JPS608232A - 7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 - Google Patents
7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法Info
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、7−置換ノルボルナジェン
射による7−置換クワドリシクレン類への光異性換ノル
ボルナジェン類は、 一般式 Cト■ICH \Cl−I ′(式中のRは、水素原子、ヒドロキシル
基、アシルオキシ基及びアルキルオキシ基を示す)で表
わされるが、これらの化合物に適当な光化学増感剤を配
合して製したシフロブキストIJン包接化合物を光照射
すれば、さらに良ηfな転化率で、414当する 一般式 キシ基を示す)で表わされる7−置換クワドリシクレン
類−シクロデキストリン包接化合物を得られることを見
い出した。
ボルナジェン類は、 一般式 Cト■ICH \Cl−I ′(式中のRは、水素原子、ヒドロキシル
基、アシルオキシ基及びアルキルオキシ基を示す)で表
わされるが、これらの化合物に適当な光化学増感剤を配
合して製したシフロブキストIJン包接化合物を光照射
すれば、さらに良ηfな転化率で、414当する 一般式 キシ基を示す)で表わされる7−置換クワドリシクレン
類−シクロデキストリン包接化合物を得られることを見
い出した。
得られた7−置換クワドリシクレン類−シフロブキスト
リン包接化合物は、光エネルギーを熱エネルギーとして
貯えており、適当な触媒を用いて逆反応を行うと、たと
えば(1)式でR= i(の場合2りOcat / !
/の熱量が得られる。このように、シクロデキストリン
包接化合物を用いて、光照射による蓄熱と逆反応による
放熱とを交互に行うことによって、有効に熱サイクルを
行うことができ、ソーラーシヌテムとして応用できるこ
とを見い出した。
リン包接化合物は、光エネルギーを熱エネルギーとして
貯えており、適当な触媒を用いて逆反応を行うと、たと
えば(1)式でR= i(の場合2りOcat / !
/の熱量が得られる。このように、シクロデキストリン
包接化合物を用いて、光照射による蓄熱と逆反応による
放熱とを交互に行うことによって、有効に熱サイクルを
行うことができ、ソーラーシヌテムとして応用できるこ
とを見い出した。
本発明に述べる、包接化合物を製造する際に光化学増感
剤を添加することは、7−置換ノルボルナジェン類−シ
フロブキストリン包接化合物の7−置換クワドリシクレ
ン類−シクロデキストリン包接化合物への転化率を向」
ニすることができ、さらに、高い熱効率がサイクル中で
期待できる。また、包接化合物を用いることによって、
原料化合物の臭気を大巾に減少させることができるとと
もに、粉体であるため、貯蔵、取り扱いが容易な利点が
ある。
剤を添加することは、7−置換ノルボルナジェン類−シ
フロブキストリン包接化合物の7−置換クワドリシクレ
ン類−シクロデキストリン包接化合物への転化率を向」
ニすることができ、さらに、高い熱効率がサイクル中で
期待できる。また、包接化合物を用いることによって、
原料化合物の臭気を大巾に減少させることができるとと
もに、粉体であるため、貯蔵、取り扱いが容易な利点が
ある。
7−置換ノルボルナジェン類−シクロデキストリン包接
化合物のみを光照射した場合、転化率に上限があるが、
包接化合物を造る際に、光増感剤を添加することによっ
て転化率を冒めることかできることを見い出した。
化合物のみを光照射した場合、転化率に上限があるが、
包接化合物を造る際に、光増感剤を添加することによっ
て転化率を冒めることかできることを見い出した。
本発明に用いられる7−置換ノルボルナジェン(1)式
で示すR中のアルキル基は、化合物が、固体を示さない
、炭素数/〜りが好捷しい。
で示すR中のアルキル基は、化合物が、固体を示さない
、炭素数/〜りが好捷しい。
本発明において用いられるシクロデキストリンは、α−
1β−及びγ−タイプのいずれでも使用することができ
る。通常単独で用いられるが、2fΦ寸たは3種の混用
をしてもよい。好ましいのはβ−タイプのシクロデキス
トリンである。
1β−及びγ−タイプのいずれでも使用することができ
る。通常単独で用いられるが、2fΦ寸たは3種の混用
をしてもよい。好ましいのはβ−タイプのシクロデキス
トリンである。
本発明に用いられる光増感剤は、アセトン、アセI・フ
ェノン、ベンゾフェノン、トルエン、−二ナフ1−アル
テ゛ヒト、I−リフェニレン、ベンジル、認、3−ペン
