JPS60727A - 赤外線熱処理装置 - Google Patents
赤外線熱処理装置Info
- Publication number
- JPS60727A JPS60727A JP58107945A JP10794583A JPS60727A JP S60727 A JPS60727 A JP S60727A JP 58107945 A JP58107945 A JP 58107945A JP 10794583 A JP10794583 A JP 10794583A JP S60727 A JPS60727 A JP S60727A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- wafer
- temperature
- silicon wafer
- control devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は赤外線熱処理装置に係シ、特に半導体ウェハを
熱処理する装置に関するものである。
熱処理する装置に関するものである。
技術の背景
半導体装置を製造する工程で、シリコン等の半導体ウェ
ノ・に燐やホウ素等の不純物イオンを打ち込んだ後、該
不純物イオンを活性化させるために、該ウェハの熱処理
が行われている。
ノ・に燐やホウ素等の不純物イオンを打ち込んだ後、該
不純物イオンを活性化させるために、該ウェハの熱処理
が行われている。
従来技術と問題点
従来第１図に示すように例えばシリコンウェハ・１上に
タングステンランプ、ノ・ロダンランプ等の棒状の赤外
線ランプ２を複数個平行に配置してウェハ１に熱処理を
施している。ウェノ・１は予め不純物として燐イオンが
打ち込まれており、該、熱処理により燐イオンが活性化
せしめられる。該熱処理はウェハ表面の温度が約１００
０ないし１２００℃で行なわれる。このような不純物活
性化のだめの熱処理では、熱処理中のウエノ・表面の温
度分布が均一になるようにシリコンウニ／１１を一定速
度で回転させたシ、あるいは移動させることが行われて
いる。
タングステンランプ、ノ・ロダンランプ等の棒状の赤外
線ランプ２を複数個平行に配置してウェハ１に熱処理を
施している。ウェノ・１は予め不純物として燐イオンが
打ち込まれており、該、熱処理により燐イオンが活性化
せしめられる。該熱処理はウェハ表面の温度が約１００
０ないし１２００℃で行なわれる。このような不純物活
性化のだめの熱処理では、熱処理中のウエノ・表面の温
度分布が均一になるようにシリコンウニ／１１を一定速
度で回転させたシ、あるいは移動させることが行われて
いる。
しかしながら第１図に示した熱処理装置では例えば、シ
リコンウェハ１の中央部と周辺部の偏度差が略５０℃を
超える場合があり、その結果、第２図に示すように熱歪
によりスリップライン５が発生したシ、またウェハに打
ち込まれた不純物の拡散が不十分なために層抵抗値の分
布が犬きくなシミ気的特性を悪化させる。このようなス
リップラインの発生、電気的特性の悪化はシリコンウェ
ハの歩留低下につながる欠点を有する。
リコンウェハ１の中央部と周辺部の偏度差が略５０℃を
超える場合があり、その結果、第２図に示すように熱歪
によりスリップライン５が発生したシ、またウェハに打
ち込まれた不純物の拡散が不十分なために層抵抗値の分
布が犬きくなシミ気的特性を悪化させる。このようなス
リップラインの発生、電気的特性の悪化はシリコンウェ
ハの歩留低下につながる欠点を有する。
発明の目的
上記欠点を鑑み本発明は半導体ウェハの熱処理工程にお
いて半導体ウェハの温度分布を改良して、該半導体ウェ
ハにおけるスリップラインの発生及び層抵抗値のバラツ
キを改良することが可能な赤外線熱処理装置を捺供する
ことを目的とする。
いて半導体ウェハの温度分布を改良して、該半導体ウェ
ハにおけるスリップラインの発生及び層抵抗値のバラツ
キを改良することが可能な赤外線熱処理装置を捺供する
ことを目的とする。
発明の構成
本発明の目的は半導体基板を熱処理する装置において、
半導体基板上方にあって該半導体基板の中央部を含む部
分と周辺部を含む部分をそれぞれ加熱する少なくとも１
つの群の赤外線加熱手段と、前記半導体基板の中央部を
含む部分と周辺部を含む部分の温度をそれぞれ測定する
ことが可能な少なくとも１つの温度測定手段とを具備し
、前記温度測定手段で測定した温度差異を前記赤外線加
熱手段にフィードバックすることにより前記赤外線加熱
手段の加熱出力制御を可能にせしめたことを特徴とする
赤外線熱処理装置によって達成される。
半導体基板上方にあって該半導体基板の中央部を含む部
分と周辺部を含む部分をそれぞれ加熱する少なくとも１
つの群の赤外線加熱手段と、前記半導体基板の中央部を
含む部分と周辺部を含む部分の温度をそれぞれ測定する
ことが可能な少なくとも１つの温度測定手段とを具備し
、前記温度測定手段で測定した温度差異を前記赤外線加
熱手段にフィードバックすることにより前記赤外線加熱
手段の加熱出力制御を可能にせしめたことを特徴とする
赤外線熱処理装置によって達成される。
発明の実施例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第３図は本発明の１実施例を示す概略図である。
第３図によればシリコンウェハ１１上方にあって、該シ
リコンウェハ１１の中央部及び周辺部を主に加熱するた
めに、２つの群に分割されてそれぞれタングステンラン
プ群１２Ｂ及び１２ｂが配置されており、シリコンウェ
ハ１１下方にはシリコンウェハ１１の中央部及び周辺部
の温度を測定するためにそれぞれ放射温度計１６ａ及び
１６ｂが配設されている。また該放射温度計１６Ｂ及び
１６ｂはそれぞれ電源制御装置１８ａと１８ｂ及び電源
１３Ｂと１３ｂを介してタングステンランプ群１２ａと
１２ｂにそれぞれ接続せしめられている。放射温度計１
６ｂと電源制御装置１８ｂの間には放射温度計１６ａと
１６ｂによる温度測定値の差を検知するコンパレータ１
７が配設されている。該コンパレータで検知したシリコ
ンウエノ・１１の中央部と周辺部の温度差異は電源制御
装置１８ａと１８ｂによって電源１３Ｂと１３ｂを制御
