JPH022322B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH022322B2 JPH022322B2 JP60018052A JP1805285A JPH022322B2 JP H022322 B2 JPH022322 B2 JP H022322B2 JP 60018052 A JP60018052 A JP 60018052A JP 1805285 A JP1805285 A JP 1805285A JP H022322 B2 JPH022322 B2 JP H022322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- electromagnetic wave
- wave absorber
- amplification device
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/281—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials
- H10W42/287—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials materials for magnetic shielding, e.g. ferromagnetic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波増幅装置に係わり、特に
直列に接続した複数のマイクロ波半導体アンプモ
ジユール（ガリウム、砒素化合物のFET等を使
用）を収納したマイクロ波増幅装置の信号電力
が、金属容器内に設けられた電磁波吸収体によつ
て減衰される減衰量を小にするような構造に関す
るものである。
直列に接続した複数のマイクロ波半導体アンプモ
ジユール（ガリウム、砒素化合物のFET等を使
用）を収納したマイクロ波増幅装置の信号電力
が、金属容器内に設けられた電磁波吸収体によつ
て減衰される減衰量を小にするような構造に関す
るものである。
近時、半導体装置をパツケージにしてアンプモ
ジユールとし、複数のパツケージを接続すること
によつて単数のパツケージの利得を複数倍にして
使用する、簡易なマイクロ波増幅装置が開発さ
れ、広範囲に利用されている。
ジユールとし、複数のパツケージを接続すること
によつて単数のパツケージの利得を複数倍にして
使用する、簡易なマイクロ波増幅装置が開発さ
れ、広範囲に利用されている。
然しながら、このようなマイクロ波増幅器は、
伝送されるマイクロ波信号に対し、金属筐体が一
種の導波管のような作用をするために、その金属
筐体に周波数特性ができ、信号が広帯域の周波数
帯を減衰がなく一様に伝送するためには多くの問
題がある。
伝送されるマイクロ波信号に対し、金属筐体が一
種の導波管のような作用をするために、その金属
筐体に周波数特性ができ、信号が広帯域の周波数
帯を減衰がなく一様に伝送するためには多くの問
題がある。
例えば、金属筐体が伝送周波数帯域の特定周波
数で共振周波数を有すると、マイクロ波増幅器の
周波数特性が不均一になり、又金属筐体のなかに
配置された複数のアンプモジユールで、出力端子
側からのマイクロ波出力が入力側に帰還されると
発振をするという不都合がある。
数で共振周波数を有すると、マイクロ波増幅器の
周波数特性が不均一になり、又金属筐体のなかに
配置された複数のアンプモジユールで、出力端子
側からのマイクロ波出力が入力側に帰還されると
発振をするという不都合がある。
この対策として、通常金属筐体の金属蓋の内側
にマイクロ波吸収体を設けることにより、マイク
ロ波増幅器の動作を不安定にする電磁波を吸収す
るようにしているが、反面そのマイクロ波吸収体
のために、マイクロ波電力が減衰するという欠点
があり、これの改善が要望されている。
にマイクロ波吸収体を設けることにより、マイク
ロ波増幅器の動作を不安定にする電磁波を吸収す
るようにしているが、反面そのマイクロ波吸収体
のために、マイクロ波電力が減衰するという欠点
があり、これの改善が要望されている。
第２図は、マイクロ波モジユールの斜視図であ
るが、マイクロ波モジユール１は外形が小型でハ
ーメチツク構造であり、周波数帯域が8GHz〜
18GHzにわたつて、利得が5dB以上の特性を有す
るように設計され、且つ複数のマイクロ波モジユ
ールが容易にカスケード接続が可能のように、パ
ツケージ２の側面に、DC及びRFの端子３が設け
られている。
るが、マイクロ波モジユール１は外形が小型でハ
ーメチツク構造であり、周波数帯域が8GHz〜
18GHzにわたつて、利得が5dB以上の特性を有す
るように設計され、且つ複数のマイクロ波モジユ
ールが容易にカスケード接続が可能のように、パ
ツケージ２の側面に、DC及びRFの端子３が設け
られている。
第３図ａは、マイクロ波モジユールの平面図、
第３図ｂは、その正面図、第３図ｃは、その側面
図であるが、符合は第２図と同様である。
第３図ｂは、その正面図、第３図ｃは、その側面
図であるが、符合は第２図と同様である。
第４図ａ〜第４図ｃは、マイクロ波モジユール
が縦続に接続されて金属筐体の内部に配置された
状態を説明するためのマイクロ波増幅装置を示し
ている。
が縦続に接続されて金属筐体の内部に配置された
状態を説明するためのマイクロ波増幅装置を示し
ている。
第４図ａは、複数のマイクロ波モジユール１が
縦続に接続されて金属筐体１１の内部に収納され
ており、１個のモジユールの利得を5dBとする
