JPS6074624A - レジスト膜の形成方法 - Google Patents
レジスト膜の形成方法Info
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- JPS6074624A JPS6074624A JP58182065A JP18206583A JPS6074624A JP S6074624 A JPS6074624 A JP S6074624A JP 58182065 A JP58182065 A JP 58182065A JP 18206583 A JP18206583 A JP 18206583A JP S6074624 A JPS6074624 A JP S6074624A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- resist film
- striae
- film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は高粘度のレジストを脈理を少くしてスピンコー
ドする方法に関する。
ドする方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
現在半導体結晶基板や誘電体結晶基板上に微細な電子回
路を形成する方法としてホトレジストを用いた写真蝕刻
技術（ホトリソグラフィ）が広く用いられている。
路を形成する方法としてホトレジストを用いた写真蝕刻
技術（ホトリソグラフィ）が広く用いられている。
この技術は微細パターンを形成せんとする基板上にホト
レジストを塗布して塗膜を作り、これにホトマスクを通
して紫外線を投影露光することによりホトレジストを部
分的に感光せしめ次に現像処理してエツチングすべき対
象パターンを露出せしめこれに化学エツチング或はイオ
ンエツチングのような物理的なエツチングを行うことに
より微細パターンを形成するものである。
レジストを塗布して塗膜を作り、これにホトマスクを通
して紫外線を投影露光することによりホトレジストを部
分的に感光せしめ次に現像処理してエツチングすべき対
象パターンを露出せしめこれに化学エツチング或はイオ
ンエツチングのような物理的なエツチングを行うことに
より微細パターンを形成するものである。
こ＼でホトレジストを基板上に塗布する方法としてスピ
ンナ法、スプレィ法、浸漬法などがあるが均一で薄い塗
膜を作るにはスピンナ法が最も適している。
ンナ法、スプレィ法、浸漬法などがあるが均一で薄い塗
膜を作るにはスピンナ法が最も適している。
本発明は高粘度のレジスト液を均一に塗布する方法に関
するものである。
するものである。
（ｅ） 従来技術と問題点
第１図はレジスト膜を塗布した基板の平面図、第２図は
スピンナの断面図である。
スピンナの断面図である。
先にｔｋＬしたように写真蝕刻技術は微細バターｙを形
成する方法として総ゆる分野に用いられてい６ る。
成する方法として総ゆる分野に用いられてい６ る。
こ＼で透明石英或はガラスからなる基板にホトマスクを
形成する場合を例として説明すると次のようになる。
形成する場合を例として説明すると次のようになる。
この実施例において使用した基板１は厚さは約２５〔■
〕で大きさは直径６〔インチ〕或は７〔インチ〕のディ
スク状のものまた一辺の長さが５〔インチ〕の方形のも
のなど各種のものがあり、この上に０．１〔μｍ〕の厚
さにクローム（ｃｒ ）を蒸着し、このｃｒ膜をエツチ
ングして高精度のパターンからなるホトマスクが作られ
る。すなわち第２図に示すように真壁チャック機構を備
えたスピンナ２のヘッド３の上に基板１を置き、回転軸
４の軸芯を貫いて設けられている減圧吸引機構により基
板１を吸着させた後基板１の中心部に液状のレジストを
滴下しモータ５により回転軸を高速回転させる。
〕で大きさは直径６〔インチ〕或は７〔インチ〕のディ
スク状のものまた一辺の長さが５〔インチ〕の方形のも
のなど各種のものがあり、この上に０．１〔μｍ〕の厚
さにクローム（ｃｒ ）を蒸着し、このｃｒ膜をエツチ
ングして高精度のパターンからなるホトマスクが作られ
る。すなわち第２図に示すように真壁チャック機構を備
えたスピンナ２のヘッド３の上に基板１を置き、回転軸
４の軸芯を貫いて設けられている減圧吸引機構により基
板１を吸着させた後基板１の中心部に液状のレジストを
滴下しモータ５により回転軸を高速回転させる。
こ＼で基板１が吸着しているヘッド３は基板１の大きさ
に比例して各種あり回転軸４に挿抜可能に形成されネジ
６により固定されている。またヘッド３の回転数は約１
２００〜３０００［ｒｐｍ）の範囲で任意に設定できる
よう構成されている。
に比例して各種あり回転軸４に挿抜可能に形成されネジ
６により固定されている。またヘッド３の回転数は約１
２００〜３０００［ｒｐｍ）の範囲で任意に設定できる
よう構成されている。
次にレジスト液は種類および使用条件に応じて４〜７０
〔ｃｐ〕と各種の粘度のものがあり、基板１の中心部に
滴下されたレジストは基板１０回転に従って遠心力を受
け均等に拡がり不必要なレジストは飛散して均一な膜厚
のレジストが被検される。
〔ｃｐ〕と各種の粘度のものがあり、基板１の中心部に
滴下されたレジストは基板１０回転に従って遠心力を受
け均等に拡がり不必要なレジストは飛散して均一な膜厚
のレジストが被検される。
こ＼で必要とするレジストの膜厚は５０００〜１５００
０［：Ａ）であり、この厚さは使用目的により異りレジ
スト液の粘度と回転数に依存し次式で表わされる。
０［：Ａ）であり、この厚さは使用目的により異りレジ
スト液の粘度と回転数に依存し次式で表わされる。
