JPS607433A - アモルフアスシリコン感光体の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS607433A JPS607433A JP11518183A JP11518183A JPS607433A JP S607433 A JPS607433 A JP S607433A JP 11518183 A JP11518183 A JP 11518183A JP 11518183 A JP11518183 A JP 11518183A JP S607433 A JPS607433 A JP S607433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- substrate
- photoreceptor
- manufacture
- photosensitive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）６光体の製
造方法、とくにアモルファスシリコン感光体の表面処理
に関するものである。
造方法、とくにアモルファスシリコン感光体の表面処理
に関するものである。
アモルファスシリコン感光体は未だ開発途上にあり、そ
のＭｖ造、方法に確立したものがあるわけではない。通
常、アルミニウム等の金属導電性基板表面を鏡面仕上け
しだ後、基板面にシランガスをグロー分解によって２２
０μ以上のアモルファスシリコンを成膜させて製造して
いる。アモルファスシリコンを主体とする感光材料を用
いた１（ｊ、子写真感光体は鏡面状の表面を保有させて
おく必要があり、そのために伏基板そのものの表面をｒ
′β面に仕上げておかなければならない。薯通、基板の
鏡面度は表面粗さとして０．０２ｓ 以下が好オしいと
されている。（イ：来、よくイ吏用されているーヒレニ
ウムの場合には、その軟化温度が比ド的低し）σ）で、
き着時に」？いても例えば７０℃位の基板湯度をイ〒持
をせて卦くと蒸着されたセレニウノ、を下戸・ミニラム
基板上で流動させることができ、比較的表面粗度の大き
い基板を使用してもセレニウノ・す４面は実用−Ｌ間ｆ
７．／ｊのない平滑性を有する。しかし、アモルファス
シリコンの地合は、その軟化湿度がｌ−ε着温度に較べ
てはるかに高いためセレニウノ・のように流動性を示さ
ない。
のＭｖ造、方法に確立したものがあるわけではない。通
常、アルミニウム等の金属導電性基板表面を鏡面仕上け
しだ後、基板面にシランガスをグロー分解によって２２
０μ以上のアモルファスシリコンを成膜させて製造して
いる。アモルファスシリコンを主体とする感光材料を用
いた１（ｊ、子写真感光体は鏡面状の表面を保有させて
おく必要があり、そのために伏基板そのものの表面をｒ
′β面に仕上げておかなければならない。薯通、基板の
鏡面度は表面粗さとして０．０２ｓ 以下が好オしいと
されている。（イ：来、よくイ吏用されているーヒレニ
ウムの場合には、その軟化温度が比ド的低し）σ）で、
き着時に」？いても例えば７０℃位の基板湯度をイ〒持
をせて卦くと蒸着されたセレニウノ、を下戸・ミニラム
基板上で流動させることができ、比較的表面粗度の大き
い基板を使用してもセレニウノ・す４面は実用−Ｌ間ｆ
７．／ｊのない平滑性を有する。しかし、アモルファス
シリコンの地合は、その軟化湿度がｌ−ε着温度に較べ
てはるかに高いためセレニウノ・のように流動性を示さ
ない。
シランガスの分Ｍｆ、！、着によるアモノトフ丁スシリ
コンの沈着理ｊ：ｆｌｏ ｔＪ、充分明らかで６：ｌ：
ないが、ラジ９１ルイオンと、ｉ皮膜との反応ｐＣよる
と考えても、また蒸滑の如くシリコン蒸気と基板との接
へ虫に、Ｉノ・ものと考えても、何れのｊ品分でも丁モ
ノトファスシリコンの表面はアルミニウム基板のＦ ｒ
ｉ’ｒｉ ’ｉ’ｌｌさにｆイ＜−存する。従って良好
な画像を得るダζめに＆′□Ｊアルミ＝ラム基板を鏡面
仕上げすることなくして感光体表面に平滑住を与えるこ
とはできなかった。
コンの沈着理ｊ：ｆｌｏ ｔＪ、充分明らかで６：ｌ：
ないが、ラジ９１ルイオンと、ｉ皮膜との反応ｐＣよる
と考えても、また蒸滑の如くシリコン蒸気と基板との接
へ虫に、Ｉノ・ものと考えても、何れのｊ品分でも丁モ
ノトファスシリコンの表面はアルミニウム基板のＦ ｒ
ｉ’ｒｉ ’ｉ’ｌｌさにｆイ＜−存する。従って良好
な画像を得るダζめに＆′□Ｊアルミ＝ラム基板を鏡面
