JPS6080223A - 光露光装置 - Google Patents
光露光装置Info
- Publication number
- JPS6080223A JPS6080223A JP58187025A JP18702583A JPS6080223A JP S6080223 A JPS6080223 A JP S6080223A JP 58187025 A JP58187025 A JP 58187025A JP 18702583 A JP18702583 A JP 18702583A JP S6080223 A JPS6080223 A JP S6080223A
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- JP
- Japan
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- light
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光露光装置、特に原画パターンを投影レンズを
介して被露光体に投影し、かつ被露光体に形成されてい
る位置合せ用マークを投影レンズを介して検出するタイ
プの光慮光装置に関する。
介して被露光体に投影し、かつ被露光体に形成されてい
る位置合せ用マークを投影レンズを介して検出するタイ
プの光慮光装置に関する。
原画パターンを投影レンズを介して被露光体に投影して
転写する光露光装置においては、複数個の原画パターン
を被露光体に順次投影して転写するという重ね合せ露光
がひんばんに行われる。このよう身重ね合せ露光におい
てはその重ね合せ精度は厳格であることから、各原画パ
ターン間の位置ずれを補正することが必須である。
転写する光露光装置においては、複数個の原画パターン
を被露光体に順次投影して転写するという重ね合せ露光
がひんばんに行われる。このよう身重ね合せ露光におい
てはその重ね合せ精度は厳格であることから、各原画パ
ターン間の位置ずれを補正することが必須である。
この位置補正のためには被露光体に位置合せ用のマーク
を形成し、このマークを投影レンズを介して検出する技
術が多く用いられる。この技術においては、マークは電
気信号波形として検出され、したがってマークの位置は
その電気信号波形から決定される。
を形成し、このマークを投影レンズを介して検出する技
術が多く用いられる。この技術においては、マークは電
気信号波形として検出され、したがってマークの位置は
その電気信号波形から決定される。
しかし、本発明者の実験研究によれば、実際に検出され
る電気信号波形はマークの真の電気信号波形から大きく
ずれ、このためマークの正確な位置を決定することが極
めて困難であることがわかった。本発明者はその原因を
更に究明した結果、露光の解像力を向上させるべく投影
レンズとしては単色光専用レンズを用いられ、したがっ
てまたそのレンズに適する単色光がマーク検出用の光と
して用いられることから、この単色光が被露光体表面に
形成されている光の波長程度の薄いレジスト膜の厚さ分
布により干渉を起し、これがマークの電気信号波形を大
きく乱していることがわかった。
る電気信号波形はマークの真の電気信号波形から大きく
ずれ、このためマークの正確な位置を決定することが極
めて困難であることがわかった。本発明者はその原因を
更に究明した結果、露光の解像力を向上させるべく投影
レンズとしては単色光専用レンズを用いられ、したがっ
てまたそのレンズに適する単色光がマーク検出用の光と
して用いられることから、この単色光が被露光体表面に
形成されている光の波長程度の薄いレジスト膜の厚さ分
布により干渉を起し、これがマークの電気信号波形を大
きく乱していることがわかった。
したがって本発明の目的は光の干渉にもとづく位置検出
用マークの正確な位置決定の困難さを解決することがで
きる光露光装置を提供することにある。
用マークの正確な位置決定の困難さを解決することがで
きる光露光装置を提供することにある。
本発明にもとづく光露光装置によれば、原画パターンは
投影レンズを介して被露光体に投影されると共に、被露
光体に形成されている位置合せ用マークは投影レンズを
