JPS6074880A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6074880A JPS6074880A JP58182871A JP18287183A JPS6074880A JP S6074880 A JPS6074880 A JP S6074880A JP 58182871 A JP58182871 A JP 58182871A JP 18287183 A JP18287183 A JP 18287183A JP S6074880 A JPS6074880 A JP S6074880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- solid
- signal processing
- semiconductor chip
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
Landscapes
- Instruments For Viewing The Inside Of Hollow Bodies (AREA)
- Endoscopes (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技 術 分 野
本発明は固体撮像装置、特に体腔内部や機械的構造体内
部を観察するための内視鏡に内蔵して使用するのに好適
な固体撮像装置に関するものである。
部を観察するための内視鏡に内蔵して使用するのに好適
な固体撮像装置に関するものである。
従 来 技 術
従来の内視鏡は、被検体内部に挿入される可撓性外筒の
内部にオプチカルファイバ束より成るライトガイドとイ
メージガイドとを延在ぎせ、外部に設けた照明光源から
放射される光をライトガイドを経て内視鏡先端まで導き
、照明レンズ系を経て被検体に照射し、被検体の像を対
物レンズ系およびイメージガイドを経て外部へ導き、接
眼レンズ系を介して直接観察するかまたは撮像装置で撮
像してモニタ上に表示するようにしている。このような
イメージガイドを用いた従来の内視鏡における分解能は
イメージガイドを構成するファイバの径できまるが、フ
ァイバ径を現状よりもざらに細くするには非常に困難で
あり、分解能はほぼ限界に達している。また、イメージ
ガイドは破損し易いので耐久性の点でも問題がある。
内部にオプチカルファイバ束より成るライトガイドとイ
メージガイドとを延在ぎせ、外部に設けた照明光源から
放射される光をライトガイドを経て内視鏡先端まで導き
、照明レンズ系を経て被検体に照射し、被検体の像を対
物レンズ系およびイメージガイドを経て外部へ導き、接
眼レンズ系を介して直接観察するかまたは撮像装置で撮
像してモニタ上に表示するようにしている。このような
イメージガイドを用いた従来の内視鏡における分解能は
イメージガイドを構成するファイバの径できまるが、フ
ァイバ径を現状よりもざらに細くするには非常に困難で
あり、分解能はほぼ限界に達している。また、イメージ
ガイドは破損し易いので耐久性の点でも問題がある。
このような問題を解決するために、内視鏡先端に小形の
撮像装置を組込み、これによって被検体像を撮像して画
像信号に変換し、この画像信号を導線を経て外部へ導き
、モニタ上に被検体像を表示することが提案されている
。撮像装置としてはOCD 、 BBD 、 MOS
−FET ARRAY、PIN −PH0TODIOD
EARRAY 、 SIT ARRAYなどの半導体固
体撮像装着が開発されており、これらの固体撮像装置は
小形でありながら分解能が高く、シかも寿命も長いとい
う特長を有しており、内視鏡に内蔵するのに好適である
。しかしながら、現在製造されている固体撮像装置は従
来の撮像管に比べれば小形ではあるが、現状のままでは
内視鏡先端に内蔵することは困難である。特に体腔内観
察用の内視鏡は最も大径の直腸鏡でも直径は十数ミリ程
度であり、現状の固体撮像装置を組込むことはできない
。このような問題は内視鏡だけに限られるものではなく
、他の撮像機器においても生ずる可能性がある。
撮像装置を組込み、これによって被検体像を撮像して画
像信号に変換し、この画像信号を導線を経て外部へ導き
、モニタ上に被検体像を表示することが提案されている
。撮像装置としてはOCD 、 BBD 、 MOS
−FET ARRAY、PIN −PH0TODIOD
EARRAY 、 SIT ARRAYなどの半導体固
体撮像装着が開発されており、これらの固体撮像装置は
小形でありながら分解能が高く、シかも寿命も長いとい
う特長を有しており、内視鏡に内蔵するのに好適である
。しかしながら、現在製造されている固体撮像装置は従
来の撮像管に比べれば小形ではあるが、現状のままでは
内視鏡先端に内蔵することは困難である。特に体腔内観
察用の内視鏡は最も大径の直腸鏡でも直径は十数ミリ程
度であり、現状の固体撮像装置を組込むことはできない
。このような問題は内視鏡だけに限られるものではなく
、他の撮像機器においても生ずる可能性がある。
半導体固体撮像装置Rを構成する光検出半導体素子から
の検出信号は微弱であるので一般に素子単独で用いられ