と、４個のモジユールが直列に接続されると、約
20dBの利得が得られる。
縦続に接続されて金属筐体１１の内部に収納され
ており、１個のモジユールの利得を5dBとする
と、４個のモジユールが直列に接続されると、約
20dBの利得が得られる。
金属の筐体１１の両端には入力端子１２と出力
端子１３が設けてあり、そのらの端子は両端部に
位置するマイクロ波モジユールに接続され、又そ
れぞれのマイクロ波モジユールは、マイクロ波モ
ジユールの端子部１４で接続されている。
端子１３が設けてあり、そのらの端子は両端部に
位置するマイクロ波モジユールに接続され、又そ
れぞれのマイクロ波モジユールは、マイクロ波モ
ジユールの端子部１４で接続されている。
第４図ｂは、マイクロ波モジユールの金属蓋の
断面図、第４図ｃは、マイクロ波モジユールの金
属蓋の平面図を示している。
断面図、第４図ｃは、マイクロ波モジユールの金
属蓋の平面図を示している。
金属蓋１５が取りつけられた筐体は、一種の導
波管になるために、マイクロ波増幅装置の周波数
特性や、又入出力端子間の電磁波の帰還による発
振とか、利得の周波数特性が劣化することになる
ために、出来るだけ筐体を小型構造にして、周波
数帯に共振周波数が存在しない小型構造に設計さ
れている。
波管になるために、マイクロ波増幅装置の周波数
特性や、又入出力端子間の電磁波の帰還による発
振とか、利得の周波数特性が劣化することになる
ために、出来るだけ筐体を小型構造にして、周波
数帯に共振周波数が存在しない小型構造に設計さ
れている。
従来は、このような電磁波の帰還等を防止する
ために、金属蓋１５の内側にはフエライトゴムの
ような電磁波吸収体１６を被着することにより、
漏洩電磁波を吸収させて、比較的安定に動作でき
るようにしている。
ために、金属蓋１５の内側にはフエライトゴムの
ような電磁波吸収体１６を被着することにより、
漏洩電磁波を吸収させて、比較的安定に動作でき
るようにしている。
然しながら、筐体の大きさが小型であるため
に、電磁波吸収体１６がマイクロ波モジユールの
接続部１４にかなり接近することになり、この電
磁波吸収体によつて、マイクロ波の漏洩電磁波の
みでなく、それぞれのマイクロ波モジユールの接
続した段間部における信号電力が、近接している
電磁波吸収体に吸収されることになり、マイクロ
波の伝送効率が減衰するという欠点がある。
に、電磁波吸収体１６がマイクロ波モジユールの
接続部１４にかなり接近することになり、この電
磁波吸収体によつて、マイクロ波の漏洩電磁波の
みでなく、それぞれのマイクロ波モジユールの接
続した段間部における信号電力が、近接している
電磁波吸収体に吸収されることになり、マイクロ
波の伝送効率が減衰するという欠点がある。
導波管モードを吸収するために、金属蓋に設け
られた電磁波吸収体によつて、高周波信号のエネ
ルギの一部が吸収されることが問題点であり、そ
のために高周波増幅器の利得が低下するという不
具合を生ずる。
られた電磁波吸収体によつて、高周波信号のエネ
ルギの一部が吸収されることが問題点であり、そ
のために高周波増幅器の利得が低下するという不
具合を生ずる。
本発明は上記問題点を解消したマイクロ波増幅
回路を提供するもので、その手段は、縦続に接続
された複数の半導体アンプモジユールが、入力端
子と出力端子を有する金属容器内に格納され、該
金属容器は上面が電磁波吸収体を被着した金属蓋
によつてシールがなされるマイクロ波増幅装置に
おいて、上記複数の半導体アンプモジユールが接
続される段間部分に対応する該電磁波吸収体に開
口部を設け、半導体アンプモジユールで伝送され
る信号の減衰を少なくなるようにしたマイクロ波
増幅装置によつて達成できる。
回路を提供するもので、その手段は、縦続に接続
された複数の半導体アンプモジユールが、入力端
子と出力端子を有する金属容器内に格納され、該
金属容器は上面が電磁波吸収体を被着した金属蓋
によつてシールがなされるマイクロ波増幅装置に
おいて、上記複数の半導体アンプモジユールが接
続される段間部分に対応する該電磁波吸収体に開
口部を設け、半導体アンプモジユールで伝送され
る信号の減衰を少なくなるようにしたマイクロ波
増幅装置によつて達成できる。
本発明は、複数のマイクロ波モジユールが接続
されて筐体に収納されている状態で、それぞれの
マイクロ波モジユールの接続部分が導体が露出し
ているために、電磁波吸収体がこれに接近してい
ると、信号電力が吸収されてしまつて利得を減少
することを防止するために、それぞれのマイクロ
波モジユールの接続部分に最も接近している電磁
波吸収体の部分に、電磁波を吸収しないように、
開口部を設けることにより、電磁波が吸収される
ことを防止するように考慮したものである。
されて筐体に収納されている状態で、それぞれの
マイクロ波モジユールの接続部分が導体が露出し
ているために、電磁波吸収体がこれに接近してい
ると、信号電力が吸収されてしまつて利得を減少
することを防止するために、それぞれのマイクロ
波モジユールの接続部分に最も接近している電磁
波吸収体の部分に、電磁波を吸収しないように、
開口部を設けることにより、電磁波が吸収される
ことを防止するように考慮したものである。
第１図ａと第１図ｂは本発明の実施例を説明す
るためのマイクロ波増幅装置の筐体部と金属蓋と
の模式平面図を示している。
るためのマイクロ波増幅装置の筐体部と金属蓋と
の模式平面図を示している。
第１図ａで、複数のマイクロ波パツケージ１が
縦続に接続されているが、その接続部分１４で
は、それぞれのマイクロ波モジユールの接続端子
３が露出している。
縦続に接続されているが、その接続部分１４で
