JPS6074708A - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法Info
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- JPS6074708A JPS6074708A JP18053083A JP18053083A JPS6074708A JP S6074708 A JPS6074708 A JP S6074708A JP 18053083 A JP18053083 A JP 18053083A JP 18053083 A JP18053083 A JP 18053083A JP S6074708 A JPS6074708 A JP S6074708A
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- surface acoustic
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- semiconductor circuit
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
- H03H9/02976—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、弾性表面波デバイスと半導体回路とをモノ
リシック構造で一体化した弾性表面波装置の製造方法に
関する。
リシック構造で一体化した弾性表面波装置の製造方法に
関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般に、弾性表面波発振器のような、弾性表面波デバイ
スと半導体回路とを組合わせた装置では、弾性表面波デ
バイスと半導体回路はそれぞれ別々のパッケージに納め
られ、プリント配線等により相互に接続されて構成され
ていた。
スと半導体回路とを組合わせた装置では、弾性表面波デ
バイスと半導体回路はそれぞれ別々のパッケージに納め
られ、プリント配線等により相互に接続されて構成され
ていた。
しかしながら、このような構成では小形化が難しく、ま
た露出した配線による信頼性の低下等の問題があるため
、ハイブリッド構成に覆ることが考えられている。すな
わち、アルミナ等の上に金属薄膜による配線を施した配
線基板を用い、この基板上に弾性表面波デバイスと半導
体回路のチップ状のものとを接着・配線するのである。
た露出した配線による信頼性の低下等の問題があるため
、ハイブリッド構成に覆ることが考えられている。すな
わち、アルミナ等の上に金属薄膜による配線を施した配
線基板を用い、この基板上に弾性表面波デバイスと半導
体回路のチップ状のものとを接着・配線するのである。
一方、このハイブリッド化弾性表面波装置とは別に、さ
らに小形化、信頼性の向上と製造コストの低減を図るた
め、一つの半導体基板上に弾性表面波デバイイスと半導
体回路とを一体化して製作する、いわゆるモノリシック
構造の弾性表面波装置も検討されている。しかし、現在
のところモノリシック構造の弾性表面波装置は実現され
ていない。その理由は種々考えられるが、その一つとし
て弾性表面波デバイスに適した電１ＩＩＩ造と半導体回
路での電極構造とが大きく異なっていることが挙げられ
る。特に、弾性表面波デバイスでは基板の表面状態によ
ってその特性が大きく左右されるため、電極の膜厚はそ
の表面波デバイスの中心周波数などの使用周波数帯で定
まる値にコントロールされる必要があり、一般に０．２
μｍｎ以下の膜厚となる。これに対し、半導体回路では
アルミニウムによる配線や白金と金、ゲルマニウムの合
金でのオーミック電極が形成されるが、これらの電極の
膜厚は１μｍ程度が一般的である。
らに小形化、信頼性の向上と製造コストの低減を図るた
め、一つの半導体基板上に弾性表面波デバイイスと半導
体回路とを一体化して製作する、いわゆるモノリシック
構造の弾性表面波装置も検討されている。しかし、現在
