JPS6076182A - 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ - Google Patents
出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザInfo
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- JPS6076182A JPS6076182A JP58183445A JP18344583A JPS6076182A JP S6076182 A JPS6076182 A JP S6076182A JP 58183445 A JP58183445 A JP 58183445A JP 18344583 A JP18344583 A JP 18344583A JP S6076182 A JPS6076182 A JP S6076182A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/0624—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the near- or far field
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木琴φｊは注入電流を制御することにより、放射ビーム
の偏向方向をスイッチすることができるようにした半導
体レーザに関する。
の偏向方向をスイッチすることができるようにした半導
体レーザに関する。
半導体レーザは小製化、乱動率化、′高出力を可能とす
る発光素子として光通信用光源に現在使用され出してい
る。光通信用光源には最初気体レーザが用いら九、その
変調には超音波素子、を気光学素子等の外敵変調素子が
これまで用いられてきた。
る発光素子として光通信用光源に現在使用され出してい
る。光通信用光源には最初気体レーザが用いら九、その
変調には超音波素子、を気光学素子等の外敵変調素子が
これまで用いられてきた。
これに対して半導体レーザでは注入する電流を変調する
ことにより出力光強度を変化させる所謂直接変調が可能
であり、したがってシステム構成の簡素化、信頼性の向
上等が可能となり、実用上極めて有効な手段となり得る
。
ことにより出力光強度を変化させる所謂直接変調が可能
であり、したがってシステム構成の簡素化、信頼性の向
上等が可能となり、実用上極めて有効な手段となり得る
。
一方、以上のような時間域の変調技術に対して空間域に
おける光の変調技術（ビームの偏向、走査等）もまた、
光が画像等の２次元的情報処理技術を得意とするところ
から応用上極めて重要な技術である。
おける光の変調技術（ビームの偏向、走査等）もまた、
光が画像等の２次元的情報処理技術を得意とするところ
から応用上極めて重要な技術である。
このような空間的光変調技術についてＬ従来、ミラーを
回転する方法、超音波偏向素子や電気光学素子を利用す
る方法等が採用さｎている。
回転する方法、超音波偏向素子や電気光学素子を利用す
る方法等が採用さｎている。
しかしながらミラーを回転させる方法では高速化を図る
ことができないこと、また超音波偏向素子や電気光学素
子では大きな偏向角を得ることができない等の欠点の他
、いずれの方法においても外部変調方式のため、システ
ム構成が複雑になり、装置の小型化を図ることができな
い等の欠点がある。光の空間的変調が半導体レーザへの
注入電流を制御することにより直接実現できるようにな
ればシステムの小型化、信頼性の大巾な向上が図れるこ
とになり、光情報処理技術の発展に貢献するところ大で
ある。
ことができないこと、また超音波偏向素子や電気光学素
子では大きな偏向角を得ることができない等の欠点の他
、いずれの方法においても外部変調方式のため、システ
ム構成が複雑になり、装置の小型化を図ることができな
い等の欠点がある。光の空間的変調が半導体レーザへの
注入電流を制御することにより直接実現できるようにな
ればシステムの小型化、信頼性の大巾な向上が図れるこ
とになり、光情報処理技術の発展に貢献するところ大で
ある。
そこで本願発明者等は、特に注入電流を制御することに
より放射ビームの偏向方向をスイッチすることができる
