JPS6076809A - 自己保持型磁気スイツチ - Google Patents
自己保持型磁気スイツチInfo
- Publication number
- JPS6076809A JPS6076809A JP18530783A JP18530783A JPS6076809A JP S6076809 A JPS6076809 A JP S6076809A JP 18530783 A JP18530783 A JP 18530783A JP 18530783 A JP18530783 A JP 18530783A JP S6076809 A JPS6076809 A JP S6076809A
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- JP
- Japan
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- output
- voltage
- self
- magnetic switch
- comparator
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
- H03K17/9517—Proximity switches using a magnetic detector using galvanomagnetic devices
Landscapes
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気に感応して第１と第２の２つの状態を自
己保持する磁気スイッチに関するものである。
己保持する磁気スイッチに関するものである。
本出願人は、先に、この種の自己保持型スイッチとして
、特願昭５７−２２４７７号においてバイアス磁石Ｂ石
を具山する磁気回路を利用した磁気スイッチを提案した
が、このようなバイアス磁石を使用した場合には、その
動作湿度特性が礎石本体の温度特性に影響を受け、とれ
によシ性能が左右されてしまうので、この点ではまだ改
善の余地があった。
、特願昭５７−２２４７７号においてバイアス磁石Ｂ石
を具山する磁気回路を利用した磁気スイッチを提案した
が、このようなバイアス磁石を使用した場合には、その
動作湿度特性が礎石本体の温度特性に影響を受け、とれ
によシ性能が左右されてしまうので、この点ではまだ改
善の余地があった。
この発明はこの点に着眼してなされたもので、先の出願
のように磁気的にではなく、電子部品の特性を利用して
自己保持が可能となるようにした磁気スイッチを提供す
ることを目的とするものである。
のように磁気的にではなく、電子部品の特性を利用して
自己保持が可能となるようにした磁気スイッチを提供す
ることを目的とするものである。
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はこの発明の一実施例の自己保持型磁気スイッチ
の構成を示すもので、１は磁気感応素子としてのホール
素子で、このホール素子１には例えばｉｏＶの直流電源
Ｅ１が直列に接続されている。
の構成を示すもので、１は磁気感応素子としてのホール
素子で、このホール素子１には例えばｉｏＶの直流電源
Ｅ１が直列に接続されている。
このホール素子ｉＫ第２図に示すように各磁極が近づい
た場合において、同図囚の如くＮ極が近づいた時のホー
ル素子ｌを通過する磁束密度を正方向磁束密度十Ｂ Ｃ
Ｇ）とし、同図ＣＢ＋に示す如くＳ極が近づいた場合九
は負方向磁束密度−Ｂ（Ｇ〕とすると、第１図のＡ点を
基糸にしたＢ点の電圧ｖＨ［Ｖｌ、すなわちホール起電
力は第３図に示すように変化するが、Ａ点には工０■の
上記直流電圧源Ｅ１が接続されているため、Ｂ点どグラ
ンド間の電圧■２と、ホール素子ｌを通過する磁束密度
Ｂ［：Ｇ’１との関係は第４図に示されるようになる。
た場合において、同図囚の如くＮ極が近づいた時のホー
ル素子ｌを通過する磁束密度を正方向磁束密度十Ｂ Ｃ
Ｇ）とし、同図ＣＢ＋に示す如くＳ極が近づいた場合九
は負方向磁束密度−Ｂ（Ｇ〕とすると、第１図のＡ点を
基糸にしたＢ点の電圧ｖＨ［Ｖｌ、すなわちホール起電
力は第３図に示すように変化するが、Ａ点には工０■の
上記直流電圧源Ｅ１が接続されているため、Ｂ点どグラ
ンド間の電圧■２と、ホール素子ｌを通過する磁束密度
Ｂ［：Ｇ’１との関係は第４図に示されるようになる。
従って、ホール素子ｌからはそれにＮ極、Ｓ極が近づい
た場合、磁束の向き及び磁束密度Ｂ Ｃ（１）に対応し
た第４図に示すような出力が取り出される。
た場合、磁束の向き及び磁束密度Ｂ Ｃ（１）に対応し
た第４図に示すような出力が取り出される。
上記出力は抵抗Ｒ１を介して比較器を構成するオペレー
ションアンプ２の一方の入力として供給される。このオ
ペレーションアンプ２の他方の入力端は抵抗Ｒ２を経て
■３−１Ｏｖの直流電圧源Ｅ２に接続されると共に、出
力端子３との間には抵抗Ｒ３が接続されている。
ションアンプ２の一方の入力として供給される。このオ
ペレーションアンプ２の他方の入力端は抵抗Ｒ２を経て
■３−１Ｏｖの直流電圧源Ｅ２に接続されると共に、出
力端子３との間には抵抗Ｒ３が接続されている。
このような構成の比較器において、ホール素子ｌから取
