JPS62208630A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS62208630A JPS62208630A JP61050504A JP5050486A JPS62208630A JP S62208630 A JPS62208630 A JP S62208630A JP 61050504 A JP61050504 A JP 61050504A JP 5050486 A JP5050486 A JP 5050486A JP S62208630 A JPS62208630 A JP S62208630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- light
- alignment
- exposure apparatus
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は、原版例えばレチクル上の回路パターンを被露
光体例えばウニハートに位置合せ露光する露光装置に関
し、特にアライメン１へ用走査光を多波長化してアラク
メン１ヘエラーを減少させた露光装置に関する。
光体例えばウニハートに位置合せ露光する露光装置に関
し、特にアライメン１へ用走査光を多波長化してアラク
メン１ヘエラーを減少させた露光装置に関する。
「従来の技１（・ｉ ］
昨今、ステッパが登場してから、レチクルとウェハを高
精度に位置合せを行なうことか可能となった。その中で
も１−ＴＬ方式は、各ショツ１〜毎に直接レチクルとウ
ェハのアライメン１へ状態を投影レンズを介して観測す
る方式なので、高精度にアライメントを行なうことが可
能である。
精度に位置合せを行なうことか可能となった。その中で
も１−ＴＬ方式は、各ショツ１〜毎に直接レチクルとウ
ェハのアライメン１へ状態を投影レンズを介して観測す
る方式なので、高精度にアライメントを行なうことが可
能である。
従来のＴＴＬ方式のフライメン１〜システ１１では特開
昭５８−２５６３８号としてすでに本出願人により出願
されている」：うに露光波長であるｑ線（４３６ｎｍ
）に対して補正された投影光学系に対し、ｑ線に近接し
た波長４４１，６ｎｍのｌ−１ｅ−Ｃｄレーザを用イＴ
−レチクルとウェハ上での収差発生量を僅少にしたもの
が考えられている。
昭５８−２５６３８号としてすでに本出願人により出願
されている」：うに露光波長であるｑ線（４３６ｎｍ
）に対して補正された投影光学系に対し、ｑ線に近接し
た波長４４１，６ｎｍのｌ−１ｅ−Ｃｄレーザを用イＴ
−レチクルとウェハ上での収差発生量を僅少にしたもの
が考えられている。
しかしながら、このようなシステムによると、レチクル
上の段差構造のフライメン１−マークからの回折散乱信
号は、アライメントマークの段差の構造がクロムまたは
酸化クロムが硝子上についているといった単純なもので
あるため安定しているが、つ■ハ上の段差構造のアライ
ラン１〜マークからの回折散乱信号はレジストの塗布む
らやフライメン１−マークの段差構造のばらつき等の影
響により不安定となりアライメント精度が劣化するとい
う問題点があった。また、ウェハ上のレジストを多層に
して露光波長である９線の吸収を良くした場合、つ■ハ
上のアライメン１へマークからの信号を充分に検出でき
ない可能性があった。
上の段差構造のフライメン１−マークからの回折散乱信
号は、アライメントマークの段差の構造がクロムまたは
酸化クロムが硝子上についているといった単純なもので
あるため安定しているが、つ■ハ上の段差構造のアライ
ラン１〜マークからの回折散乱信号はレジストの塗布む
らやフライメン１−マークの段差構造のばらつき等の影
響により不安定となりアライメント精度が劣化するとい
う問題点があった。また、ウェハ上のレジストを多層に
して露光波長である９線の吸収を良くした場合、つ■ハ
上のアライメン１へマークからの信号を充分に検出でき
ない可能性があった。
［発明の目的］
本発明の目的は、多波長化によって被露光体からのアラ
イメン］へマーク信号の高精度な検出を可能とすること
により、アライメン１へ精度を向上させた露光装置を提
供することにある。
イメン］へマーク信号の高精度な検出を可能とすること
により、アライメン１へ精度を向上させた露光装置を提
供することにある。
［発明の概要］
本発明は、レチクル等の原版上とウェハ等の被露光体上
にそれぞれアライメンｈマークを設け、レーＩＪ″を投
射した際の回折散乱信号を検出することでアライメント
を行なった後、原版上にある回路パターンを被露光体上
に露光する投影露光装置において、アライメントに寄与
する波長を多波長化し、投影光学系の露光波長に近接し
た波長は原版と被露光体の両方の位置検出をし、別の波
