JPS6097707A - 定電流ドライブ回路 - Google Patents
定電流ドライブ回路Info
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- JPS6097707A JPS6097707A JP58206541A JP20654183A JPS6097707A JP S6097707 A JPS6097707 A JP S6097707A JP 58206541 A JP58206541 A JP 58206541A JP 20654183 A JP20654183 A JP 20654183A JP S6097707 A JPS6097707 A JP S6097707A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、定電流で負荷を駆動する定電流ドライブ回
路に関するものである。
路に関するものである。
従来この種の回路として第１図に示すものがあった。第
１図において、ＩＯは定電流源を、ＱｌからＱ５はＮＰ
Ｎ型トランジスタを、Ｒ１は抵抗を示す。電源端子Ｖｃ
ｃと接地端子ＧＮＤ間には電源が接続され、出力端子ｏ
ｕ ′ｒ ｐ ｕ ’ｒと電源端子ｖｃｃ間には負荷
が接続されている。
１図において、ＩＯは定電流源を、ＱｌからＱ５はＮＰ
Ｎ型トランジスタを、Ｒ１は抵抗を示す。電源端子Ｖｃ
ｃと接地端子ＧＮＤ間には電源が接続され、出力端子ｏ
ｕ ′ｒ ｐ ｕ ’ｒと電源端子ｖｃｃ間には負荷
が接続されている。
次に従来のものの動作について説明する。電源が投入さ
れ、定電流源ｉｏから１０なる電流がトランジスタＱ２
のベースに供給され、さらに抵抗Ｒ１とトランジスタＱ
ｌのヘ−スに流れ込み、さらにトランジスタＱ５のベー
スからエミッタを通り、トランジスタＱ３とＱ４のそれ
ぞれのベースを介して接地端子ＧＮＤに到達し、回路が
動作を開始する。すると、トランジスタＱ２とＱｌにょ
７て負帰還がかかり、結果としてトランジスタＱ２のコ
レクタ電流は次式で安定状態となる。
れ、定電流源ｉｏから１０なる電流がトランジスタＱ２
のベースに供給され、さらに抵抗Ｒ１とトランジスタＱ
ｌのヘ−スに流れ込み、さらにトランジスタＱ５のベー
スからエミッタを通り、トランジスタＱ３とＱ４のそれ
ぞれのベースを介して接地端子ＧＮＤに到達し、回路が
動作を開始する。すると、トランジスタＱ２とＱｌにょ
７て負帰還がかかり、結果としてトランジスタＱ２のコ
レクタ電流は次式で安定状態となる。
ここでＩｃ（Ｑ２）はトランジスタＱ２のコレクタ電流
を、ＶＢＥ（Ｑｌ）はトランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ間電圧を、Ｒ１は抵抗Ｒ１の抵抗値を示す。従って
トランジスタＱ３のコレクタ電ｍｌ ｃ （Ｑ３）は次
式で表わセる。
を、ＶＢＥ（Ｑｌ）はトランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ間電圧を、Ｒ１は抵抗Ｒ１の抵抗値を示す。従って
トランジスタＱ３のコレクタ電ｍｌ ｃ （Ｑ３）は次
式で表わセる。
Ｉ ｃ （Ｑ３） −１ｏ ４− Ｉ ｃ （Ｑ２）
−（２１ここでＩＯは定電流源の電流値を示す。つまり
、トランジスタＱ３とＱ４はそれぞれのベースとエミッ
タを相互に接続してカレントミラー回路を構成している
ので、出力電流１ｃ（Ｑ４）は次式で表わすことができ
る。
−（２１ここでＩＯは定電流源の電流値を示す。つまり
、トランジスタＱ３とＱ４はそれぞれのベースとエミッ
タを相互に接続してカレントミラー回路を構成している
ので、出力電流１ｃ（Ｑ４）は次式で表わすことができ
る。
Ｉ ｃ （Ｑ４） ＝ Ｉ ｃ （Ｑ３） ・・・（３
）即ちｆｔｌ （２＋ ＋３１式より となる。