介して検出される。また、位置検出用マークの、級数波
長におけるベストフォーカス像信号が発生され、そして
これらのベストフォーカス像信号にもとづいて位置合せ
用マークの位置が決定される。
投影レンズを介して被露光体に投影されると共に、被露
光体に形成されている位置合せ用マークは投影レンズを
介して検出される。また、位置検出用マークの、級数波
長におけるベストフォーカス像信号が発生され、そして
これらのベストフォーカス像信号にもとづいて位置合せ
用マークの位置が決定される。
第１図は本発明を実施するのに適した光露光装置の概念
図である。同図において、１は被露光体であるウェハ２
が載置され、ＸＹ方向にステップアンドリピートされる
ステージで、駆動モータ３および４によってＸＹ方向に
駆動キれ、レーザ測長系５によって位置制御されるよう
になっており、０．０５μｍ程度の位置決め精度をもっ
ている。６は霧光照明系、７はコンデンサレンズ、８は
投影レンズとしての縮小レンズで、９は原版載置台１０
に設置され、かつ原画パターンが形成されている原版（
レチクル）である。１１および１２はパターン検出系で
あり、ｌｌａ、１２ａは検出系照明系、ｌｌｂ、１２ｂ
はパターン検出器、１１Ｃ１１２Ｃはハーフミラ−１ｌ
ｉｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ、１２ｅはコリメー〉で
ある。
図である。同図において、１は被露光体であるウェハ２
が載置され、ＸＹ方向にステップアンドリピートされる
ステージで、駆動モータ３および４によってＸＹ方向に
駆動キれ、レーザ測長系５によって位置制御されるよう
になっており、０．０５μｍ程度の位置決め精度をもっ
ている。６は霧光照明系、７はコンデンサレンズ、８は
投影レンズとしての縮小レンズで、９は原版載置台１０
に設置され、かつ原画パターンが形成されている原版（
レチクル）である。１１および１２はパターン検出系で
あり、ｌｌａ、１２ａは検出系照明系、ｌｌｂ、１２ｂ
はパターン検出器、１１Ｃ１１２Ｃはハーフミラ−１ｌ
ｉｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ、１２ｅはコリメー〉で
ある。
投影露光を行なうに当っては、ｘＹステージ１上にウェ
ハ２が載置され、原版載置台１０に最初のレチクル９が
設置される。この状態で露光照明系６により発生し、コ
ンデンサレンズ７を通シ集光された光が、レチクル９を
通り、縮小レンズ８を経て、ステージ１のウェハ２上に
レチクル９のパターンが投影され、転写される。
ハ２が載置され、原版載置台１０に最初のレチクル９が
設置される。この状態で露光照明系６により発生し、コ
ンデンサレンズ７を通シ集光された光が、レチクル９を
通り、縮小レンズ８を経て、ステージ１のウェハ２上に
レチクル９のパターンが投影され、転写される。
このようにして、ウェハ２上にレチクル９のパターンが
転写された後、この上に異なるレチクル９のパターンの
転写が行なわれるが、このウェハ２上に転写されている
レチクル９のパターン上に次段のレチクル９のパターン
を精度良く重ね合せて転写可能にするために、検出系照
明系１１および１２よシの光をそれぞれハーフミラ−１
１Ｃ１１２Ｃ１ミラーｌｉｄ、１２ｄを介してレチクル
９に設けられた基準窓穴から縮小レンズ８を通してウェ
ハ２に照射し、ウニノ・２上の位置検出用マークとして
の検出パターン１３Ｘ、１３Ｙの像をレチクル９上に結
像させ、この像を拡大したものをそれぞれミラーｌｉｄ
、１２ｄ、ハーフミラ−１１ｃ、１２Ｃを介してパター
ン検出器１１ｂ。
転写された後、この上に異なるレチクル９のパターンの
転写が行なわれるが、このウェハ２上に転写されている
レチクル９のパターン上に次段のレチクル９のパターン
を精度良く重ね合せて転写可能にするために、検出系照
明系１１および１２よシの光をそれぞれハーフミラ−１
１Ｃ１１２Ｃ１ミラーｌｉｄ、１２ｄを介してレチクル
９に設けられた基準窓穴から縮小レンズ８を通してウェ
ハ２に照射し、ウニノ・２上の位置検出用マークとして
の検出パターン１３Ｘ、１３Ｙの像をレチクル９上に結
像させ、この像を拡大したものをそれぞれミラーｌｉｄ