しタングステンランプ群１２ａ、１２ｂにフィードバッ
クし熱処理中のシリコンウエノ・の温度分布を均一にな
るように制御するものである。本実施例ではシリコンウ
ェノ・１１を１０〜２０ ｒｐｍで回転せしめて熱処理
を施した。その結果シリコンウェハ１１のほぼ中央部の
温度を１２００〜１２１０℃そして周辺部（円周端から
１０〜１５ｗｎ）の温度を１１０５〜１２０３℃に維持
出来、シリコンウェノ・にはスリップ発生もなく、層抵
抗値の分布も従来の２チ以内の・くラツキに抑えること
が出来た。
リコンウェハ１１の中央部及び周辺部を主に加熱するた
めに、２つの群に分割されてそれぞれタングステンラン
プ群１２Ｂ及び１２ｂが配置されており、シリコンウェ
ハ１１下方にはシリコンウェハ１１の中央部及び周辺部
の温度を測定するためにそれぞれ放射温度計１６ａ及び
１６ｂが配設されている。また該放射温度計１６Ｂ及び
１６ｂはそれぞれ電源制御装置１８ａと１８ｂ及び電源
１３Ｂと１３ｂを介してタングステンランプ群１２ａと
１２ｂにそれぞれ接続せしめられている。放射温度計１
６ｂと電源制御装置１８ｂの間には放射温度計１６ａと
１６ｂによる温度測定値の差を検知するコンパレータ１
７が配設されている。該コンパレータで検知したシリコ
ンウエノ・１１の中央部と周辺部の温度差異は電源制御
装置１８ａと１８ｂによって電源１３Ｂと１３ｂを制御
しタングステンランプ群１２ａ、１２ｂにフィードバッ
クし熱処理中のシリコンウエノ・の温度分布を均一にな
るように制御するものである。本実施例ではシリコンウ
ェノ・１１を１０〜２０ ｒｐｍで回転せしめて熱処理
を施した。その結果シリコンウェハ１１のほぼ中央部の
温度を１２００〜１２１０℃そして周辺部（円周端から
１０〜１５ｗｎ）の温度を１１０５〜１２０３℃に維持
出来、シリコンウェノ・にはスリップ発生もなく、層抵
抗値の分布も従来の２チ以内の・くラツキに抑えること
が出来た。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば半導体基板の熱処理に
おいて試料内温度分布が改良せしめられスリップライン
の発生が防止され、且つ層抵抗の分布も改良されるため
半導体基板の歩留向上が図れる。
おいて試料内温度分布が改良せしめられスリップライン
の発生が防止され、且つ層抵抗の分布も改良されるため
半導体基板の歩留向上が図れる。
第１図は従来の赤外線熱処理装置の１実施例を示す概略
図であり、第２図はスリップラインが発生したシリコン
ウェハを示す平面図でアシ、第３図は本発明は本発明の
１実施例を示す概略図である。 １．１１・・・シリコンウェハ、２・・・タングステン
ランプ、３・・・電源、５・・・スリップライン、１２
ａ。 １２ｂ・・・タングステンランプ群、１３ａ、１３ｂ・
・・電源、１６ａ、１６ｂ・・・放射温度計、１７・・
・コンパレータ、１８ａ 、１８ｂ・・・電源制御装置
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
図であり、第２図はスリップラインが発生したシリコン
ウェハを示す平面図でアシ、第３図は本発明は本発明の
１実施例を示す概略図である。 １．１１・・・シリコンウェハ、２・・・タングステン
ランプ、３・・・電源、５・・・スリップライン、１２
ａ。 １２ｂ・・・タングステンランプ群、１３ａ、１３ｂ・
・・電源、１６ａ、１６ｂ・・・放射温度計、１７・・
・コンパレータ、１８ａ 、１８ｂ・・・電源制御装置
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、半導体基板を熱処理する装置において；半導体基板
上方にあって該半導体基板の中央部を含む部分と周辺部
を含む部分をそれぞれ加熱する少なくとも１つの群の赤
外線加熱手段と、前記半導体基板の中央部を含む部分と
周辺部を含む部分の温度をそれぞれ測定することが可能
な少なくとも１つの温度測定手段とを具備し、前記温度
測定手段で測定した濾度差異を前記赤外線加熱手段にフ
ィードバックすることにより前記赤外線加熱手段の加熱
出力制御を可能にせしめたことを特徴とする赤外線熱処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107945A JPS60727A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 赤外線熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107945A JPS60727A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 赤外線熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60727A true JPS60727A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0557733B2 JPH0557733B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=14472033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58107945A Granted JPS60727A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 赤外線熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60727A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4498350A (en) * | 1982-09-20 | 1985-02-12 | Eaton Corporation | Shifting mechanism |
| JPH03108323A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-08 | Watkins Johnson Co | ヒータ組立体及び基板の加熱方法 |