長で被露光体のみを検出することを特徴とする。
にそれぞれアライメンｈマークを設け、レーＩＪ″を投
射した際の回折散乱信号を検出することでアライメント
を行なった後、原版上にある回路パターンを被露光体上
に露光する投影露光装置において、アライメントに寄与
する波長を多波長化し、投影光学系の露光波長に近接し
た波長は原版と被露光体の両方の位置検出をし、別の波
長で被露光体のみを検出することを特徴とする。
ざらにこの際、複数のレーザを用いるときは複数の波長
の間のアライメントに関するオフレットを、精度の高い
工程の被露光体ないしは基準マークを用いて較正し除去
するか、または露光光に近い波長のレーザでオフセット
をとることを特徴とする。
の間のアライメントに関するオフレットを、精度の高い
工程の被露光体ないしは基準マークを用いて較正し除去
するか、または露光光に近い波長のレーザでオフセット
をとることを特徴とする。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例に係るステップアンドリピ
ートタイプの露光装置の位置合せ光学系の構成を示す。
ートタイプの露光装置の位置合せ光学系の構成を示す。
同図は、多波長化したアライメント光の結像関係および
信号の検出系について説明したものである。同図におい
て、１はｌ−１ｅ−Ｎｅレーザで波長６３２．８ｎｍの
光を発生する。２はＨｅ−Ｃｄレーザで波長４４１，６
ｎｍの光を発生する。３は複数のシリンドリカルレンズ
を有するシート状ビーム形成系、４はＨｅ−Ｎｅレーザ
１、Ｈｅ−Ｃｄレーザ２からのビームを走査するために
一定速度で回転するポリゴンミラー、５はｆ−θレンズ
、６はビームの走査領域を前半と後半で分割するための
ダハプリズム、７，７′は対物レンズ、８は半導体駅間
製造用の集積パターンどアライメントマークが所定の関
係で描画されているレチクル、９はΩ線に罰して補正さ
れた縮小投影レンズ、１０はλ／４板、１１（まその上
面（こレジストが塗布され、・各ショッ１〜領域ごとに
アライメントマークが形成されているウェハ、１２．１
２’ はレチクル８上のアライメントマークで回折散乱
されたレチクル信号を検出するレチクル信号検出系であ
る。１３゜１３′ はシャープカッ１〜フイルりで、４
４１．６ｎｍより長波長の光をカッ（〜する。１４．１
４’ は第１のウェハ信号検出系で、ｌ−１ｅ−Ｃｄレ
ーザ２からのビームがウェハ１１上のアライメントマー
クで回折散乱された時に発生する波長４４１．６ｎｍの
ウェハ信号のみを検出する。１５．１５’ はシャープ
カッ１〜フイルタで、波長６３２．８ｒ＋ｍＪ、り短波
長の光をカットする。
信号の検出系について説明したものである。同図におい
て、１はｌ−１ｅ−Ｎｅレーザで波長６３２．８ｎｍの
光を発生する。２はＨｅ−Ｃｄレーザで波長４４１，６
ｎｍの光を発生する。３は複数のシリンドリカルレンズ
を有するシート状ビーム形成系、４はＨｅ−Ｎｅレーザ
１、Ｈｅ−Ｃｄレーザ２からのビームを走査するために
一定速度で回転するポリゴンミラー、５はｆ−θレンズ
、６はビームの走査領域を前半と後半で分割するための
ダハプリズム、７，７′は対物レンズ、８は半導体駅間
製造用の集積パターンどアライメントマークが所定の関
係で描画されているレチクル、９はΩ線に罰して補正さ
れた縮小投影レンズ、１０はλ／４板、１１（まその上
面（こレジストが塗布され、・各ショッ１〜領域ごとに
アライメントマークが形成されているウェハ、１２．１
２’ はレチクル８上のアライメントマークで回折散乱
されたレチクル信号を検出するレチクル信号検出系であ
る。１３゜１３′ はシャープカッ１〜フイルりで、４
４１．６ｎｍより長波長の光をカッ（〜する。１４．１
４’ は第１のウェハ信号検出系で、ｌ−１ｅ−Ｃｄレ
ーザ２からのビームがウェハ１１上のアライメントマー
クで回折散乱された時に発生する波長４４１．６ｎｍの
ウェハ信号のみを検出する。１５．１５’ はシャープ
カッ１〜フイルタで、波長６３２．８ｒ＋ｍＪ、り短波
長の光をカットする。
１６、１６’ は第２のりＴハ信号検出系で、ｌ−１ｅ
−Ｎｅレーザ１からのビームがつ■ハ１１−１＝のアラ
イメントマークひ回折散乱された時に発生する波長６３
２．８ｎｌｌｌのウェハ信号のみを検出する。１８は波
長４４１．６ｒ＋ｎ＋の結像状態、１９は波［ｉ ［ｉ
３２ 、８１１１１１の結像状態を示す。また、２０は
各信号検出系１２．１２’ 、 １／ｌ。
−Ｎｅレーザ１からのビームがつ■ハ１１−１＝のアラ
イメントマークひ回折散乱された時に発生する波長６３
２．８ｎｌｌｌのウェハ信号のみを検出する。１８は波
長４４１．６ｒ＋ｎ＋の結像状態、１９は波［ｉ ［ｉ
３２ 、８１１１１１の結像状態を示す。また、２０は