）即ちｆｔｌ （２＋ ＋３１式より となる。
従来の定電流ドライブ回路は以上のように構成されてい
るので、ＩＯを温度に無関係に一定としても、ＶＢＥ（
Ｑｌ）が約−２ｍ Ｖ ／ ’Ｃの温度係数を持ち、さ
らにＲ１も集積回路化した場合、約＋２０００ｐｐｍ
／’ｃの温度係数を持つため、出力電流１ｃ（Ｑ４）を
温度に無関係に一定値に設定することができないという
欠点があった。
るので、ＩＯを温度に無関係に一定としても、ＶＢＥ（
Ｑｌ）が約−２ｍ Ｖ ／ ’Ｃの温度係数を持ち、さ
らにＲ１も集積回路化した場合、約＋２０００ｐｐｍ
／’ｃの温度係数を持つため、出力電流１ｃ（Ｑ４）を
温度に無関係に一定値に設定することができないという
欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、定電流源を、相対する２つの１−
ランジスタのヘ−ス・エミッタ間の電位差が抵抗の両ｙ
＋：＋に１４１加されるようにして作り出した絶９．’
ｌ ！ＩＩ！度に比例した電流を源とし−（構成された
絶対温度に比例したｔｈ流を発生ずる定電流源とし、さ
らにトランジスタのヘ−ス・エミッタ間電圧に依存した
電流を作り、上記２つの電流をカレントミラー回路のト
ランジスタ及びそのエミッタに接続した抵抗に流し、上
記相対する２つのトランジスタのヘ−ス・エミッタ間の
電位差の正の温度係数と上記トランジスタのヘ−ス・エ
ミッタ間電圧の負の温度係数を相互に打ち消すようにし
、かつ同時に上記定電流を作り出すときの抵抗の温度係
数及び上記ベース・エミッタ間電圧に依存する電流を作
るときの抵抗の温度係数を同時に打ち消すようにするこ
とにより、温度に無関係に出力電流を得ることのできる
、あるいはさらに所望の温度係数を持った電流を得るこ
とのできる定電流ドライブ回路を提供することを目的と
している。
めになされたもので、定電流源を、相対する２つの１−
ランジスタのヘ−ス・エミッタ間の電位差が抵抗の両ｙ
＋：＋に１４１加されるようにして作り出した絶９．’
ｌ ！ＩＩ！度に比例した電流を源とし−（構成された
絶対温度に比例したｔｈ流を発生ずる定電流源とし、さ
らにトランジスタのヘ−ス・エミッタ間電圧に依存した
電流を作り、上記２つの電流をカレントミラー回路のト
ランジスタ及びそのエミッタに接続した抵抗に流し、上
記相対する２つのトランジスタのヘ−ス・エミッタ間の
電位差の正の温度係数と上記トランジスタのヘ−ス・エ
ミッタ間電圧の負の温度係数を相互に打ち消すようにし
、かつ同時に上記定電流を作り出すときの抵抗の温度係
数及び上記ベース・エミッタ間電圧に依存する電流を作
るときの抵抗の温度係数を同時に打ち消すようにするこ
とにより、温度に無関係に出力電流を得ることのできる
、あるいはさらに所望の温度係数を持った電流を得るこ
とのできる定電流ドライブ回路を提供することを目的と
している。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において、ＩＴは相対する２つのトランジスタのベー
ス・エミッタ間の電位差が抵抗の両端に印加されるよう
にして作り出した絶対温度に比例した電流を源として構
成された絶対温度に比例した電流を発生ずる定電流源、
Ｑｌから０５はＮＰＮ型トランジスタ、Ｒ１とＲ２は上
記絶対温度に比例した電流を作り出す時に用いた抵抗と
その構造を同しにする第１．第２抵抗である。そして第
１トランジスタＱ１のコレクタと第２トランジスタＱ２
のヘ−スと前記定電流源ＩＴの一方の端子は互に接続し
て成り、第１トランジスタＱｌのベースと第２トランジ
スタＱ２のエミッタと第５トランジスタＱ５のベースと
第１抵抗Ｒ１の一方の端子は互に接続して成り、第１抵
抗Ｒ１の他端は第１トランジスタＱｌのエミッタと第３
トランジスタＱ３のコレクタと互に接続して成り、第５
