JPS5884451A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5884451A JPS5884451A JP57188915A JP18891582A JPS5884451A JP S5884451 A JPS5884451 A JP S5884451A JP 57188915 A JP57188915 A JP 57188915A JP 18891582 A JP18891582 A JP 18891582A JP S5884451 A JPS5884451 A JP S5884451A
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- Japan
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- container
- semiconductor
- semiconductor device
- insulating board
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Noodles (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、共通の容器に収納された加圧接触される少な
くとも二つの半導体素体と、半導体素体に一方の側で接
触する少なくとも二つの容器からの引き出し接続導体と
、半導体素体に他方の側で接触する少なくとも一つの別
の接続導体と、半導体素体と熱的接触をしており通電部
分を容器の下側と絶縁する熱良導性材料からなる絶縁盤
と、半導体素体の反絶縁盤側に配置され、ばね系によっ
て加圧される抑圧片とを備えた１半導体装置に関する。
くとも二つの半導体素体と、半導体素体に一方の側で接
触する少なくとも二つの容器からの引き出し接続導体と
、半導体素体に他方の側で接触する少なくとも一つの別
の接続導体と、半導体素体と熱的接触をしており通電部
分を容器の下側と絶縁する熱良導性材料からなる絶縁盤
と、半導体素体の反絶縁盤側に配置され、ばね系によっ
て加圧される抑圧片とを備えた１半導体装置に関する。
そのような半導体装置は、例えば西ドイツ国籍許出願公
開第２７２８３１３号公報に記載されている。
開第２７２８３１３号公報に記載されている。
その場合は、ばね系は容器の中にあり、ねじあるいはボ
ルトにより容器の底に係止されている。ばね系は、ボル
トの両側に配置された抑圧片を介して半導体素体を加圧
する。半導体素体に加わるばね力は、容器の底を冷却体
への据付けのための所定の面がもはや平らでないほど変
形させる。それによって底と冷却体の間のできるだけ曳
好な熱伝導はもはや不可能である。底の変形は必然的に
内部の接触に対して必要な圧力が完全には形成されない
ことを伴なう。
ルトにより容器の底に係止されている。ばね系は、ボル
トの両側に配置された抑圧片を介して半導体素体を加圧
する。半導体素体に加わるばね力は、容器の底を冷却体
への据付けのための所定の面がもはや平らでないほど変
形させる。それによって底と冷却体の間のできるだけ曳
好な熱伝導はもはや不可能である。底の変形は必然的に
内部の接触に対して必要な圧力が完全には形成されない
ことを伴なう。
本発明は、半導体装置の冷却体への据付けの際に装置の
内部でも冷却体に対してもできるだけ良好な熱伝導が生
じ得るように上述の種類の半導体装置を改善することを
目的とする。
内部でも冷却体に対してもできるだけ良好な熱伝導が生
じ得るように上述の種類の半導体装置を改善することを
目的とする。
この目的は、抑圧片が容器の上側で容器から央出し、絶
縁盤がその下端部で容器の下側と結合しており、容器が
抑圧４片の間に広がる面の内部で上側から下側まで貫通
する固定ブッシングを有し。
縁盤がその下端部で容器の下側と結合しており、容器が
抑圧４片の間に広がる面の内部で上側から下側まで貫通
する固定ブッシングを有し。
その固定ブッシングはすべての抑圧片からほぼ同じだけ
離れ、容器を固定しばね系を保持する係止体の収容のた
めに定められていることによって達成される。
離れ、容器を固定しばね系を保持する係止体の収容のた
めに定められていることによって達成される。
以下第１図ないし第４図化関し実施例を引用して本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
第１図において、半導体装置の容器に符号１が付されて
いる。それはプラスチック注入成形体またはプラスチッ
ク加圧成形体からなる。容器の中には１例えばサイリス
タベレットあるいはダイオードベレットである二つの半
導体素体２．３が配置されている。第一の半導体素体２
は第一の面で第一の接続導体４（！：液接触ている。こ
の接続導体４と半導体素体の間になお接触片７が存在で
き、それは制御導体の収容に対して所定の穴を有する。
いる。それはプラスチック注入成形体またはプラスチッ
ク加圧成形体からなる。容器の中には１例えばサイリス
タベレットあるいはダイオードベレットである二つの半
導体素体２．３が配置されている。第一の半導体素体２
は第一の面で第一の接続導体４（！：液接触ている。こ
の接続導体４と半導体素体の間になお接触片７が存在で
き、それは制御導体の収容に対して所定の穴を有する。
