JPS607325B2 - 化合物複合超電導体の製造方法 - Google Patents
化合物複合超電導体の製造方法Info
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- JPS607325B2 JPS607325B2 JP51005308A JP530876A JPS607325B2 JP S607325 B2 JPS607325 B2 JP S607325B2 JP 51005308 A JP51005308 A JP 51005308A JP 530876 A JP530876 A JP 530876A JP S607325 B2 JPS607325 B2 JP S607325B2
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- superconductor
- alloy
- compound composite
- compound
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープ状化合物複合超電導体の製造方法に関す
るものであり、特に超電導交流送電に優れた超電導体を
得んとするものである。
るものであり、特に超電導交流送電に優れた超電導体を
得んとするものである。
従来Ｎｂ或はＶを含む化合物複合超電導体をテープ状と
して使用する場合には、該超電導体の両面に電気抵抗の
低い常電導金属例えば銅、銅合金を設けて熱的或は電気
的に安定化をはかっているものである。
して使用する場合には、該超電導体の両面に電気抵抗の
低い常電導金属例えば銅、銅合金を設けて熱的或は電気
的に安定化をはかっているものである。
またＶ或はＮｂのテープの両面に該金属と超電導化合物
を形成しうる金属元素として銅合金例えばＣｕ−Ｇａ，
Ｃｕ−Ｓｎを設けた後熱処理を行うことによってＶ３Ｇ
ａ？ＮはＳｎ等の化合物超電導体をＶ或はＮｂと銅合金
との境界面に拡散反応によって形成せしめているもので
ある。しかしこの場合Ｖ或はＮｂと銅合金が反応するこ
となく一部Ｃｕ−Ｇａ；Ｃｕ−Ｓｎのまま残存し安定化
材としての機能も有する。しかしこの安定化金属は通常
電気抵抗が低いものが使用されているため、交番磁界中
に設置すると超電導体自体のヒステリシス損失と同時に
安定化金属による渦電流損失が生ずるものである。又テ
ープ状複合超電導体を螺旋状に巻きつけ円筒状としたも
のを超電導送電用の導体として使用する場合、該化合物
複合超電導体は臨界温度が高いため優れた性能を発揮す
るが、交流送電を行う場合に導体に流れる電流によって
導体円筒の外側に磁界を発生して安定化金属に交番磁界
が加わり渦電流損が生ずる。この渦電流損は送電効率を
低下せしめると共に温度上昇によって超電導体の不安定
をまねくことになるものである。本発明はかかる欠点を
改善するため鋭意研究を行った結果渦電流損を著しく減
少せしめ、しかも安定性を阻害することない化合物複合
超電導体をうる方法を見出したものである。
を形成しうる金属元素として銅合金例えばＣｕ−Ｇａ，
Ｃｕ−Ｓｎを設けた後熱処理を行うことによってＶ３Ｇ
ａ？ＮはＳｎ等の化合物超電導体をＶ或はＮｂと銅合金
との境界面に拡散反応によって形成せしめているもので
ある。しかしこの場合Ｖ或はＮｂと銅合金が反応するこ
となく一部Ｃｕ−Ｇａ；Ｃｕ−Ｓｎのまま残存し安定化
材としての機能も有する。しかしこの安定化金属は通常
電気抵抗が低いものが使用されているため、交番磁界中
に設置すると超電導体自体のヒステリシス損失と同時に
安定化金属による渦電流損失が生ずるものである。又テ
ープ状複合超電導体を螺旋状に巻きつけ円筒状としたも
のを超電導送電用の導体として使用する場合、該化合物
複合超電導体は臨界温度が高いため優れた性能を発揮す
るが、交流送電を行う場合に導体に流れる電流によって
導体円筒の外側に磁界を発生して安定化金属に交番磁界
が加わり渦電流損が生ずる。この渦電流損は送電効率を
低下せしめると共に温度上昇によって超電導体の不安定
をまねくことになるものである。本発明はかかる欠点を
改善するため鋭意研究を行った結果渦電流損を著しく減
少せしめ、しかも安定性を阻害することない化合物複合