半導体レーザを開発する目的で鋭意研究の結果、本発明
を完成したものである。
より放射ビームの偏向方向をスイッチすることができる
半導体レーザを開発する目的で鋭意研究の結果、本発明
を完成したものである。
ここで電流注入型半導体レーザの動作原理を行い、次に
本発明の原理について説明する。
本発明の原理について説明する。
第１図社利得導波型と呼はれる半導体レーザの構造例を
示すもので、／はｎ Ｇａｋｓ基板、ｎ−Ｇａ／ｋｓ基
板ｌに基板屑折率層でおる３−ＡＩＸＧＧ、−ＸＡ８バ
ッファＪｆＩ−１、ＡＪｙＧｃＬ、−ｙＡｓ活性屑３、
低屈折率層であるｐ−ＡｌｘＧａ、−ｘＡｓバッファ［
４（、ｐ−ＧａＡｓ層よ、５ｉＣｈ絶縁Ｎ６が順に積層
され、更に５ｈｏｔ絶縁層６の一側面にはｐ側電極りが
設けられ、ｎ−Ｇａ人８基板ｌの一側面には注入電流用
電極であるｎ側を極ｔが設けられ、またｎ側電極Ｓには
電流注入部９が設けられる。
示すもので、／はｎ Ｇａｋｓ基板、ｎ−Ｇａ／ｋｓ基
板ｌに基板屑折率層でおる３−ＡＩＸＧＧ、−ＸＡ８バ
ッファＪｆＩ−１、ＡＪｙＧｃＬ、−ｙＡｓ活性屑３、
低屈折率層であるｐ−ＡｌｘＧａ、−ｘＡｓバッファ［
４（、ｐ−ＧａＡｓ層よ、５ｉＣｈ絶縁Ｎ６が順に積層
され、更に５ｈｏｔ絶縁層６の一側面にはｐ側電極りが
設けられ、ｎ−Ｇａ人８基板ｌの一側面には注入電流用
電極であるｎ側を極ｔが設けられ、またｎ側電極Ｓには
電流注入部９が設けられる。
そして、電流注入１ｉｌｙから半導体層へ注入され′ｆ
ｃ′ｖＬ流ｉｉ、 ｋｌ−ｒ Ｇａ、−ｙ Ａｓ ｈ柱
層３の中心部３αにおいて光エネルギーに変換されるが
、この九り上下の低屈折率層ダ、２に扶まれて活性）＠
３に閉じこめられ、桶方向の光分布は注入冗流密度によ
って決定される。
ｃ′ｖＬ流ｉｉ、 ｋｌ−ｒ Ｇａ、−ｙ Ａｓ ｈ柱
層３の中心部３αにおいて光エネルギーに変換されるが
、この九り上下の低屈折率層ダ、２に扶まれて活性）＠
３に閉じこめられ、桶方向の光分布は注入冗流密度によ
って決定される。
第２図祉注入〜流布肛分布が中心部３αに沿って−Ｇか
らａまで一様に分布した場合の横方向基本モード（ａ、
）、１次モード（ｂ）、２次モード（Ｃ）の光強度分布
を示す。また、これら導波モードが半導体レーザ端面か
ら放射された時の遠視野像を第６図に示す。
らａまで一様に分布した場合の横方向基本モード（ａ、
）、１次モード（ｂ）、２次モード（Ｃ）の光強度分布
を示す。また、これら導波モードが半導体レーザ端面か
ら放射された時の遠視野像を第６図に示す。
ここで、＠軸は半導体レーザ端面から見た放射角度、縦
軸は放射光強度である。基本モードの遠視野像（α）は
中心軸上が最大強度となり、中心軸から周辺へ単詞に減
少する光強度分布を持つのに対し、１次モードの遠視野
像（ｂ）は双峰性を示し、２次モードの遠視野像（Ｃ）
ｔｊ：中央のピークが小さく、両端のピークが大きい
双峰性を示す。いす］の場合も遠視野像り中心軸に対し
て対称でおる。
軸は放射光強度である。基本モードの遠視野像（α）は
中心軸上が最大強度となり、中心軸から周辺へ単詞に減
少する光強度分布を持つのに対し、１次モードの遠視野
像（ｂ）は双峰性を示し、２次モードの遠視野像（Ｃ）
ｔｊ：中央のピークが小さく、両端のピークが大きい
双峰性を示す。いす］の場合も遠視野像り中心軸に対し
て対称でおる。
一方、注入電流密度分布が活性部３α内で非一様に分布
すると、各導波モードの放射ビームの角度分布も中心軸
に対して非対称になる。第４図は、注入電流密度が非一
様に分布した場合の各導波モードに対する遠視野像の分
布例を示す。
すると、各導波モードの放射ビームの角度分布も中心軸
に対して非対称になる。第４図は、注入電流密度が非一
様に分布した場合の各導波モードに対する遠視野像の分
布例を示す。
こルによれは、遠視野像の変化の仕方は基本モードと高
次モードの間では本質的相違がある。
次モードの間では本質的相違がある。
即ち、基本モードの放射ビームパターン（α）は注入電
流密度に勾配を持たせることにより、その最大強匪角匿
が左右いずれかに移動する変化を示す。これに対して１
次モードの放射ビームパターン（ｂ）、２次モードの放
射ビームパターン（Ｃ）では双峰性の放射ビーム強度の
ピーク位置は殆んど変化しない代シに、いずれか一方の