り出された出力が上記直流電圧源Ｅ２の電圧ｌＯ■を基
準値として比較され、その出力端子３の出力ＶＯをＯＮ
、 ＯＦＩ”させることになるが、ここで上記構成の
比較器には、直流電圧源Ｅ２、抵抗Ｒ２＊ Ｒｓの値を
調整することにより、第５図のようにヒステリシス特性
を持たせるととができる。
り出された出力が上記直流電圧源Ｅ２の電圧ｌＯ■を基
準値として比較され、その出力端子３の出力ＶＯをＯＮ
、 ＯＦＩ”させることになるが、ここで上記構成の
比較器には、直流電圧源Ｅ２、抵抗Ｒ２＊ Ｒｓの値を
調整することにより、第５図のようにヒステリシス特性
を持たせるととができる。
これは、入力信号の微少変動等が多い場合の回路の誤動
作防止のため、不感帯を設ける必要がある時などに利用
ばれるもので、その場合の不感帯幅、すなわちヒステリ
シス幅ＶＴＲの設定は、次式によりめられる。
作防止のため、不感帯を設ける必要がある時などに利用
ばれるもので、その場合の不感帯幅、すなわちヒステリ
シス幅ＶＴＲの設定は、次式によりめられる。
Ｒ４
そこで、このようなヒステリシス特性を活用して、磁気
スイッチの自己保持を可能にすることができる。すなわ
ち、例えば出力端子３の出力ｖｏがＯＮの時にＶｏ ”
＝ ＯＶ ＯＦＦの時にＶｏ ＝２４ Ｖと仮定し、更
に上述のようにして設定したヒステリシスの幅の値をＩ
ＯＶ、出力ＶＯがＯＮ （Ｖｏ−ＯＶ ）時におけるオ
ペレーションアンプ２の他方の入力端の電圧Ｖ４を５Ｖ
、出力ＶＯがＯＦＦ （Ｖｏ ”＝ ２４ Ｖ ） 時
の電圧Ｖ４を１５Ｖ と仮定すると、前記したＢ点の電
圧Ｖ２と出力端子３の出力Ｖｏとの関係は第６図に示す
ようになる。
スイッチの自己保持を可能にすることができる。すなわ
ち、例えば出力端子３の出力ｖｏがＯＮの時にＶｏ ”
＝ ＯＶ ＯＦＦの時にＶｏ ＝２４ Ｖと仮定し、更
に上述のようにして設定したヒステリシスの幅の値をＩ
ＯＶ、出力ＶＯがＯＮ （Ｖｏ−ＯＶ ）時におけるオ
ペレーションアンプ２の他方の入力端の電圧Ｖ４を５Ｖ
、出力ＶＯがＯＦＦ （Ｖｏ ”＝ ２４ Ｖ ） 時
の電圧Ｖ４を１５Ｖ と仮定すると、前記したＢ点の電
圧Ｖ２と出力端子３の出力Ｖｏとの関係は第６図に示す
ようになる。
従って、今、第７図のように、前記ホール素子ｌに磁石
４が接近して来る場合、そのホール素子ｌ側の部分４ａ
の極性がＮ極の時は、Ｎ極が近づいて来て上記Ｂ点の電
圧Ｖ２が基準値のＩＯＶから５Ｖ以上増加し１５Ｖ以上
になると出力ｖｏはＯＮとなって出力端子３はＯＶにな
シ、その後礎石４が通り過ぎてもそのＯＮ状態を自己保
持することができる。次に、もし極性がＳ極の時は、Ｓ
極が近づいて来てＢ点の電圧■２が基準値のＩＯＶから
５ｖ以上減少し５■以下になると、出力ＶＯはＯＦＦと
なって出力端子３は２４Ｖになシ、やはり磁石４が通シ
過ぎてもそのＯＦＦ状態を自己保持することができる。
４が接近して来る場合、そのホール素子ｌ側の部分４ａ
の極性がＮ極の時は、Ｎ極が近づいて来て上記Ｂ点の電
圧Ｖ２が基準値のＩＯＶから５Ｖ以上増加し１５Ｖ以上
になると出力ｖｏはＯＮとなって出力端子３はＯＶにな
シ、その後礎石４が通り過ぎてもそのＯＮ状態を自己保
持することができる。次に、もし極性がＳ極の時は、Ｓ
極が近づいて来てＢ点の電圧■２が基準値のＩＯＶから
５ｖ以上減少し５■以下になると、出力ＶＯはＯＦＦと
なって出力端子３は２４Ｖになシ、やはり磁石４が通シ
過ぎてもそのＯＦＦ状態を自己保持することができる。
このようにして、電圧ＶＺを基準値と比較し、基準値か
ら一定値以上増加した場合には電圧ｖ２が元に戻っても
ＯＮ状態を保持し、また基準値から一定１直以上減少し
た場合にはやはシミ圧Ｖ２が元に戻ってもＯＦＦ状態を
保持することができ、従って既述したようなバイアス磁
石を用いないでこのような自己保持を行なわせることが
できる。
ら一定値以上増加した場合には電圧ｖ２が元に戻っても
ＯＮ状態を保持し、また基準値から一定１直以上減少し
た場合にはやはシミ圧Ｖ２が元に戻ってもＯＦＦ状態を
保持することができ、従って既述したようなバイアス磁
石を用いないでこのような自己保持を行なわせることが
できる。
次表は、第８図のように磁石４を矢印方向に移動して磁
気スイッチをＯＮさせる場合において、バイアス磁石を
用いた構成のものと上述したバイアス磁石を用いない構
成のものとのそれぞれの磁気スイッチと磁石４の距離ｔ
を測定した結果の一例を示すものである。
気スイッチをＯＮさせる場合において、バイアス磁石を
用いた構成のものと上述したバイアス磁石を用いない構
成のものとのそれぞれの磁気スイッチと磁石４の距離ｔ
を測定した結果の一例を示すものである。
上記表によれば、バイアス磁石がある時には磁石４の温
度特性（約−９２％／℃）が直接影響し、温度変化の大
きな状況下においては、適用することができないおそれ
も生ずるが、前述の第１図に示す構成の場合にはそのよ
うな影響が少なく、温度特性の大幅な改善を図ることが
でき、特に温度変化の激しい状況下でもその機能を維持
することができる。
度特性（約−９２％／℃）が直接影響し、温度変化の大
きな状況下においては、適用することができないおそれ
も生ずるが、前述の第１図に示す構成の場合にはそのよ
うな影響が少なく、温度特性の大幅な改善を図ることが
でき、特に温度変化の激しい状況下でもその機能を維持