| JPH09237764A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 輻射加熱装置および加熱方法 |
| US6016383A (en) * | 1990-01-19 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature |
| US6072160A (en) * | 1996-06-03 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing the efficiency of radiant energy sources used in rapid thermal processing of substrates by energy reflection |
| US6122439A (en) * | 1990-01-19 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method |
| WO2001082348A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system |
| JP2002514008A (ja) * | 1998-04-30 | 2002-05-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェーハ温度ランピング中でのウェーハの放射状温度勾配制御方法および装置 |
| JP2006093302A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 急速熱処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681932A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Toshiba Corp | Oxidizing furnace for semiconductor substrate |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58107945A patent/JPS60727A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681932A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-04 | Toshiba Corp | Oxidizing furnace for semiconductor substrate |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4498350A (en) * | 1982-09-20 | 1985-02-12 | Eaton Corporation | Shifting mechanism |
| JPH03108323A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-08 | Watkins Johnson Co | ヒータ組立体及び基板の加熱方法 |
| US6016383A (en) * | 1990-01-19 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature |
| US6122439A (en) * | 1990-01-19 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method |
| US6434327B1 (en) | 1990-01-19 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method including an infrared camera to measure substrate temperature |
| JPH09237764A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 輻射加熱装置および加熱方法 |
| US6072160A (en) * | 1996-06-03 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing the efficiency of radiant energy sources used in rapid thermal processing of substrates by energy reflection |
| JP2002514008A (ja) * | 1998-04-30 | 2002-05-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェーハ温度ランピング中でのウェーハの放射状温度勾配制御方法および装置 |
| WO2001082348A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system |
| JP2004514269A (ja) * | 2000-04-20 | 2004-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム |
| US6891131B2 (en) | 2000-04-20 | 2005-05-10 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system |
| JP2006093302A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 急速熱処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0557733B2 (ja) | 1993-08-24 |
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