JPS60726A - アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法Info
- Publication number
- JPS60726A JPS60726A JP10791883A JP10791883A JPS60726A JP S60726 A JPS60726 A JP S60726A JP 10791883 A JP10791883 A JP 10791883A JP 10791883 A JP10791883 A JP 10791883A JP S60726 A JPS60726 A JP S60726A
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- anode foil
- aluminum electrolytic
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- boiling
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- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ａｔ電解コンデンサの高圧用陽極箔の製造方
法に係り、特にＣＶ積（陽極箔の単位面積当たりの静電
容量とその箔のもつ耐電圧値の積）を改良する製造方法
に関する。
法に係り、特にＣＶ積（陽極箔の単位面積当たりの静電
容量とその箔のもつ耐電圧値の積）を改良する製造方法
に関する。
一般に、Ａｔ電解コンデンサ用の陽極箔は、まずＡ４箔
をエツチングして表面な粗面化し、表面積を拡大する処
理を施した後、該エツチング箔上にＡ４の酸化皮膜Ａｚ
２ｏ３を形成させる化成工程を経て製造される。
をエツチングして表面な粗面化し、表面積を拡大する処
理を施した後、該エツチング箔上にＡ４の酸化皮膜Ａｚ
２ｏ３を形成させる化成工程を経て製造される。
この化成工程は、大別して第１図に示す如く前処理工程
１と酸化皮膜形成工程２より成り、前処理工程において
は、高圧用（１６ｏＷＶ以上）陽極箔を製造する場合は
、エツチング箔６を通常純水中でボイルし、該エツチン
グ箔の表面に水酸化アルミＡＬ（ＯＨ）３の皮膜を形成
したのち、次の酸化皮膜形成工程では、化成液と呼ばれ
る電解液中で該箔に化成電圧を印加して、電解酸化を行
ない、前記ＡＬ（ＯＨ）ｓをＡｚ２ｏ３に変換形成させ
、陽極箔４が製造されている。ところでこのように製造
される陽極箔のＣＶ積は、その値が大きい程、該陽極箔
を使用したＡ４電解コンデンザを小型にできるので、Ｃ
Ｖ積を太き（するだめの研究が１１々行なわれている。
１と酸化皮膜形成工程２より成り、前処理工程において
は、高圧用（１６ｏＷＶ以上）陽極箔を製造する場合は
、エツチング箔６を通常純水中でボイルし、該エツチン
グ箔の表面に水酸化アルミＡＬ（ＯＨ）３の皮膜を形成
したのち、次の酸化皮膜形成工程では、化成液と呼ばれ
る電解液中で該箔に化成電圧を印加して、電解酸化を行
ない、前記ＡＬ（ＯＨ）ｓをＡｚ２ｏ３に変換形成させ
、陽極箔４が製造されている。ところでこのように製造
される陽極箔のＣＶ積は、その値が大きい程、該陽極箔
を使用したＡ４電解コンデンザを小型にできるので、Ｃ
Ｖ積を太き（するだめの研究が１１々行なわれている。
ＣＶ積を大きくする方法は、二法あり、第一の方法は前
記エツチング箔のエツチング倍率を大きくすること即ち
、Ａｔ箔の表面の粗面化度合云いかえれば表面積の拡大
率を大きくする方法であり、第二の方法は、エツチング
箔上に均一にムラな（Ａ４２ｏ ３の皮膜を化成によっ
て形成させることである。後者の方法では、Ａ４２ｏ３
の皮膜を能率良（形成させるために、前記前処理工程で
、できるだけ多くのＡｔ（ＯＨ）３を形成させることが
重要であるが、前記純水中でのエツチング箔のボイル処
理時間を長くしても、成る限度以上は該箔の重量増加が
みられずＡｔ（ＯＨ）３が形成されないことがわかって
おり、従って、該箔を一定の化成電圧で化成して酸化皮
膜ＸＺ、、Ｏ３を形成した後の該陽極箔のＣＶ積もその
増大に限界がある。第６図は、純水中のボイル処理を行
なわず化成した後の陽極箔のＣＶｉを１００とした場合
の純水ホイル処理時間とＣＶ積の関係を示したもので、
ボイル処理時間を長くしてもＣＶ積は一定値で飽和傾向
を示している。従って、従来ホイル時間は１０分程度が
一般的である。
記エツチング箔のエツチング倍率を大きくすること即ち
、Ａｔ箔の表面の粗面化度合云いかえれば表面積の拡大
率を大きくする方法であり、第二の方法は、エツチング