、１２ｄ、ハーフミラ−１１ｃ、１２Ｃを介してパター
ン検出器１１ｂ。
１２ｂに導き、パターン検出器１１ｂ、１２ｂによって
、ウェハ検出パターンの位置のＸ、Ｙ座標をめ、これを
ウェハ２上の２つのチップの測定端、ζ 内イ１、リ
Ｌ ｌ／ ４−ｈｎ、Ｑ Ｉｎ ｋシｒＷｊｌハｄ 奢
す圏ｊｉ：６知り、この相対誤差をＸＹステージ１を制
御して補正する。
、ウェハ検出パターンの位置のＸ、Ｙ座標をめ、これを
ウェハ２上の２つのチップの測定端、ζ 内イ１、リ
Ｌ ｌ／ ４−ｈｎ、Ｑ Ｉｎ ｋシｒＷｊｌハｄ 奢
す圏ｊｉ：６知り、この相対誤差をＸＹステージ１を制
御して補正する。
第２図は本発明の光露光装置の要部の一実施例の概念図
を示す。ステージ１は±６００μｍの範囲内上下が可能
であシ、この範囲内で±０．２μｍの位置決め精度を持
っている。縮小レンズ８はｇ線光（４３５８人）Ｉｈ光
光用用レンズあり、ｅ線についてはｇ線のベストフォー
カス位置より１３０μｍ下位置にベストフォーカス面を
持つレンズである。つまシ通常では、ｇ線ベストフォー
カスのステージ位置において、ウェハ２の検出パターン
１３の像はレチクル９の下面側（クロムパターン側）に
結像する。またｇ線ベストフォーカスのステーオレベル
より下位置１３０μｍにおいては、ｅ線の像がレチクル
９下面側に結像する。パターン検出器１９は、レチクル
１８に結像した検出パターン１３の像を光学系により導
きスリット２１上に再結像させ、この像をスリットにて
スキャンし、スリットの位置に応じた光強度をホトマル
チプライヤ２３にて光電変換する機能を持っている。
を示す。ステージ１は±６００μｍの範囲内上下が可能
であシ、この範囲内で±０．２μｍの位置決め精度を持
っている。縮小レンズ８はｇ線光（４３５８人）Ｉｈ光
光用用レンズあり、ｅ線についてはｇ線のベストフォー
カス位置より１３０μｍ下位置にベストフォーカス面を
持つレンズである。つまシ通常では、ｇ線ベストフォー
カスのステージ位置において、ウェハ２の検出パターン
１３の像はレチクル９の下面側（クロムパターン側）に
結像する。またｇ線ベストフォーカスのステーオレベル
より下位置１３０μｍにおいては、ｅ線の像がレチクル
９下面側に結像する。パターン検出器１９は、レチクル
１８に結像した検出パターン１３の像を光学系により導
きスリット２１上に再結像させ、この像をスリットにて
スキャンし、スリットの位置に応じた光強度をホトマル
チプライヤ２３にて光電変換する機能を持っている。
スリット２１の位置計測はリニアエンコーダ２２によシ
行なわれる。また、灯照明系２９はｇ線、ｅ線、ｄ線が
混在した光を放出するので、検出光２０中のｇ線光の像
を検出するときには、他の波長光によるゴースト像を除
去するため、ｇ線バンドパスフィルタ２４を光路中に挿
入する機能が付加されている。ｅ ａ光の像の検出をす
るときは、同じようにｅ線バンドパスフィルタ２５が光
路中に挿入される機能がついている。
行なわれる。また、灯照明系２９はｇ線、ｅ線、ｄ線が
混在した光を放出するので、検出光２０中のｇ線光の像
を検出するときには、他の波長光によるゴースト像を除
去するため、ｇ線バンドパスフィルタ２４を光路中に挿
入する機能が付加されている。ｅ ａ光の像の検出をす
るときは、同じようにｅ線バンドパスフィルタ２５が光
路中に挿入される機能がついている。
このフィルタ挿入機能ｄ１制御用計算機２８よシフィル
タ選択モータ２８に命令にあたえることで行なわれる。
タ選択モータ２８に命令にあたえることで行なわれる。
このフィルタリング機能は、水銀灯照明系２９とオグチ
カルファイバ３０よシなる検出光供給光学系中に付加し
ても同等の効果を得ることができる。またステージ１の
上下動の制御も、制御用針ｎ機２８よりステージ駆動モ
ータ５１に命令をあたえることにより行なわれる。Ｚス
テージ１の上下動の位置計測は、位置計測器５２で行な
われる。ホトマルチプラーす４→イヤ２３によシ得られ
た電気出力は、Ａ／Ｄ変換器２７によりＡ／Ｄ変換され
制御用計算器に入力される。
カルファイバ３０よシなる検出光供給光学系中に付加し
ても同等の効果を得ることができる。またステージ１の
上下動の制御も、制御用針ｎ機２８よりステージ駆動モ