のところモノリシック構造の弾性表面波装置は実現され
ていない。その理由は種々考えられるが、その一つとし
て弾性表面波デバイスに適した電１ＩＩＩ造と半導体回
路での電極構造とが大きく異なっていることが挙げられ
る。特に、弾性表面波デバイスでは基板の表面状態によ
ってその特性が大きく左右されるため、電極の膜厚はそ
の表面波デバイスの中心周波数などの使用周波数帯で定
まる値にコントロールされる必要があり、一般に０．２
μｍｎ以下の膜厚となる。これに対し、半導体回路では
アルミニウムによる配線や白金と金、ゲルマニウムの合
金でのオーミック電極が形成されるが、これらの電極の
膜厚は１μｍ程度が一般的である。
さらに、半導体回路部のＶＢ造には４００℃をこえる高
温プロセスが使われるが、これが弾性表面波デバイスに
悪影響を与える。すなわち、弾性表面波デバイスにおけ
る弾性表面波励振用電極は一般に１μｍ幅程度の１Ｍ細
パターンの電極指からなっており、半導体回路部の製造
時の高温プロセスを経ると電極指が細ってしまう。その
結果、弾性表面波デバイスの中心周波数のずれ１５周波
数特性の劣化を招くという問題がある。
温プロセスが使われるが、これが弾性表面波デバイスに
悪影響を与える。すなわち、弾性表面波デバイスにおけ
る弾性表面波励振用電極は一般に１μｍ幅程度の１Ｍ細
パターンの電極指からなっており、半導体回路部の製造
時の高温プロセスを経ると電極指が細ってしまう。その
結果、弾性表面波デバイスの中心周波数のずれ１５周波
数特性の劣化を招くという問題がある。
［発明の目的］
この発明の目的は、弾性表面波励振用電極の膜厚および
線幅を適正に維持して、弾性表面波デバイスと半導体回
路とがモノリシック構造で一体化された特性の良好な弾
性表面波装置の製造方法を提供することにある。
線幅を適正に維持して、弾性表面波デバイスと半導体回
路とがモノリシック構造で一体化された特性の良好な弾
性表面波装置の製造方法を提供することにある。
［発明の概要］
この発明は、半導体回路のうちの配線部を除く全ての部
分の製造工程を終えた後に、弾性表面波励振用電極を形
成し、しかる後半導体回路の配線部を形成することを特
徴としている。
分の製造工程を終えた後に、弾性表面波励振用電極を形
成し、しかる後半導体回路の配線部を形成することを特
徴としている。
［発明の効果］
この発明によれば、弾性表面波デバイスにおける弾性表
面波励振用の電極が半導体回路製造プロセスでの′ａ湯
温下さらされないため、その電極指が細るようなことが
なく、また半導体回路の膜厚の比較的厚い配線部との接
続部等において段切れ等を生じることもないので、所望
とする特性を安定に得ることができる。
面波励振用の電極が半導体回路製造プロセスでの′ａ湯
温下さらされないため、その電極指が細るようなことが
なく、また半導体回路の膜厚の比較的厚い配線部との接
続部等において段切れ等を生じることもないので、所望
とする特性を安定に得ることができる。
従って、弾性表面波デバイスと半導体回路からなる発振
回路部とがモノリシックに構成された１チツプの超小形
発振器等の弾性表面波装置を特性のバラツキなどの問題
を伴うことなく容易に量産することが可能となり、安価
にこの種の装置を提供することが可能となる。
回路部とがモノリシックに構成された１チツプの超小形
発振器等の弾性表面波装置を特性のバラツキなどの問題
を伴うことなく容易に量産することが可能となり、安価
にこの種の装置を提供することが可能となる。
［発明の実施例］
第１図はこの頼明の一実施例に係わる弾性表面波装置と
してのモノリシック構造の弾性表面波発振器の概略構成
を示したものである。
してのモノリシック構造の弾性表面波発振器の概略構成
を示したものである。
図において、１は半導体基板であり、例えばヒ化ガリウ
ム（ＧａＡＳ）が用いられる。この基板は特定の切断方
向では圧電性を有するため、表面にアルミニウム等の金
属薄膜によるくし形電極２や、すだれ形電極３を弾性表
面波励振用電極として形成することにより、電気−弾性