することができる。
以上のように、この発明はバイアス磁石を使用しないで
自己保持することが可能であるから、温度変化による影
響を受けることが少々く、またバイアス磁石を用いる場
合にはその調節にかなりの工数が費はれているのに対し
、そのような問題も解消できるため、製造工程の消滅及
びバイアス磁石がないことによる製品の小型化も図れる
等の特長を有する、
自己保持することが可能であるから、温度変化による影
響を受けることが少々く、またバイアス磁石を用いる場
合にはその調節にかなりの工数が費はれているのに対し
、そのような問題も解消できるため、製造工程の消滅及
びバイアス磁石がないことによる製品の小型化も図れる
等の特長を有する、
第１図はこの発明の一実施例の自己保持型磁気スイッチ
の構成を示す回路図、第２図はホール素子へ磁極か接近
した場合の磁束の向きを説明する説明図、第３図はホー
ル素子のホール起電力対磁束密度の関係を示す図、第４
図は第１図中のＢ点の電圧■２対磁束密度の関係を示す
図、第５図Ｗ。 （Ｉ３＋はこの発明の説明に供するヒステリシス特性を
呈する比較器の原理構成並びにその特性を示す図、。 第６図は第１図の構成の」場合におけるヒステリシス特
性を示す図、第７図は第１図のホール素子に磁石が接近
する場合の説明図、第８図は実験結果を得るため礎石を
接近はせた場合の説明図である。 ｌ・・・ホールＸ子、２・・・オペレーションアンプ、
Ｅ２・・・直流電圧源、Ｒ１−Ｒ３・・・抵抗。 出 願 人 株式会社日本オートメーション−１し 代理人（弁理士） 渡 辺 −豊−１１，（・、。
の構成を示す回路図、第２図はホール素子へ磁極か接近
した場合の磁束の向きを説明する説明図、第３図はホー
ル素子のホール起電力対磁束密度の関係を示す図、第４
図は第１図中のＢ点の電圧■２対磁束密度の関係を示す
図、第５図Ｗ。 （Ｉ３＋はこの発明の説明に供するヒステリシス特性を
呈する比較器の原理構成並びにその特性を示す図、。 第６図は第１図の構成の」場合におけるヒステリシス特
性を示す図、第７図は第１図のホール素子に磁石が接近
する場合の説明図、第８図は実験結果を得るため礎石を
接近はせた場合の説明図である。 ｌ・・・ホールＸ子、２・・・オペレーションアンプ、
Ｅ２・・・直流電圧源、Ｒ１−Ｒ３・・・抵抗。 出 願 人 株式会社日本オートメーション−１し 代理人（弁理士） 渡 辺 −豊−１１，（・、。
Claims (1)
- 磁気に感応してその磁束の向き及び磁束密度に対応した
出力を発生する電圧発生手段と、この電圧発生手段の出
力を基準値と比較し、上記出力が基ω値から一定値以上
減少した場合には上記出力の減少にかかわらず第１の出
力状態を保持し、上記基準値から一定値以上減少しだ場
合には上記出力の増力＋１にかかわらず第２の出力状態
を保持するヒステリシス特性を呈する比較器とを備えた
ことを他機とする自己保持型磁気スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18530783A JPS6076809A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 自己保持型磁気スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18530783A JPS6076809A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 自己保持型磁気スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076809A true JPS6076809A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16168563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18530783A Pending JPS6076809A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 自己保持型磁気スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076809A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55141824A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Nec Corp | Switch element |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18530783A patent/JPS6076809A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55141824A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Nec Corp | Switch element |
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