JPS6079703A - 磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 - Google Patents
磁気バブル素子用ガ−ネツト膜Info
- Publication number
- JPS6079703A JPS6079703A JP58186737A JP18673783A JPS6079703A JP S6079703 A JPS6079703 A JP S6079703A JP 58186737 A JP58186737 A JP 58186737A JP 18673783 A JP18673783 A JP 18673783A JP S6079703 A JPS6079703 A JP S6079703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- point
- garnet film
- film
- segment
- line segment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気バブルメモリ素子用ガーネット膜に関し
、詳しくは、バブル直径がほぼ０．５μｍ以下の微小磁
気バブルを保持するのに好適な磁気バブル素子用ガーネ
ット族に関する。
、詳しくは、バブル直径がほぼ０．５μｍ以下の微小磁
気バブルを保持するのに好適な磁気バブル素子用ガーネ
ット族に関する。
磁気バブルメモリ素子用ガーネット材料においてバブル
直径を小さくするためには飽和磁束密度（４πＭ、）を
大きくすれば良いことが知られている。バブル直径を０
．５μｍ以下にするためには、４πＭ、を約１８００Ｇ
以上にする必要がある。このようなカーネット材料とし
てＳｍアＬ”！−ＦＦｅ５０Ｊ２が知られている（ Ａ
Ｉ Ｐ 、 Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｐｒ□ｃｅｅｄｉ
ｕｇｓ Ａ ２９ Ｐｐ、 １０５−１０７ 、１９７
５）。ところで、バブルを安定に保つためには磁化を膜
面に垂直に向けるための異方性エネルギー（Ｋｕ ）が
ある程度大きい必要があシ、バブルの安定度９（ミＫｕ
／２πＭ、２）が１．５以上となるような値でおること
が望ましい。Ｋｕがちまシ小さくなると、バブル発生器
等で不必要なバブルが発生するエラーが生じ易くなる。
直径を小さくするためには飽和磁束密度（４πＭ、）を
大きくすれば良いことが知られている。バブル直径を０
．５μｍ以下にするためには、４πＭ、を約１８００Ｇ
以上にする必要がある。このようなカーネット材料とし
てＳｍアＬ”！−ＦＦｅ５０Ｊ２が知られている（ Ａ
Ｉ Ｐ 、 Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｐｒ□ｃｅｅｄｉ
ｕｇｓ Ａ ２９ Ｐｐ、 １０５−１０７ 、１９７
５）。ところで、バブルを安定に保つためには磁化を膜
面に垂直に向けるための異方性エネルギー（Ｋｕ ）が
ある程度大きい必要があシ、バブルの安定度９（ミＫｕ
／２πＭ、２）が１．５以上となるような値でおること
が望ましい。Ｋｕがちまシ小さくなると、バブル発生器
等で不必要なバブルが発生するエラーが生じ易くなる。
上記のＳｍ、Ｌ ｕ３−アＦ ｅｓ ０１２ガーネツト
系（７）Ｋ ｕ＃′ｉ、ｓ 重量とＬｕ量の積ｙ・＜３
−ｙ）にはは比例する。従って、この系で通轟なＫｕの
値を得るためにはｆＪ重量とｌ、ｕ量の比を適当に調整
すれば良い。ところが、Ｓｍ”＋とＬ ｕ ３ ＋のイ
オン半径がそれぞれ１．１３人、０．９９人と異なるた
めに、Ｓ重量とＬｕ量の比を変えると膜の格子定数が変
