JPH03245875A - 塗布液の塗布方法 - Google Patents
塗布液の塗布方法Info
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- JPH03245875A JPH03245875A JP2041599A JP4159990A JPH03245875A JP H03245875 A JPH03245875 A JP H03245875A JP 2041599 A JP2041599 A JP 2041599A JP 4159990 A JP4159990 A JP 4159990A JP H03245875 A JPH03245875 A JP H03245875A
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- Japan
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- coated
- coating liquid
- film thickness
- film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体ウェハの表面にレジスト等を回
転塗布する塗布液の塗布方法に関するものである。
転塗布する塗布液の塗布方法に関するものである。
〔従来の技術]
従来、半導体ウェハ(以下、これを単にウェハという。
)等の被塗布体上に膜厚の均一な薄膜を形成する手法と
して回転塗布がある。これは、文献(株式会社工業調査
会、昭和63年12月13日発行、「電子材料J 19
89年12月号別冊、P78−83)に記載されている
ように、レジスト液が塗布されたウェハを高速回転させ
、レジスト液をウェハ上に遠心力によって広げると共に
レジスト液中の溶媒を蒸発させてレジスト膜を形成する
ものである。これを第4図および第5図によって説明す
る。
して回転塗布がある。これは、文献(株式会社工業調査
会、昭和63年12月13日発行、「電子材料J 19
89年12月号別冊、P78−83)に記載されている
ように、レジスト液が塗布されたウェハを高速回転させ
、レジスト液をウェハ上に遠心力によって広げると共に
レジスト液中の溶媒を蒸発させてレジスト膜を形成する
ものである。これを第4図および第5図によって説明す
る。
第4図は従来の回転塗布法に使用するスピンコーターを
示す概略構成図、第5図は従来の回転塗布法における回
転開始から回転終了までの間の被塗布体回転数の変化を
示すグラフである。これらの図において、1はウェハ等
の被塗布体、2はこの被塗布体1を真空吸着等の方法に
よって固定するチャックで、このチャック2はモータ3
によって高速回転されるように構成されている。4はレ
ジスト液等の塗布液、5は塗布液4を被塗布体1上に供
給するためのノズルである。
示す概略構成図、第5図は従来の回転塗布法における回
転開始から回転終了までの間の被塗布体回転数の変化を
示すグラフである。これらの図において、1はウェハ等
の被塗布体、2はこの被塗布体1を真空吸着等の方法に
よって固定するチャックで、このチャック2はモータ3
によって高速回転されるように構成されている。4はレ
ジスト液等の塗布液、5は塗布液4を被塗布体1上に供
給するためのノズルである。
このように構成された従来のスピンコーターによって被
塗布体1上にレジスト膜等の薄膜を形成するには、先ず
、被塗布体1をチャック2上に圃定し、塗布液4をノズ
ル5から被塗布体1上に滴下させる。次いで、第5図に
示すようにモータ3を駆動させて被塗布体1をブリスピ
ンさせ、引き続きチャック2と共に一定時間高速回転さ
せる。
塗布体1上にレジスト膜等の薄膜を形成するには、先ず
、被塗布体1をチャック2上に圃定し、塗布液4をノズ
ル5から被塗布体1上に滴下させる。次いで、第5図に
示すようにモータ3を駆動させて被塗布体1をブリスピ
ンさせ、引き続きチャック2と共に一定時間高速回転さ
せる。
このように被塗布体1を高速回転させると、塗布液4が
遠心力により被塗布体1の上面に全面にわたって拡がり
、塗布液4の厚みが減少する。その後、塗布液4に含ま
れる溶媒が暴発することによる膜凍りが著しくなるが、
同時に塗布液4の粘性が増加し、膜減りに関して遠心力