るより、検出信号を増幅する増幅回路等を構成する信号
処理回路素子と共に実装した半導体撮像装置が多用され
つつある。この場合、光検出半導体素子と信号処理回路
素子とを単一の半導体チップ内に構成する場合と、複数
個の半導体チップ内に構成する場合とがある。第1図は
従来の固体撮像装置の一例の構成を示しものであり、第
1図に示す例ではパックージを構成するセラミック基板
1上に1枚の半導体チップ2を設け、その左側の部分2
LにOOD t、 BBD等の電荷転送素子。
の検出信号は微弱であるので一般に素子単独で用いられ
るより、検出信号を増幅する増幅回路等を構成する信号
処理回路素子と共に実装した半導体撮像装置が多用され
つつある。この場合、光検出半導体素子と信号処理回路
素子とを単一の半導体チップ内に構成する場合と、複数
個の半導体チップ内に構成する場合とがある。第1図は
従来の固体撮像装置の一例の構成を示しものであり、第
1図に示す例ではパックージを構成するセラミック基板
1上に1枚の半導体チップ2を設け、その左側の部分2
LにOOD t、 BBD等の電荷転送素子。
MOS )ランジスタウフォトダイオード、フォトトラ
ンジスタ、静電島導トランジスタ等の光検出半導体素子
を形成し、右側の部分2Rには水平、垂直シフトレジス
タ、アドレスレジスタ、各種の選択孔インチ、ビデオラ
インに接続された負荷抵抗。
ンジスタ、静電島導トランジスタ等の光検出半導体素子
を形成し、右側の部分2Rには水平、垂直シフトレジス
タ、アドレスレジスタ、各種の選択孔インチ、ビデオラ
インに接続された負荷抵抗。
コンデンサ、アンプ等を構成する信号処理回路素子を形
成する。この信号処理回路素子を形成した部分2Rの上
[は遮光膜または遮光板8が設けられており、透明ガラ
スキャップ4を経て照射される光によって半導体内に発
生する亀子−正孔対に起因する微少隠流による悪影響が
信号処理回路に及ぶことを防いでいる。
成する。この信号処理回路素子を形成した部分2Rの上
[は遮光膜または遮光板8が設けられており、透明ガラ
スキャップ4を経て照射される光によって半導体内に発
生する亀子−正孔対に起因する微少隠流による悪影響が
信号処理回路に及ぶことを防いでいる。
光検出半導体素子と信号処理回路素子との間での信号の
授受は半導体領域または導体パターンを介して行ない、
信号処理半導体領域からの出力信号や外部回路からの制
御信号等の授受は、リード5、セラミック基板1に設け
られたボンディングバット6および導線7を介して行な
われている。
授受は半導体領域または導体パターンを介して行ない、
信号処理半導体領域からの出力信号や外部回路からの制
御信号等の授受は、リード5、セラミック基板1に設け
られたボンディングバット6および導線7を介して行な
われている。
このような構成の固体撮像装置では光検出半導体素子と
信号処理回路素子とを単一の半導体チップI内に形成で
きるので、これらを別々の半導体チップに形成する場合
に比べて小形とすることができるが、内視鏡の先端に内
蔵することができる程小形ではない。また、信号処理回
路内の増幅回路等で発生する熱が光検出半導体素子に伝
達され、暗電流が増大し、また光検出領域に入射した光
によって発生したキャリア電荷が増幅回路やその周辺回
路に拡散し誤動作の原因とな(。ざらに大きな問題点そ
して光検出半導体素子と信号処理回路素子とを単一の半
導体チップ上に構成するので、特性およびチップ製造プ
ロセスの合わせ込みの困11’2!に起因するコストア
ップが生ずる。
信号処理回路素子とを単一の半導体チップI内に形成で
きるので、これらを別々の半導体チップに形成する場合
に比べて小形とすることができるが、内視鏡の先端に内
蔵することができる程小形ではない。また、信号処理回
路内の増幅回路等で発生する熱が光検出半導体素子に伝
達され、暗電流が増大し、また光検出領域に入射した光
によって発生したキャリア電荷が増幅回路やその周辺回
路に拡散し誤動作の原因とな(。ざらに大きな問題点そ
して光検出半導体素子と信号処理回路素子とを単一の半
導体チップ上に構成するので、特性およびチップ製造プ
ロセスの合わせ込みの困11’2!に起因するコストア
ップが生ずる。
技術的背景
上述したような問題を解決するために、本願人は特願昭
58−46967号において第2図に示すようなバック
接合と呼ばれる実装方法を提案している。第2図におい
て、光検出半導体素子は上側の半導体チップ11に形成
し、信号処理回路素子は下側の半導体チップ]2に形成
し、これらチップは絶縁性のホルダ18と一体に形成し
た隔壁14により離間されて支持されている。光検出半
導体素子と信号処理回路素子との間の信号の授受を行な
うために半導体チップ11および12の表面に形成した
接点パッド15および16を導線】7および18を介し
てホルダ】8の表裏に設けた接点パッド】9および20
にそれぞれ接続し、ざらにこれらの接点パッド19と2
0との間をホルダ18の側面を延在するリード21によ
り接続してし)る。
58−46967号において第2図に示すようなバック
接合と呼ばれる実装方法を提案している。第2図におい