各信号検出系１２．１２’ 、 １／ｌ。
１４’ 、 １６．１６’ の出力に基づいてレチクル
８どつＪハ１１のＸ、Ｙ、θ各方向のズレ量を演算する
演算処理装置で、レチクル駆動系２１、ウェハ駆動系２
２は演算処理装置２０の演算結果に基づいてレチクル８
、ウェハ１１をＸ、Ｙ、θの各方向に駆動し、両者をア
ライメン１−する。
８どつＪハ１１のＸ、Ｙ、θ各方向のズレ量を演算する
演算処理装置で、レチクル駆動系２１、ウェハ駆動系２
２は演算処理装置２０の演算結果に基づいてレチクル８
、ウェハ１１をＸ、Ｙ、θの各方向に駆動し、両者をア
ライメン１−する。
上記のアライメント光学系は波長４４１．６ｒ＋ｎ＋の
ｔ−Ｉｅ−Ｃｄレーザ２と波長６３２．８ｎｍ（７）
Ｈｅ−Ｎ ｅ レーザ１からのアライメント光が、共に
ウェハ１１上で結像するＪ：うに構成されている。する
と投影レンズ９の色収差により、レチクル８上では波長
６３２．８ｎｍのアライメント光はピントが合っていな
い。このため、ウェハ信号は２つの波長で検出し、レチ
クル信号は１つの波長で検出することとなるまた、λ／
４板１板金０きは）−１ｅ−Ｃｔｌレーザ２からの波長
４４１．６ｎｍに対し補正されたもので、レチクル信号
とウェハ信号を直線偏光成分を異ならせることにより分
離し、安定したレチクル信号を得る為のものである。即
ち、レー１Ｐは直線偏光型であり、レチクル８からの直
接反射光であるレチクル信号とλ／４板１板金０＋復し
たウェハ信号とは９０°偏光方向が異なるので、これを
偏光ビームスプリッタにより分離して独立に検出してい
る。
ｔ−Ｉｅ−Ｃｄレーザ２と波長６３２．８ｎｍ（７）
Ｈｅ−Ｎ ｅ レーザ１からのアライメント光が、共に
ウェハ１１上で結像するＪ：うに構成されている。する
と投影レンズ９の色収差により、レチクル８上では波長
６３２．８ｎｍのアライメント光はピントが合っていな
い。このため、ウェハ信号は２つの波長で検出し、レチ
クル信号は１つの波長で検出することとなるまた、λ／
４板１板金０きは）−１ｅ−Ｃｔｌレーザ２からの波長
４４１．６ｎｍに対し補正されたもので、レチクル信号
とウェハ信号を直線偏光成分を異ならせることにより分
離し、安定したレチクル信号を得る為のものである。即
ち、レー１Ｐは直線偏光型であり、レチクル８からの直
接反射光であるレチクル信号とλ／４板１板金０＋復し
たウェハ信号とは９０°偏光方向が異なるので、これを
偏光ビームスプリッタにより分離して独立に検出してい
る。
ざらにつ■ハ信号に関しては、２つの波長もまたシャー
プカットフィルタ１３および１５を用いて独立に検出し
ているので、２つの波長で重みを可変とすることも可能
である。
プカットフィルタ１３および１５を用いて独立に検出し
ているので、２つの波長で重みを可変とすることも可能
である。
このように、この実施例によれば、つ■ハ信号を２波長
で検出することになり、アライメントマークの段差構造
のバラツキやウェハ１１−ヒのレジストムラによる回折
散乱信号への影響に対して計測の平均化効宋が得られる
ので、ウェハ信号が安定したものとなる。このためアラ
イメントマークの向上を図ることができる。また、多層
レジストに対しても効果的である。
で検出することになり、アライメントマークの段差構造
のバラツキやウェハ１１−ヒのレジストムラによる回折
散乱信号への影響に対して計測の平均化効宋が得られる
ので、ウェハ信号が安定したものとなる。このためアラ
イメントマークの向上を図ることができる。また、多層
レジストに対しても効果的である。
ただし、このままでは２本のレーザを使うため、高精度
の光軸合せ調整が必要とされ、調整誤差が生じた場合に
はつ［ハ信号の計測で２つの波長の間で一定のシフ］〜
が生じてしＪ、う。これを解決する方法としては、１波
艮で既にアシイメン１へ精度の高いことがわかっている
工程のつ１−ハを用意したり、または基準マークを用意
Ｊる等して、２つの波長別々にウェハ信号だけの取り込
みを行ない、オフセット（２波長の光軸ずれ）を５１測
して補正すればよい。この際、リファレンスとなるのは
露光波長または露光波長とほぼ等価のレーザ光（例えば
ｑ線系ではｌ−１ｅ−Ｃｄシレーｆの４４１．６ｎｍを
用いる。
の光軸合せ調整が必要とされ、調整誤差が生じた場合に
はつ［ハ信号の計測で２つの波長の間で一定のシフ］〜
が生じてしＪ、う。これを解決する方法としては、１波
艮で既にアシイメン１へ精度の高いことがわかっている
工程のつ１−ハを用意したり、または基準マークを用意
Ｊる等して、２つの波長別々にウェハ信号だけの取り込
みを行ない、オフセット（２波長の光軸ずれ）を５１測
して補正すればよい。この際、リファレンスとなるのは
露光波長または露光波長とほぼ等価のレーザ光（例えば
ｑ線系ではｌ−１ｅ−Ｃｄシレーｆの４４１．６ｎｍを