箔上に均一にムラな（Ａ４２ｏ ３の皮膜を化成によっ
て形成させることである。後者の方法では、Ａ４２ｏ３
の皮膜を能率良（形成させるために、前記前処理工程で
、できるだけ多くのＡｔ（ＯＨ）３を形成させることが
重要であるが、前記純水中でのエツチング箔のボイル処
理時間を長くしても、成る限度以上は該箔の重量増加が
みられずＡｔ（ＯＨ）３が形成されないことがわかって
おり、従って、該箔を一定の化成電圧で化成して酸化皮
膜ＸＺ、、Ｏ３を形成した後の該陽極箔のＣＶ積もその
増大に限界がある。第６図は、純水中のボイル処理を行
なわず化成した後の陽極箔のＣＶｉを１００とした場合
の純水ホイル処理時間とＣＶ積の関係を示したもので、
ボイル処理時間を長くしてもＣＶ積は一定値で飽和傾向
を示している。従って、従来ホイル時間は１０分程度が
一般的である。
本発明は、前記化成工程の前処理工程を改良し、酸化皮
膜形成後の陽極箔のＣＶ積を従来工法による陽極箔より
増大、改良する高圧用陽極箔の製造方法を提供すること
を目的とする。以下、本発明について詳細に説明する。
膜形成後の陽極箔のＣＶ積を従来工法による陽極箔より
増大、改良する高圧用陽極箔の製造方法を提供すること
を目的とする。以下、本発明について詳細に説明する。
第２図は、本発明の製造方法の工程図で、１１．１２は
前処理工程で１１は従来性なわれている純水ボイル工程
、１２は本発明の特徴である有機酸水溶液によるボイル
工程（以下有機酸ボイル工程と云う）である。
前処理工程で１１は従来性なわれている純水ボイル工程
、１２は本発明の特徴である有機酸水溶液によるボイル
工程（以下有機酸ボイル工程と云う）である。
即ち、本発明は、従来の化成工程の前処理工程に純水ボ
イル工程の外に有機酸ボイル工程を加えたことである。
イル工程の外に有機酸ボイル工程を加えたことである。
以下本発明を、実施例に基づいて述べる。Ａｔのエツチ
ング箔を前処理として純水中で１０分間ボイル処理した
後、有機酸水溶液として濃度Ｑ、５ ｗ ｔ％の安息香
酸水溶液を調製し、該水溶液中で該箔を更に２〜１０分
間ボイル処理を行ない、有機酸ボイル処理後の該箔を酸
化皮膜形成工程で化成し、この工程で完成した陽極箔の
ＣＶ積を測定して、従来の前処理すなわち、純水ボイル
処理のみの陽極箔のＣＶ積と比較したところ、本発明の
有機酸ボイル処理した陽極箔のＣＶ積が約１０％増大す
ることを見出した。このＣＶ積の増大の結果を第４図に
示す。これから、有機酸ボイル処理時間は５分で充分で
ある。次いで他の有機酸としてフェニン酸等の水溶液を
用いて、前記と同様の処理を行い、ＣＶ積を比較し、そ
の増大効果が各々あることを確認できた。これらの有機
酸処理の及ぼす作用は、酸化皮膜（Ａｔ２０３）の形成
の促進と均一性の増大に寄与しているものと思考され、
その機構はまだ充分解明できないが、エツチング箔表面
の界面活性化作用が、Ａｔ２°３の形成に好影響を与え
ているものと考えられる。また有機酸水溶液の濃度につ
いて考察するに、 ４・安息香酸とクエン酸について、
各種の濃度の水溶液を用いて、純水ボイル処理を１０分
間行なった後のエツチング箔を、各々５分間有機酸ホイ
ル処理を行ない、該箔を化成して得た陽極箔のＣ÷積を
純水ボイル処理のみをした時のＣＶ積を１００として、
示したのが第５図である。ＣＶ積の増加度合は、濃度が
低いと小さく、また濃度が高くなるとその度合′は増加
するが、ある濃度以上になると再び小さくなる傾向を示
し、実用範囲としては、００１〜１．０ｗｔ％の濃度範
囲が、この発明の目的から適当である。
ング箔を前処理として純水中で１０分間ボイル処理した
後、有機酸水溶液として濃度Ｑ、５ ｗ ｔ％の安息香
酸水溶液を調製し、該水溶液中で該箔を更に２〜１０分
間ボイル処理を行ない、有機酸ボイル処理後の該箔を酸
化皮膜形成工程で化成し、この工程で完成した陽極箔の
ＣＶ積を測定して、従来の前処理すなわち、純水ボイル
処理のみの陽極箔のＣＶ積と比較したところ、本発明の
有機酸ボイル処理した陽極箔のＣＶ積が約１０％増大す
ることを見出した。このＣＶ積の増大の結果を第４図に
示す。これから、有機酸ボイル処理時間は５分で充分で
ある。次いで他の有機酸としてフェニン酸等の水溶液を
用いて、前記と同様の処理を行い、ＣＶ積を比較し、そ
の増大効果が各々あることを確認できた。これらの有機
酸処理の及ぼす作用は、酸化皮膜（Ａｔ２０３）の形成
の促進と均一性の増大に寄与しているものと思考され、
その機構はまだ充分解明できないが、エツチング箔表面
の界面活性化作用が、Ａｔ２°３の形成に好影響を与え
ているものと考えられる。また有機酸水溶液の濃度につ