超電導体をうる方法を見出したものである。
即ち本発明はＶ或はＮｂのテープの両面にＣｕＣａ，Ｃ
ｕＳｎ，ＡｇＧａ，又はＡ＄ｎの合金を貼着してテープ
状複合体となした後「熱処理を行ってＶ或はＮｂと談合
金との境界面に化合物熱電導体を形成せしめた後「化学
処理を行って該テープの片面に設けた残余の該合金を溶
解除去するか又はＶ或はＮｂのテープの両面にＣｕＧａ
，ＣｕＳｎ，ＡｇＧａ亨 又はＡがｎの合金及び少くと
も片面の外側にＣｕ或はＡＩの安定化金属を貼着したテ
ープ状複合体となした後「熱処理を行ってＶ或はＮｂと
該合金との境界面に化合物超電導体を形成せしめた後、
化学的処理を行って該テープの片面に設けた残余の談合
金を溶解除去することを特徴とするものである。本発明
の骨子とするところはＶ或はＮｂのテープの片面にＮｂ
３Ｓｎの如き超電導体層を介してＣｕ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｓ
ｎの如きＣｕ合金又はＡｇ−Ｇａ，Ａｇ−Ｓｎの如きＡ
ｇ合金を設け、他面には前記の如き超電導体層のみを設
けたもの、又はＶ或はＮｂのテープの片面にＮｂ３Ｓｎ
の如き超電導体層を介してＣｕ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｓｎの如
きＣｕ合金又はＡｇ−Ｇａ事Ａｇ−Ｓｎの如きＡｇ合金
及び安定化材としてＣｕ或はＡＩを夫々設けｔ他面には
前記の如き超電導体層のみを設けた化合物複合超電導体
を製造せんとするものである。
ｕＳｎ，ＡｇＧａ，又はＡ＄ｎの合金を貼着してテープ
状複合体となした後「熱処理を行ってＶ或はＮｂと談合
金との境界面に化合物熱電導体を形成せしめた後「化学
処理を行って該テープの片面に設けた残余の該合金を溶
解除去するか又はＶ或はＮｂのテープの両面にＣｕＧａ
，ＣｕＳｎ，ＡｇＧａ亨 又はＡがｎの合金及び少くと
も片面の外側にＣｕ或はＡＩの安定化金属を貼着したテ
ープ状複合体となした後「熱処理を行ってＶ或はＮｂと
該合金との境界面に化合物超電導体を形成せしめた後、
化学的処理を行って該テープの片面に設けた残余の談合
金を溶解除去することを特徴とするものである。本発明
の骨子とするところはＶ或はＮｂのテープの片面にＮｂ
３Ｓｎの如き超電導体層を介してＣｕ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｓ
ｎの如きＣｕ合金又はＡｇ−Ｇａ，Ａｇ−Ｓｎの如きＡ
ｇ合金を設け、他面には前記の如き超電導体層のみを設
けたもの、又はＶ或はＮｂのテープの片面にＮｂ３Ｓｎ
の如き超電導体層を介してＣｕ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｓｎの如
きＣｕ合金又はＡｇ−Ｇａ事Ａｇ−Ｓｎの如きＡｇ合金
及び安定化材としてＣｕ或はＡＩを夫々設けｔ他面には
前記の如き超電導体層のみを設けた化合物複合超電導体
を製造せんとするものである。
而して本発明の１例を図面にもとづき詳細に説明する。
第１図においてＶ或はＮｂテープ１をベースとする。こ
のテープの両面に超電導化合物を形成せしめうるＣｕ合
金２を貼着するものであり、この場合超電導体層として
Ｖ３Ｇａを形成せしめる場合にはＣｕ−Ｇａ合金、Ｎ公
Ｓｎを形成せしめる場合にはＣｕ−Ｓｎを貼着すればよ
く「更に必要に応じて他の金属を少量添加することもあ
る。なお該合金層の厚さは通常０．０８〜０．１２脚の
範囲のものが使用され、本発明はこのままで熱処理を行
ってもよいが「更にその外側に安定化のためにＣｕの安
定化金属３を貼着する。なお４は補強用金属であり、ス
テンレス、ハステ。ィ等が使用される。斯くして得たテ
ープ状複合体を圧延などの機械加工により所望のサイズ
になした後熱処理を行うものであり「例えば６００〜６
５０ｑ０において２０〜１０観時間加熱すると、Ｖ或は
Ｎｂ寮とＣＱ−Ｇａｇ ＣＱ−ＳｎなどのＣｕ合金２と
の間に熱拡散反応を生じ第２図に示す如くＮ広Ｓｎ，Ｖ
３０ａ等の超電導体層５を形成する。然る後テープの片
面のみのＣｕ合金２金属銅３及び補強用金属４を夫々化
学的処理例えば硝酸等に浸潰して溶解除去して超電導体
層６のみとする。なお超電導層５及び補強層４の外側に