て、光検出半導体素子は上側の半導体チップ11に形成
し、信号処理回路素子は下側の半導体チップ]2に形成
し、これらチップは絶縁性のホルダ18と一体に形成し
た隔壁14により離間されて支持されている。光検出半
導体素子と信号処理回路素子との間の信号の授受を行な
うために半導体チップ11および12の表面に形成した
接点パッド15および16を導線】7および18を介し
てホルダ】8の表裏に設けた接点パッド】9および20
にそれぞれ接続し、ざらにこれらの接点パッド19と2
0との間をホルダ18の側面を延在するリード21によ
り接続してし)る。
ざらに固体撮像装置を外部回路に接続するためのリード
22をホルダ】8から延在させている。実際の固体撮像
装置においては、第2図に示す全体をざらにパッケージ
に収納しているが、第2図ではパッケージは図示してい
ない。
22をホルダ】8から延在させている。実際の固体撮像
装置においては、第2図に示す全体をざらにパッケージ
に収納しているが、第2図ではパッケージは図示してい
ない。
第2図に示したバック接合構造では光検出半導体素子を
形成した半導体チップ11と信号処理回路素子を形成し
た半導体チップ12とは別体となっていると共に隔壁1
4を挟んで上下に重ねられているため入射光側から見た
面積は第1図に示した従来の固体撮像装置に比べて小さ
くなっていると共に熱の影響やキャリア電荷の拡散の問
題は解消されているが、そのままでは内視鏡失地に組込
むことは実際上不可能である。すなわち、内視鏡の径は
非常に小さく、固体撮像装置を組込むだけの十分なスペ
ースが得られない。例えば体腔内観察用の内視鏡では上
述したライトガイドの他に標本を採取するための鉗子お
よびこれを操作するためのワイヤが挿通されるようにな
っていると共に1対物レンズ系の先頭レンズを洗浄する
ための送水チューブや、先頭レンズに付着した洗浄水を
吹き飛ばしたり体腔を膨らませたりする送気チューブな
ども挿通されており、固体撮像装置を内蔵するために利
用できるスペースは非常に狭くなっている。したがって
高解像度の固体撮像装置を内視鏡先端のようにきわめて
狭い空間に組込むためには1.。
形成した半導体チップ11と信号処理回路素子を形成し
た半導体チップ12とは別体となっていると共に隔壁1
4を挟んで上下に重ねられているため入射光側から見た
面積は第1図に示した従来の固体撮像装置に比べて小さ
くなっていると共に熱の影響やキャリア電荷の拡散の問
題は解消されているが、そのままでは内視鏡失地に組込
むことは実際上不可能である。すなわち、内視鏡の径は
非常に小さく、固体撮像装置を組込むだけの十分なスペ
ースが得られない。例えば体腔内観察用の内視鏡では上
述したライトガイドの他に標本を採取するための鉗子お
よびこれを操作するためのワイヤが挿通されるようにな
っていると共に1対物レンズ系の先頭レンズを洗浄する
ための送水チューブや、先頭レンズに付着した洗浄水を
吹き飛ばしたり体腔を膨らませたりする送気チューブな
ども挿通されており、固体撮像装置を内蔵するために利
用できるスペースは非常に狭くなっている。したがって
高解像度の固体撮像装置を内視鏡先端のようにきわめて
狭い空間に組込むためには1.。
固体撮像素子自体の構成を改良する必要があるが、光検
出半導体チップと信号処理半導体チップとの結合と配置
、両生導体チップ間の信号ラインの結合、パッケージの
方法、リードの導出方法など種々の困11な問題を解決
しなければならない。
出半導体チップと信号処理半導体チップとの結合と配置
、両生導体チップ間の信号ラインの結合、パッケージの
方法、リードの導出方法など種々の困11な問題を解決
しなければならない。
本発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、小形に
構成することができしかも実装密度を向上して解像度を
上げることができ、きわめて小径の内視鏡先端にも組込
むことができ、特に内視鏡先端に組込むのに好適な固体
撮像装置を提供しようとするものである。
構成することができしかも実装密度を向上して解像度を
上げることができ、きわめて小径の内視鏡先端にも組込
むことができ、特に内視鏡先端に組込むのに好適な固体
撮像装置を提供しようとするものである。
本発明による固体撮像装置は、光検出半導体素子および
信号処理回路素子を入射光の方向から見て前後に形成し
た少なく共1個の半導体チップの側面に、光検出半導体
素子と信号処理回路素子との間の相互接続を行なう導体
を形成したことを特徴とするものである。
信号処理回路素子を入射光の方向から見て前後に形成し
た少なく共1個の半導体チップの側面に、光検出半導体
素子と信号処理回路素子との間の相互接続を行なう導体
を形成したことを特徴とするものである。
実施例
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第8図は本発明の固体撮像装置の一実施例の構成を示す
線図である。本例では単一の半導体チップ8〕の表裏に
光検出半導体領域81aと、信号処理半導体領域81b
とを構成し、光検出半導体領域81aにはCOD、BB
D等の電荷結合半導体素子。