表面波変換を行なうことができる。この場合、これら弾
性表面波デバイスＩＭ２．３の形状を適当に段８１する
ことにより、所望の特性を有する弾性表面波デバイスが
実現されることになる。
ム（ＧａＡＳ）が用いられる。この基板は特定の切断方
向では圧電性を有するため、表面にアルミニウム等の金
属薄膜によるくし形電極２や、すだれ形電極３を弾性表
面波励振用電極として形成することにより、電気−弾性
表面波変換を行なうことができる。この場合、これら弾
性表面波デバイスＩＭ２．３の形状を適当に段８１する
ことにより、所望の特性を有する弾性表面波デバイスが
実現されることになる。
一方、半導体基板１上にはさらに半導体回路４として発
振回路部が形成され、この半導体回路４と弾性表面波励
振用電極２，３とが配線用金属膜５によって接続されて
いる。電源入力端子６に直流電圧を印加すれば、弾性表
面波励振用電極２゜３の形状１寸法等で決定される周波
数の発揚出力が出力端子７から得られる。例えば発振周
波数としてＩ Ｇ ｌ−１ｚを得たいときは、くし形電
極２の線幅を０．７μｍ、ピッチを１．４μｍとすれば
よい。
振回路部が形成され、この半導体回路４と弾性表面波励
振用電極２，３とが配線用金属膜５によって接続されて
いる。電源入力端子６に直流電圧を印加すれば、弾性表
面波励振用電極２゜３の形状１寸法等で決定される周波
数の発揚出力が出力端子７から得られる。例えば発振周
波数としてＩ Ｇ ｌ−１ｚを得たいときは、くし形電
極２の線幅を０．７μｍ、ピッチを１．４μｍとすれば
よい。
第２図は第１図の半導体回路４の周辺の構造を拡大して
示ｔｌＩｉ面図であり、８はオーミック電極用金属膜、
９はショットキー電極用金ｊ［Ｉ！！、１０はパッシベ
ーション用絶縁躾である。この発明では前述したように
、これら８金ａｌｌ！８．９および絶縁膜１ｏを含む半
導体回路４をまず形成した後、弾性表面波励振用電極２
．３を形成し、その後に配線用金属膜５を形成する。
示ｔｌＩｉ面図であり、８はオーミック電極用金属膜、
９はショットキー電極用金ｊ［Ｉ！！、１０はパッシベ
ーション用絶縁躾である。この発明では前述したように
、これら８金ａｌｌ！８．９および絶縁膜１ｏを含む半
導体回路４をまず形成した後、弾性表面波励振用電極２
．３を形成し、その後に配線用金属膜５を形成する。
以下、第３図を用いてこの弾性表面波発振器の製造工程
を説明する。
を説明する。
まず、第３図（ａ）に示すように半絶縁性ＧａＡｓ１！
板１１上ニＳ Ｉ Ｏ２Ｈ１２ヲ形成した後、同図（ｂ
）に示すようにフォトレジスト１３を塗布・現像する。
板１１上ニＳ Ｉ Ｏ２Ｈ１２ヲ形成した後、同図（ｂ
）に示すようにフォトレジスト１３を塗布・現像する。
そして同図（Ｃ）に示すようにフォトレジスト１３のな
い部分の５ｉＱ２膜１２をエツチングにより除去し、こ
れらフォトレジスト１３．５ｉ０２躾１２をマスクとし
て矢印のごとくイオン注入を行なう。そして第３図（ａ
）〜（Ｃ）と同様な工程を同図（ｄ）、（ｅ）および（
ｆ）、（ｌのように繰返して基板１１内にイオン注入を
選択的に行なうことにより、Ｎ＋層１４、動作層１５．
抵抗層１６を形成する。イオン注入後、再び全面に５ｉ
Ｏｚｌｌｉ１７を形成し、これを保護膜として高温でア
ニールし、各層の活性化を行なう。これにより、第３図
（ｈ）に示すように半導体のチャネルが形成される。
い部分の５ｉＱ２膜１２をエツチングにより除去し、こ
れらフォトレジスト１３．５ｉ０２躾１２をマスクとし
て矢印のごとくイオン注入を行なう。そして第３図（ａ
）〜（Ｃ）と同様な工程を同図（ｄ）、（ｅ）および（
ｆ）、（ｌのように繰返して基板１１内にイオン注入を
選択的に行なうことにより、Ｎ＋層１４、動作層１５．
抵抗層１６を形成する。イオン注入後、再び全面に５ｉ
Ｏｚｌｌｉ１７を形成し、これを保護膜として高温でア
ニールし、各層の活性化を行なう。これにより、第３図
（ｈ）に示すように半導体のチャネルが形成される。
次に、第３図（ｉ）に示すようにＳｉＯ２膜１７をフォ