の寄与はさらに少なくなる。最後には液相内拡散係数の
減少により膜中での溶媒の移動が困難になり、気液界面
から蒸発できなくなって膜厚減少が停止する。このよう
にして被塗布体l上に薄膜が形成されることになる。
遠心力により被塗布体1の上面に全面にわたって拡がり
、塗布液4の厚みが減少する。その後、塗布液4に含ま
れる溶媒が暴発することによる膜凍りが著しくなるが、
同時に塗布液4の粘性が増加し、膜減りに関して遠心力
の寄与はさらに少なくなる。最後には液相内拡散係数の
減少により膜中での溶媒の移動が困難になり、気液界面
から蒸発できなくなって膜厚減少が停止する。このよう
にして被塗布体l上に薄膜が形成されることになる。
ところで、通常の雰囲気ガス(空気)中で大型ウェハ(
例えば直径8インチのもの)を用いて塗布した場合、従
来の回転数(4000rpm〜6000rpm)ではウ
ェハ外周部で膜厚が厚くなり、ウェハ面内で膜厚分布が
生しること、そして、これが溶媒蒸発の面内不均一によ
り起こることを発明者らは実験的・理論的に確認してい
る。以下ではその理論について第6図および第7図(a
L(b)を用いて説明する。
例えば直径8インチのもの)を用いて塗布した場合、従
来の回転数(4000rpm〜6000rpm)ではウ
ェハ外周部で膜厚が厚くなり、ウェハ面内で膜厚分布が
生しること、そして、これが溶媒蒸発の面内不均一によ
り起こることを発明者らは実験的・理論的に確認してい
る。以下ではその理論について第6図および第7図(a
L(b)を用いて説明する。
第6図は従来の回転塗布法に使用するスピンコーターに
よって回転されているウェハの表面近傍の気流を示す模
式図、第7図(a)、 (b)は従来の回転塗布法によ
ってウェハ上に形成された薄膜の膜厚分布を示すグラフ
で、同図(a)は良品を示し、同図(b)は不良品を示
す。第6図において6はウェハたる被塗布体1の表面近
傍の気流(表面気流)を示す。また、第6図および第7
図においてlで示す範囲は表面気流が層流となる層流域
、11で示す範囲は表面気流が層流から乱流へ遷移する
遷移域、iiiで示す範囲は表面気流が乱流となる乱流
域を示す。被塗布体1を回転させると、表面気流6はウ
ェハ外周部r、の位置で層流から遷移流へ、さらに、r
tの位置で遷移流から乱流へ変化する。
よって回転されているウェハの表面近傍の気流を示す模
式図、第7図(a)、 (b)は従来の回転塗布法によ
ってウェハ上に形成された薄膜の膜厚分布を示すグラフ
で、同図(a)は良品を示し、同図(b)は不良品を示
す。第6図において6はウェハたる被塗布体1の表面近
傍の気流(表面気流)を示す。また、第6図および第7
図においてlで示す範囲は表面気流が層流となる層流域
、11で示す範囲は表面気流が層流から乱流へ遷移する
遷移域、iiiで示す範囲は表面気流が乱流となる乱流
域を示す。被塗布体1を回転させると、表面気流6はウ
ェハ外周部r、の位置で層流から遷移流へ、さらに、r
tの位置で遷移流から乱流へ変化する。
その条件は式(1)に示されるレイノルズ数で表すこと
ができる。
ができる。
r;半径位置(cm )ω;角速度(rad/s)ν;
動粘性係数(cd= / s ) 層流から遷移流へ移る条件(臨界レイノルズ数Re、)
および遷移流から乱流に移る条件(遷移レイノルズ数R
et)は以下に示すものである。
動粘性係数(cd= / s ) 層流から遷移流へ移る条件(臨界レイノルズ数Re、)
および遷移流から乱流に移る条件(遷移レイノルズ数R
et)は以下に示すものである。
Re、=0.88X10’ ・−・−−・(21Re
t−3,20X105 ・・・・−13)ところで、レ
ジスト液膜厚の減少は■遠心力による流れと、■溶媒薄
発により起こる。表面気流の遷移流・乱流化は■溶媒草
発に大きく影響を及ぼし、その蒸発量も半径位置により
変化する。すなわち、■乱流域の物質伝達率α。は半径
位置依存性を有し、半径位置が大きくなると蒸発量が増
加し、蒸発むらを生じる。一方、■層流域のそれば半径
位置依存性をもたず、蒸発むらは生じない。
t−3,20X105 ・・・・−13)ところで、レ
ジスト液膜厚の減少は■遠心力による流れと、■溶媒薄
発により起こる。表面気流の遷移流・乱流化は■溶媒草
