JPS601780A - 赤外線熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は赤外線熱処理装置に係り、特に半導体ウェハを
熱処理する装置に関するものである。

技術の背景 半導体装置を製造する工程で、シリコン等の半導体ウェ
ーに燐やホウ素等の不純物イオンを打ち込んだ後、該不
純物イオンを活性化させるために、該ウェハの熱処理が
行なわれている。

従来技術と問題点 従来第１図に示すように例えばシリコンウェー１上にタ
ングステンランプ等の棒状の赤外線ランそれぞれ設けら
れている。タングステンランデ２から発した光４は反射
板３に当たシリコンウェハへ１の表面にはソ垂直光と々
って反射せしめられる。シリコンウェハ１には予め例え
ば不純物としイオンが活性化せしめられる。とのような
不純物イオンの活性化のための熱処理ではウェハの全表
面ノ温度分布がよシ均一になるようにシリコンウェハ１
を一定速度で回転させたりあるいは移動させたりしてい
る。

しかしながら第１図（ｂ）に示すように１シリコンウエ
ハ１が受ける光の強度５はランプの真下との他によって
大きな差を生じ（最大Ｔｓ　）、第２図に示すよう表結
晶欠陥の１つであるスリ、シライン５が発生したシ、ま
たウェハに打ち込まれた不純物の拡散が不十分なために
層抵抗値の分布が大きくなシミ気的特性を悪化させる。

このようなスリップラインの発生、電気的特性の悪化は
シリコンウェハの歩留低下につながる欠点を有する。

発明の目的 上記欠点を鑑み本発明は半導体ウェハの熱処理工程にお
いて半導体ウェハの温度分布を改良して、該半導体ウェ
ハにおけるスリップラインの発生及び層抵抗値のバラツ
キを改良することが可傭方赤外線熱処理装置を提供する
ことを目的とする。

発明の構成 本発明の目的は半導体基板を熱処理する装置において、
半導体基板上方に赤外線加熱手段と、該赤外線加熱手段
の熱効率を向上させるべく乱反射面を有する反射板とを
具備してなることを特徴とする赤外線熱処理装置によっ
て達成される。

発明の実施例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第３図は本発明に係る１実施例を示す概略図である。

第３図によればシリコンウェハ１１上方に棒状のタング
ステンランプ１２が従来通シ平行に配設されており、該
タングステンランプ１２の上方には乱反射面を有する（
　ＡｔＡｕ　）からなる反射板が配設されている。タン
グステンランプから出た約Ａの光１４は反射板１３によ
って乱反射される。

このように乱反射面を有する反射板を配設すると第３図
（ｂ）に示すようなシリコンウェハ１１表面の受光強度
分布が得られる。第３図（ｂ）によれば従来同様にタン
グステンランプ直下部分が最高温度となっているが最低
温度との差はＴ２と従来のＴ１と比較すると著しく小さ
くなった。すなわち、シリコンウェー１１の熱処理にお
いて温度分布を改良することが可能となった。更に本発
明に用いられている乱反射板は（Ａｔ／ｐ、ｕ　）の他
に（Ａｔ／Ａｇ　）等からなるものも使用可能である。

発明の詳細 な説明したように本発明によれば赤外線ランプから出た
光が乱反射によって、半導体基板をよシ均一に加熱する
ことが可能となるため、スリップラインの発生が防止さ
れ、電気的特性の改良を行々うことが出来るので歩留向
上にも効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は従来の赤外線熱処理装置の１実施例を説
明するための概略断面図であり第１図（ｂ）は第１図（
ａ）を用いて得られるシリコンウニノーの受光強度を示
したものであり、第２図はスリップラインが発生したシ
リコンウェハ示す平面図であシ、第３図（−）は本発明
に係る１実施例を説明するだめの概略断面図であり、第
３図（ｂ）は第３図（ａ）を用いて得られるシリコンウ
ェハの受光強度を示したものである。 １．１１・・・シリコンウェハ、２．１２・・・タング
ステンランプ（赤外線ランプ）、３・・・反射板、４．
１４・・・光、５，１５・・・光の強度分布（温度分布
）、６・・・スリップライン、１３・・・乱反射板。 （ｂ） □位置 県２し くｂ） ３８９−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体基板を熱処理する装置において、半導体基板
   上方に赤外線加熱手段と乱反射面を有する乱反射板とを
   具備してなることを特徴とする赤外線熱処理装置。