用いる。
上述のように、従来は、ウェハ信号はアライメントマー
クの段差構造の差異等によりショット間で差があり、ア
ライメント精度を劣化させる大きな要因となっていたが
、本発明によれば、波長の平均化効宋により安定したウ
ェハ信号を（ｑることができアライメント精度向上が図
れる。
クの段差構造の差異等によりショット間で差があり、ア
ライメント精度を劣化させる大きな要因となっていたが
、本発明によれば、波長の平均化効宋により安定したウ
ェハ信号を（ｑることができアライメント精度向上が図
れる。
また、このアライメントシステムはΩ線のみならず、高
解像度を狙った１線補正縮小投影光学系を使用した露光
装置においても応用可能である。
解像度を狙った１線補正縮小投影光学系を使用した露光
装置においても応用可能である。
例えば、レーザとして多波長発振型のＡｒレーザを用い
れば、ｉ線（３６５ｎｍ ）と近接した波長３６３．８
ｎｎ＋でレチクルとウェハ両方の信号を得、波長３５１
，４ｎｍでウェハだけの信号を１昇ることができる。な
お、アライメント光学系は投影レンズ９の色収差を含め
て収差補正しておく。このシステムにおいては、レーザ
が２台から１台と４ｆるので２本の光軸の合せ調整をし
なくても済むし、２波長のオフセットをとる必要がない
という利点も持つでいる。さらに、このシステムの応用
としては、波長３５１，４ｎｍの代わりに、Ａｒレーザ
の他の発振波長、例えば４８８１１＋１１ 、また（ま
５１４，５ｎｍを使っても良い。
れば、ｉ線（３６５ｎｍ ）と近接した波長３６３．８
ｎｎ＋でレチクルとウェハ両方の信号を得、波長３５１
，４ｎｍでウェハだけの信号を１昇ることができる。な
お、アライメント光学系は投影レンズ９の色収差を含め
て収差補正しておく。このシステムにおいては、レーザ
が２台から１台と４ｆるので２本の光軸の合せ調整をし
なくても済むし、２波長のオフセットをとる必要がない
という利点も持つでいる。さらに、このシステムの応用
としては、波長３５１，４ｎｍの代わりに、Ａｒレーザ
の他の発振波長、例えば４８８１１＋１１ 、また（ま
５１４，５ｎｍを使っても良い。
［発明の効果］
以上の説明のように、本発明ににれば、不安定な被露光
体信号に対し多波長化を図ることで、さらに高精度な計
測が可能となり、精度の高いアライメン１〜システムを
実現した露光装置を提供することができる。
体信号に対し多波長化を図ることで、さらに高精度な計
測が可能となり、精度の高いアライメン１〜システムを
実現した露光装置を提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の位置合せ
光学系の構成図である。 １：ｌ」ｅ−Ｎｅレーザ、２ ： １ｌｅ−Ｃｄレーザ
、３：スリン１〜ビーム形成系、４：ポリゴンミラー、
５：ｆ−〇レンズ、６：ダハプリズム、７；対物レンズ
、８ニレチクル、９：ｑ線補正縮小投影レンズ、１０：
λ／４板、１１：ウェハ、１２；レヂクル信号検出系、
１３．１５＋シヤープカツトフイルタ、１４：第１のウ
ェハ信号検出系、１６：第２のウェハ信号検出系、１８
：波長４４１．６ｎｍの結像、１９：波長６３２，８ｎ
ｍの結像、２０：演算処理装胃、２１：レヂクル駆動系
、２２：ウェハ駆動系。
光学系の構成図である。 １：ｌ」ｅ−Ｎｅレーザ、２ ： １ｌｅ−Ｃｄレーザ
、３：スリン１〜ビーム形成系、４：ポリゴンミラー、
５：ｆ−〇レンズ、６：ダハプリズム、７；対物レンズ
、８ニレチクル、９：ｑ線補正縮小投影レンズ、１０：
λ／４板、１１：ウェハ、１２；レヂクル信号検出系、
１３．１５＋シヤープカツトフイルタ、１４：第１のウ
ェハ信号検出系、１６：第２のウェハ信号検出系、１８
：波長４４１．６ｎｍの結像、１９：波長６３２，８ｎ
ｍの結像、２０：演算処理装胃、２１：レヂクル駆動系
、２２：ウェハ駆動系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定波長の露光光束に対して原版上のパターン像を
被露光体上に結像する投影光学系と、該投影光学系にお
ける結像関係が上記露光光束と実質的に同一である第１
の波長の光を含み複数の波長のアライメント光を発生す
るアライメント光光源と、 上記アライメント光を所定形状の光束に形成し該光束に
より上記原版、および上記投影光学系を介した上記被露
光体上を照明するとともに、第１の波長の光束は上記原
版上および上記被露光体上の双方に結像させ、かつ他の
波長のアライメント光束は上記被露光体上に結像させる
アライメント光学系と、 上記原版からの情報光を検出する原版信号検出系と、 上記被露光体からの情報光を検出する被露光体信号検出
系と を具備することを特徴とする露光装置。 ２、前記被露光体信号検出系が、前記被露光体からの情
