JPS6077148A - ガラス基板の加工方法 - Google Patents
ガラス基板の加工方法Info
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- JPS6077148A JPS6077148A JP18354583A JP18354583A JPS6077148A JP S6077148 A JPS6077148 A JP S6077148A JP 18354583 A JP18354583 A JP 18354583A JP 18354583 A JP18354583 A JP 18354583A JP S6077148 A JPS6077148 A JP S6077148A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路のフォトマスク、アモルファ
スシリコン太陽電池、エレクトロルミネセンス素子等に
使用されるソーダライム系ガラス、ボロシリケート系ガ
ラス、溶融石′ｌｉ等におＣプる電子デバイス用ガラス
基板の加工方法に関づる。
スシリコン太陽電池、エレクトロルミネセンス素子等に
使用されるソーダライム系ガラス、ボロシリケート系ガ
ラス、溶融石′ｌｉ等におＣプる電子デバイス用ガラス
基板の加工方法に関づる。
このガラス基板は、端面エツジからガラスチップが欠け
た場合、そのガラス基板の主表面（通常、その主表面に
は厳しい平面精度が請求され（いる。
た場合、そのガラス基板の主表面（通常、その主表面に
は厳しい平面精度が請求され（いる。
）又はその主表面に成膜した全屈薄膜にキズを発生させ
ることから、その発生を防止するために、各端面を研摩
加工することにより鏡面状に仕−１二げる加工方法が知
られている。
ることから、その発生を防止するために、各端面を研摩
加工することにより鏡面状に仕−１二げる加工方法が知
られている。
しかしながら、このようなガラス基板の加工方法は、４
つの端面をそれぞれ粗研摩から精研摩までの数段階の研
摩工程を経て行われることから、生産性の低下を余儀な
くされていたし、また、端面を鏡面状まで仕上げている
ことから、ハンドリングの作業性を低下させていた。
つの端面をそれぞれ粗研摩から精研摩までの数段階の研
摩工程を経て行われることから、生産性の低下を余儀な
くされていたし、また、端面を鏡面状まで仕上げている
ことから、ハンドリングの作業性を低下させていた。
一方、ガラス基板の全面を化学エラチンブザる加工方法
が知られているが、同方法によれば、自主表面も化学エ
ツチングされることから、その自主表面の平面精度を茗
しく悪化させてしまい、１ッチング後に、成膜される少
なくとも一生表面を１ｊｌｌ摩しなければならない。
が知られているが、同方法によれば、自主表面も化学エ
ツチングされることから、その自主表面の平面精度を茗
しく悪化させてしまい、１ッチング後に、成膜される少
なくとも一生表面を１ｊｌｌ摩しなければならない。
本発明は、上記した欠点を除去′するためになされたも
のであり、端面のみを容易に化学エツチングづることの
できるガラス基板の加工方法を提供することである。
のであり、端面のみを容易に化学エツチングづることの
できるガラス基板の加工方法を提供することである。
本発明の主構成は、カラス基板の少なくとも−１表面上
に耐酸性を右するエチレン酢酸ビニル系のホットメルト
型樹脂を塗布する工程と、前記ガラス基板の端面を化学
エツチングする工程と、前記ホラ１−メルｌ〜型樹脂を
有放溶剤に浸漬して剥部する］二程とから成る。
に耐酸性を右するエチレン酢酸ビニル系のホットメルト
型樹脂を塗布する工程と、前記ガラス基板の端面を化学
エツチングする工程と、前記ホラ１−メルｌ〜型樹脂を
有放溶剤に浸漬して剥部する］二程とから成る。
以下、実施例図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第′１図は、本発明による一実施例の工程を示す斜視図
である。本例では、同図（ａ）において、ソーグライム
系のカラス基板１（大きさ： １２７ｍｍ角、厚さ２．
３Ｔｎｍ）が所定形状に加工され、その４つの端面２は
相？ｉＩｌ摩まで施されている。次に、同図（１））に
おいて、ガラス基板１を約９０℃のオーブンに設置して
高温加熱し、Δ−ブンから取り出された高温状態のガラ
ス基板１の両生面上に、エチレン酢酸ビニル系の小ソト
メル１−型樹脂とし【ロジン及びミツロウを主成分とづ
る樹脂３をこＪることにより溶融して塗イＩＪりる。そ
の際、溶融した樹脂３がエツジを超えて端面にまでイー
１着しないために、エツジから３〜１０ Ｉｌｌ ＩＩ
＋程度中心部寄りにｄ）って樹脂３をこすることが好ま
しい。なお、樹脂３が端面にまで４１着した場合に＆Ｊ
、での端面をイ１ｉ等でふいて、その部分の樹脂を除去
すればよい。
である。本例では、同図（ａ）において、ソーグライム
系のカラス基板１（大きさ： １２７ｍｍ角、厚さ２．
３Ｔｎｍ）が所定形状に加工され、その４つの端面２は
相？ｉＩｌ摩まで施されている。次に、同図（１））に
