JPS6074461A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6074461A JPS6074461A JP58181284A JP18128483A JPS6074461A JP S6074461 A JPS6074461 A JP S6074461A JP 58181284 A JP58181284 A JP 58181284A JP 18128483 A JP18128483 A JP 18128483A JP S6074461 A JPS6074461 A JP S6074461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- common
- support base
- electrode
- connection terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/60—Securing means for detachable heating or cooling arrangements, e.g. clamps
- H10W40/611—Bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/60—Securing means for detachable heating or cooling arrangements, e.g. clamps
- H10W40/625—Clamping parts not primarily conducting heat
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はトランジスタやザイリスタ等の大電力用素子か
らなる半導体装置に係り、特に圧接型モジュールに使用
される半導体装置ＶＣ関する。
らなる半導体装置に係り、特に圧接型モジュールに使用
される半導体装置ＶＣ関する。
従来、大電力用のモノ。５２−ルとして例えば第１図に
示すトランジスタモジュールがある。同図例おいで、Ｌ
はノＲワートランソスク１ノ及びダイオード１２からな
る第１のトランジスタ複合体、互は同じくパワートラン
ジスタ１３及びダイオードＩ４からなる第２のトランジ
スタ複合体である。このトランジスタモジュールハ、こ
れら第１及び第２のトランジスタ複合体り。
示すトランジスタモジュールがある。同図例おいで、Ｌ
はノＲワートランソスク１ノ及びダイオード１２からな
る第１のトランジスタ複合体、互は同じくパワートラン
ジスタ１３及びダイオードＩ４からなる第２のトランジ
スタ複合体である。このトランジスタモジュールハ、こ
れら第１及び第２のトランジスタ複合体り。
互をそれぞれ絶縁基板１５．１６を介して共通の金属基
板１７に接着させると共に、これらのトランジスタ複合
体１．２を取り囲み収容する共通のパッケージ１８の上
方に、泥１のトランジスタ複合体りのコレクタ電極端子
１９、第１のトランジスタ複合体ｌのエミッタ電極端子
２゜と接続した第２のトランジスタ複合体そのコレクタ
電極端子２ノ、及び第２のトランジスタ複合体ｌのエミ
ッタ電極端子２２をそれぞれ導出して配列したものであ
る。
板１７に接着させると共に、これらのトランジスタ複合
体１．２を取り囲み収容する共通のパッケージ１８の上
方に、泥１のトランジスタ複合体りのコレクタ電極端子
１９、第１のトランジスタ複合体ｌのエミッタ電極端子
２゜と接続した第２のトランジスタ複合体そのコレクタ
電極端子２ノ、及び第２のトランジスタ複合体ｌのエミ
ッタ電極端子２２をそれぞれ導出して配列したものであ
る。
上記構成により、このトランジスタモジュールにおいて
は、電気装置への組立てが容易であり、組立時のスペー
スも小さくなり、軽量化が達成できるものである。
は、電気装置への組立てが容易であり、組立時のスペー
スも小さくなり、軽量化が達成できるものである。
しかしながら、従来のトランジスタモジュールには次の
ような欠点があった。すなわち、第１のトランジスタ複
合体り及び第２のトランジスタ複合体考の各エミッタ電
極及びカンート電極からの接続をボンディングや半田伺
げにより取り出しそいるため、大電流、例えば１００Ａ
以上のトランジスタモジュールにあっては、ボンディン
グ等の接続個所に電流が集中することになる。このため
、熱歪、熱疲労等が生じ、大電力化が困難であった。さ
らに、ボンディング等の接続個所で過電流による破壊が
生じると、パッケージの外へシリコンの溶融物が噴き出
寸一種の爆発等が起きる危険性があった。また、共通の