仕上げすることなくして感光体表面に平滑住を与えるこ
とはできなかった。
しかし、実際にはこのような注意を払っても感光体表面
を鏡面状態に保つことは３・１１かしい。この原因とし
−Ｃは種々考えられるが、第１に比倍工程の前に基板表
面に偶発的に生じるゴミの付；１キがある。この場合は
ブリスパッタのようにアルミニウム基板表面をたたいて
も、気相エツチングしても感光体表面を鏡面にすること
は娯矛）しい。これはアルミニウム表面がスパッタや気
相エツチングにさらされる時間に差があるために表面状
態に差が生じるものと思われる。
を鏡面状態に保つことは３・１１かしい。この原因とし
−Ｃは種々考えられるが、第１に比倍工程の前に基板表
面に偶発的に生じるゴミの付；１キがある。この場合は
ブリスパッタのようにアルミニウム基板表面をたたいて
も、気相エツチングしても感光体表面を鏡面にすること
は娯矛）しい。これはアルミニウム表面がスパッタや気
相エツチングにさらされる時間に差があるために表面状
態に差が生じるものと思われる。
第２の理由として高速沈着法によるミスフィツトの１．
［がある。通常アモルファスシリコン被膜の厚さは２０
〜５０μ程度で６９、このような感光体の工業的製造で
は高速沈着処理は不ＮｉＪ欠である。ミスフィツトを生
じさせるｒ−＜＋ｔａは不明であるが、沈着が全く反応
によるものだけであるならば考えにくいところであるが
、実際には三次元的に起シ得ることである。
［がある。通常アモルファスシリコン被膜の厚さは２０
〜５０μ程度で６９、このような感光体の工業的製造で
は高速沈着処理は不ＮｉＪ欠である。ミスフィツトを生
じさせるｒ−＜＋ｔａは不明であるが、沈着が全く反応
によるものだけであるならば考えにくいところであるが
、実際には三次元的に起シ得ることである。
このようにして、究極的にアモルファスで／リコン膜表
面が充分な鏡面状態を保持せず、Ｆｌｌへ表面に僅かな
突起など不良部分があると、クリ−１１ングブレード中
に破壊されてブレードとドラムの間に破片が引っかかっ
てドラムを１ｎ傷させることになる。
面が充分な鏡面状態を保持せず、Ｆｌｌへ表面に僅かな
突起など不良部分があると、クリ−１１ングブレード中
に破壊されてブレードとドラムの間に破片が引っかかっ
てドラムを１ｎ傷させることになる。
本発明の目的はかかる欠点を解消すムｔ、めの表面処理
方法を提案することにある。本発明によれば、基板上に
形成されたアモルファスシリコン感光体の表面層を研磨
することによってイ千面第１１さ７５薯０．１μ以下、
好オしくは０，０１μ以下の平？１１面を有するアモル
ファスシリコン感光体が得られる。
方法を提案することにある。本発明によれば、基板上に
形成されたアモルファスシリコン感光体の表面層を研磨
することによってイ千面第１１さ７５薯０．１μ以下、
好オしくは０，０１μ以下の平？１１面を有するアモル
ファスシリコン感光体が得られる。
研磨方法は平板基板に対しては）（）研ｆｑな；！’Ｓ
７用いて行なうことができる。研磨材Ｉ′Ｊ： Ａム０
．。
７用いて行なうことができる。研磨材Ｉ′Ｊ： Ａム０
．。
５ｉ０２ 、ＳｉＣなどの微粉末を化学コ／ノ（つ：／
ド中に分散させたものを用いればよい。またドラ）、
−ｆＦ。
ド中に分散させたものを用いればよい。またドラ）、
−ｆＦ。
基板に対しては第１図に示すような回転ローノ１／ フ
コのもの、おるいは第２図に示されるような固定式のも
のが便利に使用される。図中の１けア手ノトファスシリ
コ／感光体ドラムであり、２は口・−刀・式研磨治具、
３は固定式研１’ｊ治具を示す。廿だ、現状では時間を
要するがａ −Ｓ’ Ｒ−７を１７＜シて）夕いて後か
らダイヤモンド挽き旋盤で仕−Ｌげてもよいことは明ら
かである。
コのもの、おるいは第２図に示されるような固定式のも
のが便利に使用される。図中の１けア手ノトファスシリ
コ／感光体ドラムであり、２は口・−刀・式研磨治具、
３は固定式研１’ｊ治具を示す。廿だ、現状では時間を
要するがａ −Ｓ’ Ｒ−７を１７＜シて）夕いて後か
らダイヤモンド挽き旋盤で仕−Ｌげてもよいことは明ら
かである。
本発明では研ｊ１１によるアモルファスシリニフンの表
面層のぢ月さな０．０１１Ｌ〜０．１μとする。この１
１さ範囲の妃択は画俄形成およびこのアモルファスシリ
コン感光体の特性である可視域から８３０ ｉｎに至る
までの領域で高感度である性質を充分活用するだめの光
の拡散に対して重要で２５る。