接続導体４の上に容器ｌの上側１３から突出する絶縁押
圧片９が載る。半導体素体２の第二の面に接続導体６が
接触する。容器１の下側１４には半導体素体２および接
続導体６と熱的接触そして熱良導性材料からなる絶縁盤
１１が位置する。そのような材料は、例えば酸化べＩＪ
ＩＪウムでありあるいは酸化アルミニウムでもある。
圧片９が載る。半導体素体２の第二の面に接続導体６が
接触する。容器１の下側１４には半導体素体２および接
続導体６と熱的接触そして熱良導性材料からなる絶縁盤
１１が位置する。そのような材料は、例えば酸化べＩＪ
ＩＪウムでありあるいは酸化アルミニウムでもある。
第二の半導体素体３は、下面で第二の接続導体５と、上
面で接続導体６と接触している。この場合、接続導体６
と第二の半導体素体３の上面との開基こはやはり接触片
８が配置されている。接続導体６の上にはやはり容器ｌ
の上側１３を通じて突出している絶縁抑圧片ｌＯが載る
。第二の飴縁盤１２は容器１４の下側にあり、半導体素
体３および接続導体５と熱的接触をしている。 ゛接
続導体４，５詔よび両生導体に共通の接続導体６は、例
えば容−器ｌの上側１３を通じて外方へ導かれている。
面で接続導体６と接触している。この場合、接続導体６
と第二の半導体素体３の上面との開基こはやはり接触片
８が配置されている。接続導体６の上にはやはり容器ｌ
の上側１３を通じて突出している絶縁抑圧片ｌＯが載る
。第二の飴縁盤１２は容器１４の下側にあり、半導体素
体３および接続導体５と熱的接触をしている。 ゛接
続導体４，５詔よび両生導体に共通の接続導体６は、例
えば容−器ｌの上側１３を通じて外方へ導かれている。
それによって、例えば整流ブリッジの辺あるいは半導体
素体の極性が適応する場合には中点接続も実現できる。
素体の極性が適応する場合には中点接続も実現できる。
この場合第三の接続導体６は第一の半導体素体２から第
二の半導体素体３へ移る際に、半導体素体の周りに同じ
高さで容器内に配置することができる屈曲部を備える。
二の半導体素体３へ移る際に、半導体素体の周りに同じ
高さで容器内に配置することができる屈曲部を備える。
例えば直列接続の場合には、第三の接続導体６は外方へ
引き出されなくてもよく、それは両生導体素体の内部接
続に対してだけ役立つ。
引き出されなくてもよく、それは両生導体素体の内部接
続に対してだけ役立つ。
両生導体素体およびその押圧片の間に、半導体素体の容
器を上側１３から下側１４まで貫通する固定ブッシング
１５が備えられている。ブッシング１５は、半導体素体
およびその押圧片がそれから同じだけ離れ、望ましくは
それに対称に位置するように配置されるのが有好である
。対称条件は正確審ζ満足されていなくてもよい。各々
の場合にブッシング１５は両押圧片９および１０の関ｌ
こ広がると考えられた面１６（第２図）の内部に存在し
なければならず、押圧片の中心を結ぶ線上にあるのが望
ましい。二つ、三つあるいは四つの半導体素体を有する
半導体装置においては、ブッシング１５が抑圧片の間に
広がる面の重心に位置することが望ましい。それによっ
て組み立てられた半導体装置での半導体素体の一様な加
圧力が得られる。
器を上側１３から下側１４まで貫通する固定ブッシング
１５が備えられている。ブッシング１５は、半導体素体
およびその押圧片がそれから同じだけ離れ、望ましくは
それに対称に位置するように配置されるのが有好である
。対称条件は正確審ζ満足されていなくてもよい。各々
の場合にブッシング１５は両押圧片９および１０の関ｌ
こ広がると考えられた面１６（第２図）の内部に存在し
なければならず、押圧片の中心を結ぶ線上にあるのが望
ましい。二つ、三つあるいは四つの半導体素体を有する
半導体装置においては、ブッシング１５が抑圧片の間に
広がる面の重心に位置することが望ましい。それによっ
て組み立てられた半導体装置での半導体素体の一様な加
圧力が得られる。
絶縁盤１１．１２は半導体装置ｌの下＠１４から幾分突
出していることが有好である。これは、例えば数百μ風
の突出で十分である。絶縁盤はしかしその下端部で少な
くとも容器ｌの下側１４と結合していなければならない
。
出していることが有好である。これは、例えば数百μ風
の突出で十分である。絶縁盤はしかしその下端部で少な
くとも容器ｌの下側１４と結合していなければならない
。
第１図に示す装置の冷却体上への据付けは簡単に形成さ
れる。第３図において冷却体に符号１７が付されている
。その表面は符号１８を有する。
れる。第３図において冷却体に符号１７が付されている
。その表面は符号１８を有する。
押圧片９およびｌＯの上にばね１９が載り、それはブッ
シング１５を通るねじ２０によって締め付けられる。正
当な加圧力は、例えばねじ２０の締付はトルクあるいは
ばね１９のばねたわみによって規定することができる。
シング１５を通るねじ２０によって締め付けられる。正
当な加圧力は、例えばねじ２０の締付はトルクあるいは
ばね１９のばねたわみによって規定することができる。
半導体素体２および３の熱的および電気的接触のために
必要な内部圧力の形成と同時に、一方の絶縁盤１１．１
２と他方の冷却体１７との間の熱的接触も生成する。こ
の場合には半導体装置の変形が起こらないから、冷却体
１７と半導体装置ｌの間のできるだけ喪好な接触が得ら
れる。それと共に内部の接触圧力も最適に調整できる。