ビーク強凌が減少すると、他方のピークが最大強度とな
る変化を示す。
流密度に勾配を持たせることにより、その最大強匪角匿
が左右いずれかに移動する変化を示す。これに対して１
次モードの放射ビームパターン（ｂ）、２次モードの放
射ビームパターン（Ｃ）では双峰性の放射ビーム強度の
ピーク位置は殆んど変化しない代シに、いずれか一方の
ビーク強凌が減少すると、他方のピークが最大強度とな
る変化を示す。
こ１１．＠−の結果から一般に次のようなことが１える
。即ち、半導体レーザの活性層内で横方向の基本モード
が励振さｆ’している場合に注入電流密度分布を一様分
布からある勾配をもつ不均一分布に徐々に変化させると
、放射ビーム角度を中心から連続的に左右に変化させる
ことができ、したがって注入電流分布を変化させること
により放射ビームの空間的掃引（走査）が可能となる。
。即ち、半導体レーザの活性層内で横方向の基本モード
が励振さｆ’している場合に注入電流密度分布を一様分
布からある勾配をもつ不均一分布に徐々に変化させると
、放射ビーム角度を中心から連続的に左右に変化させる
ことができ、したがって注入電流分布を変化させること
により放射ビームの空間的掃引（走査）が可能となる。
これに対して、活性層内に高次モードが励振されている
場合、注入電流密度分布に勾配を持たせると、遠視野像
としての双峰性ピークのいず庇か一方の強度が増太し、
同時に他方のピーク強度が減少する。
場合、注入電流密度分布に勾配を持たせると、遠視野像
としての双峰性ピークのいず庇か一方の強度が増太し、
同時に他方のピーク強度が減少する。
この原理を応用すると、放射ビームの偏向スイッチング
が可能になる。
が可能になる。
一方半導体レーザの活性層内に注入電流の不均一分布を
形成する基本的方法は第５図に示すように、注入電流用
電極ｇを２つの電極ｒａ、ざｂに分け、更に′電極ｇα
、ｔｂの電流注入Ｍｔα、？６を５ｉ０２絶縁層６に埋
設しＩＦ：、構造で、この電極ｇα。
形成する基本的方法は第５図に示すように、注入電流用
電極ｇを２つの電極ｒａ、ざｂに分け、更に′電極ｇα
、ｔｂの電流注入Ｍｔα、？６を５ｉ０２絶縁層６に埋
設しＩＦ：、構造で、この電極ｇα。
ｔｂからの注入電流比を変化させることにより活性層３
内の電流分布を制御するものである。しかし、この構造
てはｐＡｌｚＧａ＋ ＸＡＳ バッファ層り、７）−Ｇ
ＧＡ８層３の横方向組成が一様なため、電流が左右に拡
散してしまい、特に活性層中央部３ａの亜流密度が減少
しないので基本モード′発振を生じ易い。この構造で基
本モード発振を抑制し、高次モード発振のみを行わせる
ためには、電極間隙を司成り拡ける必要があるが、あま
り間隙を拡けるとυ３次モード間に結合発振を生じ、安
定な偏向スイッチが実現されない。
内の電流分布を制御するものである。しかし、この構造
てはｐＡｌｚＧａ＋ ＸＡＳ バッファ層り、７）−Ｇ
ＧＡ８層３の横方向組成が一様なため、電流が左右に拡
散してしまい、特に活性層中央部３ａの亜流密度が減少
しないので基本モード′発振を生じ易い。この構造で基
本モード発振を抑制し、高次モード発振のみを行わせる
ためには、電極間隙を司成り拡ける必要があるが、あま
り間隙を拡けるとυ３次モード間に結合発振を生じ、安
定な偏向スイッチが実現されない。
そこで、本発明では上記原理に基いて出射ビームの安定
な偏向スイッチを実現するために、独立した２つの亀流
注入用絢極を壱する半導体レーザにおいて上記両電極間
を電気的に絶縁するものである。
な偏向スイッチを実現するために、独立した２つの亀流
注入用絢極を壱する半導体レーザにおいて上記両電極間
を電気的に絶縁するものである。
そして、以上の構成により活性層中央部の雷、流密度を
減、少さぜ、基本モードの発振を抑え、高次モードのみ
を励起させることができる。この状態において上記２つ
の電極へ注入する電流比を変化させることによシ出射ビ
ームの安定な偏向スイッチを実現することができるので
ある。
減、少さぜ、基本モードの発振を抑え、高次モードのみ
を励起させることができる。この状態において上記２つ
の電極へ注入する電流比を変化させることによシ出射ビ
ームの安定な偏向スイッチを実現することができるので
ある。
本発明において独立した２つの電流注入用電極間を電気