線図である。本例では単一の半導体チップ8〕の表裏に
光検出半導体領域81aと、信号処理半導体領域81b
とを構成し、光検出半導体領域81aにはCOD、BB
D等の電荷結合半導体素子。
MOS )ランジスタアレイ、ピンフォトダイオードア
レイ、フォトトランジスタアレイ、ewi導トランジス
タアレイなどの半導体撮像素子を形成すると共に表面に
は絶縁膜を介してモザイク状色フィルタ膜を形成するが
、これら素子の各領域や、絶縁膜9色フィルタ膜などの
図示は省略する。また、信号処理半導体領域81bには
水平、垂直シフトレジスタ、増幅回路、スイッチなどを
構成する半導体素子や、負荷抵抗、コンデンサなどの受
動素子を形成するが、これらの図示も省略する。本発明
においては、光検出半導体領域81aと信号処理半導体
領域81bとの間で信号の授受を行なうために、これら
領域の表面に形成された領域82および33の間を半導
体チップ81の側面に金属の蒸着により形成した導体8
4により接続する。また、半導体チップ81の裏面には
固体撮像装置と外部回路との間で信号の授受を行なうた
めのり一ド35を固着する。本発明では光検出半導体素
子と信号処理回路素子との間の接続を、半導体チップ(
IIII面に被着した導体によって行なうことにより、
固体撮像装置の入射光側から見た寸法を小ざくすること
かできる。また、半導体チップの裏面全体をリードの接
続に利用することができるので多数のリードを容易に接
続することができる。
レイ、フォトトランジスタアレイ、ewi導トランジス
タアレイなどの半導体撮像素子を形成すると共に表面に
は絶縁膜を介してモザイク状色フィルタ膜を形成するが
、これら素子の各領域や、絶縁膜9色フィルタ膜などの
図示は省略する。また、信号処理半導体領域81bには
水平、垂直シフトレジスタ、増幅回路、スイッチなどを
構成する半導体素子や、負荷抵抗、コンデンサなどの受
動素子を形成するが、これらの図示も省略する。本発明
においては、光検出半導体領域81aと信号処理半導体
領域81bとの間で信号の授受を行なうために、これら
領域の表面に形成された領域82および33の間を半導
体チップ81の側面に金属の蒸着により形成した導体8
4により接続する。また、半導体チップ81の裏面には
固体撮像装置と外部回路との間で信号の授受を行なうた
めのり一ド35を固着する。本発明では光検出半導体素
子と信号処理回路素子との間の接続を、半導体チップ(
IIII面に被着した導体によって行なうことにより、
固体撮像装置の入射光側から見た寸法を小ざくすること
かできる。また、半導体チップの裏面全体をリードの接
続に利用することができるので多数のリードを容易に接
続することができる。
第4図は本発明の固体N像装置の他の同を示す線図的断
面図である。本例では半導体チップ41の領域4Ia内
に光検出半導体素子を形成し、半導体チップ42の領域
42a内に信号処理回路素子を形成する。これら半導体
チップ41および42を適当な厚ざの絶縁部材48を挟
んで入射光の方向に見て前後に重ね合わせる。半導体チ
ップ41の所定の領域44を、半導体チップ41.42
および絶縁部材48の側面に金属の蒸着により形成した
導体45により半導体チップ42に形成した所定の領域
46に接続する。本例では光検出半導体領域を形成した
半導体チップ41と信号処理回路を形成した半導体チッ
プ42とを別個に構成したため、回路の緒特性と半導体
チップ製造プ四セスの合わせ込みが不要となり、熱やキ
ャリア電荷による悪影響も除去できると共にリードを裏
側に設けたため光入射方向から見た横方向寸法を小ざく
することができ、しかも実装密度を向上することができ
る。
面図である。本例では半導体チップ41の領域4Ia内
に光検出半導体素子を形成し、半導体チップ42の領域
42a内に信号処理回路素子を形成する。これら半導体
チップ41および42を適当な厚ざの絶縁部材48を挟
んで入射光の方向に見て前後に重ね合わせる。半導体チ
ップ41の所定の領域44を、半導体チップ41.42
および絶縁部材48の側面に金属の蒸着により形成した
導体45により半導体チップ42に形成した所定の領域
46に接続する。本例では光検出半導体領域を形成した
半導体チップ41と信号処理回路を形成した半導体チッ
プ42とを別個に構成したため、回路の緒特性と半導体
チップ製造プ四セスの合わせ込みが不要となり、熱やキ
ャリア電荷による悪影響も除去できると共にリードを裏
側に設けたため光入射方向から見た横方向寸法を小ざく
することができ、しかも実装密度を向上することができ
る。
ざらに本例では半導体チップ42の裏面にリードを直接
ボンディングせずに、半導体チップ42の裏面に接点領
#247を設け、取付は基板4日に取付けたリード49
の先端を接点領域に当接して電気的に接続する。本例の
ようにリードを取付は基板に取付け、この基板を半導体
チップ裏面に取付けることによりリードの機械的強度が
増大すると共にリードの電気的接続を容易に行なうこと
ができる。
ボンディングせずに、半導体チップ42の裏面に接点領
#247を設け、取付は基板4日に取付けたリード49
の先端を接点領域に当接して電気的に接続する。本例の