おいて、ガラス基板１を約９０℃のオーブンに設置して
高温加熱し、Δ−ブンから取り出された高温状態のガラ
ス基板１の両生面上に、エチレン酢酸ビニル系の小ソト
メル１−型樹脂とし【ロジン及びミツロウを主成分とづ
る樹脂３をこＪることにより溶融して塗イＩＪりる。そ
の際、溶融した樹脂３がエツジを超えて端面にまでイー
１着しないために、エツジから３〜１０ Ｉｌｌ ＩＩ
＋程度中心部寄りにｄ）って樹脂３をこすることが好ま
しい。なお、樹脂３が端面にまで４１着した場合に＆Ｊ
、での端面をイ１ｉ等でふいて、その部分の樹脂を除去
すればよい。
次に、同図（Ｃ）において、３ ？ｐ（１）％のフッ酸
と５６重量％の硫酸を混合した化学エツチング液にカラ
ス基板１を２分間浸漬して、ガラス基ＩＪｉ２ ’１の
端面を平滑状の端面４にづる。次に、ガラス基板１を洗
浄・乾燥した後、ｉ〜リクｌ：Ｉル」−チレン液等の有
機溶剤に５分間浸漬し、同図（ｄ）に承りように両生面
上の樹脂３３を刺部１りる。
と５６重量％の硫酸を混合した化学エツチング液にカラ
ス基板１を２分間浸漬して、ガラス基ＩＪｉ２ ’１の
端面を平滑状の端面４にづる。次に、ガラス基板１を洗
浄・乾燥した後、ｉ〜リクｌ：Ｉル」−チレン液等の有
機溶剤に５分間浸漬し、同図（ｄ）に承りように両生面
上の樹脂３３を刺部１りる。
上記ガラス基板１の一生表ｍｊに対づる精４１１摩は、
本発明による工程の前でｔ）ｉＵ ’−Ｃ’も」；いか
、いり゛れにせよ、その−主表面は法王■？と（）て成
膜される前にｍ ｊＪＩ ＦＪ ’ｌることに４する。
本発明による工程の前でｔ）ｉＵ ’−Ｃ’も」；いか
、いり゛れにせよ、その−主表面は法王■？と（）て成
膜される前にｍ ｊＪＩ ＦＪ ’ｌることに４する。
そして、本発明の工程を経たガラス基板１の−１表面上
にクロム等の金属薄膜をスパッタリング法等により成膜
した場合、−でのクロム薄膜のピンホールを、従来（端
面に化学上ツヂングを施さない従来品）’１ｃｍ２中に
’ｌ、−′１０個程度であったのに対してｉ／１００個
稈瓜、ｊ、て減少することがでさた。また、本発明によ
れば、ガラス基板の主表面は化学エツチングさ４′ｔて
いないことから、その主表面を精研摩した後に、本発明
に、ｊ、る工程を実施しても、その主表面の平面ＩＩ′
１度を悪化することはない。更に、本発明によるガラス
リ板は、その端面が微視的には非常に滑らかな表面とづ
ることができ、巨視的には鏡面ではないので、ハンドリ
ングの際の作業性を向」：さＵ、成膜及びレジストコー
ト等の製造工程においＣ自動搬送づることができる。
にクロム等の金属薄膜をスパッタリング法等により成膜
した場合、−でのクロム薄膜のピンホールを、従来（端
面に化学上ツヂングを施さない従来品）’１ｃｍ２中に
’ｌ、−′１０個程度であったのに対してｉ／１００個
稈瓜、ｊ、て減少することがでさた。また、本発明によ
れば、ガラス基板の主表面は化学エツチングさ４′ｔて
いないことから、その主表面を精研摩した後に、本発明
に、ｊ、る工程を実施しても、その主表面の平面ＩＩ′
１度を悪化することはない。更に、本発明によるガラス
リ板は、その端面が微視的には非常に滑らかな表面とづ
ることができ、巨視的には鏡面ではないので、ハンドリ
ングの際の作業性を向」：さＵ、成膜及びレジストコー
ト等の製造工程においＣ自動搬送づることができる。
第２図は、本発明による他の一実施例で８’ｒる工程を
示づｒ１視図である。本例では、同図（ａ ）にＪ３い
て、樹脂３を加だ１溶融した容器中にガラス基板１を浸
し、イのカラス基板１の全表面に樹脂３を塗布する。次
に、同図（１））において、カラス基板１の端面２部分
に塗イｒｉされた４う４脂３をラッピング加工により剥
部し、必要に応じて面取りラッピングを行う。次に、同
図（Ｃ）において、前実施例と同様、端面３を化学上ツ
ブングにＪ、り平ｄ′Ｉ状の端面４にする。そして、同
図（ｄ）におい（も前実施例と同様、カラス基板１の両
主面」二の樹ｎ旨３を有機溶剤に浸漬して３り端ブる。
示づｒ１視図である。本例では、同図（ａ ）にＪ３い
て、樹脂３を加だ１溶融した容器中にガラス基板１を浸
し、イのカラス基板１の全表面に樹脂３を塗布する。次
に、同図（１））において、カラス基板１の端面２部分
に塗イｒｉされた４う４脂３をラッピング加工により剥
部し、必要に応じて面取りラッピングを行う。次に、同
図（Ｃ）において、前実施例と同様、端面３を化学上ツ
ブングにＪ、り平ｄ′Ｉ状の端面４にする。そして、同
図（ｄ）におい（も前実施例と同様、カラス基板１の両
主面」二の樹ｎ旨３を有機溶剤に浸漬して３り端ブる。
本実施例においても、前実施例と同様な効果を秦づる１
゜
゜
第１図及び第２図はぞれそ゛れ本発明にＪ、る一実施例
の工程を示ｉＩ斜視図である。
の工程を示ｉＩ斜視図である。
Claims (2)
- （１） ガラス基板の少なくともコニ表面上に耐酸性を
有づるエチレン酢酸ビニル系のホットメルト型樹脂を塗
布する工程と、前記ガラス基板の端面を化学エツチング
する工程と、前記ホットメルト型樹脂を有機溶剤に浸漬