的に絶縁する方法としては種々の方法が考えられるが、
以下にこれを例示する。
的に絶縁する方法としては種々の方法が考えられるが、
以下にこれを例示する。
第６〜第９図は、この実施例を示すもので、第１図、第
５図と共通する部分については符号を共通して説明を省
略する。
５図と共通する部分については符号を共通して説明を省
略する。
第６図の構造は、電流注入部？α、９ｂの直下に位置す
る半導体Ｍｅ、ｚ部分に異種材料（例えば、亜鉛）を拡
散またはイオン注入することにより低抵抗層１０ａ、１
０６を形成するものである。
る半導体Ｍｅ、ｚ部分に異種材料（例えば、亜鉛）を拡
散またはイオン注入することにより低抵抗層１０ａ、１
０６を形成するものである。
以上の構造においては電流注入部９α、９ｂより注入さ
れｆｃ電流は低抵抗層７０α、／θｂに集中し易くなり
、電極ざα、ｔｂ間の絶縁度が改善される。
れｆｃ電流は低抵抗層７０α、／θｂに集中し易くなり
、電極ざα、ｔｂ間の絶縁度が改善される。
その結果活性層の電流分布もまた、双峰性を有するよう
になり、基本モードの発振が抑制され、高次モード発振
が生じ易くなる。
になり、基本モードの発振が抑制され、高次モード発振
が生じ易くなる。
この方法によると、電極間隙を余り拡げる必要がないの
で高次モード間の競合発振も起りにく＼なり、安定した
偏向ビームスイツチングが実現できる。
で高次モード間の競合発振も起りにく＼なり、安定した
偏向ビームスイツチングが実現できる。
第７図（α）はＴｌｌ、極Ｓα２ｇｂ間の絶縁度を向上
させるために、電極Ｓα、ｇｂ間に半導体層ダ、３部分
を穿つ溝ｌ／を形成するもので、この構造によっても活
性層中心部３ａへの電流注入が妨げられ、高次モードの
みの発振が可能となる。
させるために、電極Ｓα、ｇｂ間に半導体層ダ、３部分
を穿つ溝ｌ／を形成するもので、この構造によっても活
性層中心部３ａへの電流注入が妨げられ、高次モードの
みの発振が可能となる。
第７図（ｂ）は、第７図（α）の溝／／に替えて電極ｇ
ａ。
ａ。
５６間の半導体Ｊ＠ＩＩ、ｋにプロトン照射等を行い、
ここに高抵抗＃１２を形成し、高次モードのみの発振を
可能とする半導体レーザの素子構造の例である。
ここに高抵抗＃１２を形成し、高次モードのみの発振を
可能とする半導体レーザの素子構造の例である。
第８囚（ａ）は、第７回←）の素子構造において発光領
域外側の半導体層ダ、！ｒをエツチング等により取除い
友ものであり、これにより注入電流が電流注入部９ａ、
ｔｂ下に効率良く集中し、高次モード発振をよシ効率良
く行うことので、きる半導体レーザの素子構造とするこ
とができる。
域外側の半導体層ダ、！ｒをエツチング等により取除い
友ものであり、これにより注入電流が電流注入部９ａ、
ｔｂ下に効率良く集中し、高次モード発振をよシ効率良
く行うことので、きる半導体レーザの素子構造とするこ
とができる。
第８図（６）は、第７図（６）の素子構造において発光
領域外側の半導体層弘、３をエツチング等により取除い
たものであり、第８図（勾と同様に高次モード発振を効
率良く行うことのできる素子構造の例である。
領域外側の半導体層弘、３をエツチング等により取除い
たものであり、第８図（勾と同様に高次モード発振を効
率良く行うことのできる素子構造の例である。
第９図は、ｆＬ−ＧｃｔＡａ基板ｌを用いた以上の実施
例に対してｐ −ＧａＡａ基板ノコを用いた偏向スイッ
チ機能を有する半導体レーザの構成例であシ、この構成
ではｐ−ＧａＡｓ基板１２と” ＡｌｚＧａ、−ｚＡｓ
バッファ層−との間にｎ−Ｇ（！ＡＪＩＭからなる逆バ
イアス層１３を設け、電極ｇａ、１７）下にあるｎ−Ｑ
αＡ８層／Ｊ、ｐ−ＧａＡ３基板／Ｊにはエツチング等
にょシ■溝ｌダα、ｌダｂを形成する。仁の素子構造に
おいて電極Ｓα、ｆｆ６より電流を注入すると、”−Ｇ
ａｋｓＮ７３、Ｔ）−ＧａＡｓ基板１２のＰ−Ｎ接合部
分には逆バイアスが加わることになり、この領域を電流
は通過することができず、電流はＶ＠ｌダα、 ／４（
ｂから基板／コ側に抜けることになるつしたがって注入
電流はＶ溝／４！α、 ／’ＩｂにＭ接した活性部分Ｊ
ｂ。
例に対してｐ −ＧａＡａ基板ノコを用いた偏向スイッ
チ機能を有する半導体レーザの構成例であシ、この構成
ではｐ−ＧａＡｓ基板１２と” ＡｌｚＧａ、−ｚＡｓ