ータ５１に命令をあたえることにより行なわれる。Ｚス
テージ１の上下動の位置計測は、位置計測器５２で行な
われる。ホトマルチプラーす４→イヤ２３によシ得られ
た電気出力は、Ａ／Ｄ変換器２７によりＡ／Ｄ変換され
制御用計算器に入力される。
ここで、ステージ１をｇｌＡベストフォーカス位置にし
てパターン検出すると、第３図に示す波形データが得ら
れる。これは、ウェーハ２上のパターン段差上をブレー
ンサイズの大きな（約１μｍ）アルミニウム蒸着膜でお
おい、パターン近くニハ、段差の大きなロコス（ＬＯＧ
Ｏ８）があり、レジストの平均膜厚は１４０００ 人、
膜厚分布は約±１０００人と大きな場合のデータである
。
てパターン検出すると、第３図に示す波形データが得ら
れる。これは、ウェーハ２上のパターン段差上をブレー
ンサイズの大きな（約１μｍ）アルミニウム蒸着膜でお
おい、パターン近くニハ、段差の大きなロコス（ＬＯＧ
Ｏ８）があり、レジストの平均膜厚は１４０００ 人、
膜厚分布は約±１０００人と大きな場合のデータである
。
同様に第４図にステージ位置をｅ線ベストフォーカス位
置において検出した波形データを示す。
置において検出した波形データを示す。
各々のデータをＸ、（Ｊ）、 Ｘ、 （１）とし、バイ
パス処理したものをＸ ｔ ｈ （Ｉ） 、Ｙ −ｈ（
Ｉ） とする。バイパス処理とは波形の傾きや大きなう
ねりを除去するための波形整形処理で以下に示すもので
ある。
パス処理したものをＸ ｔ ｈ （Ｉ） 、Ｙ −ｈ（
Ｉ） とする。バイパス処理とは波形の傾きや大きなう
ねりを除去するための波形整形処理で以下に示すもので
ある。
Ｘｔ ｈ （Ｉ） ＝Ｘｒ−（Ｉ） Ｘｔ ｂただし
また、
Ｘ、ｂ（Ｉ） ＝ Ｘ−−（Ｉ） Ｘ−ｂ（Ｉ）ただし
このようＫして得られたバイパス処理波形Ｘｇｈ（１）
。
。
Ｘａｈα）により
なるデータを得ることができる。■は波形の横軸であり
本例においては第２図に示すリニアエンコーダ２２によ
シ測定されるスリット２１の位置である。本例の場合の
■の最小分解能は０．０４μｍである。
本例においては第２図に示すリニアエンコーダ２２によ
シ測定されるスリット２１の位置である。本例の場合の
■の最小分解能は０．０４μｍである。
このような処理の後、検出パターンが可変基準レベルＭ
Ｌと一致する各点をＩｌ〜Ｉ４とすると、／２という計
算式でめられる。
Ｌと一致する各点をＩｌ〜Ｉ４とすると、／２という計
算式でめられる。
以上のことをフロー形式で示すと第５図のようになる。
このようＫして得られる２つの波長データの平均値の結
果は、１つの単色光データに比べ膜厚依存性が小さい。
果は、１つの単色光データに比べ膜厚依存性が小さい。
その理由を以下に説明する。
ウェハ上のホトレジストのような光の波長程度の薄い透
明膜は光学的薄膜と呼ばれており、第６図に示すように
、透明膜表面またはウェハ基板からの反射光および透明
膜中での繰り返し反射による反射光が互いに干渉する。
明膜は光学的薄膜と呼ばれており、第６図に示すように
、透明膜表面またはウェハ基板からの反射光および透明
膜中での繰り返し反射による反射光が互いに干渉する。
このときの反射光強度Ｅは次式で示される。
ただし
１：入射光強度
ｎ：ホトレジストの屈折率
ｎヨ：基盤の屈折率
λ：波長
ｔ：ホトレジスト厚さ
シリコンウニノ１上にホトレジストＡＺ１３５０Ｊを塗
布したとし、空気の屈折率をｎ。−１、基板の屈折率を
”ｇ”４．８６とし、縦軸はホトレジストのないときの
ミラーウニノ１の反射強度Ｅｏ ＝ （（ｎｏ ｎ、
）／ （ｎｏ 十〇ｇ １１２ に対する相対強度で示
し、横軸をホトレジスト膜厚ｔとすると、ｇ線の相対反
射強度は第７図に示すごとく周期関数となり、１つの単
色光をウニノ・）（ターンの検出に使用した例として、
パターン周辺のレジスト膜厚分布に検出波形が影響を受
けやすいことがわかる。第８図にｅ線の相対反射強度と
ホトレジスト膜厚ｔの関係を示す。ｅ線による検出もｇ
線の検出と同様のことがいえることがわかる。
布したとし、空気の屈折率をｎ。−１、基板の屈折率を
”ｇ”４．８６とし、縦軸はホトレジストのないときの
ミラーウニノ１の反射強度Ｅｏ ＝ （（ｎｏ ｎ、