必要な内部圧力の形成と同時に、一方の絶縁盤１１．１
２と他方の冷却体１７との間の熱的接触も生成する。こ
の場合には半導体装置の変形が起こらないから、冷却体
１７と半導体装置ｌの間のできるだけ喪好な接触が得ら
れる。それと共に内部の接触圧力も最適に調整できる。
個々の絶縁盤１１．１２の代りに、二つあるいは複数の
半導体素体が共通の単一の絶縁盤を備えることもできる
。そのときはブッシング１５の位置に対応して穴を備え
る。
半導体素体が共通の単一の絶縁盤を備えることもできる
。そのときはブッシング１５の位置に対応して穴を備え
る。
上述の装置は簡単に製作することができる。型２１（第
４図）の中に半導体素体を、抑圧片、接続導体、絶縁盤
＄よび接触片と共化、例えばゲージを用いてそう人する
。そのとき抑圧片９．ｌＯを、例えば３００ＯＮの力に
よって矢印方向に加圧する。それによって接触化関与す
る金属の前変形が起こり、それが接触抵抗の著しい改善
に導く。
４図）の中に半導体素体を、抑圧片、接続導体、絶縁盤
＄よび接触片と共化、例えばゲージを用いてそう人する
。そのとき抑圧片９．ｌＯを、例えば３００ＯＮの力に
よって矢印方向に加圧する。それによって接触化関与す
る金属の前変形が起こり、それが接触抵抗の著しい改善
に導く。
その上圧力が注形の際のプラスチック体の内側へのはみ
出しを阻止する。つづいてＷＩｉ２１をプラスチック加
圧成形体あるいはプラスチック注入成形体を、抑圧片９
．ｌＯが上に突出する程度に満たす。絶縁盤１１．１２
が容器から突出させようとするならば、１１２１は二つ
のくぼみ２３．２４を備える。注形体２５の凝固の後で
き上った装置を蓋から取り出す。それによって、冷却体
への後の据付けによって機能を発揮できる実験可能で操
作可能の半導体装置が生ずる。
出しを阻止する。つづいてＷＩｉ２１をプラスチック加
圧成形体あるいはプラスチック注入成形体を、抑圧片９
．ｌＯが上に突出する程度に満たす。絶縁盤１１．１２
が容器から突出させようとするならば、１１２１は二つ
のくぼみ２３．２４を備える。注形体２５の凝固の後で
き上った装置を蓋から取り出す。それによって、冷却体
への後の据付けによって機能を発揮できる実験可能で操
作可能の半導体装置が生ずる。
以上述べたように本発明は少なくとも二つの半導体素体
をそれぞれ容器の下側と結合する熱嵐導性材料からなる
絶縁板と容器の上側から突出する抑圧片の間に接続導体
と共に配置し、抑圧片からほぼ同じだけ離れて容器を貫
通する固定ブッシングを利用して保持されるばね系によ
り抑圧体に力を加えることにより各部材間の加圧接触を
行うもので、これにより容器の下面の変形が生じないの
で冷却体へ据付けの際の良好な熱的接触と各部材間の良
好な熱的および電気的接触を実現することができる。
をそれぞれ容器の下側と結合する熱嵐導性材料からなる
絶縁板と容器の上側から突出する抑圧片の間に接続導体
と共に配置し、抑圧片からほぼ同じだけ離れて容器を貫
通する固定ブッシングを利用して保持されるばね系によ
り抑圧体に力を加えることにより各部材間の加圧接触を
行うもので、これにより容器の下面の変形が生じないの
で冷却体へ据付けの際の良好な熱的接触と各部材間の良
好な熱的および電気的接触を実現することができる。
第１図は本発明による半導体装置の据え付けられない状
態での断面図、第２図はその平面図、第３図は第１図に
示す装置の冷却体上への据付は状態での断面図、第４図
は第１１図に示す装置の製造のための注製作業を示す断
面図である。
態での断面図、第２図はその平面図、第３図は第１図に
示す装置の冷却体上への据付は状態での断面図、第４図
は第１１図に示す装置の製造のための注製作業を示す断
面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）共通の容器に収納された加圧接触される少なくとも
二つの半導体素体と、半導体素体に一方の側で接触する
少なくとも二つの容器からの引き出し接続導体と、半導
体素体に他方の側で接触する少なくとも一つの別の接続
導体と、半導体素体と熱的接触しており通電部分を容器
の下側と絶縁する熱良導性材料からなる絶縁盤と、半導
体素体の絶縁盤に接するのと反対側に配置され、ばね系
ｔこよって加圧される抑圧片とを備えたものにおいて、
抑圧片が容器の上側で容器から突出し、絶縁盤がその下
端部で容器の下側と結合しており、容器が抑圧片の関屹
広がる面の内部で上側から下側まで貫通する固定ブッシ
ングを有し、その固定ブッシングはすべての抑圧片から
ほぼ同じだけ離れ、容器を固定しばね系を保持する係止
体の収容のために定められたことを特徴とする半導体装
置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置に肴いて、ブッシ
ングが抑圧片の間に広がる面の重心に位置することを特
徴とする半導体装置。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の装置ｌこ
おいて、容器の中に二つの半導体素体が配置され、第一
の半導体素体は第一の面で菖−の容器からの引き出し接
続導体と接触し、第二の半導体素体は第二の面で第二の
引き出し接続導体と接触し、第三の接続導体は屈曲して
第一の半導体素体に第二の面で、第二の半導体素体に第
一の面で接触し、第三の接続導体は容器から引出され、