発に大きく影響を及ぼし、その蒸発量も半径位置により
変化する。すなわち、■乱流域の物質伝達率α。は半径
位置依存性を有し、半径位置が大きくなると蒸発量が増
加し、蒸発むらを生じる。一方、■層流域のそれば半径
位置依存性をもたず、蒸発むらは生じない。
これより、ウェハ全面の表面気流が層流域の場合、蒸発
むらもなく第7図(a)に示すように膜厚が均一な塗布
液4の膜(以下、これを良品という。)となる。高回転
で塗布したり、大型ウェハを使用した場合、ウェハ面内
の表面気流は内側より層流(0<r<ri) ・遷移
流(r、くrくrt)乱流(rt<r)となる。この時
、塗布液が内側(層流域■)から外側(乱流域ii )
に流れて行くと、そこでは内側より蒸発量が多く、液の
粘性が高くなり、液が堆積し、中心部より膜厚が厚くな
る。この膜厚分布の不均一な塗布液4の膜(以下、これ
を不良品という。)を第7図(b)によって説明する。
むらもなく第7図(a)に示すように膜厚が均一な塗布
液4の膜(以下、これを良品という。)となる。高回転
で塗布したり、大型ウェハを使用した場合、ウェハ面内
の表面気流は内側より層流(0<r<ri) ・遷移
流(r、くrくrt)乱流(rt<r)となる。この時
、塗布液が内側(層流域■)から外側(乱流域ii )
に流れて行くと、そこでは内側より蒸発量が多く、液の
粘性が高くなり、液が堆積し、中心部より膜厚が厚くな
る。この膜厚分布の不均一な塗布液4の膜(以下、これ
を不良品という。)を第7図(b)によって説明する。
層流域(i)では膜厚は均一であるが、r、を越えた遷
移域(ii )では徐々に、rlを越えた乱流域(ii
i )では急激に塗布膜厚が厚くなる。
移域(ii )では徐々に、rlを越えた乱流域(ii
i )では急激に塗布膜厚が厚くなる。
この状態で露光工程・現像工程のパターン線幅グを行な
うとパターン線幅のむらを生じる。その箇所は不良品と
なるため、歩留りが悪くなる。
うとパターン線幅のむらを生じる。その箇所は不良品と
なるため、歩留りが悪くなる。
ところで、上述したようにレジスト液の回転塗布では、
液膜厚の減少は■遠心力による流れと、■溶媒蒸発とに
よって生じる。この様子を第8図に示す。
液膜厚の減少は■遠心力による流れと、■溶媒蒸発とに
よって生じる。この様子を第8図に示す。
第8図は従来の回転塗布法によって塗布された塗布液の
膜厚の変化を示すグラフで、横軸に時間むの対数値、縦
軸に膜厚δの対数値が示されている。なお、第8図にお
いては被塗布体1の中心部の膜厚の変化を実線によって
示し、外周部の膜厚変化を破線によって示した。そして
、第7図では時間に対する膜厚の変化を4つの領域(I
〜■)に分けている。領域Iは回転開始直後であって加
速度を受は膜厚が急激に減少する領域である。領域■で
は一定回転数下で膜厚が時間に対しである一定の関係(
δ、ct−17Z)で減少している。このことは、この
領域■では■遠心力流れにより膜厚が減少していること
を示している。そして、ある時刻(領域■)においてこ
の関係が崩れ、膜厚は再び急激に減少する。これは、こ
の領域■において■遠心力流れに較べて■溶媒蒸発によ
る膜減りが顕著になったためである。そして、最後に領
域■では、領域■での溶媒1発により液の粘性が急激に
増大することに起因して塗布液が流れ難(なり、かつ液
膜表面に溶媒濃度の低いレジストの層ができて溶媒の蒸
発を妨げることにより膜厚の減少がほとんど見られなく
なっている。以上より、ウェハ表面気流の乱流化が膜厚
分布に大きな影響を及ぼすのは領域■以降であることが
分かる。すなわち、第8図に示すように、主として遠心
流れによって膜厚が減少している初期(領域I−領領域
)には外周部と中心部とでは膜厚差はほとんどみられな
いが、膜厚減少が溶媒蒸発によって支配されるようにな
る(領域■)と、中心部(実線)と外周部(破線)とで
膜厚分布をもつようになる。
膜厚の変化を示すグラフで、横軸に時間むの対数値、縦
軸に膜厚δの対数値が示されている。なお、第8図にお
いては被塗布体1の中心部の膜厚の変化を実線によって
示し、外周部の膜厚変化を破線によって示した。そして
、第7図では時間に対する膜厚の変化を4つの領域(I
〜■)に分けている。領域Iは回転開始直後であって加
速度を受は膜厚が急激に減少する領域である。領域■で
