JP2602013B2 - エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents
エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔Info
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、エッチング処理用の電解コンデンサ用アル
ミニウム箔に関する。
ミニウム箔に関する。
従来の技術とその問題点 電解コンデンサ用アルミニウム箔（以下単にAl箔とい
う）としては、一般にエツチングによる粗面化により表
面積を拡大し、もつて静電容量の向上を図つている。従
来、エツチング性の改善は、主にAl箔に微量の合金元素
を添加することにより行なわれているが、同じ成分のア
ルミニウム箔を用いても、製箔工程の違いによつて静電
容量が変動することが知られている。
う）としては、一般にエツチングによる粗面化により表
面積を拡大し、もつて静電容量の向上を図つている。従
来、エツチング性の改善は、主にAl箔に微量の合金元素
を添加することにより行なわれているが、同じ成分のア
ルミニウム箔を用いても、製箔工程の違いによつて静電
容量が変動することが知られている。
問題点を解決するための手段 本発明者は、Al箔のエツチング性に及ぼす製箔工程中
の各種要因について研究を重ねた結果、Fe等の不純物含
有量を一定限度以下としたAl箔に特定の耐電圧を有する
酸化皮膜を形成させる場合には、エツチング性の改善と
それに伴う静電容量の増大が可能となることを見出し
た。即ち、本発明は、純度99.7％以上で、Fe 0.17％以
下、Si 0.07％以下かつCu 0.005％以下のアルミニウム
箔表面に皮膜耐電圧が0.5〜1.0Vである酸化皮膜を形成
されたエッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔に係る。
の各種要因について研究を重ねた結果、Fe等の不純物含
有量を一定限度以下としたAl箔に特定の耐電圧を有する
酸化皮膜を形成させる場合には、エツチング性の改善と
それに伴う静電容量の増大が可能となることを見出し
た。即ち、本発明は、純度99.7％以上で、Fe 0.17％以
下、Si 0.07％以下かつCu 0.005％以下のアルミニウム
箔表面に皮膜耐電圧が0.5〜1.0Vである酸化皮膜を形成
されたエッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔に係る。
本発明で使用するAl箔は、純度99.7％以上で、Fe 0.1
7％以下、Si 0.07％以下かつCu 0.005％以下であること
を要する。Fe、Si及びCuのいずれか１種の含有量がこれ
等の上限値を上回る場合には、エツチングの際の粗面化
効率が低下してしまうこと及び電解コンデンサの安定性
を阻害してしまうという問題があり、実用性がない。
7％以下、Si 0.07％以下かつCu 0.005％以下であること
を要する。Fe、Si及びCuのいずれか１種の含有量がこれ
等の上限値を上回る場合には、エツチングの際の粗面化
効率が低下してしまうこと及び電解コンデンサの安定性
を阻害してしまうという問題があり、実用性がない。
また、Al箔表面に形成される酸化皮膜の耐電圧は、0.
5〜1.0ボルトであることを要する。この耐電圧が0.5ボ
ルト未満の場合には、エツチング操作時にAl箔の腐食が
過度に進行するので、粗面化による静電容量の増大が期
待できない。一方、耐電圧が1.0ボルトを上回る場合に
は、不純物、特にFeの析出が促進されてAl箔の化学溶解
性を増すため、静電容量が低下してしまう。
5〜1.0ボルトであることを要する。この耐電圧が0.5ボ
ルト未満の場合には、エツチング操作時にAl箔の腐食が
過度に進行するので、粗面化による静電容量の増大が期
待できない。一方、耐電圧が1.0ボルトを上回る場合に
は、不純物、特にFeの析出が促進されてAl箔の化学溶解
性を増すため、静電容量が低下してしまう。
本発明における酸化皮膜の形成方法としては、Al箔を
空気中約100〜200℃で約0.5〜24時間保持する方法、Al
箔を陽極酸化処理する方法等が挙げられる。
空気中約100〜200℃で約0.5〜24時間保持する方法、Al
箔を陽極酸化処理する方法等が挙げられる。
なお、本発明のAl箔は、常法に従つて、エツチング処
理することにより、高い静電容量を呈する。そして、本
発明のAl箔をエツチング処理して得られるエツチド箔
は、電解コンデンサの陽極箔又は陰極箔として使用する
場合には、既存のAl箔と同様にして使用され得る。
理することにより、高い静電容量を呈する。そして、本
発明のAl箔をエツチング処理して得られるエツチド箔
は、電解コンデンサの陽極箔又は陰極箔として使用する
場合には、既存のAl箔と同様にして使用され得る。
発明の効果 本発明によれば、純度99.7％のAl陰極箔から純度99.9
9％の中低圧陽極箔にいたる広範なコンデンサ用Al箔の
静電容量を著るしく向上させることができる。
9％の中低圧陽極箔にいたる広範なコンデンサ用Al箔の
静電容量を著るしく向上させることができる。
実施例 以下、実施例を示し、本発明の特徴とするところをよ
り一層明らかにする。
り一層明らかにする。
実施例１ 純度99.98％、Fe 0.006％、Si 0.005％、Cu 0.005％
の圧延上りAl箔（厚さ0.1mm）を空気中種々の温度で８
時間にわたり加熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
の圧延上りAl箔（厚さ0.1mm）を空気中種々の温度で８
時間にわたり加熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
上記の様にして加熱処理したAl箔をHCl 10％、AlCl3
・6H2O 5％及びH3PO4 1％の浴にて温度50℃、電流密度5
0A/dm2で３分間交流エツチング処理した。
・6H2O 5％及びH3PO4 1％の浴にて温度50℃、電流密度5