バッファ層−との間にｎ−Ｇ（！ＡＪＩＭからなる逆バ
イアス層１３を設け、電極ｇａ、１７）下にあるｎ−Ｑ
αＡ８層／Ｊ、ｐ−ＧａＡ３基板／Ｊにはエツチング等
にょシ■溝ｌダα、ｌダｂを形成する。仁の素子構造に
おいて電極Ｓα、ｆｆ６より電流を注入すると、”−Ｇ
ａｋｓＮ７３、Ｔ）−ＧａＡｓ基板１２のＰ−Ｎ接合部
分には逆バイアスが加わることになり、この領域を電流
は通過することができず、電流はＶ＠ｌダα、 ／４（
ｂから基板／コ側に抜けることになるつしたがって注入
電流はＶ溝／４！α、 ／’ＩｂにＭ接した活性部分Ｊ
ｂ。
３Ｃのみを通過することになシ、基本モード発振が抑制
され、高次モード発振が可能な半導体レーザが形成さｎ
る。
され、高次モード発振が可能な半導体レーザが形成さｎ
る。
次に、以上のように形成される偏向スイッチ機能を有す
る半導体レーザの応用例について述べると、第１θ図は
光ファイバーｉｓ、ｔｔ、への光信号入力を半導体レー
ザ上の電極ｔα、ざｂへの注入電流を変化させる仁とに
よりスイッチする様子を示すものである。
る半導体レーザの応用例について述べると、第１θ図は
光ファイバーｉｓ、ｔｔ、への光信号入力を半導体レー
ザ上の電極ｔα、ざｂへの注入電流を変化させる仁とに
よりスイッチする様子を示すものである。
本孔ＱＩｍに係る偏向スイッチ機能を有する半導体レー
ザの場合、放射ビームの角度が一定しておシ、シたがっ
て光ファイバー／ｊ、 ／Ａを所定の位置に設置すれば
、半導体レーザがらの出射光は光ファイバー／ｊ、 ／
＆のいずｎが一方には必ず入凱外部への漏れ光を生ずる
ことがない。
ザの場合、放射ビームの角度が一定しておシ、シたがっ
て光ファイバー／ｊ、 ／Ａを所定の位置に設置すれば
、半導体レーザがらの出射光は光ファイバー／ｊ、 ／
＆のいずｎが一方には必ず入凱外部への漏れ光を生ずる
ことがない。
これに対して基本モードが励起されるビームｉ引レーザ
ては注入ＩＩ流を便化させると、ビー”；１）ｉ一方の
光ファイバーから他方の光ファイバーへ移動する際、光
がファイバー外に漏れてしまう。
ては注入ＩＩ流を便化させると、ビー”；１）ｉ一方の
光ファイバーから他方の光ファイバーへ移動する際、光
がファイバー外に漏れてしまう。
また以上の偏向スイッチではファイバー断面上を光ビー
ムが横切るｆｃめ、パルス的な信号切換えを行う際のパ
ルス信号波形の立上り、立下がり部分に横断時間分のな
まシを生ずる。これに対して本発明の偏向スイッチ機能
を有する半導体レーザではビーム位置が変化しないため
、注入電流パルス波形そのま＼が光パルスとなって光フ
アイバー中を伝送される。このことは将来の超高速光ス
ィッチを実現する上で最も１＆要な特長となる。
ムが横切るｆｃめ、パルス的な信号切換えを行う際のパ
ルス信号波形の立上り、立下がり部分に横断時間分のな
まシを生ずる。これに対して本発明の偏向スイッチ機能
を有する半導体レーザではビーム位置が変化しないため
、注入電流パルス波形そのま＼が光パルスとなって光フ
アイバー中を伝送される。このことは将来の超高速光ス
ィッチを実現する上で最も１＆要な特長となる。
ま九従来の電気光学結晶を用いた光偏向器の偏向角度が
１〜２℃しかないのに対して、本発明の偏向スイッチ機
能を有する半導体レーザでは、ビーム偏向角度を１次モ
ードで１０°的後、２次そ一ドでは１４〜１５°前後と
ｔＬ、その実用上の価値は頗る大きい。
１〜２℃しかないのに対して、本発明の偏向スイッチ機
能を有する半導体レーザでは、ビーム偏向角度を１次モ
ードで１０°的後、２次そ一ドでは１４〜１５°前後と
ｔＬ、その実用上の価値は頗る大きい。
第１図は、単−ｆｔ極を有する利得導波型半導体レーザ
の原理構成図、第２図（ｄ） 、 （６） 、 （６）
は同上の利得導波型半導体レーザの各発振モードや横方
向光強度分布図、第５図←） 、 （６） 、 （ｃ）
ｔｉ、同上の各導波モードがレーザ端面から出射したと
きの遠視野像図の例、第４図（５） 、 （６） 、
（６）は活性層内の注入電流密度分布が、不均一な場合
の各導波モードに対する出射ビームの遠視野像図の例、
第５図は活性層中に不均一な注入電流分布を生じさせる
ための独立しｆｃ２つの電流注入用電極を有する半導体
レーザの原理Ｍ４構成、第６図は同上の両ＴｊｊＬ極間