化する。膜と基板の格子定数が大きく異なると、膜面に
凹凸状の欠陥が発生し、ツクプルの媒体として使用でき
なくなる。そこで、上記の糸でＳ重量とＩ、ｕ量の比を
変化させてに、ｕを調竪するためには、格子定数の異な
った基板を用いる必要がめる。上記の系と格子定数が一
致する非磁性ガーネット単結晶基板としてはＧｄ３Ｇａ
５Ｏ１２＋ＳＳｍ３ＧａｓＯｔおよびＮｄ３ＧａｓＯｔ
ｇが一般的に知られている。第１表および第１図に、こ
れら３棟類の基板上に成長させた８ｍｙＬ”５−ｙＦ
ｅｓＯｔｚのｌ（ｕおよびｑを示す。（第６回日本応用
磁気学会学術講演概要集ｐ、１６３．１９８２） 第１表および第１図に見るようにＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２お
よびＮｄａＧａｓＯｔｚ単結晶基板上に成長させたＳｍ
ｙＬｕａ−ｙＦｅｓＯｌｇ（７） Ｑ ハ１．５ ｊ
ｊ） モ小す＜ 安定ｆｘバブルが得られない。これに
対し、ＳｍａＧａｓＯｔ＊単結晶基板上に成長させた膜
ではＫｕがほぼ最大となシ、ｑが１．８で安定なバブル
が得られる。ところが、Ｓｍ３ＧａｓＯｔｚはＧ ｄ＝
ｏ Ｂ５０１ ｚ ＋ Ｎ ｄａ Ｇ ａｓｏ １ｚに
比べて単結晶の引き上げが難しく、これまでに直径５０
１ａ以上の良質な単結晶が引き上げられた例がない。こ
のために、Ｓｍア１ｕ３−アＦｅ５Ｏ１２を８ｍ５（）
ａｓＯ１ｚ基板上に成長させてバブルメモリを作製する
ことは極めて困難である。
系（７）Ｋ ｕ＃′ｉ、ｓ 重量とＬｕ量の積ｙ・＜３
−ｙ）にはは比例する。従って、この系で通轟なＫｕの
値を得るためにはｆＪ重量とｌ、ｕ量の比を適当に調整
すれば良い。ところが、Ｓｍ”＋とＬ ｕ ３ ＋のイ
オン半径がそれぞれ１．１３人、０．９９人と異なるた
めに、Ｓ重量とＬｕ量の比を変えると膜の格子定数が変
化する。膜と基板の格子定数が大きく異なると、膜面に
凹凸状の欠陥が発生し、ツクプルの媒体として使用でき
なくなる。そこで、上記の糸でＳ重量とＩ、ｕ量の比を
変化させてに、ｕを調竪するためには、格子定数の異な
った基板を用いる必要がめる。上記の系と格子定数が一
致する非磁性ガーネット単結晶基板としてはＧｄ３Ｇａ
５Ｏ１２＋ＳＳｍ３ＧａｓＯｔおよびＮｄ３ＧａｓＯｔ
ｇが一般的に知られている。第１表および第１図に、こ
れら３棟類の基板上に成長させた８ｍｙＬ”５−ｙＦ
ｅｓＯｔｚのｌ（ｕおよびｑを示す。（第６回日本応用
磁気学会学術講演概要集ｐ、１６３．１９８２） 第１表および第１図に見るようにＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２お
よびＮｄａＧａｓＯｔｚ単結晶基板上に成長させたＳｍ
ｙＬｕａ−ｙＦｅｓＯｌｇ（７） Ｑ ハ１．５ ｊ
ｊ） モ小す＜ 安定ｆｘバブルが得られない。これに
対し、ＳｍａＧａｓＯｔ＊単結晶基板上に成長させた膜
ではＫｕがほぼ最大となシ、ｑが１．８で安定なバブル
が得られる。ところが、Ｓｍ３ＧａｓＯｔｚはＧ ｄ＝
ｏ Ｂ５０１ ｚ ＋ Ｎ ｄａ Ｇ ａｓｏ １ｚに
比べて単結晶の引き上げが難しく、これまでに直径５０
１ａ以上の良質な単結晶が引き上げられた例がない。こ
のために、Ｓｍア１ｕ３−アＦｅ５Ｏ１２を８ｍ５（）
ａｓＯ１ｚ基板上に成長させてバブルメモリを作製する
ことは極めて困難である。
本発明の目的は、ＳｍｙＬｕｓ−ｙＦｅｓＯｔ２系微小
バブル用ガーネット膜の有する上記の問題点を解決し直
径５０■以上の単結晶引き上げが可能なＮｄ５ＧａｓＯ
ｔｉ 基板を用いて、直径が０．５μｍ以下のバブルを
安定に保持できる磁気バブル素子用磁性ガーネット膜を
提供することにある。