は一定回転数下で膜厚が時間に対しである一定の関係(
δ、ct−17Z)で減少している。このことは、この
領域■では■遠心力流れにより膜厚が減少していること
を示している。そして、ある時刻(領域■)においてこ
の関係が崩れ、膜厚は再び急激に減少する。これは、こ
の領域■において■遠心力流れに較べて■溶媒蒸発によ
る膜減りが顕著になったためである。そして、最後に領
域■では、領域■での溶媒1発により液の粘性が急激に
増大することに起因して塗布液が流れ難(なり、かつ液
膜表面に溶媒濃度の低いレジストの層ができて溶媒の蒸
発を妨げることにより膜厚の減少がほとんど見られなく
なっている。以上より、ウェハ表面気流の乱流化が膜厚
分布に大きな影響を及ぼすのは領域■以降であることが
分かる。すなわち、第8図に示すように、主として遠心
流れによって膜厚が減少している初期(領域I−領領域
)には外周部と中心部とでは膜厚差はほとんどみられな
いが、膜厚減少が溶媒蒸発によって支配されるようにな
る(領域■)と、中心部(実線)と外周部(破線)とで
膜厚分布をもつようになる。
上述した従来の塗布方法においては、大型ウェハを使用
した場合には、ウェハ表面気流がウェハ外周部で乱流に
遷移するため、そこと中央部とで溶媒蒸発量に差が生じ
、形成された塗布液膜の膜厚が異なる。このため、塗布
工程以降の処理工程でエツチング処理した場合等に被塗
布体を均質に加工することができないという問題点があ
った。
した場合には、ウェハ表面気流がウェハ外周部で乱流に
遷移するため、そこと中央部とで溶媒蒸発量に差が生じ
、形成された塗布液膜の膜厚が異なる。このため、塗布
工程以降の処理工程でエツチング処理した場合等に被塗
布体を均質に加工することができないという問題点があ
った。
本発明に係る塗布液の塗布方法は、被塗布体の回転開始
後であって溶媒蒸発によって膜厚が著しく減少する時以
降回転数を低下させるものである。
後であって溶媒蒸発によって膜厚が著しく減少する時以
降回転数を低下させるものである。
本発明による塗布液の塗布方法によれば、溶媒蒸発によ
る膜減りが顕著となる時には回転数が低くなるから、こ
の時に被塗布体表面近傍に乱流を生じ難くすることがで
きる。
る膜減りが顕著となる時には回転数が低くなるから、こ
の時に被塗布体表面近傍に乱流を生じ難くすることがで
きる。
〔実施例]
以下、本発明の一実施例を第1図ないし第3図によって
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図は本発明に係る塗布液の塗布方法に使用するスピ
ンコーターを示す概略構成図、第2図は本発明に係る塗
布液の塗布方法によって回転される被塗布体の回転開始
から回転終了までの間の回転数変化を示すグラフ、第3
図は本発明に係る塗布液の塗布方法によって塗布された
塗布液の回転開始から回転終了までの間の膜厚変化を示
すグラフである。第1図において11はウェハ等の被塗
布体、12はこの被塗布体lを真空吸着等の方法によっ
て固定するチャック、13はこのチャック12を高速回
転さ(るモータ、14はレジスト液等の塗布液、15は
塗布液4を被塗布体1上に供給するためのノズルで、こ
のスピンコーターは従来のものと同一のものである。
ンコーターを示す概略構成図、第2図は本発明に係る塗
布液の塗布方法によって回転される被塗布体の回転開始
から回転終了までの間の回転数変化を示すグラフ、第3
図は本発明に係る塗布液の塗布方法によって塗布された
塗布液の回転開始から回転終了までの間の膜厚変化を示
すグラフである。第1図において11はウェハ等の被塗
布体、12はこの被塗布体lを真空吸着等の方法によっ
て固定するチャック、13はこのチャック12を高速回
転さ(るモータ、14はレジスト液等の塗布液、15は
塗布液4を被塗布体1上に供給するためのノズルで、こ
のスピンコーターは従来のものと同一のものである。
次に、本発明の塗布液の塗布方法について説明する。被
塗布体11上にレジスト膜等の薄膜を形成するには、先
ず、被塗布体11をチャック12上に固定し、塗布液1
4をノズル15がら被塗布体11上に滴下させる。次い
で、第2図に示すようにモータ13を駆動させて被塗布
体11をプリスピンさせ、引き続き回転数NKまで高速