ようにリードを取付は基板に取付け、この基板を半導体
チップ裏面に取付けることによりリードの機械的強度が
増大すると共にリードの電気的接続を容易に行なうこと
ができる。
第5図は本発明の固体撮像装置のざらに他の例を示す線
図的斜視図である。本例では光検出半導体素子を形成し
た半導体チップ51と信号処理回路素子を形成した半導
体チップ52とを前例と同様に入射光の方向に見て前後
に重ね合わせて配置する。半導体チップ5】と52との
間の接続はこれら半導体チップの側面に金属蒸着して形
成した導体58により行なう。本例では固体撮像装置と
外部回路との接続を行なうために、後側の半導体チップ
52に孔をあけ、この孔にリード線54の先端を挿入し
てハンダ付けする。第6図は半導体チップ52とリード
線54との接続部分を拡大して示す断面図であり、半導
体チップ表面に所定の領域55中に孔56をあけ、この
孔にリード線54の導体芯54aを挿入し1領域55と
導体芯54aとの間をはんだ57により接続する。この
ような構成とすることによって、リード線54が半導体
チップ52の外方へはみ出すことがないので、入射光方
向から見た寸法を小さくすることができると共に眠気的
な接続も簡単かつ確実に行なうことができるのでトラブ
ルの発生も少なくなる。
図的斜視図である。本例では光検出半導体素子を形成し
た半導体チップ51と信号処理回路素子を形成した半導
体チップ52とを前例と同様に入射光の方向に見て前後
に重ね合わせて配置する。半導体チップ5】と52との
間の接続はこれら半導体チップの側面に金属蒸着して形
成した導体58により行なう。本例では固体撮像装置と
外部回路との接続を行なうために、後側の半導体チップ
52に孔をあけ、この孔にリード線54の先端を挿入し
てハンダ付けする。第6図は半導体チップ52とリード
線54との接続部分を拡大して示す断面図であり、半導
体チップ表面に所定の領域55中に孔56をあけ、この
孔にリード線54の導体芯54aを挿入し1領域55と
導体芯54aとの間をはんだ57により接続する。この
ような構成とすることによって、リード線54が半導体
チップ52の外方へはみ出すことがないので、入射光方
向から見た寸法を小さくすることができると共に眠気的
な接続も簡単かつ確実に行なうことができるのでトラブ
ルの発生も少なくなる。
第7図は上述した本発明の固体撮像装置を先端に内蔵し
た内視鏡の一例の構成を示す断面図である。本例の内視
鏡は直視形の体腔内観察用のものであり、被検体内部に
挿入される可撓性外筒61の先端に、例えばステンレス
スチールよす成る先端本体62を嵌着する。この先端本
体62には数個のチャンネル62a、62b、620・
・・ を形成する。ライトガイドチャンネル62aには
オプチカルファイバ束より成るライトガイド68を挿入
し、先端には凹レンズ64を嵌合する。ライトガイド6
8はカバーチューブ65により被覆し′、外筒61の内
部を延在させ、操作部へ導き照明光源に結合する。対物
観察チャンネル62b内部には先端に対物レンズ系66
を嵌合すると共に内部に固体撮像装置67を嵌合する。
た内視鏡の一例の構成を示す断面図である。本例の内視
鏡は直視形の体腔内観察用のものであり、被検体内部に
挿入される可撓性外筒61の先端に、例えばステンレス
スチールよす成る先端本体62を嵌着する。この先端本
体62には数個のチャンネル62a、62b、620・
・・ を形成する。ライトガイドチャンネル62aには
オプチカルファイバ束より成るライトガイド68を挿入
し、先端には凹レンズ64を嵌合する。ライトガイド6
8はカバーチューブ65により被覆し′、外筒61の内
部を延在させ、操作部へ導き照明光源に結合する。対物
観察チャンネル62b内部には先端に対物レンズ系66
を嵌合すると共に内部に固体撮像装置67を嵌合する。
本例の固体撮像装置67は第4図に示した構成のもので
あり、2つの半導体チップを上下に重ねたものである。
あり、2つの半導体チップを上下に重ねたものである。
後側の半導体チップの裏面に取付けたリード68には導
線束69を接続し、この導線束69は可撓性チューブ7
0を経て外筒内部を延在させて操作部へ導き、信号処理
回路に接続する。送気チャンネル62cには送気チュー
ブ71を連結すると共に先端には送気ノズル72を取付
け、対物レンズ系66の先頭レンズに向け、送気できる
ようにする。送水チャンネルには送水チューブを連結す
ると共に先端には送水ノズルを設け、対物レンズ系66
の先頭レンズに送水して汚物等を−洗い流すことができ
るようにするが、第7図では送水チューブや送水ノズル
は図示していない。また、送気ノズル72は先頭レンズ
に付着した洗浄水を吹き飛ばすと共に必要に応じて被検
体内部に送気してこれを膨ませることができるようにす
る。先端本体62にはざらに鉗子チャンネルを形成し、
ここには被検体標本を採取するための鉗子およびこの鉗
子を外部より操作するためのワイヤを挿通できるように
する。
線束69を接続し、この導線束69は可撓性チューブ7
0を経て外筒内部を延在させて操作部へ導き、信号処理
回路に接続する。送気チャンネル62cには送気チュー