報光を波長ごとに分別する手段と、分別した各波長の情
報光をそれぞれ受光する光電変換手段とを有する特許請
求の範囲第１項記載の露光装置。 ３、前記光源が、互に異なる波長の光を発生する複数の
レーザである特許請求の範囲第１または２項に記載の露
光装置。 ４、前記複数のレーザが、計測のオフセットを除去した
ものである特許請求の範囲第３項記載の露光装置。 ５、前記投影光学系が、ｇ線補正されたものであり、前
記光源が、Ｈｅ−ＣｄレーザおよびＨｅ−Ｎｅレーザか
らなる特許請求の範囲第３または４項記載の露光装置。 ６、前記光源が、単一の多波長発振型レーザである特許
請求の範囲第１または２項に記載の露光装置。 ７、前記投影光学系が、ｉ線補正されたものであり、前
記光源が、波長３６３．８ｎｍと他の少なくとも１つの
波長のレーザ光を発する多波長発振型のアルゴンレーザ
を有する特許請求の範囲第６項記載の露光装置。 ８、前記投影光学系が、その光学系中に位相変換素子を
有し、かつ前記原版信号検出系が、上記原版からの情報
光だけを分別するビームスプリッタを有する特許請求の
範囲第１〜７項のいずれか１つに記載の露光装置。 ９、前記位相変換素子が、λ／４板である特許請求の範
囲第８項記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61050504A JPS62208630A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 露光装置 |
| US07/358,505 US4901109A (en) | 1986-03-10 | 1989-05-30 | Alignment and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61050504A JPS62208630A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62208630A true JPS62208630A (ja) | 1987-09-12 |
| JPH0546970B2 JPH0546970B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=12860784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61050504A Granted JPS62208630A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4901109A (ja) |
| JP (1) | JPS62208630A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200620A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Hitachi Ltd | パターン検出装置及び露光装置 |
| JPH03225815A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH04283917A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-10-08 | Hitachi Ltd | 光露光装置のアラインメント装置 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198843A (en) * | 1988-06-30 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical marking system having marking mode selecting function |
| US5327338A (en) * | 1990-01-31 | 1994-07-05 | Etec Systems, Inc. | Scanning laser lithography system alignment apparatus |
| NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
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| US5227839A (en) * | 1991-06-24 | 1993-07-13 | Etec Systems, Inc. | Small field scanner |
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