JPS6079810A - 定電流源回路 - Google Patents

定電流源回路

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JPS6079810A
JPS6079810A JP58187246A JP18724683A JPS6079810A JP S6079810 A JPS6079810 A JP S6079810A JP 58187246 A JP58187246 A JP 58187246A JP 18724683 A JP18724683 A JP 18724683A JP S6079810 A JPS6079810 A JP S6079810A
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JP
Japan
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voltage
emitter
constant current
base
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JP58187246A
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Yusuke Mizuguchi
裕介 水口
Toshihide Miyake
敏英 三宅
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、より低電源電圧で動作できる、いわゆるバン
ドギャップ電圧を利用した定電流源回路に関するもので
ある。
〈従来技術〉 第1図に従来回路を示す。この回路は周知のものであり
、基本動作を簡単に述べる。QlはQ2に比較してエミ
ッタ面積でN倍有するトランジスタである。Q2はコレ
クタ・ベースが接続される。
このとき回路全体がQl とQ2のコレクタ電流が等し
くなるように動作するので、QoのエミッタとGND 
(アース)間にいわゆるバンドギャップ電圧Δ■B。(
常温でj6 fnNrnv )が生じ、式1 となる。R,はQ□のエミッタとGND間に入れられた
電流値を決定する抵抗である。
このような従来回路において、低電源電圧の限界は、Q
3 とQ、のベース・エミッタ電圧VB。
及びQ、の飽和電圧V。E(sat)により決められて
いる。このためIC化した場合、VB]!、=0.65
V。
voE(sat) −(klVとして約1.4 V d
;動作限界となっている。
また、従来回路では起動用の抵抗R2の値が小亡いと、
Q、、Q4のベース電流力玉多く流れ過ぎ、定常状1軒
て−レクタ電流に”B E 以上の電流がR1 高抵抗とならざるを得々がった。
これはIC化(では不適である。
〈発明の目的〉 本発明は、従来より低電源電圧まで動作可能として、寸
だ高抵抗を不要KLでIC化する場合有利な定電流源回
路を提供するものである、〈実施例〉 以下第2図および第3図に従って本発明の一実ものは同
じ符すを付している。
Q7は帰還経路においてQ5のベース・エミツク1iL
月三を打ちt肖すために入れられたトランジスタで、Q
、かPNP )ランジスタであればQ7KNPN )ラ
ンジスタが用いられる。QahQg。
Qla はQ7のベース電流を供給するための定電流源
を構成するトランジスタである。Rs 、 R4は、Q
7とQ8の動作電圧を確保する(Q7のエミッタホロワ
としての動作を確実に行なわしめる)だめの抵抗である
。このR3とR6を入れることによりその両端の電圧を
発生せしめて、Q7のベース・エミッタ電圧Vゎ とQ
8の飽和電圧VC0(sat)の和電圧を、Q3 とQ
、のベース電圧−電源電圧Vcc 間に発生させている
。
Q1〜Q4およびQ6は第゛1図と同様の従来周知の回
路部を構成するトランジスタ、R1は定電流値を決定す
る抵抗IR2はQ3とQ4のべ一冥電流を形成する抵抗
である。
捷ず、電源が入ると、R3−Q3のエミッタ・ベース接
合−R2、およびR4−Q、のエミッタ・ベース接合−
R3の2つの経路1c電流が流れ、Q3およびQ、のコ
レクタ電流が流れる。ここで、R3とR4の抵抗値は等
しく、寸たQ3とQ4の形状は同一とする。これによっ
てQ3とQ4 は同一のコレクタ電流を流すように働く
。
VBE Q3とQ4のコレクタ電流か□で計算さR。
れる電流より少ないときは、Qlのコレクタ電流かQ2
のコレクタ電流(言い換えればQ4のコレクタ電流、さ
ら(C言い換えればQ3のコレクタ電流)より多くなり
、Q5のベースをより低いレベルに引き下げる。すると
、当然Q5のエミッタも低レベルとなり、さらにQ7の
エミッタつまりQ3とQ、のベース電位も低レベルとな
り、Q3とQ4式l れる電流より多いときは、上述とは逆の動作が行なわれ
て、Q3とQ、1 のコレクタ電流を減少する。
このようにして従来とほぼ同様の定電流動作が行なわれ
る。
しかし本回路における動作限界は、Q5のベース・エミ
ッタ電圧vB]DをQ7のベース・エミッタ電圧■3.
で打ち消させているため、■Q2のベース・エミッタ電
圧Vl(+>とQ4の飽和電圧V CE (S a j
 )とR2の電圧降下、又は■Q3のベース・エミ・ン
タ電圧VBEとQlの飽和電圧VCE(sat)とR3
の電圧降下で決定される。一般にIC内のトランジスタ
の場合、PNP)ランジスタQ4の方が飽和電圧V。p
(sat)が大きいので、動作電圧の下限値としては大
きな1直となる■側の電圧値で決定される。
R4の電圧降下は、Qsのベース・エミッタ電圧とQ7
のベース・エミッタ電圧とが略等しいので、定電流源動
作に必要なQ8の飽和電圧V。0(sat)分でよく、
約0.2 Vの電圧降下を生じさせる。結局、本回路に
おける動作限界は、Q2のベース・エミッタ電圧VB0
−065v、Q、の飽和電圧’VcBB(Saj)==
o、2vとすると、1.、05 Vとなり、従来回路1
で比較して0.35 V動作限界が下がったことになる
。
第3図は本発明の回路例および従来回路の電源電圧対力
電流特性を示している。(a)は従来回路による特性、
(b)は本発明の回路による特性である。
この改良はバッテリーて動作させるICにおいては非常
に貴重なもので、例えば従来マンガン電池、、:21本
要していたものが1本で済むようになる。
ジ:;i’だ起動用の抵抗R2VC関しては、本発明の
回路ではQ?から電流が供給されるため、前述のような
抵抗値の下限が特になく、はるかに値いの小さい抵抗で
済捷せることかできる。
〈発明の効果〉 以上のように本発明ては、従来回路よりより低電源電圧
捷て動作可能とするとともに、起動用の高抵抗を必要と
しない、IC化する場合に有利な定電流源回路が提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す回路図、@2図は本発明の一実櫂
例を示す回路図、第3図は従来回路と本発明の回路例の
電の電圧対電流特性を示す図である。 Q5 ・Q7・・・帰還用のトランジスタ、 R2・・
・起動用の抵抗、 R3・R4・・エミソクフォロワ動
作確保用の抵抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、バンドギャップ電圧を利用した定電流源回路におい
    て、帰還経路に相互のベース・エミッタ電圧を打消すだ
    めの逆極性のトランジスタQ 51Q7を接続してなり
    、帰還経路の出力側トランジスタQ7に起動用の抵抗R
    2を接続するとともに、帰還信号が導入されるトランジ
    スタQsjQ4に前記出力側トランジスタQ7のエミッ
    タフォロワとしての動作を確実に行なわしめる抵抗R3
    、R4を接続したことを特徴とする定電流源回路。
JP58187246A 1983-10-06 1983-10-06 定電流源回路 Granted JPS6079810A (ja)

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JP58187246A JPS6079810A (ja) 1983-10-06 1983-10-06 定電流源回路

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JP58187246A JPS6079810A (ja) 1983-10-06 1983-10-06 定電流源回路

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JPS6079810A true JPS6079810A (ja) 1985-05-07
JPH0155766B2 JPH0155766B2 (ja) 1989-11-27

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