は、それぞれのマイクロ波モジユールの接続端子
３が露出している。
入出力信号の周波数がマイクロ波になる程、こ
の露出した接続端子３からマイクロ波の電磁波を
輻射することになり、その近傍に抵抗体があると
通常その分だけ輻射損失として、次段のマイクロ
波パツケージへの入力が減少する。
の露出した接続端子３からマイクロ波の電磁波を
輻射することになり、その近傍に抵抗体があると
通常その分だけ輻射損失として、次段のマイクロ
波パツケージへの入力が減少する。
本発明は、その露出した接続導体からの輻射損
失を可能な限り減少させるために、露出している
接続端子部１４の位置に対向して、金属蓋１５に
取りつけられたマイクロ波吸収体１６に、開口部
１７を設けたものであつて、その結果、マイクロ
波増幅装置における損失が、従来は1dB程度であ
つたが、本発明のマイクロ波吸収体に開口部を設
けた結果0.1dB程度の損失迄に改善され、著しい
効果が認められた。
失を可能な限り減少させるために、露出している
接続端子部１４の位置に対向して、金属蓋１５に
取りつけられたマイクロ波吸収体１６に、開口部
１７を設けたものであつて、その結果、マイクロ
波増幅装置における損失が、従来は1dB程度であ
つたが、本発明のマイクロ波吸収体に開口部を設
けた結果0.1dB程度の損失迄に改善され、著しい
効果が認められた。
以上詳細に説明したように、本発明のマイクロ
波増幅装置は、広帯域の周波数特性に対し、高利
得で、且つ利得の変動が少ない優れた特性を有す
るマイクロ波増幅装置を供し得るという効果大な
るものがある。
波増幅装置は、広帯域の周波数特性に対し、高利
得で、且つ利得の変動が少ない優れた特性を有す
るマイクロ波増幅装置を供し得るという効果大な
るものがある。
第１図ａ、第１図ｂは、第１図ｃは本発明のマ
イクロ波増幅装置の正面図と断面図、第２図は、
マイクロ波モジユールを示す斜視図第３図ａ、第
３図ｂ、第３図ｃは、マイクロ波モジユールを示
すそれぞれ正面図、側面図、と平面図、第４図
ａ、第４図ｂ、第４図ｃは、従来のマイクロ波増
幅装置の断面図と平面図、図において、 １はマイクロ波パツケージ、３は接続端子、１
４はマイクロ波パツケージの接続部分、１５は金
属蓋、１６はマイクロ波吸収体、１７は開口部、
をそれぞれ示している。
イクロ波増幅装置の正面図と断面図、第２図は、
マイクロ波モジユールを示す斜視図第３図ａ、第
３図ｂ、第３図ｃは、マイクロ波モジユールを示
すそれぞれ正面図、側面図、と平面図、第４図
ａ、第４図ｂ、第４図ｃは、従来のマイクロ波増
幅装置の断面図と平面図、図において、 １はマイクロ波パツケージ、３は接続端子、１
４はマイクロ波パツケージの接続部分、１５は金
属蓋、１６はマイクロ波吸収体、１７は開口部、
をそれぞれ示している。
Claims (1)
- １ 直列に接続された複数の半導体アンプモジユ
ールが、入力端子と出力端子を有する金属容器内
に格納され、該金属容器は上面が電磁波吸収体を
被着した金属蓋によつてシールがなされるマイク
ロ波増幅装置において、上記複数の半導体アンプ
モジユールが接続される段間部分に対応する該電
磁波吸収体に開口部を設けたことを特徴とするマ
イクロ波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60018052A JPS61177751A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | マイクロ波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60018052A JPS61177751A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | マイクロ波増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177751A JPS61177751A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH022322B2 true JPH022322B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=11960925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60018052A Granted JPS61177751A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | マイクロ波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177751A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109401A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd | マイクロ波集積回路の不要モードの吸収構造 |
| JPH03123202A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60018052A patent/JPS61177751A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61177751A (ja) | 1986-08-09 |
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