JPS6076274A - アルミニウムを用いるろう付け方法 - Google Patents
アルミニウムを用いるろう付け方法Info
- Publication number
- JPS6076274A JPS6076274A JP58183479A JP18347983A JPS6076274A JP S6076274 A JPS6076274 A JP S6076274A JP 58183479 A JP58183479 A JP 58183479A JP 18347983 A JP18347983 A JP 18347983A JP S6076274 A JPS6076274 A JP S6076274A
- Authority
- JP
- Japan
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- brazing
- layer
- quartz powder
- vessel
- obtd
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は例えば半導体素子の製造の際にシリコンチップ
と金属電極の結合のためて行われるアルミニウムを用い
るろう付は方法に関する。
と金属電極の結合のためて行われるアルミニウムを用い
るろう付は方法に関する。
シリコンチップをリード線あるいは基板などの金属電極
と結合し、しかもオーム接触を得るためにろう付として
アルミニウムを用い、高温ろう付けを行うことはよく知
られており、封止工程で高温に加熱されるガラス封止タ
イプの一般ダイオード、高速ダイオード、高圧ダイオー
ド等に応用されている。しかしろう材であるＡｔは、太
゛気中における放置あるいは熱処理により酸化膜が表面
に形成され、ろう付は性を低下させるため、ろう付は前
Ｋ ＨＦ 、 ＫＯＨ、ＮａＯＨ等の薬品を用いてエツ
チングする化学処理が行われる。しかし、この化学処理
は、Ａｔ表面の酸化度によりエツチング速度に差が出る
ため、一定の状態の表面を得ることが難しく、ろう付は
歩留りが安定しない欠点を有していた。
と結合し、しかもオーム接触を得るためにろう付として
アルミニウムを用い、高温ろう付けを行うことはよく知
られており、封止工程で高温に加熱されるガラス封止タ
イプの一般ダイオード、高速ダイオード、高圧ダイオー
ド等に応用されている。しかしろう材であるＡｔは、太
゛気中における放置あるいは熱処理により酸化膜が表面
に形成され、ろう付は性を低下させるため、ろう付は前
Ｋ ＨＦ 、 ＫＯＨ、ＮａＯＨ等の薬品を用いてエツ
チングする化学処理が行われる。しかし、この化学処理
は、Ａｔ表面の酸化度によりエツチング速度に差が出る
ため、一定の状態の表面を得ることが難しく、ろう付は
歩留りが安定しない欠点を有していた。
本発明は表面の酸化したｋｔをろう利として用いる場合
、その酸化膜を除去して活性化した表面を生成し、信頼
性の高いろう付けを行うことができる方法を提供するこ
とを目的とする。
、その酸化膜を除去して活性化した表面を生成し、信頼
性の高いろう付けを行うことができる方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明によればろう材として用いるＡｔ材の表面をろう
付は工程の前に石英粉を入れた水中で超音波洗浄し、次
いでさらに化学処理することにより均一な活性化したろ
う付表面が得られる。
付は工程の前に石英粉を入れた水中で超音波洗浄し、次
いでさらに化学処理することにより均一な活性化したろ
う付表面が得られる。
第１図は本発明によるろう付は方法が実施される半導体
素子の一例としての高圧シリコンダイオードを示し、高
圧ダイオードチップ１はそれぞれＰＮ接合が形成された
シリコン板を積層したのち両面にＡｔを蒸溜し、その後
板面に垂直に賽の目状にｇＪｌ’Ｍして作成される。従
って両面にＡ１層２を有する。このＡ１１７を融解させ
て両側のリード線３の先端にあるモリブデン、タングス
テンなどの電極４とろう付けすることが行われる。第２
図は本発明の一実施例の超音波洗浄装置を示し、下方に
例えば３００〜５００Ｗの超音波発振器５を備えた水槽
６の中に例えば５００＋Ｊの純水７を入れた１と両端に
Ａ７蒸着層２を有する高圧ダイオードチノグ１の３００
０〜５０００個を収容してｚくと、超音波発振器５より
のエネルギーを受けた石英粉９がｋｔ層２の表面にぶつ
かり、Ａｊａ表面に形成されている酸化膜を除去するた
め、活性化したＡｔ表面を得ることができる。超音波洗
浄時間は１０〜１５分程度が好１しく、それ以上長く行
っても効果が上がることはない。このあと、リード線３
と組み合わせる直前に従来性われていたと同様な化学処
理。
素子の一例としての高圧シリコンダイオードを示し、高
圧ダイオードチップ１はそれぞれＰＮ接合が形成された
シリコン板を積層したのち両面にＡｔを蒸溜し、その後
板面に垂直に賽の目状にｇＪｌ’Ｍして作成される。従
って両面にＡ１層２を有する。このＡ１１７を融解させ
て両側のリード線３の先端にあるモリブデン、タングス
テンなどの電極４とろう付けすることが行われる。第２
図は本発明の一実施例の超音波洗浄装置を示し、下方に
例えば３００〜５００Ｗの超音波発振器５を備えた水槽
６の中に例えば５００＋Ｊの純水７を入れた１と両端に
Ａ７蒸着層２を有する高圧ダイオードチノグ１の３００
０〜５０００個を収容してｚくと、超音波発振器５より
のエネルギーを受けた石英粉９がｋｔ層２の表面にぶつ
かり、Ａｊａ表面に形成されている酸化膜を除去するた
め、活性化したＡｔ表面を得ることができる。超音波洗
浄時間は１０〜１５分程度が好１しく、それ以上長く行
っても効果が上がることはない。このあと、リード線３
と組み合わせる直前に従来性われていたと同様な化学処
理。
すなわちＨＦ 、 ＫＯＨ、ＮａＯＨなどＫよるエツチ
ングを行えば、エツチングは常に同様に行われるため、