面層のぢ月さな０．０１１Ｌ〜０．１μとする。この１
１さ範囲の妃択は画俄形成およびこのアモルファスシリ
コン感光体の特性である可視域から８３０ ｉｎに至る
までの領域で高感度である性質を充分活用するだめの光
の拡散に対して重要で２５る。
本発明によって表面層が実質的に平滑表面とされるため
、外観的にもまたブレードによる損イ）もなくなシ、ア
モルファスシリコン電子写真感光体としてすぐれたｉｌ
！ｉｌｉ像形成の効果を得ることができる。以下に実施
例によって更に詳述する。
、外観的にもまたブレードによる損イ）もなくなシ、ア
モルファスシリコン電子写真感光体としてすぐれたｉｌ
！ｉｌｉ像形成の効果を得ることができる。以下に実施
例によって更に詳述する。
実２１１ｑＩ列
基板として使用した鏡面加工されたアＡ／ ミニラム円
筒は外径１２０ ＋ａ 、長さ３ （］ Ｏｗのす・ｆ
７ズを有するドラムであり、その表面イ′［ｔさは表面
１１１さ計（株式会社小坂研究所製サーフコーダー）で
測定すると表面うねりの山と谷は最大０．３μであった
。
筒は外径１２０ ＋ａ 、長さ３ （］ Ｏｗのす・ｆ
７ズを有するドラムであり、その表面イ′［ｔさは表面
１１１さ計（株式会社小坂研究所製サーフコーダー）で
測定すると表面うねりの山と谷は最大０．３μであった
。
このドラム壱面上にグロー放電法により２５１’Ａ１ｒ
の沈着速度で ａ−Ｈｉ ： ＩＩ （Ｎ 、 Ｂを含
む）を２５μの厚さで形成させた。膜厚ｔ−１ｆｌ電流
式１ｑ厚計ノ（−マスコープ（西独へルムート・フィッ
クｒ −＋Ｊ：１＋１り、 ｆ 測定Ｌ タ。ａ−８ｉ
：）ｉ形成後の表面１１１さを測定すると表面のうねり
には余り変化がなく、０．３μてあったが、徽小の突起
が見られた。
の沈着速度で ａ−Ｈｉ ： ＩＩ （Ｎ 、 Ｂを含
む）を２５μの厚さで形成させた。膜厚ｔ−１ｆｌ電流
式１ｑ厚計ノ（−マスコープ（西独へルムート・フィッ
クｒ −＋Ｊ：１＋１り、 ｆ 測定Ｌ タ。ａ−８ｉ
：）ｉ形成後の表面１１１さを測定すると表面のうねり
には余り変化がなく、０．３μてあったが、徽小の突起
が見られた。
この感光ドラムを市販の祈写機（帯ｖＩτ、器お１び光
強度調整ずみの試験用のものである）に入Ｉｔてコピー
を作製したが画像には界地に白い大力；見られ、これは
明らかにドラムの突起部分Ｋ ９１１ＦＪ Ｉ／ていた
。
強度調整ずみの試験用のものである）に入Ｉｔてコピー
を作製したが画像には界地に白い大力；見られ、これは
明らかにドラムの突起部分Ｋ ９１１ＦＪ Ｉ／ていた
。
次に、前記の感光ドラムをアセトン、ト１ｊクレンで洗
浄した後、旋盤を改造した氾２図に示すＪ４弐の研磨装
置に固定した。研磨治具はその内ｉ？ｉ’ｊ Ｉｃ研磨
剤（株式会社党円社製研磨剤＋３４４）力毫浄布されて
いる木綿布が内張すされている。ドラノ・荀約１５０
Ｏｒ、ｐ、ｍ、の速度で回転させ、１１：、力０．５に
ｔ／ｃｒＩで約５分間研磨した。研７１１治八をドラム
のＪ’。
浄した後、旋盤を改造した氾２図に示すＪ４弐の研磨装
置に固定した。研磨治具はその内ｉ？ｉ’ｊ Ｉｃ研磨
剤（株式会社党円社製研磨剤＋３４４）力毫浄布されて
いる木綿布が内張すされている。ドラノ・荀約１５０
Ｏｒ、ｐ、ｍ、の速度で回転させ、１１：、力０．５に
ｔ／ｃｒＩで約５分間研磨した。研７１１治八をドラム
のＪ’。
さ方向に邪励させてドラム表面の全域に亘りて研磨した
。研磨ドラムを超音波フロン、トリクレン。
。研磨ドラムを超音波フロン、トリクレン。
アルコールで順次洗浄して、表面粗さを測定したところ
約０．１μであった。膜厚は２５μで殆んど変化せず測
定器の公差範囲の変化と思われる。表面には外観上突起
物は全く：見られず状剋良好であった。そして前述のコ
ピーテストでは熱地に白の穴は見られず良好なコピーが
得られた。
約０．１μであった。膜厚は２５μで殆んど変化せず測
定器の公差範囲の変化と思われる。表面には外観上突起
物は全く：見られず状剋良好であった。そして前述のコ
ピーテストでは熱地に白の穴は見られず良好なコピーが
得られた。
第１図は本発明の実施に使用する研磨ロール式研磨治具
の一例であ’） 、ｇｅ’ｓ ２図は同じく固定式研磨
治具の一例である。 １・・・感光体ドラム；２・・・ロール式研磨治具；３
・・・固定式研磨治具 特許出願人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理士
海洋ミニ 同 ： 弁理士 平 山 −幸 纂１ 図 尊２図
