JPS607681A - 磁気バブルメモリ作成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は電子計算装置またはその端末機等の記憶装置と
して用いられる磁気バブルメモリに関し、特に熱硬化性
樹脂を用いる磁気バブルメモリ素子の作成法に関するも
のである。

技術の背景 磁気バブルメモリ装置は、不揮発性、高記憶密度、低消
費電力管種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く
含まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有
し、大容量メモリとして将来が期待されている。

この磁気バブルメモリは、例えば結晶のＣ軸方向にのみ
磁化容易軸を有する一軸異方性なもったオルソフェライ
トや、磁性ガーネット等の単結晶薄膜上にパーマロイに
よる多数の薄膜微細パターンを形成しておき、膜面に垂
直なバイアス磁界を加えたときに生ずる円筒磁区（これ
をバブルという）を外部回転磁界によりパーマロイパタ
ーンヲ転送路として移動させ、このパーマロイパターン
におけるバブルの有無を１”、Ｄ″に対応させて情報記
憶させメモリとして使用するものである。

従来技術と問題点 第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の構成を説明する
ための図である。同図において、１はガリウム・ガドリ
ニウム・ガーネット基板、２はその上に液相エピタキシ
ャル成長法により形成された磁性薄膜、３はその上に形
成された５ｉ０２のスペーサ、４はＡｔ−０ｕを用いた
ゲート類駆動用導体パターン、５は導体による段差を平
坦化する樹脂を用いた絶縁膜、６はパーマロイパターン
、７は樹脂を用いた保護膜をそれぞれ示す。

従来このような磁気バブルメモリ素子の作成工程におい
て樹脂の硬化は大気中又は窒素雰囲気中で行なわれてき
た。ところが前者の場合、樹脂の種類によっては酸素と
の反応による樹脂の変質・分解が起こり、さらに樹脂は
ポーラスなため、下地の金属膜の酸化が起ったりする。

後者の場合でも金属の種類によっては酸化され、例えば
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）ではＦ８が酸化され、そ
の結果抵磁力Ｈ８が増加し磁気バブルメモリとしての特
性に悪影響を及ぼすという問題があった。

発明の目的 本発明は樹脂硬化時にパーマロイパターンに生ずる特性
の劣化を防止した磁気バブルメモリ素子の作成法を提供
することを目的とするものである。

発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、熱硬化性樹脂を用い
た磁気バブルメモリ素子において、樹脂の硬化を真空中
で行なうことを特徴とする磁気バブルメモリ素子の作成
法を提供することによって達成される。

発明の実施例 以下、本発明実施例を図面によって詳述する。

実施例として、第１図の如く基板１の上に磁性薄膜２．
５１ｏ２のスペーサ６、導体パターン４を形成後、絶縁
膜５としてＰｂＯ２（ポリ・ラダー・オルガノ・シロキ
サン）樹脂を塗布硬化したのち、パーマロイ薄膜による
パターン６を形成し、その上に保護膜７としてＰＯＬＳ
樹脂を塗布し、その硬化は本発明による真空中での加熱
を行なったものである。

第２図はこのように本発明方法により作成された磁気バ
ブルメモリ素子におけるパーマロイパターンの抗磁力Ｈ
ａを従来法により作成されたものと比較して試験した結
果である。図中、白丸印は本発明法によるもの、黒丸印
は従来法の窒素雰囲気中で加熱硬化したものである。図
に示すようにパーマロイパターンの抗磁力Ｈｃは１００
程度であるが、保護膜としての樹脂を塗布し従来法によ
る窒素雰囲気での熱硬化を行なったものは８〜９００程
度に悪化する。これに対し本発明方法によるものは殆ん
ど変化がない。

発明の効果 以上、詳細に説明したように本発明による磁気バブルメ
モリ素子の作成方法は、樹脂の硬化を真空中で行なうこ
とにより、特性劣化を防止し得るといった効果大なるも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリ素子の構成を説明するための
図、第２図は樹脂硬化法の違いによるパーマロイの抗磁
力ＨＯ変化の試験結果を示した図である。 図面において、１は基板、２は磁性薄膜、６はスペーサ
、４は導体パターン、５は樹脂絶縁膜、６はパーマロイ
パターン、７は樹脂保護膜をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　熱硬化性樹脂を用いた磁気バブルメモリ素子にお
   いて、樹脂の硬化を真空中で行なうことを特徴とする磁
   気バブルメモリ素子の作成法。 ２、前記熱硬化性樹脂分保護膜に用いることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子の
   作成法。