ｔ＝ＫＰ２／ｒｗ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・（１）こ＼で ｔ・・・・・・
レジストの膜厚Ｋ・・・・・・定数 Ｗ・・・・・・回転数 Ｐ・・・・・・濃度 なお膜厚の均一性はスピンナの回転の立上りが大きい程
良好である。
・・・・・・・・・・（１）こ＼で ｔ・・・・・・
レジストの膜厚Ｋ・・・・・・定数 Ｗ・・・・・・回転数 Ｐ・・・・・・濃度 なお膜厚の均一性はスピンナの回転の立上りが大きい程
良好である。
このようにしてスピンコードされる塗膜の膜厚は解像力
の点からは薄い方がよいが、薄いとピンホールの発生確
率が多くなり、１だ耐薬品性が悪くなる。捷たイオンエ
ツチングなどを行う場合にはパターンが作られる１でレ
ジストが残っていることが必要でこのため成る程度厚め
のレジスト膜が必要となる。
の点からは薄い方がよいが、薄いとピンホールの発生確
率が多くなり、１だ耐薬品性が悪くなる。捷たイオンエ
ツチングなどを行う場合にはパターンが作られる１でレ
ジストが残っていることが必要でこのため成る程度厚め
のレジスト膜が必要となる。
然し高粘厩のレジスト液を用いる場合は第１図に示すよ
うにレジスト膜７に多数の脈理８を生じパターン相反を
著しく低下させる。
うにレジスト膜７に多数の脈理８を生じパターン相反を
著しく低下させる。
すなわち脈理はピッチが１〔醪〕未満で１０００（Ａ）
程度の凹凸からなり中心より外側に向う模様で粘度の高
いレジスト液を用いる程脈理８は明瞭に現われパターン
形成の障害となっていた。
程度の凹凸からなり中心より外側に向う模様で粘度の高
いレジスト液を用いる程脈理８は明瞭に現われパターン
形成の障害となっていた。
（ｄ） 発明の目的
本発明は基板にスピンコードを行う際高粘度のレジスト
液を用いるに拘わらす脈理の発生が少い塗膜形成方法を
提供することを目的とする。
液を用いるに拘わらす脈理の発生が少い塗膜形成方法を
提供することを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
本発明の目的はスピンコード法により被処理基鈑上にレ
ジスト膜を塗布する際回転速度が定速に達して設定時間
経過後回転方向を逆にして塗膜形成を行う方法をとるこ
とにより達成することができる。
ジスト膜を塗布する際回転速度が定速に達して設定時間
経過後回転方向を逆にして塗膜形成を行う方法をとるこ
とにより達成することができる。
（ｆ） 発明の実施例
本発明はスピンコード法によるレジストの塗布は初めの
数秒間の塗布条件により決る点に着目してなされたもの
である。
数秒間の塗布条件により決る点に着目してなされたもの
である。
すなわち、スピンコード法により塗膜を形成する場合、
薄い塗膜を形成する際には経験上基板１を約１５〔秒〕
はど回転させ一方厚い塗膜を作る場合は高粘度のレジス
ト液を用いて約９０（秒〕に亘って回転さゼて作るのが
普通である。
薄い塗膜を形成する際には経験上基板１を約１５〔秒〕
はど回転させ一方厚い塗膜を作る場合は高粘度のレジス
ト液を用いて約９０（秒〕に亘って回転さゼて作るのが
普通である。
然し実験の結果塗膜の膜厚は初めの数秒で決るものであ
って、それ以後の回転は塗膜中の溶剤をピンホールを形
成することなく揮発させ乾燥させるにすぎないことを見
出した。
って、それ以後の回転は塗膜中の溶剤をピンホールを形
成することなく揮発させ乾燥させるにすぎないことを見
出した。
そこで本発明はレジスト液を滴下し、基板１を回転し定
速に達して例えば５〔秒〕過ぎ膜厚が決った状態でモー
タ５を逆回転させる。この状態では塗膜７に脈理８を生
じているが未だ乾燥は始っていない。
速に達して例えば５〔秒〕過ぎ膜厚が決った状態でモー
タ５を逆回転させる。この状態では塗膜７に脈理８を生
じているが未だ乾燥は始っていない。
なお市販のスピンナは回転の立上りを良くするためモー
タ５はヘッド３を直接駆動ゼずクラッチを通して高速（
ロ）転している回転軸に瞬時にチャック部分を結合する
構造がとられているのでヘッド３の逆回転もそれ程無理
なく行うことができ回転方向に彎曲して生じていた脈理
８は逆回転により減殺されて消滅が始まり同時に乾燥が
進行して脈理が殆んど無い状態で固まることになる。
タ５はヘッド３を直接駆動ゼずクラッチを通して高速（
ロ）転している回転軸に瞬時にチャック部分を結合する
構造がとられているのでヘッド３の逆回転もそれ程無理
なく行うことができ回転方向に彎曲して生じていた脈理
８は逆回転により減殺されて消滅が始まり同時に乾燥が
進行して脈理が殆んど無い状態で固まることになる。
こ＼でヘッド３を逆転する最適のタイミングはレジスト
液の粘度と回転数により決り一定ではないが、厚さ１〔
μｍ〕のポジレジストを形成する実施例においては約５
〔秒〕が適当であった。
液の粘度と回転数により決り一定ではないが、厚さ１〔
μｍ〕のポジレジストを形成する実施例においては約５
〔秒〕が適当であった。
このようにレジスト液が遠心力により周囲に拡散しその
膜厚が決った状態で反転させれば脈理８はその形成条件
が逆となるので崩れ、逆方向に脈理を生ずる暇なく溶剤
が揮発し流動性を失うこと＼なる。
膜厚が決った状態で反転させれば脈理８はその形成条件
が逆となるので崩れ、逆方向に脈理を生ずる暇なく溶剤
が揮発し流動性を失うこと＼なる。
（ｇ） 発明の効果
本発明はスピンコード法でレジスト膜を形成する場合は
多数の脈理を生じこの凹凸によりパターン精度が損われ
るのを改善するためになされたもので基板を逆回転させ
る。本発明の実施により高粘度のレンス＋−ａを使用す