バブル用ガーネット膜の有する上記の問題点を解決し直
径５０■以上の単結晶引き上げが可能なＮｄ５ＧａｓＯ
ｔｉ 基板を用いて、直径が０．５μｍ以下のバブルを
安定に保持できる磁気バブル素子用磁性ガーネット膜を
提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は磁気バブル用ガ
ーネッｌの組成を一般式 ％式％ で表わされる組成とし、Ｘおよびｙの値を第３図の領域
Ａの中に置くことにある。このように、Ｓｍ１ｌ”とＬ
ｕ ３４−の一部をＳｍ”よシもイオン半径の大きな
イオン（Ｂｉｓ“のイオン半径は１．２０人である）で
置洪しかつＮｄ３Ｇ８５０１２基板と格子定数を一致さ
せた膜では、置換量の増加とともにＳｍ蓋は減少しｌ、
ｕ賞は増加する。置換量がある値よりも小さい場合には
、Ｓｍ凰の減少の割合よシもＬｕ量の増加の割合が大き
いのでＳ重量とＬｕ１ｉの積が増加し、ＳｍとＬｕの共
存効果による異方性エネルギーＫｕの増加が期待できる
。また、置換イオンとしてＢ１３＋を選ぶことにより上
記の効果によって期待されるよりも大きなｌ（ｕの増加
が見られる。
ーネッｌの組成を一般式 ％式％ で表わされる組成とし、Ｘおよびｙの値を第３図の領域
Ａの中に置くことにある。このように、Ｓｍ１ｌ”とＬ
ｕ ３４−の一部をＳｍ”よシもイオン半径の大きな
イオン（Ｂｉｓ“のイオン半径は１．２０人である）で
置洪しかつＮｄ３Ｇ８５０１２基板と格子定数を一致さ
せた膜では、置換量の増加とともにＳｍ蓋は減少しｌ、
ｕ賞は増加する。置換量がある値よりも小さい場合には
、Ｓｍ凰の減少の割合よシもＬｕ量の増加の割合が大き
いのでＳ重量とＬｕ１ｉの積が増加し、ＳｍとＬｕの共
存効果による異方性エネルギーＫｕの増加が期待できる
。また、置換イオンとしてＢ１３＋を選ぶことにより上
記の効果によって期待されるよりも大きなｌ（ｕの増加
が見られる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
Ｎｄ５ＧａｓＯｓ２基板と格子定数が一致したＳｍｙＬ
ｕ３−ｙＦｅ、０ｕｊｌｉのｓｍとＬｕの一部を置換し
てＳ重量と１ｕｌｌの槓を増加させるためにはできるだ
けイオン半径が大きいことが望ましい。このような置換
イオンとしては、電荷補償を必要としないＢｉ３°＋Ｌ
ａ３＋が適している。第２図にＮ ｄｓ Ｇ ａｓ Ｏ
ｌｚ基板と格子定数がほぼ一致しているＢ ｌ ｚ （
８ｍＬｕ ）ｓ−ｚＦｅｓＯｓ＊およびＬａｗ （Ｓｍ
Ｌｕ）ｓ−ｘＰｅｓｏｘｓの置換量Ｘと異方性エネルギ
ー１（ｕの関係を示す。第２図に見るように置換イオン
としてＢｉ３＋を用いた場合の方がＬａ”を用いた場合
よシもＫｕの増加が大きく、直径０．５μｍ以下のバブ
ルを安定に存在させるために必要なＫ Ｌｌ ＠得るこ
とができる。
ｕ３−ｙＦｅ、０ｕｊｌｉのｓｍとＬｕの一部を置換し
てＳ重量と１ｕｌｌの槓を増加させるためにはできるだ
けイオン半径が大きいことが望ましい。このような置換
イオンとしては、電荷補償を必要としないＢｉ３°＋Ｌ
ａ３＋が適している。第２図にＮ ｄｓ Ｇ ａｓ Ｏ
ｌｚ基板と格子定数がほぼ一致しているＢ ｌ ｚ （
８ｍＬｕ ）ｓ−ｚＦｅｓＯｓ＊およびＬａｗ （Ｓｍ
Ｌｕ）ｓ−ｘＰｅｓｏｘｓの置換量Ｘと異方性エネルギ
ー１（ｕの関係を示す。第２図に見るように置換イオン
としてＢｉ３＋を用いた場合の方がＬａ”を用いた場合
よシもＫｕの増加が大きく、直径０．５μｍ以下のバブ
ルを安定に存在させるために必要なＫ Ｌｌ ＠得るこ
とができる。
本発明において、Ｓ重量および８重量は極めて重要な量
であシ、好ましい効果を得るためには所定の範囲内にめ
