JPS62252012A - 化合物超電導線材の製造方法 - Google Patents
化合物超電導線材の製造方法Info
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- JPS62252012A JPS62252012A JP61093281A JP9328186A JPS62252012A JP S62252012 A JPS62252012 A JP S62252012A JP 61093281 A JP61093281 A JP 61093281A JP 9328186 A JP9328186 A JP 9328186A JP S62252012 A JPS62252012 A JP S62252012A
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- situ
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は内部安定化インサイチュ化合物超電導線材及び
その製造方法の改良に関するものである。
その製造方法の改良に関するものである。
（従来の技術）
一般にインサイチュ化合物超電導線の製造方法としては
、まず化合物超電導線材例えばＮｂ、Ｓｎ。
、まず化合物超電導線材例えばＮｂ、Ｓｎ。
Ｖ、Ｇａの如きＡ３Ｂ型の化合物であり、Ｎｂ、Ｖ等の
Ａ金廖とＣｕの如きマ） ＩＪクスとを溶解急冷してＡ
金属とＣ４Ｌとが微細に入組んだ混晶をインサイチュ鋳
塊という。この鋳塊を減面加工するとＣｕに囲まれたＡ
金属の細長い繊維群が形成される。このような複合線材
にＢ金属例えばスズ、ガリウム等をメッキして加熱する
と拡散してＡ３Ｂ化合物超電導体が見られる。
Ａ金廖とＣｕの如きマ） ＩＪクスとを溶解急冷してＡ
金属とＣ４Ｌとが微細に入組んだ混晶をインサイチュ鋳
塊という。この鋳塊を減面加工するとＣｕに囲まれたＡ
金属の細長い繊維群が形成される。このような複合線材
にＢ金属例えばスズ、ガリウム等をメッキして加熱する
と拡散してＡ３Ｂ化合物超電導体が見られる。
なお上記のマ） リクスとしては銅以外に純度の高いＡ
７．Ａｇ等である。又メッキ金属としてはＣｕ、Ｎｉの
単体金属或はＣｕ−８ｎのブロンズ等の合金を使用する
。
７．Ａｇ等である。又メッキ金属としてはＣｕ、Ｎｉの
単体金属或はＣｕ−８ｎのブロンズ等の合金を使用する
。
又線材の断面形状は円形、平角形、テープ状いずれでも
よい。
よい。
従来インサイチュ化合物超％導線は第１図に示す如き線
材即ち安定化金属１の外周に拡散遮蔽層２を設け、更に
その外側にＣｕ −Ｂ ／Ａ 、 Ｂのインサイチュ線
材３を被覆しているもの又は第２図に示す如（Ｃｕ−Ｉ
３／Ａ３Ｂ合金よりなるインサイチュ線材３の外周にＣ
ｕメッキによる安定化金属層４を設けて加熱したもの又
は第３図に示す如くＣｕ−Ｂ／Ａ３Ｂ合金よりなるイン
サイチュテープ３の両側部にハンダ層５を介してＣｕテ
ープによる安定化金属層６を設けたものがある。
材即ち安定化金属１の外周に拡散遮蔽層２を設け、更に
その外側にＣｕ −Ｂ ／Ａ 、 Ｂのインサイチュ線
材３を被覆しているもの又は第２図に示す如（Ｃｕ−Ｉ
３／Ａ３Ｂ合金よりなるインサイチュ線材３の外周にＣ
ｕメッキによる安定化金属層４を設けて加熱したもの又
は第３図に示す如くＣｕ−Ｂ／Ａ３Ｂ合金よりなるイン
サイチュテープ３の両側部にハンダ層５を介してＣｕテ
ープによる安定化金属層６を設けたものがある。
然しなから第１図のものはインサイチュ化合物が表面に
あるため機械的保護が必要である。又表面状態で冷却条
件が決定されるため不安定になシ易い。又第２図のもの
は表面からの冷却に依存するため線材を太径にすること
が出来ない。従って電流容量が小さい。又第３図のもの
はハンダボイドが出来易く安定化金属が有効に作用しな
いと共にインサイチュ線材部の中央の冷却はその厚みに
支配されるため電流容量を大きくすることが出来ない。
あるため機械的保護が必要である。又表面状態で冷却条
件が決定されるため不安定になシ易い。又第２図のもの
は表面からの冷却に依存するため線材を太径にすること
が出来ない。従って電流容量が小さい。又第３図のもの
はハンダボイドが出来易く安定化金属が有効に作用しな
いと共にインサイチュ線材部の中央の冷却はその厚みに
支配されるため電流容量を大きくすることが出来ない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は内部安定化インサイチュ化合物＠ｉ電導線の製
造方法の改良に係り、所定の形状を有するインサイチュ
化合物超電導線を得んとするものである。