ブ71を連結すると共に先端には送気ノズル72を取付
け、対物レンズ系66の先頭レンズに向け、送気できる
ようにする。送水チャンネルには送水チューブを連結す
ると共に先端には送水ノズルを設け、対物レンズ系66
の先頭レンズに送水して汚物等を−洗い流すことができ
るようにするが、第7図では送水チューブや送水ノズル
は図示していない。また、送気ノズル72は先頭レンズ
に付着した洗浄水を吹き飛ばすと共に必要に応じて被検
体内部に送気してこれを膨ませることができるようにす
る。先端本体62にはざらに鉗子チャンネルを形成し、
ここには被検体標本を採取するための鉗子およびこの鉗
子を外部より操作するためのワイヤを挿通できるように
する。
先端本体62の外周面にはねじ溝を形成し、ここに先端
フード78を螺合する。
フード78を螺合する。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
、幾多の変形例が可能である。例えば第3図に示した実
施例では半導体チップの裏面に直接リードを接続するよ
うにしたが、第4図に示すようにリードを取付は基板に
固着し、この取付は基板を半導体チップ裏面に固着する
こともできる6また、半導体チップの側面に延在する導
体は半導体チップの全側面に形成することもできるが、
少なくとも一つの側面には導体を形成しない方が製造上
有利である。ざらに本発明の固体撮像装置は第7図に示
した直視形内視鏡だけでなく、側視形の内視鏡にも組込
むことができる。更に、上述した内視鏡では、光源から
の光をライトガイドを経て外筒先端から射出させるよう
にしたが、ライトガイドを用いることなく、ランプや発
光ダイオード等の光源を外筒先端部に設けて被検体を照
明するよう構成することもできる。この場合、赤、青。
、幾多の変形例が可能である。例えば第3図に示した実
施例では半導体チップの裏面に直接リードを接続するよ
うにしたが、第4図に示すようにリードを取付は基板に
固着し、この取付は基板を半導体チップ裏面に固着する
こともできる6また、半導体チップの側面に延在する導
体は半導体チップの全側面に形成することもできるが、
少なくとも一つの側面には導体を形成しない方が製造上
有利である。ざらに本発明の固体撮像装置は第7図に示
した直視形内視鏡だけでなく、側視形の内視鏡にも組込
むことができる。更に、上述した内視鏡では、光源から
の光をライトガイドを経て外筒先端から射出させるよう
にしたが、ライトガイドを用いることなく、ランプや発
光ダイオード等の光源を外筒先端部に設けて被検体を照
明するよう構成することもできる。この場合、赤、青。
緑の8色の発光ダイオードを用い、これらを順次に発光
きせるようにすることもでき、この場合には固体撮像装
置の受光面に設けたカラーフィルタは不要となる。ざら
に本発明の固体撮像装置は内1、)視鏡以外の撮像機器
にも組込むことができることは勿論である。
きせるようにすることもでき、この場合には固体撮像装
置の受光面に設けたカラーフィルタは不要となる。ざら
に本発明の固体撮像装置は内1、)視鏡以外の撮像機器
にも組込むことができることは勿論である。
本発明によれば、光検出半導体素子と信号処理回路素子
とを入射光の方向から見て前後に形成し、これら光検出
半導体素子と信号処理回路素子との間を、半導体チップ
の側面に形成した導体によって接続するようにしたため
、入射光の方向から見た横方向の寸法を受光面の寸法と
ほぼ同程度まで小びくすることかで@1例えば小径の内
視鏡先端内部に有効に組込むことができる。また、リー
ドを半導体チップの裏側に取付けることによっても小形
化に大きく貢献することになると共に製造も容易となり
、電気的特性も良好となる効果がある。
とを入射光の方向から見て前後に形成し、これら光検出
半導体素子と信号処理回路素子との間を、半導体チップ
の側面に形成した導体によって接続するようにしたため
、入射光の方向から見た横方向の寸法を受光面の寸法と
ほぼ同程度まで小びくすることかで@1例えば小径の内
視鏡先端内部に有効に組込むことができる。また、リー
ドを半導体チップの裏側に取付けることによっても小形
化に大きく貢献することになると共に製造も容易となり
、電気的特性も良好となる効果がある。
第1図は従来の固体撮像装置の一例の構成を示す断面図
、 第2図は本願人が先に提案したバック接合形固体撮像装
置の構成を示す断面図、 第8図は本発明の固体撮像装置の一例の構成を示す線図
、 第4図は本発明の固体撮像装置の他の例の構成を示す線
図的断面図、 第5図は本発明の固体撮像装置のざらに他の例の構成を
示す斜視図、 第6図は同じくその一部分を拡大して示す断面図、 第7図は本発明の固体撮像装置を先端内部に組込んだ内
視鏡の一例を示す断面図である。 81・・・半導体チップ 82.88・・・領域84・
・・導体 85・・・リード 41.42・・・半導体チップ 43・・・絶縁部材 44.46.47・・・領域45
