JPS607733A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS607733A JPS607733A JP58115547A JP11554783A JPS607733A JP S607733 A JPS607733 A JP S607733A JP 58115547 A JP58115547 A JP 58115547A JP 11554783 A JP11554783 A JP 11554783A JP S607733 A JPS607733 A JP S607733A
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- resin
- volume resistivity
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- pellet
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
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- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
- H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置のダイボンディングの構造、すな
わち、半導体チップの取り付は方に関するものである。
わち、半導体チップの取り付は方に関するものである。
従来、半導体集積回路のベレットを樹脂を用いて基板に
接着した構造を有するモールド封止型半導体集積回路に
おいては、銀粉を混練した体積抵抗率が1×10 Ω−
α以下の導電性樹脂が一般に広く用いられている。
接着した構造を有するモールド封止型半導体集積回路に
おいては、銀粉を混練した体積抵抗率が1×10 Ω−
α以下の導電性樹脂が一般に広く用いられている。
しかし銀粉を混練した導電性樹脂は1体積抵抗本が低く
%電気を通しやすいため、導電性樹脂が半導体集積回路
ベレット表面に流れ出して付着すると、半導体集積回路
の特性を損なうという欠点があり、使用量の制御が難し
く量並性が悪いという欠点があった。
%電気を通しやすいため、導電性樹脂が半導体集積回路
ベレット表面に流れ出して付着すると、半導体集積回路
の特性を損なうという欠点があり、使用量の制御が難し
く量並性が悪いという欠点があった。
また、貴金楓の銀粉を使用しているので、価格が高く、
さらに価格が変動しやすいという欠点があった。
さらに価格が変動しやすいという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去した低いコストで量産
性の高い半導体集積回路を提供することである。
性の高い半導体集積回路を提供することである。
本発明によれば、ダイボンディング用接着剤として、体
積抵抗率がI×100−の以上のエポキシ系樹脂を有す
ることを特徴とする舌−ルビ封止型半導体集積回路が得
られる。
積抵抗率がI×100−の以上のエポキシ系樹脂を有す
ることを特徴とする舌−ルビ封止型半導体集積回路が得
られる。
以下、第1図を参照して本発明の一実施例全説明する。
第1図は容器の基板1の上に体積抵抗率が1×100−
儂以上のエポキシ系樹脂2によって接着された半導体集
積回路ペレット3を有する半導体集積回路の構造を示す
概略断面図である。
儂以上のエポキシ系樹脂2によって接着された半導体集
積回路ペレット3を有する半導体集積回路の構造を示す
概略断面図である。
図示はしていないが、その後金属aI線によって外部リ
ードとの配線がなされた後、樹脂モールドがなされる。
ードとの配線がなされた後、樹脂モールドがなされる。
体積抵抗率が1×100−口以上のエポキシ系樹脂をダ
イボンディング用接着剤として用いた半導体集積回路に
おいては、上記樹脂が半導体集積回路ベレットの表面に
流れ出して付着しても体積抵抗率が高く絶縁性であるの
で半導体集積回路の電気的特性を損なうことはないので
、使用樹脂量の制御が容易になり量産性が向上する。
イボンディング用接着剤として用いた半導体集積回路に
おいては、上記樹脂が半導体集積回路ベレットの表面に
流れ出して付着しても体積抵抗率が高く絶縁性であるの
で半導体集積回路の電気的特性を損なうことはないので
、使用樹脂量の制御が容易になり量産性が向上する。
また、銀粉を使用する必要がないので、コストを下げる
ことができる。
ことができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば1体積
抵抗率がI X 1012Ω−儂以上のエポキシ系樹脂
をダイボンディング用接着剤として使用しかつ、安いコ
ストで高い量産性を容易に実現さ+jうる構造を有する
モールド封止型半導体集積回給iが得られるので実用上
の効果は大きい。
抵抗率がI X 1012Ω−儂以上のエポキシ系樹脂
をダイボンディング用接着剤として使用しかつ、安いコ
ストで高い量産性を容易に実現さ+jうる構造を有する
モールド封止型半導体集積回給iが得られるので実用上
の効果は大きい。
第1図は1本発明の一実施例によるモールド制止形半導
体集積回路の断面概略図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・体積抵抗率がlX
lO12Ω−凱以上のエポキシ系樹脂% 3・・・・・
・半導体集積回路ベレット。 堪 +7
体集積回路の断面概略図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・体積抵抗率がlX
lO12Ω−凱以上のエポキシ系樹脂% 3・・・・・
・半導体集積回路ベレット。 堪 +7
Claims (1)
- ダイボンディング用接着剤として体積抵抗率がlXlO
12ΩXlO12Ω中以上樹脂を用いたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115547A JPS607733A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115547A JPS607733A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607733A true JPS607733A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14665234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115547A Pending JPS607733A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607733A (ja) |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115547A patent/JPS607733A/ja active Pending
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