0A/dm2で３分間交流エツチング処理した。
次いで、上記エツチング処理Al箔を８％ホウ酸アンモ
ニウム液中30℃で50Vの直流電流を20分間印加して、化
成処理した。加熱処理後のAl箔の皮膜耐電圧と得られた
化成処理箔の静電容量との関係を表１に示す。
ニウム液中30℃で50Vの直流電流を20分間印加して、化
成処理した。加熱処理後のAl箔の皮膜耐電圧と得られた
化成処理箔の静電容量との関係を表１に示す。
実施例２ 純度99.98％、Fe 0.006％、Si 0.005％、Cu 0.005％
の圧延上りAl箔（厚さ0.1mm）を空気中種々の温度で加
熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
の圧延上りAl箔（厚さ0.1mm）を空気中種々の温度で加
熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
処理後のAl箔を20％NaClの浴にて温度95℃、電流密度
50A/dm2で２分間直流エツチング処理した。次いで実施
例１と同じ条件で化成処理した。得られた化成処理箔の
静電容量を測定し、その結果を表２に示す。
50A/dm2で２分間直流エツチング処理した。次いで実施
例１と同じ条件で化成処理した。得られた化成処理箔の
静電容量を測定し、その結果を表２に示す。
実施例３ 純度99.75％、Fe 0.16％、Si 0.06％、Cu 0.00％の圧
延上りAl箔（厚さ0.05mm）を種々の温度で加熱処理し、
酸化皮膜を形成させた。
延上りAl箔（厚さ0.05mm）を種々の温度で加熱処理し、
酸化皮膜を形成させた。
上記の様にして加熱処理したAl箔をHCl 10％、AlCl3
・6H2O 5％及びH3PO4 1％の浴にて温度50℃、電流密度5
0A/dm2で２分間交流エツチング処理した。
・6H2O 5％及びH3PO4 1％の浴にて温度50℃、電流密度5
0A/dm2で２分間交流エツチング処理した。
加熱処理後のAl箔の皮膜耐電圧と得られたエツチド箔
の無化成静電容量との関係を表３に示す。
の無化成静電容量との関係を表３に示す。
実施例４ 純度99.98％の圧延上りAl箔を５％のホウ酸浴中にて
陽極酸化を行ない、0,5〜5Vの皮膜を付与した。実施例
１と同様にして、エツチングおよび化成処理を施した。
結果を表４に示す。
陽極酸化を行ない、0,5〜5Vの皮膜を付与した。実施例
１と同様にして、エツチングおよび化成処理を施した。
結果を表４に示す。
実施例１〜４に示した如く、皮膜耐電圧が0.5〜1.0Vo
ltの範囲内の酸化皮膜を有するAl箔（純度99.7％以上）
は、電解エツチングの際の粗面化効率が優れており、高
い静電容量を示すことが明らかである。
ltの範囲内の酸化皮膜を有するAl箔（純度99.7％以上）
は、電解エツチングの際の粗面化効率が優れており、高
い静電容量を示すことが明らかである。
Claims (1)
- 【請求項１】純度99.7％以上で、Fe 0.17％以下、Si 0.
07％以下かつCu 0.005％以下のアルミニウム箔表面に皮
膜耐電圧が0.5〜1.0Vである酸化皮膜を形成させたエッ
チング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152582A JP2602013B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152582A JP2602013B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637614A JPS637614A (ja) | 1988-01-13 |
| JP2602013B2 true JP2602013B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=15543614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61152582A Expired - Lifetime JP2602013B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602013B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422758U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-25 | ||
| JP2602357B2 (ja) * | 1990-11-09 | 1997-04-23 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 |
| JP4774664B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2011-09-14 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112452A (en) * | 1977-03-14 | 1978-09-30 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum cathode foil for electrolytic capacitor |
| JPS5649508A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Electrolytic condenser |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61152582A patent/JP2602013B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637614A (ja) | 1988-01-13 |
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