トランジスタＱ５のエミッタは第３トランジスタＱ３の
ベースと第４トランジスタＱ４のへ一スと互に接続して
成り、第３トランジスタＱ３のエミッタは第２抵抗Ｒ２
の一方の端子に接続して成り、第２抵抗Ｒ２の他端は第
４トランジスタＱ４のエミッタと接地端子ＧＮＤに互に
接続して成り、第４トランジスクＱ４のコレクタは出力
端子ｏ ｕ ’ｒ ｐ ｕ ’ｒとされ、前記定電流源
ｌ′Ｆの他端は第２トランジスタＱ２のコレクタと第５
トランジスタＱ５のコレクタと互に接続して電源端子Ｖ
ｃｃとされている。また電源端子Ｖｃｃと接地端子ＧＮ
Ｄ間には電源が接続され、出力端子ＯＵ Ｔ Ｐ Ｕ
Ｔと電源端子Ｖｃｅ間には負荷が接続される。
図において、ＩＴは相対する２つのトランジスタのベー
ス・エミッタ間の電位差が抵抗の両端に印加されるよう
にして作り出した絶対温度に比例した電流を源として構
成された絶対温度に比例した電流を発生ずる定電流源、
Ｑｌから０５はＮＰＮ型トランジスタ、Ｒ１とＲ２は上
記絶対温度に比例した電流を作り出す時に用いた抵抗と
その構造を同しにする第１．第２抵抗である。そして第
１トランジスタＱ１のコレクタと第２トランジスタＱ２
のヘ−スと前記定電流源ＩＴの一方の端子は互に接続し
て成り、第１トランジスタＱｌのベースと第２トランジ
スタＱ２のエミッタと第５トランジスタＱ５のベースと
第１抵抗Ｒ１の一方の端子は互に接続して成り、第１抵
抗Ｒ１の他端は第１トランジスタＱｌのエミッタと第３
トランジスタＱ３のコレクタと互に接続して成り、第５
トランジスタＱ５のエミッタは第３トランジスタＱ３の
ベースと第４トランジスタＱ４のへ一スと互に接続して
成り、第３トランジスタＱ３のエミッタは第２抵抗Ｒ２
の一方の端子に接続して成り、第２抵抗Ｒ２の他端は第
４トランジスタＱ４のエミッタと接地端子ＧＮＤに互に
接続して成り、第４トランジスクＱ４のコレクタは出力
端子ｏ ｕ ’ｒ ｐ ｕ ’ｒとされ、前記定電流源
ｌ′Ｆの他端は第２トランジスタＱ２のコレクタと第５
トランジスタＱ５のコレクタと互に接続して電源端子Ｖ
ｃｃとされている。また電源端子Ｖｃｃと接地端子ＧＮ
Ｄ間には電源が接続され、出力端子ＯＵ Ｔ Ｐ Ｕ
Ｔと電源端子Ｖｃｅ間には負荷が接続される。
次に本発明の動作について第２図を用いて説明する。電
源が投入され、定電流源ＩＴからＩＴなる電流がトラン
ジスタＱ２のベースに供給され、さらにトランジスタＱ
５のベースからエミッタを通り、トランジスタＱ３とＱ
４のそれぞれのベースを介して接地端子ＧＮＤに到達し
、回路が動作を開始する。すると、トランジスタＱ２と
Ｑｌによって負帰還がかかり、結果としてトランジスタ
Ｑ２のコレクタ電流は次式で安定状態となる。
源が投入され、定電流源ＩＴからＩＴなる電流がトラン
ジスタＱ２のベースに供給され、さらにトランジスタＱ
５のベースからエミッタを通り、トランジスタＱ３とＱ
４のそれぞれのベースを介して接地端子ＧＮＤに到達し
、回路が動作を開始する。すると、トランジスタＱ２と
Ｑｌによって負帰還がかかり、結果としてトランジスタ
Ｑ２のコレクタ電流は次式で安定状態となる。
ここでＩｃ（Ｑ２）はトランジスタＱ２のコレクタ電流
を、ＶＢＥ（Ｑｌ）はトランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ間電圧を、Ｒ１は抵抗Ｒ１の抵抗値を示す。従って
トランジスタＱ３のコレクタ電流１ｃ（Ｑ３）は、次式
で表わせる。
を、ＶＢＥ（Ｑｌ）はトランジスタＱ１のベース・エミ
ッタ間電圧を、Ｒ１は抵抗Ｒ１の抵抗値を示す。従って
トランジスタＱ３のコレクタ電流１ｃ（Ｑ３）は、次式
で表わせる。
Ｉ ｃ （Ｑ３） ＝ Ｉ Ｔ＋ Ｉ ｃ （Ｑ２）
−（６１ここでＩＴは定電流源の電流値を示し、この定
電流源は相対する２つのトランジスタのベース・エミッ