）／ （ｎｏ 十〇ｇ １１２ に対する相対強度で示
し、横軸をホトレジスト膜厚ｔとすると、ｇ線の相対反
射強度は第７図に示すごとく周期関数となり、１つの単
色光をウニノ・）（ターンの検出に使用した例として、
パターン周辺のレジスト膜厚分布に検出波形が影響を受
けやすいことがわかる。第８図にｅ線の相対反射強度と
ホトレジスト膜厚ｔの関係を示す。ｅ線による検出もｇ
線の検出と同様のことがいえることがわかる。
第７，８図中のＥｇｏ（ｔ）とＥ −ｏ （ｔ）の平均
値つまり反射強度は、特定膜厚を除き膜厚依存性が小さ
くこのように２つの波長による検出データの平均値をと
ったデータをパターン認識することにより膜厚分布によ
る干渉の影響を小さくすることができる。
値つまり反射強度は、特定膜厚を除き膜厚依存性が小さ
くこのように２つの波長による検出データの平均値をと
ったデータをパターン認識することにより膜厚分布によ
る干渉の影響を小さくすることができる。
第１０図は本発明の光露光装置のもう一つの要部の実施
例を示す。第１０図において、ウェハ２に形成された位
置合せ用マークとしての検出パターン１３Ｘと１３Ｙを
縮小レンズ８とレチクル５上に形成されたレチクルの基
準窓穴全通してパターン検出ｇ％３１．３２により各々
検出する。パタれた検出パターン１３Ｘの像はスリット
３４上に結像し、番線により得られる像はスリット３５
上に結像する。スリン）３４．３５にて結像した像をス
リットにてリニアエンコーダ３６．３７．により位置を
測定しながらスキャンしホトマルチプライヤ３８．３９
にて光強度を測定する。このようにｇ線、Ｇ線により検
出された２つのデータは、果が得られるが、本実施例に
よれば更に同時に異なる波長の像を検出できるので処理
スピードが速いという利点がある。
例を示す。第１０図において、ウェハ２に形成された位
置合せ用マークとしての検出パターン１３Ｘと１３Ｙを
縮小レンズ８とレチクル５上に形成されたレチクルの基
準窓穴全通してパターン検出ｇ％３１．３２により各々
検出する。パタれた検出パターン１３Ｘの像はスリット
３４上に結像し、番線により得られる像はスリット３５
上に結像する。スリン）３４．３５にて結像した像をス
リットにてリニアエンコーダ３６．３７．により位置を
測定しながらスキャンしホトマルチプライヤ３８．３９
にて光強度を測定する。このようにｇ線、Ｇ線により検
出された２つのデータは、果が得られるが、本実施例に
よれば更に同時に異なる波長の像を検出できるので処理
スピードが速いという利点がある。
第１０図に示した実施例では検出光学系中または検出光
供給光学系中に検出光の波長を制限するフィルタを挿入
する機構は示していないが、このようにフィルタを用い
なくとも２ｍ検出ではｅ線による像が、０ｍ検出ではｇ
線による像が光路長差によりデフォーカスしてしまうの
で検出波形の若干のコントラスト低下ですみ、特に実用
上問題とならないことが実験で確認されている。
供給光学系中に検出光の波長を制限するフィルタを挿入
する機構は示していないが、このようにフィルタを用い
なくとも２ｍ検出ではｅ線による像が、０ｍ検出ではｇ
線による像が光路長差によりデフォーカスしてしまうの
で検出波形の若干のコントラスト低下ですみ、特に実用
上問題とならないことが実験で確認されている。
本発明は、２つもしくはそれ以上の波長の光による検出
データの加算もしくは平均化を施したデータをパターン
認識に用いるということであり、使用する波長やその数
を限定するものではない。
データの加算もしくは平均化を施したデータをパターン
認識に用いるということであり、使用する波長やその数
を限定するものではない。
また、本発明者の実験ではｉ線、ｈ線１ｇ線、ｅ線、ｄ
線等において自由に組み合せた場合においての同様の効
果も確認されている。
線等において自由に組み合せた場合においての同様の効
果も確認されている。
更に、かならずしも、縮小レンズは、単色光専用レンズ
でなくてもよく、使用されるデータもたとえばｇ −ｈ
色消しレンズの場合であればｇ線とｈ線混在検出光によ
る検出データとｅ線波長光による検出データの組合せで
も可能である。
でなくてもよく、使用されるデータもたとえばｇ −ｈ