を電気的に絶縁した本発明の半導体レーザの一実施例を
示す原理構成図、第７図（ａ） 、 （６）は両電極間
を他の方法で絶縁した本発明の半導体レーザの他の実施
例で、第７図（勾は両電極間に溝を設けて絶縁した例、
ｗＪ１図（６）は高抵抗層を形成することにより絶縁し
た例、第８図（Ｇ） 、 （６）は同上の９７図（Ｑ）
、 （６）の改良例で、それぞ肛の半導体層弘、Ｓの
発光領域外側をエツチングすることによシ高次モード発
振を効率良く行わせるようにした半導体レーザの構成図
、第８図は両電極間を電気的に絶縁するための他の実施
例を示す構成図、第９図は、本発明の半導体レーザの適
用例を示すが１視図である。 図中、ｇａ、ｇｂは２つの独立した電流注入用電極、３
αは活性ｌ１ＩＩ３の中央部。 第３図 第４図 一コ ０ 第８図 匹７ 手続補正書（方式） ■事件の表示 昭和５８年特許願第１８３．４４５号 ２発明の名称 出射ビームの偏向スイッチ機能を有する半導体レーザ３
補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区霞か関１丁目３番１号 １１４ 」ニ 業 技 術 院 長 川 １） 裕 部
４指定代理人 ５ 補正命令の日付 昭和５９年１月３１日（発送日−
゛）６補正の対象 明細書中、図面の簡単な説明の欄 ７ 補正の内容 （１） 明細書中、第１４頁１４行の「第８図は」を１
第９図は」と訂正する。 （２） 同、第１４頁１５行の「第９図祉、」を「第１
０図は、」と訂正する。
の原理構成図、第２図（ｄ） 、 （６） 、 （６）
は同上の利得導波型半導体レーザの各発振モードや横方
向光強度分布図、第５図←） 、 （６） 、 （ｃ）
ｔｉ、同上の各導波モードがレーザ端面から出射したと
きの遠視野像図の例、第４図（５） 、 （６） 、
（６）は活性層内の注入電流密度分布が、不均一な場合
の各導波モードに対する出射ビームの遠視野像図の例、
第５図は活性層中に不均一な注入電流分布を生じさせる
ための独立しｆｃ２つの電流注入用電極を有する半導体
レーザの原理Ｍ４構成、第６図は同上の両ＴｊｊＬ極間
を電気的に絶縁した本発明の半導体レーザの一実施例を
示す原理構成図、第７図（ａ） 、 （６）は両電極間
を他の方法で絶縁した本発明の半導体レーザの他の実施
例で、第７図（勾は両電極間に溝を設けて絶縁した例、
ｗＪ１図（６）は高抵抗層を形成することにより絶縁し
た例、第８図（Ｇ） 、 （６）は同上の９７図（Ｑ）
、 （６）の改良例で、それぞ肛の半導体層弘、Ｓの
発光領域外側をエツチングすることによシ高次モード発
振を効率良く行わせるようにした半導体レーザの構成図
、第８図は両電極間を電気的に絶縁するための他の実施
例を示す構成図、第９図は、本発明の半導体レーザの適
用例を示すが１視図である。 図中、ｇａ、ｇｂは２つの独立した電流注入用電極、３
αは活性ｌ１ＩＩ３の中央部。 第３図 第４図 一コ ０ 第８図 匹７ 手続補正書（方式） ■事件の表示 昭和５８年特許願第１８３．４４５号 ２発明の名称 出射ビームの偏向スイッチ機能を有する半導体レーザ３
補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区霞か関１丁目３番１号 １１４ 」ニ 業 技 術 院 長 川 １） 裕 部
４指定代理人 ５ 補正命令の日付 昭和５９年１月３１日（発送日−
゛）６補正の対象 明細書中、図面の簡単な説明の欄 ７ 補正の内容 （１） 明細書中、第１４頁１４行の「第８図は」を１
第９図は」と訂正する。 （２） 同、第１４頁１５行の「第９図祉、」を「第１
０図は、」と訂正する。
Claims (5)
- （１） 独立しｆｃ２つの電、流注入用布極を有し、高
次モードの発振状態において上記２つの一７極へ注入す
る電流比を変化させることにより出射ビームの偏向スイ
ッチを行う半導体レーザにおいて、 上記両電極間を電気的に絶鞘・することによシ、活性層
中央部の電流密度を減少させ、基本モードの発振を抑え
、高次モードのみを励起させるようにしたことを％−徴
とする出射ビームの偏向スイッチ機能を有する半導体レ
ーザ。 - （２） 両１！榛間に溝あるいはイオン打込みにより高
抵抗層を形成して両電極間を電気的に絶縁した特許請求
の範囲第１項記載の半導体レーザ。 - （３） 半導体層の発光領域外側をエツチングした′％