タ間の電位差を抵抗の両端に印加させるようにして作り
出した絶対温度に比例した電流を源として構成された絶
対温度に比例した電流を発生する定電流源であるから、
次式でその電流値を表わすことができる。
−（６１ここでＩＴは定電流源の電流値を示し、この定
電流源は相対する２つのトランジスタのベース・エミッ
タ間の電位差を抵抗の両端に印加させるようにして作り
出した絶対温度に比例した電流を源として構成された絶
対温度に比例した電流を発生する定電流源であるから、
次式でその電流値を表わすことができる。
ここでΔＶＢＢは相対する２つのトランジスタのベース
・エミッタ間の電位差を、Ｒは抵抗Ｒ１及びＲ２と同一
構造の抵抗の抵抗値を示す。
・エミッタ間の電位差を、Ｒは抵抗Ｒ１及びＲ２と同一
構造の抵抗の抵抗値を示す。
従って（６）式は（５）式と（７）式より次式で表わす
ことができる。
ことができる。
次にこの電流１ｃ（Ｑ３）は、抵抗Ｒ２で電圧に変換さ
れ、その値は次式で表わすことができる。
れ、その値は次式で表わすことができる。
ここでＶＲ２は抵抗Ｒ２での電圧降下を、Ｒ２は抵抗Ｒ
２の抵抗値を示す。
２の抵抗値を示す。
次に（９）式を変形して
・Ｖ［ｌＨ（Ｑ ｌ ） −（Ｉω
・・・（１１）
ここでＶｇｏは絶対温度Ｔ＝Ｑ″Ｋにおける半導体材料
によって決まるエネルギー・バンド・ギャップの外挿電
圧を示し、ｑは電子の電荷を、ｋはポルツマン定数を、
Ｔは絶対温度を、Ｊｌ、！：Ｊ２は前記の相対する２つ
のトランジスタの電流密度を示している。
によって決まるエネルギー・バンド・ギャップの外挿電
圧を示し、ｑは電子の電荷を、ｋはポルツマン定数を、
Ｔは絶対温度を、Ｊｌ、！：Ｊ２は前記の相対する２つ
のトランジスタの電流密度を示している。
そこで（１１）式の温度係数をめるため、絶対温度Ｔで
微分すると 右辺＝０とすると、次の条件が導出できる。
微分すると 右辺＝０とすると、次の条件が導出できる。
すると、
Ｖｇ＝ＶＴ＋ＶＢＥ （Ｑｌ） −（１４）となり、半
導体材料にシリコンを選べばＶ ｇ ＝１゜２４（Ｖ）
なので、（１４）式からトランジスタＱ３のコレクタ電
流１ｃ（Ｑ３）を、ＶＴとＶＢＥ（Ｑｌ）の比にすれば
良いから次式が成立する。
導体材料にシリコンを選べばＶ ｇ ＝１゜２４（Ｖ）
なので、（１４）式からトランジスタＱ３のコレクタ電
流１ｃ（Ｑ３）を、ＶＴとＶＢＥ（Ｑｌ）の比にすれば
良いから次式が成立する。
・・・ （１５）
（Ｋは定数）
即ち
となる。
ここで１ｃ（Ｑ２）はトランジスタＱ２のコレ、クク電
流を、ｆｃ（Ｑｌ）はトランジスタＱｌのコレクタ電流
を示す。つまり次式のようにＩｃ（Ｑ２）とＩｃ（Ｑｌ
）を設定すれば、出力電流Ｉｃ（Ｑ４）は、温度に無関
係な一定の電流として取り出すことができる。
流を、ｆｃ（Ｑｌ）はトランジスタＱｌのコレクタ電流
を示す。つまり次式のようにＩｃ（Ｑ２）とＩｃ（Ｑｌ
）を設定すれば、出力電流Ｉｃ（Ｑ４）は、温度に無関
係な一定の電流として取り出すことができる。
Ｖｇ−ＶＢＵ （Ｑｌ） Ｉ ｃ （Ｑｌ）・・・（１
７） 要するに、第２図のＩＴは抵抗の温度係数を含んだ絶対
温度に比例する電流とし、この電流は、トランジスタＱ
２．Ｑｌの直流電流増幅率ｈＦＥが十分大きいと仮定す
ると、トランジスタＱ１のコレクタ電流として流れ、さ
らにトランジスタＱ３のコレクタ電流として流れて、Ｒ
２で電圧降下する。一方、トランジスタＱ１のベース・
エミッタ間電圧を抵抗Ｒ１で割った値として決定される
電流１ｃ（Ｑ２）は、トランジスタＱｌ、Ｑ５のｈＰＨ
が十分大きいと仮定すると、ＶＢＥ（Ｑｌ）の温度係数
（負の温度係数）を持ち、かつ抵抗Ｒ１の温度係数を含
んだ形でトランジスタＱ３のコレクタ電流として流れて
、Ｒ２で電圧降下する。つまり、Ｒ２でＩｃ（Ｑｌ）と
１ｃ（Ｑ２）の両型流が合成されて流れるようになって
