である負荷が変動す
るとアンテナＣ１’→５加熱室２側を見たインピーダン
スか大巾に変動する。従って加熱室２を設計する際は、
できるだけ広い範囲の負荷に対してインピーダンス整合
の収れるよう工夫はするが、一般に空や空に近い軽負荷
状態まで、定在波比を低く抑えることは困難である。こ
のため、こうした軽負荷時には、はとんどの電波が反射
することになる。これに対し、トランジスタを用いた高
周波加熱装置は、マグネトロン以」二に反射電力に弱く
、従つ’Ｃサーキ１．レータ４を用いて反射電力を無反
射終端５へ吸収させ、高周波発生装置１へ戻らないよう
にするためである。
しかしなから、このサーキヨーレータ４は高価な部品で
あるばかりでなく、一般の電子レンジのように何口Ｗと
いう大電力のものは非常に大型で作り悪いという問題が
あった。
あるばかりでなく、一般の電子レンジのように何口Ｗと
いう大電力のものは非常に大型で作り悪いという問題が
あった。
発明の目的
木発０１−１はかかる従来の問題点を解消するもので、
サーキュレータといった高価な部品を使用せずに高周波
発生装置への反射電力を低減することを目的としだもの
である。
サーキュレータといった高価な部品を使用せずに高周波
発生装置への反射電力を低減することを目的としだもの
である。
発明の構成
」二記目的を達成するため本発明は、高周波発生装置ｊ
５，１で発生した高周波を加熱室内へ導く出力アンテナ
以外に、加熱室からの反射電波を収り出す第２のアンテ
ナと、このアンテナで収り出しだ電波を吸収する無反射
終端を設けた構成になっている０この構成により、軽負
荷時に負荷への電波の吸収量が減った場合、第２のアン
テナを通じて無反射終端へ電波が吸収され、サーキュレ
ータを使わず高周波発生装置への反射を小さく抑えるこ
とに々る。
５，１で発生した高周波を加熱室内へ導く出力アンテナ
以外に、加熱室からの反射電波を収り出す第２のアンテ
ナと、このアンテナで収り出しだ電波を吸収する無反射
終端を設けた構成になっている０この構成により、軽負
荷時に負荷への電波の吸収量が減った場合、第２のアン
テナを通じて無反射終端へ電波が吸収され、サーキュレ
ータを使わず高周波発生装置への反射を小さく抑えるこ
とに々る。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第２図を用いて説明する。第
２図においで、７は第２のアンテナ、８は無反射終端、
６は被加熱物である。
２図においで、７は第２のアンテナ、８は無反射終端、
６は被加熱物である。
負荷となる被加熱物６か大きいとき、アンテナ３から放
出された電波はほとんど被加熱物６に吸収され加熱室２
内の電界強度は小さいため、アンテナ７から無反射終端
８へ吸収される電力はわずかである。これに対し、被加
熱物６が小さくなり被加熱物６へ吸収される電波か減少
するに従い、加熱室２内の電界強度か大きくなり、アン
テナ７から無反射終端８へ吸収される電力か増大する。
出された電波はほとんど被加熱物６に吸収され加熱室２
内の電界強度は小さいため、アンテナ７から無反射終端
８へ吸収される電力はわずかである。これに対し、被加
熱物６が小さくなり被加熱物６へ吸収される電波か減少
するに従い、加熱室２内の電界強度か大きくなり、アン
テナ７から無反射終端８へ吸収される電力か増大する。
この結果被加熱物６が小さい軽負荷時にも高周波発振器
１への反射電力は低く抑えられる一方、被加熱物６が大
きい場合に無反射終端８へ吸収される電力はわずかで、
効率の低下も少ない。
１への反射電力は低く抑えられる一方、被加熱物６が大
きい場合に無反射終端８へ吸収される電力はわずかで、
効率の低下も少ない。
発明の効果
」二記説明のとおり、本発明によれば従来のように・リ
ーーキュレータといった高価で構造の複雑な部品を使用
することなく、軽負荷時も高周波発生装置への反射電力
を小さく抑えることかできるので、安価でしかも信頼性
の高い高周波加熱装置を、トランジスタ等の固体能動素
子を用いた高周波発生装置により実現することができる
。
ーーキュレータといった高価で構造の複雑な部品を使用
することなく、軽負荷時も高周波発生装置への反射電力
を小さく抑えることかできるので、安価でしかも信頼性
の高い高周波加熱装置を、トランジスタ等の固体能動素
子を用いた高周波発生装置により実現することができる
。
第１図はトランジスタ等の固体能動素子を用いた高周波
加熱装置行を用いた従来の高周波加熱装置の構成図、第
２図は本発明の一実施例の高周波加熱装置の構成図であ
る。 １・・・・・高周波発生装置、２・・・・加熱室、３・
・・・・・出力アンテナ、４・・・・・・サーキュレー
タ、５・・・・・・無反射終端、６・・・・・被加熱物
、７・・・・・・受電アンテナ、８・・・・・・無反射
終端。
加熱装置行を用いた従来の高周波加熱装置の構成図、第
２図は本発明の一実施例の高周波加熱装置の構成図であ
る。 １・・・・・高周波発生装置、２・・・・加熱室、３・
・・・・・出力アンテナ、４・・・・・・サーキュレー
タ、５・・・・・・無反射終端、６・・・・・被加熱物
、７・・・・・・受電アンテナ、８・・・・・・無反射
終端。
Claims (1)
- 高周波を発生するトランジスタ等の固体能動素子からな
る高周波発生装置と、被加熱物を収納する加熱室と、前