トレジスト１８をマスクとして選択的にエツチングし、
同図（ｊ）に示すようにオーミック電極用金属膜１９と
してＰｔ／Ａｕ／Ｇｅ１ｌを形成し、次いで同図（ｋ）
に示すようにこの金属膜１９の不要部分をリフトオフに
より除去する。
トレジスト１８をマスクとして選択的にエツチングし、
同図（ｊ）に示すようにオーミック電極用金属膜１９と
してＰｔ／Ａｕ／Ｇｅ１ｌを形成し、次いで同図（ｋ）
に示すようにこの金属膜１９の不要部分をリフトオフに
より除去する。
その後、＾温処理により金属膜１９をアロイ化し、オー
ミック電極を形成する。
ミック電極を形成する。
次に、第３図（１）に示すように５ｉＯ２１１１７をフ
オトレジスト２０を用いてさらにエツチングした後、同
図（ｍ）に示すようにショットキー電極用金属膜２１と
してアルミ膜を形成し、次いで同図（ｎ）に示すように
この金ｆｆ１Ｎ！２１の不要部分をリフトオフにより除
去してショットキー電極を形成する。そして、第３図（
０）に示すように全面に５ＩＯ２１！１２２をパッシベ
ーション用絶縁膜として形成することによって、配線部
を除く半導体回路の全製造工程が完了する。
オトレジスト２０を用いてさらにエツチングした後、同
図（ｍ）に示すようにショットキー電極用金属膜２１と
してアルミ膜を形成し、次いで同図（ｎ）に示すように
この金ｆｆ１Ｎ！２１の不要部分をリフトオフにより除
去してショットキー電極を形成する。そして、第３図（
０）に示すように全面に５ＩＯ２１！１２２をパッシベ
ーション用絶縁膜として形成することによって、配線部
を除く半導体回路の全製造工程が完了する。
次に、第３図（ｐ）に示すようにフォトレジスト２３を
全面に形成した後、フォトレジスト２３を、弾性表面波
励振用電極を形成すべき部分が除去されるように露光・
現像する。次いで、このフ７Ｉｔ−Ｌシスト２３を保ｌ
！膜としｒｓ ＋ ０２膜２２を等方性エツチングし、
その後第３図（Ｑ）に示すように弾性表面波励振用電極
となる金属膜２４として例えば膜厚０．１〜０．２μｍ
程度のアルミ膜を形成する。そして、５ｉＯ２１１２２
，フォトレジスト２３の順でエツチングを行ない、不要
部分の金１１１１２４をリフトオフにより除去する。
全面に形成した後、フォトレジスト２３を、弾性表面波
励振用電極を形成すべき部分が除去されるように露光・
現像する。次いで、このフ７Ｉｔ−Ｌシスト２３を保ｌ
！膜としｒｓ ＋ ０２膜２２を等方性エツチングし、
その後第３図（Ｑ）に示すように弾性表面波励振用電極
となる金属膜２４として例えば膜厚０．１〜０．２μｍ
程度のアルミ膜を形成する。そして、５ｉＯ２１１２２
，フォトレジスト２３の順でエツチングを行ない、不要
部分の金１１１１２４をリフトオフにより除去する。
この状態を示したのが第３図（ｒ）であり、金属膜２４
からなる弾性表面波励振用電極が形成されている。
からなる弾性表面波励振用電極が形成されている。
次に、第３図（Ｓ）に示すように７オトレジスト２５を
塗布・現像し、引続き同図（１）に示すようにフォトレ
ジスト２５のない部分、つまり半導体回路の配線部を形
成すべき電極部上のパッシベーション用５ｉ０２１２２
をエツチングにより除去する。次に、第３図（Ｕ）に示
す上ろ（百び）７１１−レジスト２Ｇを塗布し、半導体
回路の配線部を形成すべき部分以外の部分にフォトレジ
スト２６が残るように露光・現像を行なう。
塗布・現像し、引続き同図（１）に示すようにフォトレ
ジスト２５のない部分、つまり半導体回路の配線部を形
成すべき電極部上のパッシベーション用５ｉ０２１２２
をエツチングにより除去する。次に、第３図（Ｕ）に示
す上ろ（百び）７１１−レジスト２Ｇを塗布し、半導体
回路の配線部を形成すべき部分以外の部分にフォトレジ
スト２６が残るように露光・現像を行なう。
そして、第３図（Ｖ）に示すように配線用金属Ｉ！２７
として例えばＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ１ｌを全面に形成した後