おり、この２つの電流比を、前記（１７）式の比で設定
されるよう、各定数を決めることにより、Ｒ２での電圧
降下は温度に無関係な一定電圧となるので、トランジス
タＱ３とＱ４によって構成されたカレントミラー回路を
介して１ｃ（Ｑ４）が得られ、この値は温度に依存しな
い一定値とすることができるわけである。また、（１７
）式の関係を意識的にずらして、故意に正または負の温
度係数を持たせることも可能である。
７） 要するに、第２図のＩＴは抵抗の温度係数を含んだ絶対
温度に比例する電流とし、この電流は、トランジスタＱ
２．Ｑｌの直流電流増幅率ｈＦＥが十分大きいと仮定す
ると、トランジスタＱ１のコレクタ電流として流れ、さ
らにトランジスタＱ３のコレクタ電流として流れて、Ｒ
２で電圧降下する。一方、トランジスタＱ１のベース・
エミッタ間電圧を抵抗Ｒ１で割った値として決定される
電流１ｃ（Ｑ２）は、トランジスタＱｌ、Ｑ５のｈＰＨ
が十分大きいと仮定すると、ＶＢＥ（Ｑｌ）の温度係数
（負の温度係数）を持ち、かつ抵抗Ｒ１の温度係数を含
んだ形でトランジスタＱ３のコレクタ電流として流れて
、Ｒ２で電圧降下する。つまり、Ｒ２でＩｃ（Ｑｌ）と
１ｃ（Ｑ２）の両型流が合成されて流れるようになって
おり、この２つの電流比を、前記（１７）式の比で設定
されるよう、各定数を決めることにより、Ｒ２での電圧
降下は温度に無関係な一定電圧となるので、トランジス
タＱ３とＱ４によって構成されたカレントミラー回路を
介して１ｃ（Ｑ４）が得られ、この値は温度に依存しな
い一定値とすることができるわけである。また、（１７
）式の関係を意識的にずらして、故意に正または負の温
度係数を持たせることも可能である。
このように本実施例では、出力電流の温度への依存性を
コントロールできるばかりでなく、従来の定電流ドライ
ブ回路より、最低動作電源電圧をＩＶＢＥ分だり下げる
ことができる。
コントロールできるばかりでなく、従来の定電流ドライ
ブ回路より、最低動作電源電圧をＩＶＢＥ分だり下げる
ことができる。
なぜならば、従来の定電流ドライブ回路は第１図からも
わかるように、トランジスタＱ２．Ｑｌ。
わかるように、トランジスタＱ２．Ｑｌ。
Ｑ５．Ｑ４のそれぞれのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ
が直列に接続された回路構成となっているため、４倍の
ＶＢＥ以上の電源電圧が基本的に必要であったのに対し
、この実施例による定電流ドライブ回路では、第２図か
らもわかるように、トランジスタＱ２．Ｑ５．Ｑ４のそ
れぞれのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥが直列に接続さ
れた回路構成となっているため、３倍のＶＢＥ以上の電
源電圧で動作させることができ、１倍のＶＢＥ分だけ少
ない電源電圧での動作が可能となるからでる。
が直列に接続された回路構成となっているため、４倍の
ＶＢＥ以上の電源電圧が基本的に必要であったのに対し
、この実施例による定電流ドライブ回路では、第２図か
らもわかるように、トランジスタＱ２．Ｑ５．Ｑ４のそ
れぞれのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥが直列に接続さ
れた回路構成となっているため、３倍のＶＢＥ以上の電
源電圧で動作させることができ、１倍のＶＢＥ分だけ少
ない電源電圧での動作が可能となるからでる。
なお、前記実施例に本定電流ドライブ回路を“ＯＮ”、
”ＯＦＦ”するための制御入力を付加した本発明の他の
実施例を第３図に示した。ここでＣ０ＮＴは制御入力端
子、Ｒ３はカレントミラー回路の安定化動作のために挿
入したインピーダンス低下用の抵抗である。
”ＯＦＦ”するための制御入力を付加した本発明の他の
実施例を第３図に示した。ここでＣ０ＮＴは制御入力端