ることが必要である。第２表は一般式Ｂ ”！ ８ｍｙ
Ｌｕａ−ｘ−ｙＦｅｓｏ＋ｚで表わされるガーネット膜
においてＢ１１ｘとｓｍｙの値を種々に変えた場合の特
性を示す。基板としては（１１１）面のＮｄ５ＧａｓＯ
ｔｚ基板を用いた。第２表におｈて、特性の良否はＯお
よびＸで表わした。バブルの安定度ｑが１．５以上であ
って直鎖０．５μｍ以下のバブルを安疋に保持でき、が
っ膜とＮｄ５ＧａｓＯｔｚ基板の格子定数の差Δａ１の
絶対値が０．０３ 人よシも小さいものを○、これ等の
条件を満足しないものをＸで表わした。
であシ、好ましい効果を得るためには所定の範囲内にめ
ることが必要である。第２表は一般式Ｂ ”！ ８ｍｙ
Ｌｕａ−ｘ−ｙＦｅｓｏ＋ｚで表わされるガーネット膜
においてＢ１１ｘとｓｍｙの値を種々に変えた場合の特
性を示す。基板としては（１１１）面のＮｄ５ＧａｓＯ
ｔｚ基板を用いた。第２表におｈて、特性の良否はＯお
よびＸで表わした。バブルの安定度ｑが１．５以上であ
って直鎖０．５μｍ以下のバブルを安疋に保持でき、が
っ膜とＮｄ５ＧａｓＯｔｚ基板の格子定数の差Δａ１の
絶対値が０．０３ 人よシも小さいものを○、これ等の
条件を満足しないものをＸで表わした。
また、第２表の結果をＸおよびｙをパラメータにして第
３図に示した。第３図において、記号○。
３図に示した。第３図において、記号○。
×は第２表と同じく特性の良否を示し、また各○。
×に付した数値は試料番号であって、それぞれ第２表の
試料番号に対応する。第３図から明らかなようにＢＩ量
ＸとＳ重量ｙが、線分ａｔ ｂ、ｃおよびｄによって囲
まれた領域Ａ内にあると、バブルの安定度が１．５以上
であって直径０．５μｍ以下のバブルを安定に保持でき
、しかも、Ｎｄ３ＧａｓＯｔ２基板と腺の格子定数の差
の絶対値が０．０３Å以下の良質な膜が得られる。しか
し、ｘ、ｙが領域Ａの外にあるとこのような条件は満足
されず、好ましい特性は得られない。
試料番号に対応する。第３図から明らかなようにＢＩ量
ＸとＳ重量ｙが、線分ａｔ ｂ、ｃおよびｄによって囲
まれた領域Ａ内にあると、バブルの安定度が１．５以上
であって直径０．５μｍ以下のバブルを安定に保持でき
、しかも、Ｎｄ３ＧａｓＯｔ２基板と腺の格子定数の差
の絶対値が０．０３Å以下の良質な膜が得られる。しか
し、ｘ、ｙが領域Ａの外にあるとこのような条件は満足
されず、好ましい特性は得られない。
すなわち、第３図において、ｘ、ｙが線分ａよシ左方の
領域にある。とバブルの安定度ｑが１．５よりも小さく
なり、線分すよシも下方の領域あるいは線分ｄよシ上方
の領域にあると膜とＮｄ３ＧａＳ０１１１基板の格子定
数の差の絶対値が０．０３人よシも大きくなる。また、
ｘ、ｙが線分Ｃよシ右方の領域では、イオン半径の大き
なり１の量が多いために良質なエピタキシャル膜が得ら
れない。
領域にある。とバブルの安定度ｑが１．５よりも小さく
なり、線分すよシも下方の領域あるいは線分ｄよシ上方
の領域にあると膜とＮｄ３ＧａＳ０１１１基板の格子定
数の差の絶対値が０．０３人よシも大きくなる。また、
ｘ、ｙが線分Ｃよシ右方の領域では、イオン半径の大き
なり１の量が多いために良質なエピタキシャル膜が得ら
れない。
本発明のＢＩＪｍｙＬｕｓ−ｘ−ｙＦｅｓＯｔｇの異方
性エネルギーＫｕはｆ３ｍとＬｕの共存効果によって期
待される値よシも大きくなっている。第１図の結果から
、Ｓｍとｌｕの共存効果による異方性エネルギーはＫ
ｕ（８ｍ−Ｌ”）＝１．２ Ｘ １０ ’ Ｘ （ｆ３
．重量）×（Ｌｕ量） Ｃｅｒｇ／ｃｔｌとなる。Ｎｄ
ａＧａｓＯｔｚ基板と格子定数の一致しているＢ ｉ、
（ＳｍＬｕ）ｓ−ＦｅｓＯｔ＊およびＬ ａ ｚ （Ｓ