金属基板１７’と共通のパッケージ１８及び外部電極端
子とを同時に樹脂接着材で封止していたため、各々の材
料の熱膨張係数の差によりクラック等が入りやすく、封
止が困卸であった。
ような欠点があった。すなわち、第１のトランジスタ複
合体り及び第２のトランジスタ複合体考の各エミッタ電
極及びカンート電極からの接続をボンディングや半田伺
げにより取り出しそいるため、大電流、例えば１００Ａ
以上のトランジスタモジュールにあっては、ボンディン
グ等の接続個所に電流が集中することになる。このため
、熱歪、熱疲労等が生じ、大電力化が困難であった。さ
らに、ボンディング等の接続個所で過電流による破壊が
生じると、パッケージの外へシリコンの溶融物が噴き出
寸一種の爆発等が起きる危険性があった。また、共通の
金属基板１７’と共通のパッケージ１８及び外部電極端
子とを同時に樹脂接着材で封止していたため、各々の材
料の熱膨張係数の差によりクラック等が入りやすく、封
止が困卸であった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、複数の半導体素子の電極及び素子間の接続個所への電
流集中を防止し、信頼性に優れた半導体装置を提供する
ことにある。
、複数の半導体素子の電極及び素子間の接続個所への電
流集中を防止し、信頼性に優れた半導体装置を提供する
ことにある。
本発明は、放熱を兼ねる支持基体と、この支持基体上に
配設された共通絶縁板と、この共通絶縁板上に載置され
る複数の圧接型の半導体素子構体と、前記支持基体上に
設けられ前記半導体素子構体を覆う蓋体と、前記複数の
半導体素子構体にそれぞれ電気的に接続される複数の共
−Ａｆ１電極と、前記蓋体内において、それぞれ対応す
る前記半導体素子構体と前記共通電極とを加圧接続さぜ
る複数のばね構体と、前記共通“電極にそれぞれ圧接面
に対して直角方向圧折り曲げ形成して設けられ、隣り合
う前記共通電極間で相対向する複数の内部接続端子と、
前記相対向する内部接続端子間を電気的に接続固定する
手段とを具備し、前記複数の共通電極をそれぞれ別個に
対応する前記半導体素子構体に加圧接続し、しかる後前
記相対向する内部接続端子間を電気的に接続し固定する
ものである。
配設された共通絶縁板と、この共通絶縁板上に載置され
る複数の圧接型の半導体素子構体と、前記支持基体上に
設けられ前記半導体素子構体を覆う蓋体と、前記複数の
半導体素子構体にそれぞれ電気的に接続される複数の共
−Ａｆ１電極と、前記蓋体内において、それぞれ対応す
る前記半導体素子構体と前記共通電極とを加圧接続さぜ
る複数のばね構体と、前記共通“電極にそれぞれ圧接面
に対して直角方向圧折り曲げ形成して設けられ、隣り合
う前記共通電極間で相対向する複数の内部接続端子と、
前記相対向する内部接続端子間を電気的に接続固定する
手段とを具備し、前記複数の共通電極をそれぞれ別個に
対応する前記半導体素子構体に加圧接続し、しかる後前
記相対向する内部接続端子間を電気的に接続し固定する
ものである。
以下、図面を診照して本発明の一実施例を説明する。第
２図は本発明を圧接型のザイリスタモジュールに適用し
た例を示す平面図、第３図は同じく部分断面図である。
２図は本発明を圧接型のザイリスタモジュールに適用し
た例を示す平面図、第３図は同じく部分断面図である。
第２図及び第３図において、３１は熱的に良導体である
金ス・１６製の例えばアルミダイキャスト製の放熱基板
である３゜この放熱基板３１の内側には電気的に絶縁さ
れ、後述の各半導体素子３５ａ、３５ｂＶｃ共通なセラ
ミック板３２が載置されている。このセラミック板３２
上には、臼Ａ４図に）：１ｙり出して示すような例えば
銅Ｃｏで形成された２つのアノード電極、？ 、？ ａ
、 ３３ ｂがそれぞれ所定の位置に載置されている
。
金ス・１６製の例えばアルミダイキャスト製の放熱基板
である３゜この放熱基板３１の内側には電気的に絶縁さ
れ、後述の各半導体素子３５ａ、３５ｂＶｃ共通なセラ
ミック板３２が載置されている。このセラミック板３２
上には、臼Ａ４図に）：１ｙり出して示すような例えば
銅Ｃｏで形成された２つのアノード電極、？ 、？ ａ
、 ３３ ｂがそれぞれ所定の位置に載置されている
。
これらアノード１１Ｌ極３３ ａ 、 ；？ ３ｂはそ
、！１ぞれ圧接面に対して直角方向に訪り曲げ形成した
外部接続端子、３４ ａ 、 、？ ４ ｂを有してお
り、これら外部接続端子、？ ４ ａ 、 ３４ ｂは
共に後述の蓋体５ノから上方に導出されている。アノー
ド電極、９．９ ａ 、 ３３ ｂ上にはそれぞれ」辻
す゛イリスタからなる半導体素子３５ ａ 、 ３５