造方法の改良に係り、所定の形状を有するインサイチュ
化合物超電導線を得んとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、インサイチュＡ３Ｂ化合物超電導線材におい
て、線材の内部及び外周部に安定化金属を配置したこと
を特徴とするものである。
て、線材の内部及び外周部に安定化金属を配置したこと
を特徴とするものである。
又本発明方法はインサイチュＡ３Ｂ化合物超電導線材を
製造するにおいて、インサイチュ複合材の内部に少くと
も１個の孔を穿設し、該孔に安定化金属または拡散障壁
体で被覆した安定化金属を挿入する第１工程と、その表
面に金属メッキを施す第２工程と、押出す第３工程と、
押出材を減面加工後Ｂ合本をメッキし、線材内部にＡ３
Ｂ化合物を形成させる第４工程と、線材外表面に接して
安定化金属を付加する第５工程とからなることを特徴と
するものである。
製造するにおいて、インサイチュ複合材の内部に少くと
も１個の孔を穿設し、該孔に安定化金属または拡散障壁
体で被覆した安定化金属を挿入する第１工程と、その表
面に金属メッキを施す第２工程と、押出す第３工程と、
押出材を減面加工後Ｂ合本をメッキし、線材内部にＡ３
Ｂ化合物を形成させる第４工程と、線材外表面に接して
安定化金属を付加する第５工程とからなることを特徴と
するものである。
（実施例）
実施例（］）
第４図に示す如くインサイチュＣｕ ／ Ｖの鋳塊をア
ーク溶解にし製作し、その表面の不均質部分を外削して
均質なＣｕ ／ Ｖ複合体３（４０ψ×１ ｓ ｏ、ｇ
）とした。この中心に１６ψの孔を穿設し該孔内に厚さ
１ｍｍのＮｂｚを被覆した安定化銅１（１５，８ψＸ１
３５Ａ）を挿入し、真空中にて上端面にＣｕのフタを電
子ビームで封着した。このビレットに厚さ約３０μｍの
Ｃｕメッキを施した後７００°Ｃに加熱後押出し１０１
１ψとし更に減面加工を行った後、圧延によってＱ、２
１１Ｘ５ｕのテープとした。このテープに真空中でＧａ
メッキを施し５００℃で７日間拡散熱処理を行ってテー
プ内にＶ、Ｇａを形成させた。然る後テープ表面に約１
５μｍの厚さのＣｕメッキ４を施して本発明化合物超電
導線材をした。
ーク溶解にし製作し、その表面の不均質部分を外削して
均質なＣｕ ／ Ｖ複合体３（４０ψ×１ ｓ ｏ、ｇ
）とした。この中心に１６ψの孔を穿設し該孔内に厚さ
１ｍｍのＮｂｚを被覆した安定化銅１（１５，８ψＸ１
３５Ａ）を挿入し、真空中にて上端面にＣｕのフタを電
子ビームで封着した。このビレットに厚さ約３０μｍの
Ｃｕメッキを施した後７００°Ｃに加熱後押出し１０１
１ψとし更に減面加工を行った後、圧延によってＱ、２
１１Ｘ５ｕのテープとした。このテープに真空中でＧａ
メッキを施し５００℃で７日間拡散熱処理を行ってテー
プ内にＶ、Ｇａを形成させた。然る後テープ表面に約１
５μｍの厚さのＣｕメッキ４を施して本発明化合物超電
導線材をした。
比較例（１）
実施例（１）において中心部に孔を設けることのないＣ
ｕ ／ Ｖ複合体を使用した以外はすべて実施例（１）
と同様にして比較例化合物超電導線材をした。
ｕ ／ Ｖ複合体を使用した以外はすべて実施例（１）
と同様にして比較例化合物超電導線材をした。
比較例（２）
比較例（１）のコイルを＠酋もどしてテープの両面に約
８μｍの銅テープを半田で貼付して比較例化合物超電導
線材をえた。
８μｍの銅テープを半田で貼付して比較例化合物超電導
線材をえた。
斯くして得た本発明化合物超電導線材及び比較例化合物
超電導線材について、これらのテープを各々３０ｍづ＼
使用してパンケーキ状とし１通電実験を行った。その結
果は第１表に示す通りである。
超電導線材について、これらのテープを各々３０ｍづ＼
使用してパンケーキ状とし１通電実験を行った。その結
果は第１表に示す通りである。
第 １ 表
上表から明らかな如く本発明品は１５ Ｔまで全く安定
に通電可能であった。しかし比較例品においては７Ｔ及
び１ｏＴで激しい７ラツクスジヤンプ現象をおこし、テ
ープが不安定であることを示した。
に通電可能であった。しかし比較例品においては７Ｔ及
び１ｏＴで激しい７ラツクスジヤンプ現象をおこし、テ
ープが不安定であることを示した。
なお比較例（２）においては比較例（１）に比して７Ｔ
ゥた程度であり、大きな改善は認められなかり九。
ゥた程度であり、大きな改善は認められなかり九。
実施例（２）
インサイチュＣｕ ／ Ｖの鋳塊をアーク溶解して製作
し、その表面の不均質部を外削して均質なＣｕ ／ Ｖ
複合材（４０９Ｘ１５（１＃）をえた。この中心に１６
９の孔を穿設し、該孔内に厚さｌｕのＮｂを包被した安
定化銅（１４ψＸ１３（１＃）を挿入し、真空中にて上