・・・導体 49・・・リード 51.52・・・半導体チップ 58・・・導体 54・・・リード線 55・・・領域 56・・・孔 57・・・はんだ 特許出願人 オリンパス光学工朶株式会社第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第1頁の続き 0発 明 者 神 原 浩 司 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 大 橋 −司 東京都渋谷区幡ケ谷株式
会社内 0発 明 者 八 嶋 弘 幸 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 小 川 元 嗣 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 藤 森 弘 善 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 山 1) 秀 俊 東京都渋谷区幡ケ谷
株式会社内 0発 明 者 飯 野 勝 東京都渋谷区幡ケ谷株式会
社内 2丁目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業
、 第2図は本願人が先に提案したバック接合形固体撮像装
置の構成を示す断面図、 第8図は本発明の固体撮像装置の一例の構成を示す線図
、 第4図は本発明の固体撮像装置の他の例の構成を示す線
図的断面図、 第5図は本発明の固体撮像装置のざらに他の例の構成を
示す斜視図、 第6図は同じくその一部分を拡大して示す断面図、 第7図は本発明の固体撮像装置を先端内部に組込んだ内
視鏡の一例を示す断面図である。 81・・・半導体チップ 82.88・・・領域84・
・・導体 85・・・リード 41.42・・・半導体チップ 43・・・絶縁部材 44.46.47・・・領域45
・・・導体 49・・・リード 51.52・・・半導体チップ 58・・・導体 54・・・リード線 55・・・領域 56・・・孔 57・・・はんだ 特許出願人 オリンパス光学工朶株式会社第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第1頁の続き 0発 明 者 神 原 浩 司 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 大 橋 −司 東京都渋谷区幡ケ谷株式
会社内 0発 明 者 八 嶋 弘 幸 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 小 川 元 嗣 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 藤 森 弘 善 東京都渋谷区幡ケ谷株
式会社内 0発 明 者 山 1) 秀 俊 東京都渋谷区幡ケ谷
株式会社内 0発 明 者 飯 野 勝 東京都渋谷区幡ケ谷株式会
社内 2丁目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業 2了目4旙2号 オリンパス光学工業
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 光検出半導体素子および信号処理回路素子を入射光
の方向から見て前後に形成した少なく共1個の半導体チ
ップの側面に、光検出半導体素子と信号処理回路素子と
の間の相互接続を行なう導体を形成したことを特徴とす
る固体撮像装置。 2 前記光検出半導体素子および信号処理回路素子をそ
れぞれ別個の半導体チップに形成し、これら半導体チッ
プを入射光の方向に見て絶縁部材を介して前後に重ねて
配置し、前記光検出半導体素子と信号処理回路素子との
相互接続を行なう導体を、前記両生導体チップおよび絶
縁部材の側面に形成しfことを特徴とする特許請求の範
囲1記載の固体撮像装置。 & 固体撮像装置を外部回路へ接続するリードを前記半
導体チップの裏面に設けたことを特徴とする特許請求の
範囲1または2記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182871A JPS6074880A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182871A JPS6074880A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074880A true JPS6074880A (ja) | 1985-04-27 |
| JPH0525228B2 JPH0525228B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=16125885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58182871A Granted JPS6074880A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074880A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260911U (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-15 | ||