ｍＬ ｕ ）ａ−ｚＦ ｅｓｏ １２のＫｕからＫｕ（
８１１１−Ｌｌｌ、）を差し引いた値と置換量Ｘの関係
を第４図に示す、、第４図に見るように Ｌａｇ （８ｍＬｕ ）ｓ−ｘＦｅｓＯｔｚの場合には
Ｋ ｕ −Ｋｕ（“−Ｌ″）がほぼゼロで１この腺のｌ
（ｕはＳｍとＩ、ｕの共存効果による異方性エネルギー
であることを示している。これに対し、 Ｂｉｘ（ＳｍＬｕ）ｓ−ｘＦｅｓＯｓｘの場合にはＫｕ
−Ｋ ｇ（８ｍ−Ｌｕ）が置換量Ｘとともに増加してい
る。
性エネルギーＫｕはｆ３ｍとＬｕの共存効果によって期
待される値よシも大きくなっている。第１図の結果から
、Ｓｍとｌｕの共存効果による異方性エネルギーはＫ
ｕ（８ｍ−Ｌ”）＝１．２ Ｘ １０ ’ Ｘ （ｆ３
．重量）×（Ｌｕ量） Ｃｅｒｇ／ｃｔｌとなる。Ｎｄ
ａＧａｓＯｔｚ基板と格子定数の一致しているＢ ｉ、
（ＳｍＬｕ）ｓ−ＦｅｓＯｔ＊およびＬ ａ ｚ （Ｓ
ｍＬ ｕ ）ａ−ｚＦ ｅｓｏ １２のＫｕからＫｕ（
８１１１−Ｌｌｌ、）を差し引いた値と置換量Ｘの関係
を第４図に示す、、第４図に見るように Ｌａｇ （８ｍＬｕ ）ｓ−ｘＦｅｓＯｔｚの場合には
Ｋ ｕ −Ｋｕ（“−Ｌ″）がほぼゼロで１この腺のｌ
（ｕはＳｍとＩ、ｕの共存効果による異方性エネルギー
であることを示している。これに対し、 Ｂｉｘ（ＳｍＬｕ）ｓ−ｘＦｅｓＯｓｘの場合にはＫｕ
−Ｋ ｇ（８ｍ−Ｌｕ）が置換量Ｘとともに増加してい
る。
これは、Ｂｉが存在することによって異方性エネルギー
が発生しているものと考えられる。
が発生しているものと考えられる。
Ｂｉによって異方性エネルギーが得られることはすでＫ
Ｂ ｉ ｚ （ＹＬＪｓ−＊ Ｆ ｅｓｏ １ｍ膜にお
いて見い出されている。（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ Ｑｒｏｗｔｈ５８、 Ｉ）Ｉ）９５−１０
２．１９８２）第５図にＢ １ ｘ （ＳｍＬｕ）ａ−
ｘＦｅｓ Ｏ１ｄ’よびＢ ｔ ＊ （ＹＬ、）ｓ−ｘ
Ｆ ｅｓ ０１２の１３ｉによる異方性エネルギーＫ
ｕ（”＞ １！：Ｂ ｔｔＸの関係を示す。第５図に見
るように、Ｂｉｇ（８ｍＬｕ）ｔ−ｚＦｅｓＯｔａの方
がＫｕ（”）が犬きくなっている。このことからｆ３ｉ
とＳｍを共存させることによシ、よシ大きな異方性エネ
ルギーが得られることがわかる。
Ｂ ｉ ｚ （ＹＬＪｓ−＊ Ｆ ｅｓｏ １ｍ膜にお
いて見い出されている。（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ Ｑｒｏｗｔｈ５８、 Ｉ）Ｉ）９５−１０
２．１９８２）第５図にＢ １ ｘ （ＳｍＬｕ）ａ−
ｘＦｅｓ Ｏ１ｄ’よびＢ ｔ ＊ （ＹＬ、）ｓ−ｘ
Ｆ ｅｓ ０１２の１３ｉによる異方性エネルギーＫ
ｕ（”＞ １！：Ｂ ｔｔＸの関係を示す。第５図に見
るように、Ｂｉｇ（８ｍＬｕ）ｔ−ｚＦｅｓＯｔａの方
がＫｕ（”）が犬きくなっている。このことからｆ３ｉ
とＳｍを共存させることによシ、よシ大きな異方性エネ
ルギーが得られることがわかる。
本発明によれば、飽和磁束密度が１８００Ｇ以上の膜で
バブルの安定度ｑ ｔ−１，５以上にできるので膜厚と
バブル直径がほぼ等しい磁性ガーネットａにおいて直径
が０．５μｍ以下のパズルを安定に保持できる効果があ
る。また、直径が５０ｓｏｗ以上の単結晶の引き上げが
可能なＮｄ３Ｇ８５０１２ 、！＋！：板と膜の格子定
数をほぼ一致させることができるので、現在製品化され
ているＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２基板を用いたバブル用ガーネ
ット膜と同様に、バブルメモリの大量生産が可能となる
。