詐請求の範囲第２項記載の半導体レーザ。 - （４） 両電極の下に低抵抗層を形成して両電極間を電
気的に絶縁しｆＣ＠許紬求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ。 - （５）基板と半導体層の間に逆バイアス層を設け、且つ
両電極下に当る逆バイアス層及び基板にはＶ溝を形成し
て両電極１＃３Ｊを電気的に絶縁した特許請求の範曲詑
１項記載の半導体レーザ６
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183445A JPS6076182A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183445A JPS6076182A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076182A true JPS6076182A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0122753B2 JPH0122753B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=16135891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183445A Granted JPS6076182A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 出射ビ−ムの偏向スイツチ機能を有する半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076182A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281383A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体レ−ザ |
| JPS63177490A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2007273549A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Anritsu Corp | 半導体光素子及び光スイッチングシステム並びに波長可変レーザ |
| KR20150096315A (ko) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 오므론 가부시키가이샤 | 정전용량형 압력 센서 및 입력 장치 |
-
1983
- 1983-10-01 JP JP58183445A patent/JPS6076182A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281383A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体レ−ザ |
| JPS63177490A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2007273549A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Anritsu Corp | 半導体光素子及び光スイッチングシステム並びに波長可変レーザ |
| KR20150096315A (ko) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 오므론 가부시키가이샤 | 정전용량형 압력 센서 및 입력 장치 |
| JP2015152457A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサ及び入力装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122753B2 (ja) | 1989-04-27 |
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