| JPS63313970A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-12-22 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| EP1104182A1 (en) * | 1999-11-27 | 2001-05-30 | STMicroelectronics Limited | Improved image sensor devices for Incorporation into endoscopes |
| JP2002329849A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
| WO2006080359A1 (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 撮像装置 |
| JP2008506478A (ja) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | ビデオ内視鏡検査装置 |
| WO2017072862A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | オリンパス株式会社 | 撮像ユニットおよび内視鏡 |
| US9667896B2 (en) | 1997-10-06 | 2017-05-30 | Cellect Llc | Reduced area imaging device incorporated within endoscopic devices |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5268687U (ja) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | ||
| JPS54162765U (ja) * | 1978-05-06 | 1979-11-14 | ||
| JPS58143676A (ja) * | 1982-02-20 | 1983-08-26 | Ricoh Co Ltd | 撮像装置用メモリ |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58182871A patent/JPS6074880A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5268687U (ja) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | ||
| JPS54162765U (ja) * | 1978-05-06 | 1979-11-14 | ||
| JPS58143676A (ja) * | 1982-02-20 | 1983-08-26 | Ricoh Co Ltd | 撮像装置用メモリ |
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| JPS63313970A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-12-22 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US9667896B2 (en) | 1997-10-06 | 2017-05-30 | Cellect Llc | Reduced area imaging device incorporated within endoscopic devices |
| EP1104182A1 (en) * | 1999-11-27 | 2001-05-30 | STMicroelectronics Limited | Improved image sensor devices for Incorporation into endoscopes |
| JP2002329849A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
| JP2008506478A (ja) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | ビデオ内視鏡検査装置 |
| WO2006080359A1 (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 撮像装置 |
| WO2017072862A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | オリンパス株式会社 | 撮像ユニットおよび内視鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525228B2 (ja) | 1993-04-12 |
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