バブルの安定度ｑ ｔ−１，５以上にできるので膜厚と
バブル直径がほぼ等しい磁性ガーネットａにおいて直径
が０．５μｍ以下のパズルを安定に保持できる効果があ
る。また、直径が５０ｓｏｗ以上の単結晶の引き上げが
可能なＮｄ３Ｇ８５０１２ 、！＋！：板と膜の格子定
数をほぼ一致させることができるので、現在製品化され
ているＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２基板を用いたバブル用ガーネ
ット膜と同様に、バブルメモリの大量生産が可能となる
。
第１図は、８ｍｙＬｕｎ−ｙＦｅｓｏｓｉのＳ重量ｙと
異方性エネルギーＫｕの関係を示す図、第２図は、Ｂ
１ｔ（Ｓ ｍＬｕ ）ｓ−ｔＦｅｓＯｔｇおよびＬａｔ
＜８ｍＬｕ）ｓ−ｘＦ ｅｓＯｔ２の異方性エネルギー
１（ｕと置換量Ｘの関係を示す図、第３図は、Ｂ ｉｔ
８ｍｙＬｕ！−ｘ−ｙＦ ｅｌ Ｏｘｇにおいて１３
ｉ量ＸとＳｍ童ｙの好ましい値の範囲を示す図、第４図
はＢｉｇ（ＳｍＬｕ）ｓ−ｘＦｅｓｏｌｇおよびＬａｇ
（８ｍＬｕ）３−７ｅｓＯｔｚの異方性エネルギーＫｕ
とＳｍ、Ｌｕの共存効果による異方性エネルギーＫｕ（
”ｌ−りの差と置換Ｊｉｘの関係を示す図、第５図はＢ
ｉｇ（ＳｍＬｕ）ｓ−ｘＦｅｓｏｕおよびＢｉｇ（ＹＬ
ｕ）ｓ−ｘＦｅｓＯｔｘの１３ｉによる異方性エネルノ 第 Ｉ ■ Ｓ叛マシ 第 ２ ａ ｉ侠ｉ又 第 ３ 目 ０ ０２ ０・４ ０６ θ・８ Ｂ、 ｊ ス 第 ４ 日 ００・２０・４ ０．６ ０−８ 号狭量叉 第 ５ 目 Ｂ１量父
異方性エネルギーＫｕの関係を示す図、第２図は、Ｂ
１ｔ（Ｓ ｍＬｕ ）ｓ−ｔＦｅｓＯｔｇおよびＬａｔ
＜８ｍＬｕ）ｓ−ｘＦ ｅｓＯｔ２の異方性エネルギー
１（ｕと置換量Ｘの関係を示す図、第３図は、Ｂ ｉｔ
８ｍｙＬｕ！−ｘ−ｙＦ ｅｌ Ｏｘｇにおいて１３
ｉ量ＸとＳｍ童ｙの好ましい値の範囲を示す図、第４図
はＢｉｇ（ＳｍＬｕ）ｓ−ｘＦｅｓｏｌｇおよびＬａｇ
（８ｍＬｕ）３−７ｅｓＯｔｚの異方性エネルギーＫｕ
とＳｍ、Ｌｕの共存効果による異方性エネルギーＫｕ（
”ｌ−りの差と置換Ｊｉｘの関係を示す図、第５図はＢ
ｉｇ（ＳｍＬｕ）ｓ−ｘＦｅｓｏｕおよびＢｉｇ（ＹＬ
ｕ）ｓ−ｘＦｅｓＯｔｘの１３ｉによる異方性エネルノ 第 Ｉ ■ Ｓ叛マシ 第 ２ ａ ｉ侠ｉ又 第 ３ 目 ０ ０２ ０・４ ０６ θ・８ Ｂ、 ｊ ス 第 ４ 日 ００・２０・４ ０．６ ０−８ 号狭量叉 第 ５ 目 Ｂ１量父
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 液相エピタキシャル成長ｆｆ１ＫよＦ＞Ｎｄ３ＧａｓＯ
ｕ単結晶基板上に形成された、一般式 ％式％ なる組成のカーネットｍにおいて、上記Ｘおよびｙの値
が第３図の点１ （０，０５，２，７）と点２（０，０
５゜２．１）を結ぶ線分８１点２（０，０５，２，１）
と、点３ （０，４５，１，５６）を結ぶ線分５１点３
（０，４５゜１．５６）と点４（０，４５，２，１７）
を結ぶ線分Ｃおよび点４ （０，４５，２，１７）と点
１（０，０５゜２．７）ｔ−箱ぶ線分ｄによって囲まれ
た穎域内にあることを特徴とした磁気バブル素子用ガー