子、Ｒ３はカレントミラー回路の安定化動作のために挿
入したインピーダンス低下用の抵抗である。
以上のように、この発明によれば、定電流源を、相対す
る２つのトランジスタのベース・エミッタ間の電位差が
抵抗の両端に印加されるようにして作り出した絶対温度
に比例した電流を源として構成された絶対温度に比例し
た電流を発生する定電流源とし、さらにトランジスタの
ベース・エミッタ間電圧に依存した電流を作り、上記２
つの電流をカレントミラー回路のトランジスタ及びその
エミッタに接続した抵抗に流し、上記相対する２つのト
ランジスタのベース・エミッタ間の電位差の正の温度係
数と上記トランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の
温度係数を相互に打ち消すようにし、かつ同時に上記定
電流を作り出すときの抵抗の温度係数及び上記ベース・
エミッタ間電圧に依存する電流を作るときの抵抗の温度
係数を同時に打ち消すようにすることにより、出力電流
の温度への依存性をコントロールできるばかりでなく、
従来の定電流ドライブ回路より、最低動作電源電圧を１
ｖｕｔｔ分だけ下げることができる効果がある。
る２つのトランジスタのベース・エミッタ間の電位差が
抵抗の両端に印加されるようにして作り出した絶対温度
に比例した電流を源として構成された絶対温度に比例し
た電流を発生する定電流源とし、さらにトランジスタの
ベース・エミッタ間電圧に依存した電流を作り、上記２
つの電流をカレントミラー回路のトランジスタ及びその
エミッタに接続した抵抗に流し、上記相対する２つのト
ランジスタのベース・エミッタ間の電位差の正の温度係
数と上記トランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の
温度係数を相互に打ち消すようにし、かつ同時に上記定
電流を作り出すときの抵抗の温度係数及び上記ベース・
エミッタ間電圧に依存する電流を作るときの抵抗の温度
係数を同時に打ち消すようにすることにより、出力電流
の温度への依存性をコントロールできるばかりでなく、
従来の定電流ドライブ回路より、最低動作電源電圧を１
ｖｕｔｔ分だけ下げることができる効果がある。
第１図は従来の定電流ドライブ回路を示す回路図、第２
図はこの発明の一実施例による定電流ドライブ回路を示
す回路図、第３図はこの発明の他の実施例による定電流
ドライブ回路を示す回路図である。 ＩＴ・・・定電流源、０１〜Ｑ５・・・第１ないし第５
のトランジスタ、Ｒ１，Ｒ２・・・第１．第２の抵抗、
Ｖｃｃ・・・電源端子、ＧＮＤ・・・接地端子、０ＵＴ
ＰＵ１゛・・・出力端子。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 人岩増雄 第１図 第２図 第３図
図はこの発明の一実施例による定電流ドライブ回路を示
す回路図、第３図はこの発明の他の実施例による定電流
ドライブ回路を示す回路図である。 ＩＴ・・・定電流源、０１〜Ｑ５・・・第１ないし第５
のトランジスタ、Ｒ１，Ｒ２・・・第１．第２の抵抗、
Ｖｃｃ・・・電源端子、ＧＮＤ・・・接地端子、０ＵＴ
ＰＵ１゛・・・出力端子。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 人岩増雄 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- ＋１１ 相対する２つのトランジスタのベース・エミッ
タ間の電位差が抵抗の両端に印加されるようにして作り
出した絶対温度に比例した電流を源として構成された絶
対温度に比例した電流を発生する定電流源と、第１ない
し第５の導電型を同一にするトランジスタと、前記抵抗
と同一構造を有する第１と第２の抵抗とによって構成さ