ｂが載１１７１′されている。これら半導体素子、？
５ ａ 、 ３５ ｂ上にはそれぞれ例えば銅で形成さ
れたカソード盤３６ａ、３６ｂが載置されている。これ
らカソード盤３６ａ、３６ｂは共に、第５図に取り出し
て示すように、ケ８〜トリード３７．絶縁ガイド体３８
及びスプリングばね３９が取り付けられており、スプリ
ングばね３９の弾性力により半導体素子３５ａ、３５ｂ
のダート電極とゲートリード３７が接触できるようにな
っている。
、！１ぞれ圧接面に対して直角方向に訪り曲げ形成した
外部接続端子、３４ ａ 、 、？ ４ ｂを有してお
り、これら外部接続端子、？ ４ ａ 、 ３４ ｂは
共に後述の蓋体５ノから上方に導出されている。アノー
ド電極、９．９ ａ 、 ３３ ｂ上にはそれぞれ」辻
す゛イリスタからなる半導体素子３５ ａ 、 ３５
ｂが載１１７１′されている。これら半導体素子、？
５ ａ 、 ３５ ｂ上にはそれぞれ例えば銅で形成さ
れたカソード盤３６ａ、３６ｂが載置されている。これ
らカソード盤３６ａ、３６ｂは共に、第５図に取り出し
て示すように、ケ８〜トリード３７．絶縁ガイド体３８
及びスプリングばね３９が取り付けられており、スプリ
ングばね３９の弾性力により半導体素子３５ａ、３５ｂ
のダート電極とゲートリード３７が接触できるようにな
っている。
カソード盤３６ｇ 、３６ｂ上にはそれぞれカソード電
極４０ａ、４０ｂが載置されている。一方のカソード電
極４０ｂは、第４図に示すように上記アノード電極３３
ａ、３３ｂと同様に、圧接面に対して直角方向に折り曲
げ形成した外部接続端子４１ａを有しており、この外部
接続端子４１ａも蓋体５ノから上方に導出されている。
極４０ａ、４０ｂが載置されている。一方のカソード電
極４０ｂは、第４図に示すように上記アノード電極３３
ａ、３３ｂと同様に、圧接面に対して直角方向に折り曲
げ形成した外部接続端子４１ａを有しており、この外部
接続端子４１ａも蓋体５ノから上方に導出されている。
他方のカソード電極４０ａは圧接面に対して直角方向に
折り曲げ形成した内部接続端子４２ｂを有している。ま
た、この内部接続端子４２ｂに対向して前記アノード電
極３３ｂは同形状の内部接続端子４２ａを有している。
折り曲げ形成した内部接続端子４２ｂを有している。ま
た、この内部接続端子４２ｂに対向して前記アノード電
極３３ｂは同形状の内部接続端子４２ａを有している。
これら内部接続端子４２ａ、４２ｂの各先端部には例え
ばＵ字状の溝４３が設けられ、この溝４３部においてポ
ルト４４及びナツト４５を締付は固定することにより、
アノード電極３３ｂ及びカソード電極４０ａが電気的に
接続され、２つの半導体素子３５ ａ 、 、？ ５
ｂ間の共通電極となるようになっている。カソード電極
４０ａ。
ばＵ字状の溝４３が設けられ、この溝４３部においてポ
ルト４４及びナツト４５を締付は固定することにより、
アノード電極３３ｂ及びカソード電極４０ａが電気的に
接続され、２つの半導体素子３５ ａ 、 、？ ５
ｂ間の共通電極となるようになっている。カソード電極
４０ａ。
４０ｂ上にはそれぞれ、ばね圧力に耐える絶縁体４６ａ
、４６ｂ、これら絶縁体４６ａ、４６ｂに組込まれた皿
ばね４７ａ、４７ｂ及び金属固定板４８ａ 、４８ｂか
らなるばね構体が股げられている。金属固定板４８ａ、
４８ｂはそれぞれポル）４９ａ 、４９ｂにより前記放
熱基板３１に固定されている。これにより、上記各電極
。
、４６ｂ、これら絶縁体４６ａ、４６ｂに組込まれた皿
ばね４７ａ、４７ｂ及び金属固定板４８ａ 、４８ｂか
らなるばね構体が股げられている。金属固定板４８ａ、
４８ｂはそれぞれポル）４９ａ 、４９ｂにより前記放
熱基板３１に固定されている。これにより、上記各電極
。
半導体素子３５．セラミック基板３２．及び放熱基板３
１間が皿ばね４７ａ、４７ｂの弾性力により加圧接触さ
れている。なお、５０＾、５０ｂはそれぞれダート端子
及びカソード端子に共通接続され、蓋体５１から導出さ
れた外部接続端子である。
１間が皿ばね４７ａ、４７ｂの弾性力により加圧接触さ
れている。なお、５０＾、５０ｂはそれぞれダート端子
及びカソード端子に共通接続され、蓋体５１から導出さ
れた外部接続端子である。
このように回路が構成されたユニットは、各電極間を絶
縁被膜から防止するようにグル材で保護され、さらに放
熱基板３１には例えばエポキシ樹脂で形成された蓋体５
１が覆せられている。放熱基板３１と蓋体５１との間の
隙間は例えばエポキシ樹脂系の接着材５２ａで埋められ
ている。また、蓋体５ノとこの蓋体５１から導出された
外部接続端子３４ａ、３４ｂ、４１ａ及び外部接続端子
５０ａ、５０ｂとの間の隙間も同じくエポキシ樹脂系の