記高周波発生装置で発生した高周波を前記加熱室へ導く
第１のアンテナと、前記加熱室内の高周波を＆り田す第
２アンテナと、取り出された高周波を吸収する無反射終
端とを具備した高周波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113714A JPS607096A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113714A JPS607096A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 高周波加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607096A true JPS607096A (ja) | 1985-01-14 |
| JPH0216558B2 JPH0216558B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=14619286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113714A Granted JPS607096A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607096A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010086697A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Micro Denshi Kk | マイクロ波乾燥装置 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113714A patent/JPS607096A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010086697A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Micro Denshi Kk | マイクロ波乾燥装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0216558B2 (ja) | 1990-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3931587A (en) | Microwave power accumulator | |
| US4570132A (en) | Low noise multiple crystal-controlled oscillator | |
| US4104561A (en) | Magnetron operating circuit | |
| JPS607096A (ja) | 高周波加熱装置 | |
| Papp et al. | An 8-18-GHz YIG-tuned FET oscillator | |
| JPH04192240A (ja) | ジャイロトロン装置 | |
| KR0160810B1 (ko) | 전자레인지의 마그네트론 장치 | |
| US3533017A (en) | Avalanche diode oscillator with reduced noise | |
| JPS60232692A (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JPS59228395A (ja) | 高周波加熱装置 | |
| US3418601A (en) | Waveguide phase-locked oscillators | |
| Laton et al. | Characteristics of LMPATT-Diode Reflection Amplifiers | |
| JP2001035399A (ja) | マグネトロン | |
| JPS639137Y2 (ja) | ||
| JPH01141401A (ja) | 電力レベル調整器 | |
| JP2608088B2 (ja) | フェリ磁性体薄膜共振器 | |
| SU1693711A1 (ru) | Генератор | |
| EP0092508A1 (en) | Waveguide amplifier circuit | |
| JPH022322B2 (ja) | ||
| JPS6139435A (ja) | マグネトロン | |
| JPS60243942A (ja) | マグネトロン | |
| JPS6036125B2 (ja) | 高周波固体発振装置 | |
| Archambault | The distributed oscillator: a solution for power GaAs IMPATT combining | |
| Bogdankevich et al. | The theory of a high-current cyclotron-resonance maser | |
| JPS61116407A (ja) | 発振逓倍器 |