、フォトレジス１へ２６を除去することにより、Ａｕ／
Ｐｔ／Ｔ ｉ膜の不要部分をリフトオフにて除去し、半
導体回路の配線部を形成する。
として例えばＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ１ｌを全面に形成した後
、フォトレジス１へ２６を除去することにより、Ａｕ／
Ｐｔ／Ｔ ｉ膜の不要部分をリフトオフにて除去し、半
導体回路の配線部を形成する。
こうして第３図（Ｗ）に示すようなモノリシック構造の
弾性表面波発振器が完成する。
弾性表面波発振器が完成する。
以上説明したこの発明に基く弾性表面波装置の製造プロ
セスによれば、第３図（ａ）〜（０）に示した高温プロ
セスを含む半導体回路の形成工程の後に、同図（Ｄ）〜
（ｒ）にて弾性表面波励振用電極の形成を行ない、しか
る後同図（Ｓ）〜（Ｗ）にて半導体回路の配線部を形成
するようにしたため、弾性表面波励振用電極の電極指が
高温にさらされることによって柵ってしまうことがなく
、また膜厚の比較的厚い半導体回路の配線部との接続部
で段切れを生じたりすることもない。従つて、弾性表面
波発振器としての所望の特性（中心周波数１周波数特性
等）を容易に得ることができる。
セスによれば、第３図（ａ）〜（０）に示した高温プロ
セスを含む半導体回路の形成工程の後に、同図（Ｄ）〜
（ｒ）にて弾性表面波励振用電極の形成を行ない、しか
る後同図（Ｓ）〜（Ｗ）にて半導体回路の配線部を形成
するようにしたため、弾性表面波励振用電極の電極指が
高温にさらされることによって柵ってしまうことがなく
、また膜厚の比較的厚い半導体回路の配線部との接続部
で段切れを生じたりすることもない。従つて、弾性表面
波発振器としての所望の特性（中心周波数１周波数特性
等）を容易に得ることができる。
また上記実施例においては、特に弾性表面波励振用電極
を半導体回路のバツシベーヨン用絶縁膜をリフトオフ用
の膜として利用して形成しているため、電極の微細形状
を決定するのはその上に形成されたレジスト膜となり、
非常に高精度の電極形成が可能である。
を半導体回路のバツシベーヨン用絶縁膜をリフトオフ用
の膜として利用して形成しているため、電極の微細形状
を決定するのはその上に形成されたレジスト膜となり、
非常に高精度の電極形成が可能である。
この発明はその他種々変形して実施が可能であり、例え
ば第４図に示すように半導体回路４と弾性表面波励振用
電極２，３との間の配線用金属膜の下部にパッシベーシ
ョン用絶縁膜１０を残しておくことにより、半導体回路
４と弾性表面波デバイスとの配線の浮遊容量を小さくす
ることができる。これはパッシベーション用絶縁ＩＩ！
１０としてのＳｉＯ２膜の誘電率が半導体基板１である
ＱａＡｓ基板のそれの１１５程度と小さいことがその理
由である。
ば第４図に示すように半導体回路４と弾性表面波励振用
電極２，３との間の配線用金属膜の下部にパッシベーシ
ョン用絶縁膜１０を残しておくことにより、半導体回路
４と弾性表面波デバイスとの配線の浮遊容量を小さくす
ることができる。これはパッシベーション用絶縁ＩＩ！
１０としてのＳｉＯ２膜の誘電率が半導体基板１である
ＱａＡｓ基板のそれの１１５程度と小さいことがその理
由である。
また、各部の材料も実施例で挙げたものに限定されず、
例えばパッシベーション用絶縁膜はＳｉＮなど他の誘電
膜であってもよい。各電極の金属材しについてもその本
来の機能を果たすものであれば何でもよく、例えば３ｉ
や、Ｃｕをドープしたアルミ等も電極材料として使用が
可能である。
例えばパッシベーション用絶縁膜はＳｉＮなど他の誘電
膜であってもよい。各電極の金属材しについてもその本
来の機能を果たすものであれば何でもよく、例えば３ｉ
や、Ｃｕをドープしたアルミ等も電極材料として使用が
可能である。
また、半導体基板についてもＧａＡＳ基板以外のもの、
例えばＳｉ基板を用いることができ、さらには弾性表面
波デバイス形成部分に圧電薄膜を形成して圧電性を向上
させたものを用いてもよい。