均一な状態の新鮮なＡｔ表面が得られ、続いての加熱に
より融解し、金属電極４の表面に一様に儒れて安定した
ろう付けを行うことができる。
ングを行えば、エツチングは常に同様に行われるため、
均一な状態の新鮮なＡｔ表面が得られ、続いての加熱に
より融解し、金属電極４の表面に一様に儒れて安定した
ろう付けを行うことができる。
第３図および第４図は本発明を実施した場合の目視検査
によるろう付は不良率および熱抵抗不良率の低下をそれ
ぞれ２００個のろう付けにおける結果で示している。
によるろう付は不良率および熱抵抗不良率の低下をそれ
ぞれ２００個のろう付けにおける結果で示している。
不発明は上記のようなＡｔろう層を予めろう付される物
体の上に設けた場合に限らず、Ａｔ箔あるいｉｆ Ａｔ
板をろう付される物体の間にはさんでろう付けする場合
のＡｔろう材の表面活性化にも通用できる。
体の上に設けた場合に限らず、Ａｔ箔あるいｉｆ Ａｔ
板をろう付される物体の間にはさんでろう付けする場合
のＡｔろう材の表面活性化にも通用できる。
本発明はろう材として用いられるＡ／Ｌの表面の酸化膜
を予め石英粉を入れた水中で超音波洗浄して除去し、さ
らに化学処理して新鮮な活性化Ａｔ面を生成することに
より、常に均一な表面状態でろう付けを行うことができ
るのでろう付けの信頼性が向上し、ろう付は歩留りの向
上による製造原価の低減が達成でき、しかも大量処理が
可能で特にシリコンチップと金属電極の高温ろう付けに
おいて得られる効果が大きい。またこれにより１例えば
シリコンチップをＭ蒸着後長時間放置しても生成する酸
化膜を何時でも除去できるため、生産管理上においても
有利な結果を生ずることができる。
を予め石英粉を入れた水中で超音波洗浄して除去し、さ
らに化学処理して新鮮な活性化Ａｔ面を生成することに
より、常に均一な表面状態でろう付けを行うことができ
るのでろう付けの信頼性が向上し、ろう付は歩留りの向
上による製造原価の低減が達成でき、しかも大量処理が
可能で特にシリコンチップと金属電極の高温ろう付けに
おいて得られる効果が大きい。またこれにより１例えば
シリコンチップをＭ蒸着後長時間放置しても生成する酸
化膜を何時でも除去できるため、生産管理上においても
有利な結果を生ずることができる。
第１図は本発明の一実施例の対象の高圧シリコンダイオ
ードを示す正面図、第２図は本発明の一実施例における
超音波洗浄装置の断面図、第３図は本発明の実施による
ろう付は不良率の低下を示す線図、第４図は同じく熱抵
抗不良率の低下を示す線図である。 １・・・高圧ダイオードチップ、２・・・ｋｔ蒸着層、
才１（２） ？３閃 す２閃 才４０
ードを示す正面図、第２図は本発明の一実施例における
超音波洗浄装置の断面図、第３図は本発明の実施による
ろう付は不良率の低下を示す線図、第４図は同じく熱抵
抗不良率の低下を示す線図である。 １・・・高圧ダイオードチップ、２・・・ｋｔ蒸着層、
才１（２） ？３閃 す２閃 才４０
Claims (1)
- １）ろう材としてのアルミニウム材の表面をろう付は工
程の前に石英粉を入れた水中で超音波洗浄し１次いでさ
らに化学処理することを特徴とするアルミニウムを用い
るろう付は方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183479A JPS6076274A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アルミニウムを用いるろう付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183479A JPS6076274A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アルミニウムを用いるろう付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076274A true JPS6076274A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16136522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183479A Pending JPS6076274A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アルミニウムを用いるろう付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076274A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226889A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 膜状ダイヤモンドの気相合成法 |
| JPH04305364A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Nippondenso Co Ltd | 真空ろう付け前処理方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183479A patent/JPS6076274A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226889A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 膜状ダイヤモンドの気相合成法 |
| JPH04305364A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Nippondenso Co Ltd | 真空ろう付け前処理方法 |
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