の一例であ’） 、ｇｅ’ｓ ２図は同じく固定式研磨
治具の一例である。 １・・・感光体ドラム；２・・・ロール式研磨治具；３
・・・固定式研磨治具 特許出願人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理士
海洋ミニ 同 ： 弁理士 平 山 −幸 纂１ 図 尊２図
Claims (1)
- 基板上に形成したアモルファスシリコン感光体の表面層
を研磨することによって表面粗さｏ、 ｉμ以下の平滑
面を得ることを特徴とするアモルファスシリコン感光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11518183A JPS607433A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | アモルフアスシリコン感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11518183A JPS607433A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | アモルフアスシリコン感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607433A true JPS607433A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14656357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11518183A Pending JPS607433A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | アモルフアスシリコン感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607433A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124561A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | アモルフアスシリコン電子写真感光体 |
| JP2006300106A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Bridgestone Corp | 防振装置 |
| JP2006300107A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Bridgestone Corp | 防振装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115464A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Canon Inc | 感光体研磨方法 |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP11518183A patent/JPS607433A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115464A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Canon Inc | 感光体研磨方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124561A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | アモルフアスシリコン電子写真感光体 |
| JP2006300106A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Bridgestone Corp | 防振装置 |
| JP2006300107A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Bridgestone Corp | 防振装置及びその製造方法 |
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