接着材５２ｂ、５２ｃで埋められている。上記一方の接
鴻材５２ａは放熱基板３１の形成材料であるアルミニウ
ムＡｔに近い熱膨張係数を有するもの、また他方の接着
材５２ｂ 、５２ｃは外部接続端子３４８〜５０ｂの形
成材料である銅Ｃｕに近い熱膨張係数を有するものを用
いることにより、これらの刺止効果は熱的に強くなる。
縁被膜から防止するようにグル材で保護され、さらに放
熱基板３１には例えばエポキシ樹脂で形成された蓋体５
１が覆せられている。放熱基板３１と蓋体５１との間の
隙間は例えばエポキシ樹脂系の接着材５２ａで埋められ
ている。また、蓋体５ノとこの蓋体５１から導出された
外部接続端子３４ａ、３４ｂ、４１ａ及び外部接続端子
５０ａ、５０ｂとの間の隙間も同じくエポキシ樹脂系の
接着材５２ｂ、５２ｃで埋められている。上記一方の接
鴻材５２ａは放熱基板３１の形成材料であるアルミニウ
ムＡｔに近い熱膨張係数を有するもの、また他方の接着
材５２ｂ 、５２ｃは外部接続端子３４８〜５０ｂの形
成材料である銅Ｃｕに近い熱膨張係数を有するものを用
いることにより、これらの刺止効果は熱的に強くなる。
また、蓋体５１には管５３が設げられており、この管５
３を通して蓋体５２内部のグル中には窒素が封入されて
空間層を形成し、これにより温度上昇に伴うグルの膨張
を緩和するようになっている。
３を通して蓋体５２内部のグル中には窒素が封入されて
空間層を形成し、これにより温度上昇に伴うグルの膨張
を緩和するようになっている。
上記圧接型のサイリスクモジュールにおいては、その組
立時、先ず、カソード電極４０ａ。
立時、先ず、カソード電極４０ａ。
４０ｂ上に皿ばね４７ａ、４７ｂ等のばね構体を載置し
、？シト４９ａ、４９ｂをそれぞれ別個に締付は調整し
て、半導体素子３５ ａ 、 、？ ５ ｂを均等に圧
接するように加圧した状態にする。
、？シト４９ａ、４９ｂをそれぞれ別個に締付は調整し
て、半導体素子３５ ａ 、 、？ ５ ｂを均等に圧
接するように加圧した状態にする。
その後、その状態で、ポルト４４及びナツト４５を締付
けることにより、共通電極となるカソード電極４０ａの
内部接続端子４２ｂとアノード電極３３ｂの内部接続端
子４２ａとを電気的に接続し固定するものである。
けることにより、共通電極となるカソード電極４０ａの
内部接続端子４２ｂとアノード電極３３ｂの内部接続端
子４２ａとを電気的に接続し固定するものである。
２つ以上の半導体素子の電極面を１つの共通電極により
同時に加圧接触させたいとき、部品や半導体素子の寸法
精度から均等に加圧接触させることは極めて困難であり
、半導体素子や電極には圧力のアンバラスが生じる。こ
の場合、部分的に圧力が集中し、機械的歪が生じて半導
体素子が劣化したり、又は部分的に放熱されれば温度上
昇を招き、半導体素子が劣化したりする。
同時に加圧接触させたいとき、部品や半導体素子の寸法
精度から均等に加圧接触させることは極めて困難であり
、半導体素子や電極には圧力のアンバラスが生じる。こ
の場合、部分的に圧力が集中し、機械的歪が生じて半導
体素子が劣化したり、又は部分的に放熱されれば温度上
昇を招き、半導体素子が劣化したりする。
上記サイリスタモジュールでは、共通電極を分割（アノ
ード電極３．？ｂ及びカソード電極４０ｂ）し、それぞ
れ内部接続端子４２ａ、４２ｂを対向して設けることに
より、両電極を圧接面に対して直角方向にスライド可能
とし、両電極を各々別個に加圧接触させた後、これら両
電極を接続固定して共通電極とするようにしているので
、２つの半導体素子３５ａ、３５ｂ間にわたって電極面
を均等に加圧できる。
ード電極３．？ｂ及びカソード電極４０ｂ）し、それぞ
れ内部接続端子４２ａ、４２ｂを対向して設けることに
より、両電極を圧接面に対して直角方向にスライド可能
とし、両電極を各々別個に加圧接触させた後、これら両
電極を接続固定して共通電極とするようにしているので
、２つの半導体素子３５ａ、３５ｂ間にわたって電極面
を均等に加圧できる。
尚、上記実施例においては、一方の半導体素子３５ａ側
のカソード電極４０ａと他方の半導体素子、？ ５ ｂ
側のアノード電極３３ｂとを共通電極とし、回路構成を
直列としたが、回路構成が並列である場合にはカソード
電極４０ａ、４θｂを共通電極とし、それぞれに内部接
続端子を設ける構成とすればよい。また、上記実施例に
おいては、半導体素子３５ａ、３５ｂとしてサイリスタ
を用いた例について説明したが、これに限定するもので
はなく、他のトランジスタ、ダイオード等でもよいこと
は勿論である。
のカソード電極４０ａと他方の半導体素子、？ ５ ｂ