る場合でも脈理の発生を殆んど無くすることができる。
多数の脈理を生じこの凹凸によりパターン精度が損われ
るのを改善するためになされたもので基板を逆回転させ
る。本発明の実施により高粘度のレンス＋−ａを使用す
る場合でも脈理の発生を殆んど無くすることができる。
第１図はレジスト膜を塗布した基板の平面図また第２図
はスピンナの断面図である。 図において、１は基板、２はスピンナ、３はヘッド、５
はモータ、７はレジスト膜、８は脈理。
はスピンナの断面図である。 図において、１は基板、２はスピンナ、３はヘッド、５
はモータ、７はレジスト膜、８は脈理。
Claims (1)
- スピンコード法により被処理基板上にレジスト膜を塗布
する際回転速度が定速に達して設定時間経過後回転方向
を逆にして塗膜形成を行うことを特徴とするレジスト膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182065A JPS6074624A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | レジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182065A JPS6074624A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | レジスト膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074624A true JPS6074624A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16111729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58182065A Pending JPS6074624A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | レジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074624A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121675A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-02 | Hoya Corp | レジスト塗布方法 |
| JPH02270415A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Tdk Corp | 圧電振動子の共振周波数調整方法 |
| US4971931A (en) * | 1990-02-12 | 1990-11-20 | Eastman Kodak Company | Diffuser features for spin-coated films |
| EP0653683A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-17 | Semiconductor Systems, Inc. | Oscillatory chuck method and apparatus for coating flat substrates |
| JP2015000356A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | シャープ株式会社 | 塗布膜の形成方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58182065A patent/JPS6074624A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121675A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-02 | Hoya Corp | レジスト塗布方法 |
| JPH02270415A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Tdk Corp | 圧電振動子の共振周波数調整方法 |
| US4971931A (en) * | 1990-02-12 | 1990-11-20 | Eastman Kodak Company | Diffuser features for spin-coated films |
| EP0653683A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-17 | Semiconductor Systems, Inc. | Oscillatory chuck method and apparatus for coating flat substrates |
| US5798140A (en) * | 1993-11-12 | 1998-08-25 | Semiconductor Systems, Inc. | Oscillatory chuck method and apparatus for coating flat substrates |
| JP2015000356A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | シャープ株式会社 | 塗布膜の形成方法 |
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