電気絶縁性を附与し「且つ保護する目的をもってポリビ
ニルブチラールの如き保護層６を設けてもよい。
のテープの両面に超電導化合物を形成せしめうるＣｕ合
金２を貼着するものであり、この場合超電導体層として
Ｖ３Ｇａを形成せしめる場合にはＣｕ−Ｇａ合金、Ｎ公
Ｓｎを形成せしめる場合にはＣｕ−Ｓｎを貼着すればよ
く「更に必要に応じて他の金属を少量添加することもあ
る。なお該合金層の厚さは通常０．０８〜０．１２脚の
範囲のものが使用され、本発明はこのままで熱処理を行
ってもよいが「更にその外側に安定化のためにＣｕの安
定化金属３を貼着する。なお４は補強用金属であり、ス
テンレス、ハステ。ィ等が使用される。斯くして得たテ
ープ状複合体を圧延などの機械加工により所望のサイズ
になした後熱処理を行うものであり「例えば６００〜６
５０ｑ０において２０〜１０観時間加熱すると、Ｖ或は
Ｎｂ寮とＣＱ−Ｇａｇ ＣＱ−ＳｎなどのＣｕ合金２と
の間に熱拡散反応を生じ第２図に示す如くＮ広Ｓｎ，Ｖ
３０ａ等の超電導体層５を形成する。然る後テープの片
面のみのＣｕ合金２金属銅３及び補強用金属４を夫々化
学的処理例えば硝酸等に浸潰して溶解除去して超電導体
層６のみとする。なお超電導層５及び補強層４の外側に
電気絶縁性を附与し「且つ保護する目的をもってポリビ
ニルブチラールの如き保護層６を設けてもよい。
この場合ポリビニルブチラールの溶融槽内を通過せしめ
て被覆するものである。又本発明方法により得た化合物
複合超電導体７を超電導送電用導体として使用する場合
の１例を示すと、第３図の如き螺旋状にまきつけ「 こ
れに電流を流すと円筒外側に矢印の方向の磁界日を発生
するが、この磁界が交番磁界でも円筒外側に低抵抗金属
がないために渦電流損を著しく減少せしめることができ
るものである。次に本発明の実施例について説明する。
て被覆するものである。又本発明方法により得た化合物
複合超電導体７を超電導送電用導体として使用する場合
の１例を示すと、第３図の如き螺旋状にまきつけ「 こ
れに電流を流すと円筒外側に矢印の方向の磁界日を発生
するが、この磁界が交番磁界でも円筒外側に低抵抗金属
がないために渦電流損を著しく減少せしめることができ
るものである。次に本発明の実施例について説明する。
厚さ０４１０側のＮｂテープの両面に厚さ０．１０柳の
Ｃｕ−９％Ｓｎ合金「厚さ０．１柳の金属Ｃｕ及び厚さ
０．０５肋の誠テンレ諏を順次萩層した後「圧延加工を
行って５側（中）×０．２肋（厚さ）のテ−フ。
Ｃｕ−９％Ｓｎ合金「厚さ０．１柳の金属Ｃｕ及び厚さ
０．０５肋の誠テンレ諏を順次萩層した後「圧延加工を
行って５側（中）×０．２肋（厚さ）のテ−フ。
状複合体とした後、６２５ｏｏにおいて５０時間熱処理
を行ってＮｂとＣｕ合金との境界面にＮｂ３Ｓｎを形成
せしめた。（従来品）、次いで該テープの片面のみにポ
リスチロールを主成分とする防食剤を塗布し、硝酸バス
中に浸潰して防食剤を塗布しない面のステンレス「金属
銅を溶解除去した（実施例）。而して従来品及び実施例
の化合物複合超電導体を約２肌ボビンに巻きつけて臨界
電流を測定したところ「何れも優れた結果を示した。更
に上記従来品及び実施例によるテープ長さ４．５のを夫
々ボビン状に巻きつけ、これを液体Ｈ！中において５０
批の交流を流し「 液体ＨＩの蒸発量によって交流損失
を測定した結果は第４図に示す通りである。
を行ってＮｂとＣｕ合金との境界面にＮｂ３Ｓｎを形成
せしめた。（従来品）、次いで該テープの片面のみにポ
リスチロールを主成分とする防食剤を塗布し、硝酸バス
中に浸潰して防食剤を塗布しない面のステンレス「金属
銅を溶解除去した（実施例）。而して従来品及び実施例
の化合物複合超電導体を約２肌ボビンに巻きつけて臨界
電流を測定したところ「何れも優れた結果を示した。更
に上記従来品及び実施例によるテープ長さ４．５のを夫
々ボビン状に巻きつけ、これを液体Ｈ！中において５０
批の交流を流し「 液体ＨＩの蒸発量によって交流損失
を測定した結果は第４図に示す通りである。
該図より明らかの如く従来の化合物複合超電導体は本発
明の化合物複合超電導体に比して交流損失が明らかに大
きいことを示した。
明の化合物複合超電導体に比して交流損失が明らかに大
きいことを示した。