側のアノード電極３３ｂとを共通電極とし、回路構成を
直列としたが、回路構成が並列である場合にはカソード
電極４０ａ、４θｂを共通電極とし、それぞれに内部接
続端子を設ける構成とすればよい。また、上記実施例に
おいては、半導体素子３５ａ、３５ｂとしてサイリスタ
を用いた例について説明したが、これに限定するもので
はなく、他のトランジスタ、ダイオード等でもよいこと
は勿論である。
以上のように本発明によれば、トランジスタ、サイリス
タ等の複数の半導体素子間の電気的接続続を共通電極に
よる加圧接続構造としたので、従来のボンディング及び
半田接続の場合のように大電流が局部的に集中するよう
７′フことがなく、破壊等の発生を防止することができ
る信頼性に優れた半導体装置を提供できる。
タ等の複数の半導体素子間の電気的接続続を共通電極に
よる加圧接続構造としたので、従来のボンディング及び
半田接続の場合のように大電流が局部的に集中するよう
７′フことがなく、破壊等の発生を防止することができ
る信頼性に優れた半導体装置を提供できる。
第１図は従来のトランジスタモジー−ルの構造を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例に係るサイリスクモジ
ュールの構造を示す平面図、第３図は同断面図、第４図
は第２図のモジュールにおける電極の構造を示す斜視図
、第５図は同じくカソード盤の構造を示す断面図である
。 ３ノ・・・放熱基板、３２・・・セラミック板、３３
＆ 、 ３３ ｂ ・・・アノード電極、３４ｈ、３４
ｂ・・・外部接続端子、３５ ａ 、 、？ ５ ｂ・
・・半導体素子、３６ ａ 、 ３６ ｂ−＝カソード
盤、４０ａ、４０ｂ・・・エミッタ電極、４１ａ・・・
外部接続端子、４ ；ｌ ａ 、 ４２ ｂ ・−・内
部接続端子、４６ａ、４６ｂ・・・絶縁体、４７ ａ
、 ４７ ｂ−皿ばね、４８ａ。 ４１１ｂ・・・金属固定板、４９ｈ、４９ｂ・・・？ル
ト、５１ ・・・蓋体、５２ ａ 、 ５２ ｂ 、
５２ ｅ −＝接着材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
面図、第２図は本発明の一実施例に係るサイリスクモジ
ュールの構造を示す平面図、第３図は同断面図、第４図
は第２図のモジュールにおける電極の構造を示す斜視図
、第５図は同じくカソード盤の構造を示す断面図である
。 ３ノ・・・放熱基板、３２・・・セラミック板、３３
＆ 、 ３３ ｂ ・・・アノード電極、３４ｈ、３４
ｂ・・・外部接続端子、３５ ａ 、 、？ ５ ｂ・
・・半導体素子、３６ ａ 、 ３６ ｂ−＝カソード
盤、４０ａ、４０ｂ・・・エミッタ電極、４１ａ・・・
外部接続端子、４ ；ｌ ａ 、 ４２ ｂ ・−・内
部接続端子、４６ａ、４６ｂ・・・絶縁体、４７ ａ
、 ４７ ｂ−皿ばね、４８ａ。 ４１１ｂ・・・金属固定板、４９ｈ、４９ｂ・・・？ル
ト、５１ ・・・蓋体、５２ ａ 、 ５２ ｂ 、
５２ ｅ −＝接着材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (2)
- （１）放熱を兼ねる支持基体と、この支持基体上に配設
される共通絶縁板と、この共通絶縁板上に載置される複
数の圧接型の半導体素子構体と、前記支持基体上に設け
られ前記半導体素子構体を覆う蓋体と、前記複数の半導
体素子構体にそれぞれ電気的に接続される複数の共通電
極と、前記蓋体内において、それぞれ対応する前記半導
体素子構体と前記共通電極とを加圧接続さぜる複数のば
ね構体と、前記共通電極にそれぞれ圧接面に対して直角
方向に折り曲げ形成して設けられ、隣り合う前記共通電
極間で相対向する複数の内部接続端子と、前記相対向す
る内部接続端子間を電気的に接続固定する手段とを具備
し、前記共通電極をそれぞれ前記半導体素子構体に加圧
接続した後、前記相対向する内部接続端子間を電気的に
接続し固定することを特徴とする半導体装置。 - （２）前記共通電極から前記蓋体な貫通して外部接続端
子が導出されると共に、前記支持基体は金属、前記蓋体
は樹脂で形成され、同支持基体と同蓋体との間隙、同蓋
体と同外部接続端子との間隙がそれぞれ異なる熱膨張係
数を有する樹脂により封止された特許請求の付Σ囲第１
項記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181284A JPS6074461A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体装置 |