例えばＳｉ基板を用いることができ、さらには弾性表面
波デバイス形成部分に圧電薄膜を形成して圧電性を向上
させたものを用いてもよい。
第１図はこの発明の一実施例に係わる弾性表面波装置の
一例としての弾性表面波発振器の概略構成を示す斜視図
、第２図はその要部の断面構造を示す図、第３図はこの
発明の一実施例の製造工程を示す図、第４図はこの発明
の他の実施例に係わる弾性表面波装置の斜視図である。 １．１１・・・半導体基板、２，３・・・弾性表面波励
振用電極、４・・・半導体回路、５，２７・・・配線用
金属膜、６・・・″ＲＷＡ入力端子、７・・・出力端子
、８．１９・・・オーミック電極用金属膜、９，２０・
・・ショッ第３図 第３図 ８ 第３図 ３ 第４ｍ
一例としての弾性表面波発振器の概略構成を示す斜視図
、第２図はその要部の断面構造を示す図、第３図はこの
発明の一実施例の製造工程を示す図、第４図はこの発明
の他の実施例に係わる弾性表面波装置の斜視図である。 １．１１・・・半導体基板、２，３・・・弾性表面波励
振用電極、４・・・半導体回路、５，２７・・・配線用
金属膜、６・・・″ＲＷＡ入力端子、７・・・出力端子
、８．１９・・・オーミック電極用金属膜、９，２０・
・・ショッ第３図 第３図 ８ 第３図 ３ 第４ｍ
Claims (3)
- （１）弾性表面波励振用電極とこのＮ極に電気的に接続
された半導体回路とが圧電性を有する共通の基板上に形
成された弾性表面波装置を製造するに際し、前記半導体
回路のうちの配線部を除く全ての部分の製造工程を終え
た後に、前記弾性表面波励振用電極を形成し、しかる後
前記半導体回路の配線部を形成することを特徴とする弾
性表面波装置の製造方法。 - （２）弾性表面波励振用電極を、半導体回路におけるパ
ッシベーション用絶縁膜を利用してリフトオフを行なう
ことにより形成することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の弾性表面波装置の製造方法。 - （３）半導体回路のパッシベーション用絶縁膜を半導体
回路と弾性表面波励振用電極との間の配線部の下部に残
すことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表
面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18053083A JPS6074708A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18053083A JPS6074708A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074708A true JPS6074708A (ja) | 1985-04-27 |
Family
ID=16084871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18053083A Pending JPS6074708A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074708A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63196115U (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-16 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18053083A patent/JPS6074708A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63196115U (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-16 |
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