ネット膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186737A JPS6079703A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186737A JPS6079703A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079703A true JPS6079703A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16193764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186737A Pending JPS6079703A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079703A (ja) |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58186737A patent/JPS6079703A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4728178A (en) | Faceted magneto-optical garnet layer and light modulator using the same | |
| US4183999A (en) | Garnet single crystal film for magnetic bubble domain devices | |
| US3643238A (en) | Magnetic devices | |
| JPH01217313A (ja) | 磁気光学ガーネット | |
| JPS6079703A (ja) | 磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 | |
| US3932688A (en) | Composite magnetic film | |
| CA1059624A (en) | Characteristic temperature-derived hard bubble suppression | |
| JPH0570290B2 (ja) | ||
| US4468438A (en) | Garnet epitaxial films with high Curie temperatures | |
| JP3217721B2 (ja) | ファラデー素子及びファラデー素子の製造方法 | |
| JP3037474B2 (ja) | ファラデー回転子 | |
| JPS62101012A (ja) | 静磁波マイクロ波素子 | |
| JPS6079704A (ja) | 高密度磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 | |
| JPS6126020A (ja) | フアセツト形成した磁気光学ガーネツト層 | |
| JPH0471878B2 (ja) | ||
| JPS58184707A (ja) | 磁気素子用ガ−ネツト材料 | |
| JP3476557B2 (ja) | ファラデー回転子 | |
| JPS5987805A (ja) | 磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 | |
| JPS59213111A (ja) | 磁気バブルメモリ用ガ−ネツト膜 | |
| JPS5966105A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62200323A (ja) | 磁気光学デバイス用薄膜結晶素子 | |
| JPS603109A (ja) | オルソロンビツク材料 | |
| JPS63228443A (ja) | 光磁気記録材料の製造方法 | |
| JPH0354845B2 (ja) | ||
| JPS6184005A (ja) | 磁気記録材料 |