して剥離する工程を含むことを特徴とするガラス基板の
加工方法。 - （２） ガラス基板の全表面上に耐酸性を右するコーヂ
レン酢酸ビニル系のホットメルト型樹脂を塗布する工程
と、前記ガラス基板の端面に塗布された前記ホットメル
ト型樹脂を剥離した後、前記端面を化学エツチングする
工程と、前記ホットメルト型樹脂を有機溶剤に浸漬して
剥離する工程を含むことを特徴とするガラス基板の加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18354583A JPS6077148A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ガラス基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18354583A JPS6077148A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ガラス基板の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077148A true JPS6077148A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16137683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18354583A Pending JPS6077148A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ガラス基板の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077148A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486341A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Sharp Kk | Optical disk |
| CN100432772C (zh) * | 2002-11-22 | 2008-11-12 | 西山不锈化学股份有限公司 | 平板显示器用玻璃基板及其制造方法 |
| JP2013252992A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 誘電体多層膜、誘電体多層膜付ガラス板及び誘電体多層膜付ガラス板の製造方法 |
| JP2016028002A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-25 | 東京応化工業株式会社 | ガラス加工方法、ガラスエッチング液、及びガラス基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Method of chamfering glass substrate |
| JPS56160384A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-10 | Shiyouichi Sakai | Method of carving porcelain, glass, marble or like |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18354583A patent/JPS6077148A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Method of chamfering glass substrate |
| JPS56160384A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-10 | Shiyouichi Sakai | Method of carving porcelain, glass, marble or like |
Cited By (4)
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| CN100432772C (zh) * | 2002-11-22 | 2008-11-12 | 西山不锈化学股份有限公司 | 平板显示器用玻璃基板及其制造方法 |
| JP2013252992A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 誘電体多層膜、誘電体多層膜付ガラス板及び誘電体多層膜付ガラス板の製造方法 |
| JP2016028002A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-25 | 東京応化工業株式会社 | ガラス加工方法、ガラスエッチング液、及びガラス基板 |
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