以上詳述した如く本発明方法によれば「交流送電におい
て漏電流損を生ずることなく「安定した化合物複合超電
導体をうる筆頭著な効果を有する。
て漏電流損を生ずることなく「安定した化合物複合超電
導体をうる筆頭著な効果を有する。
第官図は本発明におけるテープ状複合体の断面図、第２
図は本発明方法により得た化合物複合超電導体の断面図
、第３図は第２図の化合物複合超電導体による円筒状導
体の斜視図「第４図は本発明方法により得た化合物複合
超電導体と従釆の化合物複合超電導体とにおいて電流と
交流損失との関係を示す曲線である。 １…Ｎｂ又はＶのテープ、２・・・Ｃｕ合金又はＡｇ合
金、３…Ｃｕ又はＡＩ、４…補強体、６…超電導層、６
・・・保護層、７・・・化合物複合超電導体。 第１図第２図 第３図 第４図
図は本発明方法により得た化合物複合超電導体の断面図
、第３図は第２図の化合物複合超電導体による円筒状導
体の斜視図「第４図は本発明方法により得た化合物複合
超電導体と従釆の化合物複合超電導体とにおいて電流と
交流損失との関係を示す曲線である。 １…Ｎｂ又はＶのテープ、２・・・Ｃｕ合金又はＡｇ合
金、３…Ｃｕ又はＡＩ、４…補強体、６…超電導層、６
・・・保護層、７・・・化合物複合超電導体。 第１図第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｖ或はＮｂのテープの両面にＣｕＧａ，ＣｕＳｕ，
ＡｇＧａ，又はＡｇＳｎの合金を貼着してテープ状複合
体となした後、熱処理を行ってＶ或はＮｂと該合金との
境界面に化合物超電導体を形成せしめた後、化学的処理
を行って該テープの片面に設けた残余の該合金を溶解除
去することを特徴とする化合物複合超電導体の製造方法
。 ２ テープ状複合体としてＶ或はＮｂのテープの両面に
ＣｕＧａ，ＣｕＳｎ，ＡｇＧａ又はＡｇＳｎの合金及び
少くとも片面の外側にＣｕ或はＡｌの安定化金属を貼着
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合
物複合超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51005308A JPS607325B2 (ja) | 1976-01-20 | 1976-01-20 | 化合物複合超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51005308A JPS607325B2 (ja) | 1976-01-20 | 1976-01-20 | 化合物複合超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5289093A JPS5289093A (en) | 1977-07-26 |
| JPS607325B2 true JPS607325B2 (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=11607638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51005308A Expired JPS607325B2 (ja) | 1976-01-20 | 1976-01-20 | 化合物複合超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607325B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180806A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Method of producing compound series superconductive substance |
-
1976
- 1976-01-20 JP JP51005308A patent/JPS607325B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5289093A (en) | 1977-07-26 |
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