| DE84110766T DE3486256T2 (de) | 1983-09-29 | 1984-09-10 | Halbleiteranordnung in Druckpackung. |
| EP19840110766 EP0138048B1 (en) | 1983-09-29 | 1984-09-10 | Press-packed semiconductor device |
| US06/650,107 US4694322A (en) | 1983-09-29 | 1984-09-13 | Press-packed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181284A JPS6074461A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074461A true JPS6074461A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16097997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181284A Pending JPS6074461A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017032356A1 (de) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiterbauelementmodul mit einer ein becken ausbildenden druckplatte |
| JP2020047658A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS5410672A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-26 | Siemens Ag | Semiconductor |
| JPS5666049A (en) * | 1979-10-19 | 1981-06-04 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS56130958A (en) * | 1980-02-13 | 1981-10-14 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor forming unit |
| JPS5724749B2 (ja) * | 1977-04-20 | 1982-05-26 | ||
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP58181284A patent/JPS6074461A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS5724749B2 (ja) * | 1977-04-20 | 1982-05-26 | ||
| JPS5410672A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-26 | Siemens Ag | Semiconductor |
| JPS5666049A (en) * | 1979-10-19 | 1981-06-04 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS56130958A (en) * | 1980-02-13 | 1981-10-14 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor forming unit |
| JPS5884451A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-20 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017032356A1 (de) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiterbauelementmodul mit einer ein becken ausbildenden druckplatte |
| JP2020047658A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
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