回転させる。そして、被塗布体11をこの回転数NHで
所定時間一定回転させた後、その回転数を時刻t1で低
速度NLに低下させる。前記時刻t1は、溶媒蒸発が膜
減りを支配し始める時刻であって、この時刻1.は予め
実験等によって計測しておく。
塗布体11上にレジスト膜等の薄膜を形成するには、先
ず、被塗布体11をチャック12上に固定し、塗布液1
4をノズル15がら被塗布体11上に滴下させる。次い
で、第2図に示すようにモータ13を駆動させて被塗布
体11をプリスピンさせ、引き続き回転数NKまで高速
回転させる。そして、被塗布体11をこの回転数NHで
所定時間一定回転させた後、その回転数を時刻t1で低
速度NLに低下させる。前記時刻t1は、溶媒蒸発が膜
減りを支配し始める時刻であって、この時刻1.は予め
実験等によって計測しておく。
また、回転数N、は、本実施例では被塗布体11の表面
近傍に乱流が生しないような回転数に設定されている。
近傍に乱流が生しないような回転数に設定されている。
なお、この回転数NLは遷移流すらも生じないような回
転数とすることが望ましい。
転数とすることが望ましい。
この回転数N、は弐(1,)、 (2)および(3)を
用い、かつ20℃の空気の動粘性係数を代入して整理す
ると、480000/R” Crprr+]以下、望
ましくは、130000/R2[r pm)以下の回転
数とすることができる。なお、Rは被塗布体11の半径
(an)を示す。
用い、かつ20℃の空気の動粘性係数を代入して整理す
ると、480000/R” Crprr+]以下、望
ましくは、130000/R2[r pm)以下の回転
数とすることができる。なお、Rは被塗布体11の半径
(an)を示す。
したがって、上述したように溶媒蒸発による膜厚減少が
顕著になり始める時刻t1で回転数を低下させると、こ
の時に被塗布体表面近傍に乱流を生じ難くすることがで
きる。このため、被塗布体11の外周部と中心部とで膜
厚に差が生じるようなことを抑え、第3図に示すように
塗布面全面にねたり略均−な膜厚をもつ薄膜を形成する
ことができる。
顕著になり始める時刻t1で回転数を低下させると、こ
の時に被塗布体表面近傍に乱流を生じ難くすることがで
きる。このため、被塗布体11の外周部と中心部とで膜
厚に差が生じるようなことを抑え、第3図に示すように
塗布面全面にねたり略均−な膜厚をもつ薄膜を形成する
ことができる。
以上説明したように本発明に係る塗布液の塗布方法は、
被塗布体の回転開始後であって溶媒蒸発によって膜厚が
著しく減少する時以降回転数を低下させるため、溶媒蒸
発による膜減りが顕著となる時には回転数が低くなり、
この時に被塗布体表面近傍に乱流を生じ難くすることが
できる。したがって、大型の被塗布体に薄膜を形成する
にあたり膜厚むらを無くす、あるいは減らすことができ
、歩留まりを向上させて加工費、材料費等を低く抑える
ことができる。
被塗布体の回転開始後であって溶媒蒸発によって膜厚が
著しく減少する時以降回転数を低下させるため、溶媒蒸
発による膜減りが顕著となる時には回転数が低くなり、
この時に被塗布体表面近傍に乱流を生じ難くすることが
できる。したがって、大型の被塗布体に薄膜を形成する
にあたり膜厚むらを無くす、あるいは減らすことができ
、歩留まりを向上させて加工費、材料費等を低く抑える
ことができる。
第1図は本発明に係る塗布液の塗布方法に使用するスピ
ンコーターを示す概略構成図、第2図は本発明に係る塗
布液の塗布方法によって回転される被塗布体の回転開始
から回転終了までの間の回転数変化を示すグラフ、第3
図は本発明に係る塗布液の塗布方法によって塗布された
塗布液の回転開始から回転終了までの間の膜厚変化を示
すグラフである。第4図は従来の回転塗布法に使用する
スピンコーターを示す概略構成図、第5図は従来の回転
塗布法における回転開始から回転終了までの間の被塗布
体回転数の変化を示すグラフである。 第6図は従来の回転塗布法に使用するスピンコーターに
よって回転されているウェハの表面近傍の気流を示す模
式図、第7図(a)、 (b)は従来の回転塗布法によ
ってウェハ上に形成された薄膜の膜厚分布を示すグラフ
で、同図(a)は良品を示し、同図(b)は不良品を示
す。第8図は従来の回転塗布法によって塗布された塗布