端面にＣｕの蓋を電子ビームで溶着し密封した後、Ｃｕ
／ Ｖ複合材１の外周に厚さ約３０μｍ０Ｃｕメツキ
を施しビニレットをえた。
し、その表面の不均質部を外削して均質なＣｕ ／ Ｖ
複合材（４０９Ｘ１５（１＃）をえた。この中心に１６
９の孔を穿設し、該孔内に厚さｌｕのＮｂを包被した安
定化銅（１４ψＸ１３（１＃）を挿入し、真空中にて上
端面にＣｕの蓋を電子ビームで溶着し密封した後、Ｃｕ
／ Ｖ複合材１の外周に厚さ約３０μｍ０Ｃｕメツキ
を施しビニレットをえた。
このビユレットをＡｒ雰囲気中にて７００℃に加熱して
押出し１０ψの線材とし、更に減面加工を行って０．２
９の線材をえた。然る後その表面を濃度２０−のＨＮＯ
，水溶液にて洗浄し、Ｃｕ被覆層を除去した。
押出し１０ψの線材とし、更に減面加工を行って０．２
９の線材をえた。然る後その表面を濃度２０−のＨＮＯ
，水溶液にて洗浄し、Ｃｕ被覆層を除去した。
この線材に真空中でＧａメッキを施し、５００℃にて７
日間拡散熱処理を行りて線材内にＶ、Ｇａを形成せしめ
その外側にＧａメッキを施して本発明インサイチュＶ、
Ｇａ超電導線をえた。
日間拡散熱処理を行りて線材内にＶ、Ｇａを形成せしめ
その外側にＧａメッキを施して本発明インサイチュＶ、
Ｇａ超電導線をえた。
斯くして得た本発明超電導線を液体Ｈｅ中（４，２Ｋ）
で臨界電流密度を測定した結果、磁場１０Ｔで１．８
Ｘ １０’ Ａ／ｃｄという優れた性能を示した。又安
定化銅の全線材断面積に対する占積率を測定した。即ち
ＨＮＯ，水溶液にて各成分を溶解し、比重を考慮して算
出した結果、目標の１２嘩に対し±２％の範囲内にとど
まった。
で臨界電流密度を測定した結果、磁場１０Ｔで１．８
Ｘ １０’ Ａ／ｃｄという優れた性能を示した。又安
定化銅の全線材断面積に対する占積率を測定した。即ち
ＨＮＯ，水溶液にて各成分を溶解し、比重を考慮して算
出した結果、目標の１２嘩に対し±２％の範囲内にとど
まった。
実施例（３）
実施例（２）の如くにして押出された１０９）の線材を
減面加工を施して３ψの線材とした後、その表面を２０
哄のＨＮＯ，水溶液で洗浄して端波を除去し、真空雰囲
気中で９５０℃×１時間焼鈍を施してピッチ１０ｕでツ
イスト加工を行い、ロールによる圧延加工に切換えて０
．１５ ｔ Ｘ ５．３のテープを得た。然る後その両
端面を耳落し加工を行って幅５．０とし、これに真空中
でＧａメッキを施し、５００℃×７日間の拡散熱処理を
行って本発明インサイチュＶ、Ｇａ超電テープをえた。
減面加工を施して３ψの線材とした後、その表面を２０
哄のＨＮＯ，水溶液で洗浄して端波を除去し、真空雰囲
気中で９５０℃×１時間焼鈍を施してピッチ１０ｕでツ
イスト加工を行い、ロールによる圧延加工に切換えて０
．１５ ｔ Ｘ ５．３のテープを得た。然る後その両
端面を耳落し加工を行って幅５．０とし、これに真空中
でＧａメッキを施し、５００℃×７日間の拡散熱処理を
行って本発明インサイチュＶ、Ｇａ超電テープをえた。
斯くして得た本発明超電導テープを液体Ｈｅ中（４，２
Ｋ）、テープ長辺に平行な磁場（１０Ｔ）の下で臨界電
流密度を測定した結果２．ｌＸ１０”Ａ／ｄの如く優れ
た性能のものであった。
Ｋ）、テープ長辺に平行な磁場（１０Ｔ）の下で臨界電
流密度を測定した結果２．ｌＸ１０”Ａ／ｄの如く優れ
た性能のものであった。
又安定化銅の全線材断面積に対する占積率を測定した。
即ちＨＮＯ，水溶液にて各取分を溶解し比重を考慮して
算出した結果、目標の１３−に対し±２ｓの範囲内にと
どまった。
算出した結果、目標の１３−に対し±２ｓの範囲内にと
どまった。
（効 果）
以上詳述した如く本発明方法によれば安定化銅の占積率
が目ｍ値に極めて近似しうる内部安定化金属を有すると
共に皮むき工程を行うもロスを生ぜしめることなく歩留
のよい超電導線材をうる等顕著な効果を有する。
が目ｍ値に極めて近似しうる内部安定化金属を有すると
共に皮むき工程を行うもロスを生ぜしめることなく歩留
のよい超電導線材をうる等顕著な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は従来方法によるインサイチ二化合物
超電導線の断面図、第４図は本発明化合物超電導線材の
１例を示す断面図である。 １・・・安定化金属層、２・・・遮蔽層、３・・・安定
化金属層、４・・・安定化金属メッキ層、５・・・ハン
ダ瀬、６・・・安定化金属テープ層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 第４図
超電導線の断面図、第４図は本発明化合物超電導線材の
１例を示す断面図である。 １・・・安定化金属層、２・・・遮蔽層、３・・・安定