れ、第１トランジスタのコレクタと第２トランジスタの
ベースと前記定電流源の一方の端子は互に接続して成り
、第１トランジスタのベースと第２トランジスタのエミ
ッタと第５トランジスタのベースと第１抵抗の一方の端
子は互に接続して成り、第１抵抗の他端は第１トランジ
スタのエミッタと第３トランジスタのコレクタと互に接
続して成り、第５トランジスタのエミッタは第３トラン
ジスタのベースと第４トランジスタのベースと互に接続
し′ζ成り、第３トランジスタのエミッタは第２抵抗の
一方の端子に接続して成り、第２抵抗の他端は第４トラ
ンジスタのエミッタと接地端子に互に接続して成り、第
４トランジスタのコレクタは出力端子とされ、前記定電
流源の他端は第２トランジスタのコレクタと第５トラン
ジスタのコレクタと互に接続して電源端子とされている
。前記電源端子と前記接地端子の間に電源を接続し、前
記出力端子と前記電源端子との間に負荷を接続するか、
前記出力端子と別電源との間に負荷を接続して、負荷に
流れる電流を所望の温度特性を持つ電流値に設定したこ
とを特徴とする定電流ドライブ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206541A JPS6097707A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 定電流ドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206541A JPS6097707A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 定電流ドライブ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097707A true JPS6097707A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0153930B2 JPH0153930B2 (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=16525081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206541A Granted JPS6097707A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 定電流ドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236403A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-10-03 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 電流源回路 |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58206541A patent/JPS6097707A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236403A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-10-03 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 電流源回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153930B2 (ja) | 1989-11-16 |
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