液の膜厚の変化を示すグラフである。 1・・・・被塗布体、 2・・・・チャック・ 4・・ ・・塗布液。 代 理 人 大 石 増 雄 第 図 第 図 IlG’間t 第 3 図 1 11Iusxt 第 図 第 図 口)団 第 図 第 図 第 図 fog を 手 甑 補 正 意 (自発) 平成 0 年 月 日
ンコーターを示す概略構成図、第2図は本発明に係る塗
布液の塗布方法によって回転される被塗布体の回転開始
から回転終了までの間の回転数変化を示すグラフ、第3
図は本発明に係る塗布液の塗布方法によって塗布された
塗布液の回転開始から回転終了までの間の膜厚変化を示
すグラフである。第4図は従来の回転塗布法に使用する
スピンコーターを示す概略構成図、第5図は従来の回転
塗布法における回転開始から回転終了までの間の被塗布
体回転数の変化を示すグラフである。 第6図は従来の回転塗布法に使用するスピンコーターに
よって回転されているウェハの表面近傍の気流を示す模
式図、第7図(a)、 (b)は従来の回転塗布法によ
ってウェハ上に形成された薄膜の膜厚分布を示すグラフ
で、同図(a)は良品を示し、同図(b)は不良品を示
す。第8図は従来の回転塗布法によって塗布された塗布
液の膜厚の変化を示すグラフである。 1・・・・被塗布体、 2・・・・チャック・ 4・・ ・・塗布液。 代 理 人 大 石 増 雄 第 図 第 図 IlG’間t 第 3 図 1 11Iusxt 第 図 第 図 口)団 第 図 第 図 第 図 fog を 手 甑 補 正 意 (自発) 平成 0 年 月 日
Claims (1)
- 塗布液が滴下された被塗布体を回転させ、前記塗布液中
の溶媒を蒸発させて被塗布体の表面に塗布液膜を形成す
る塗布液の塗布方法において、前記被塗布体の回転開始
後であって溶媒蒸発によって膜厚が著しく減少する時以
降回転数を低下させることを特徴とする塗布液の塗布方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2041599A JP2697226B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 塗布液の塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2041599A JP2697226B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 塗布液の塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03245875A true JPH03245875A (ja) | 1991-11-01 |
| JP2697226B2 JP2697226B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=12612858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2041599A Expired - Fee Related JP2697226B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 塗布液の塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2697226B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251487B1 (en) | 1998-09-04 | 2001-06-26 | Nec Corporation | Method for coating a resist film |
| JP2003234278A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Toshiba Corp | 液状膜の処理方法及び液状膜の処理装置 |
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| JP2697226B2 (ja) | 1998-01-14 |
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