かつ固定ブッシングが両生導体素体およびそれに属する
抑圧片の間の中央に位置することを特徴とする半導体装
置。 ４）４！許請求の範囲第１項記載の装置において。 容器がすべての半導体素体と共通の単一の絶縁盤を有す
ることを特徴とする半導体装置。 ５）特許請求の範囲第１項記載の装置において。 各半導体素体に絶縁盤が属することを特徴とする半導体
装置。 ６）特許請求の範囲第４項または纂５頂記載の装置に右
いて、絶縁盤が容器の下側から突出したことを特徴とす
る半導体装置。 ７）特許請求の範囲第１項記載の装置において、容器が
プラスチック注入成形体からなることを特徴とする半導
体装置。 ８）特許請求の範囲第１項記載の装置において、容１．
器がプラスチック加圧成形体からなることを特徴とする
半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813142576 DE3142576A1 (de) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | Halbleiteranordnung mit durch druck kontaktierbaren halbleiterkoerpern |
| DE31425763 | 1981-10-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884451A true JPS5884451A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=6144930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57188915A Pending JPS5884451A (ja) | 1981-10-27 | 1982-10-27 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884451A (ja) |
| DE (1) | DE3142576A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074461A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6074462A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH01246857A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4853762A (en) * | 1986-03-27 | 1989-08-01 | International Rectifier Corporation | Semi-conductor modules |
| DE102011004541B4 (de) * | 2011-02-22 | 2014-07-17 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Verbessertes Leistungshalbleitermodul, Anordnung aus Modul und Kühlkörper sowie Verwendung des Moduls |
| EP3301716A1 (de) * | 2016-09-29 | 2018-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Andruckvorrichtung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS5410672A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-26 | Siemens Ag | Semiconductor |
-
1981
- 1981-10-27 DE DE19813142576 patent/DE3142576A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57188915A patent/JPS5884451A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS5410672A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-26 | Siemens Ag | Semiconductor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074461A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6074462A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH01246857A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3142576A1 (de) | 1983-05-05 |
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