色消しレンズの場合であればｇ線とｈ線混在検出光によ
る検出データとｅ線波長光による検出データの組合せで
も可能である。
以上説明したように、本発明によれば、光の干渉にもと
づく位置検出用マークの正確な位置決定の困短さを解決
することができる光露光装置が提供される。
づく位置検出用マークの正確な位置決定の困短さを解決
することができる光露光装置が提供される。
第１図は本発明を実１＋ｉｉするのに適した光露光装置
の一実施例の概念図、第２図は本発明にもとづく光露光
装置の要部の一実施例の概念図、第３図はｇ線光による
検出パターンの波形図、第４図はｅ線光による検出パタ
ーンの波形図、第５図は本発明の実施例の検出パターン
の波形処理フローを示す図、第６図は光の干渉を説明す
るための説明図、第７図はｇ線光による干渉効果を示す
図、第８図はｅ線光による干渉効果を示す図、第９図は
平均化による干渉効果軽減を示す図、第１０図は本発明
にもとづく光ｇＷ光装置の要部のもう一つの実施例の概
念図である。 ２・・・ｐＨｔ ）Ｋ光体であるウニノ・、８・・・投
影レンズとしての縮小レンズ、９・・・レチクル、１９
，３１゜τ１図 Ｊｆｒ２図 ８ ７３図 ￥ｉｐ辺 ｙＳ図 ′ＴＩｔｒ乙口 ”！； ７ Ｉ２Ｉ
の一実施例の概念図、第２図は本発明にもとづく光露光
装置の要部の一実施例の概念図、第３図はｇ線光による
検出パターンの波形図、第４図はｅ線光による検出パタ
ーンの波形図、第５図は本発明の実施例の検出パターン
の波形処理フローを示す図、第６図は光の干渉を説明す
るための説明図、第７図はｇ線光による干渉効果を示す
図、第８図はｅ線光による干渉効果を示す図、第９図は
平均化による干渉効果軽減を示す図、第１０図は本発明
にもとづく光ｇＷ光装置の要部のもう一つの実施例の概
念図である。 ２・・・ｐＨｔ ）Ｋ光体であるウニノ・、８・・・投
影レンズとしての縮小レンズ、９・・・レチクル、１９
，３１゜τ１図 Ｊｆｒ２図 ８ ７３図 ￥ｉｐ辺 ｙＳ図 ′ＴＩｔｒ乙口 ”！； ７ Ｉ２Ｉ
Claims (1)
- １、原画パターンを投影レンズを介して被露光体に投影
するように構成されていると共に、前記被露光体に形成
されている位置合せ用マークを前記投影レンズを介して
検出するように構成されている光露光装置であって、前
記マークの、複数の波長におけるベストフォーカス像信
号を発生するように構成され、かつこれらのベストフォ
ーカス像信号にもとづいて前記マークの位置を決定する
ように構成されていることを特徴とする光露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187025A JPH0732109B2 (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光露光方法 |
| PCT/JP1984/000467 WO1985001834A1 (fr) | 1983-10-07 | 1984-10-03 | Appareil optique d'exposition |
| US06/741,800 US4690529A (en) | 1983-10-07 | 1984-10-03 | Optical exposer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187025A JPH0732109B2 (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7002385A Division JP2699902B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 光露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080223A true JPS6080223A (ja) | 1985-05-08 |
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Family
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