いて考察するに、 ４・安息香酸とクエン酸について、
各種の濃度の水溶液を用いて、純水ボイル処理を１０分
間行なった後のエツチング箔を、各々５分間有機酸ホイ
ル処理を行ない、該箔を化成して得た陽極箔のＣ÷積を
純水ボイル処理のみをした時のＣＶ積を１００として、
示したのが第５図である。ＣＶ積の増加度合は、濃度が
低いと小さく、また濃度が高くなるとその度合′は増加
するが、ある濃度以上になると再び小さくなる傾向を示
し、実用範囲としては、００１〜１．０ｗｔ％の濃度範
囲が、この発明の目的から適当である。
以上述べたように、前処理手段として、従来の純水ボイ
ル処理に加えて、有機酸ボイル処理を更に付加すること
によって、得られる陽極箔のＣＶ積を増大かつ改善する
ことが可能であり、従来の製造法では得られない優れた
Ａｔ電解コンデンサ用陽極箔を提供することができる。
ル処理に加えて、有機酸ボイル処理を更に付加すること
によって、得られる陽極箔のＣＶ積を増大かつ改善する
ことが可能であり、従来の製造法では得られない優れた
Ａｔ電解コンデンサ用陽極箔を提供することができる。
ＣＶ積の増大した分だけ、電解コンデンサに使用する陽
極箔の量が従来より節減でき、且つ、小形１軒量化する
効果が生じ、経済的にも実用的にも、有用である。
極箔の量が従来より節減でき、且つ、小形１軒量化する
効果が生じ、経済的にも実用的にも、有用である。
第１図は、従来の製造方法を示す工程図。第２図は本発
明の製造方法を示す工程図。第６図は、従来の製造方法
による陽極箔の特性図。第４図および第５図は、本発明
の一実施例による陽極箔の特性図。 １：前処理工程、２：酸化皮膜形成工程、６：エノチン
グ箔４：陽極箔、１１：純水ボイル処理工程。 １２：有機酸ボイル処理工程 特許出願人 ６１図 菫２図 Ｙ ３ 図 、、、、 ￥１４図 芦
明の製造方法を示す工程図。第６図は、従来の製造方法
による陽極箔の特性図。第４図および第５図は、本発明
の一実施例による陽極箔の特性図。 １：前処理工程、２：酸化皮膜形成工程、６：エノチン
グ箔４：陽極箔、１１：純水ボイル処理工程。 １２：有機酸ボイル処理工程 特許出願人 ６１図 菫２図 Ｙ ３ 図 、、、、 ￥１４図 芦
Claims (2)
- （１）アルミノエツチング箔を化成してアルミ電解コン
デンサ用陽極箔を製造する工程において、前機酸ボイル
処理を行うことを特徴とするアルミ電解コンデンサ用陽
極箔の製造方法。 - （２）有機酸が安息香酸、クエン酸のいずれが１種で、
且つその水溶液濃度が０．０１〜１．０ｗｔ％であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のアルミ
電解コンデンサ用陽極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10791883A JPS60726A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10791883A JPS60726A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60726A true JPS60726A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14471345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10791883A Pending JPS60726A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0243717A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Shinei Tsushin Kogyo Kk | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10791883A patent/JPS60726A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0243717A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Shinei Tsushin Kogyo Kk | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
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