化金属層、４・・・安定化金属メッキ層、５・・・ハン
ダ瀬、６・・・安定化金属テープ層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 第４図
Claims (2)
- （１）インサイチュＡ＿３Ｂ化合物超電導線材において
、線材の内部および外周部に安定化金属を配置したこと
を特徴とする化合物超電導線材。 - （２）インサイチュＡ＿３Ｂ化合物超電導線材を製造す
るにおいて、インサイチュ複合材の内部に少くとも１個
の孔を穿設し、該孔に安定化金属または拡散障壁体で被
覆した安定化金属を挿入する第１工程とその表面に金属
メッキを施す第２工程と押出す第３工程と、押出材を減
面加工後、Ｂ元素をメッキし、線材内部にＡ＿３Ｂ化合
物を形成させる第４工程と、線材外表面に接して安定化
金属を付加する第５工程とからなることを特徴とする化
合物超電導線材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093281A JP2520877B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 化合物超電導線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093281A JP2520877B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 化合物超電導線材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252012A true JPS62252012A (ja) | 1987-11-02 |
| JP2520877B2 JP2520877B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=14078045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61093281A Expired - Lifetime JP2520877B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 化合物超電導線材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2520877B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01261205A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法、及びその製造装置 |
| JPH01294314A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Fujikura Ltd | 化合物系超電導線の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109108A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-14 | 昭和電線電纜株式会社 | Ｉｎ−Ｓｉｔｕ法Νｂ↓３Ｓｎ超電導線の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61093281A patent/JP2520877B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109108A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-14 | 昭和電線電纜株式会社 | Ｉｎ−Ｓｉｔｕ法Νｂ↓３Ｓｎ超電導線の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01261205A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法、及びその製造装置 |
| JPH01294314A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Fujikura Ltd | 化合物系超電導線の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2520877B2 (ja) | 1996-07-31 |
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