クシエン、フェナントレン、Ω−アセ1、ナフトン、ア
セチルビフェニル、ベンゼン、リーフチルフェニルケト
ン、アン1−ラキノン、ナフタレン、アントラセン及び
それらの化合物の誘導体あるいはJj、、・1化銅(1
)等の金属塩の7種又は2種以」二を使用するもので、
7−置換ノルボルナジェン類を増感できる化合物であれ
ばいずれでもよく、単独または混合して用いられる。7
−置換ノルボルナジェン類に対する光増感剤の添加量は
、10%までが適当であるが700%まで添加できる。
ェノン、ベンゾフェノン、トルエン、−二ナフ1−アル
テ゛ヒト、I−リフェニレン、ベンジル、認、3−ペン
クシエン、フェナントレン、Ω−アセ1、ナフトン、ア
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ン、アン1−ラキノン、ナフタレン、アントラセン及び
それらの化合物の誘導体あるいはJj、、・1化銅(1
)等の金属塩の7種又は2種以」二を使用するもので、
7−置換ノルボルナジェン類を増感できる化合物であれ
ばいずれでもよく、単独または混合して用いられる。7
−置換ノルボルナジェン類に対する光増感剤の添加量は
、10%までが適当であるが700%まで添加できる。
本発明における包接化合物は、粉体であるため、不活性
ガス(たとえば窒素ガス)中で浮遊せしめるか、または
、広い面積に散布するがして光を照射するものである。
ガス(たとえば窒素ガス)中で浮遊せしめるか、または
、広い面積に散布するがして光を照射するものである。
この際に、包接化合物を均一に混合するとともに、均一
に光をあてる必要がある。
に光をあてる必要がある。
光源としては、太陽光、高圧水銀灯、低圧水銀灯及びキ
セノンランプなどが用いられる。
セノンランプなどが用いられる。
光異性化反応は、粉体の捷ま行うことができるが、また
、適当な溶媒、たとえば、水、n−ヘキサン、ベンセン
、;・ルエン及ヒエチレンクリコー置換クワト′リシク
レン類−シクロデキヌトリン包接化合物は、たとえば、
次のような方法で包接化合物であることを確認できる。
、適当な溶媒、たとえば、水、n−ヘキサン、ベンセン
、;・ルエン及ヒエチレンクリコー置換クワト′リシク
レン類−シクロデキヌトリン包接化合物は、たとえば、
次のような方法で包接化合物であることを確認できる。
本発明の7−置換クワドリシクレン類−シクロデキスト
リン包接化合物に約70倍容のベンゼンを加えて良くか
き混ぜる。シフロブキストリンよりベンセン層を分離し
たのち、ベンゼンを回収して残油を得る。この残油を蒸
留して7−置換クワ1−′リシクレン類が得られる、6
さらに、添加された光増感剤もガスクロマ1−グラフ法
により確認される。
リン包接化合物に約70倍容のベンゼンを加えて良くか
き混ぜる。シフロブキストリンよりベンセン層を分離し
たのち、ベンゼンを回収して残油を得る。この残油を蒸
留して7−置換クワ1−′リシクレン類が得られる、6
さらに、添加された光増感剤もガスクロマ1−グラフ法
により確認される。
(1)式中のR−Hの場合のクワドリシクレンを例にと
ると、留分のN M Rスペク) /I/は、/り/訃
にシクロピロピルプロトンの吸収を、799 Fに7−
位のメチレンのプロトンの吸収を示し、との留分がクワ
ドリシクレンであることが確認される。
ると、留分のN M Rスペク) /I/は、/り/訃
にシクロピロピルプロトンの吸収を、799 Fに7−
位のメチレンのプロトンの吸収を示し、との留分がクワ
ドリシクレンであることが確認される。
本発明の光増感剤を添加したシクロデキストリン包接化
合物を用いる光異性化反応の原理は、7−置換ノルボル
ナジェン 7−置換グツトリシクレン類の生成と、とのものの触媒
による逆反応で、もとの7−置換7ルボルナシエン ギーを目的とした、ソーラーシステムに応用ができる。
合物を用いる光異性化反応の原理は、7−置換ノルボル
ナジェン 7−置換グツトリシクレン類の生成と、とのものの触媒
による逆反応で、もとの7−置換7ルボルナシエン ギーを目的とした、ソーラーシステムに応用ができる。
しかも、その際に、副反応がなく、サイクルを長期間に
わたって行うことが可能な有用なものである。
わたって行うことが可能な有用なものである。
次に、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
実施例/
β−シクロデキストリンの飽和水溶tfi3 、!;
0wl中に、ノルボルナジェン0. 3 、2 P ト
アセ1ーフェノンo. o s yの混合液を投入して
かき混ぜ、生成した沈殿を乾燥して/SSフグ収率,!
2%)のシクロデキストリン包接化合物を得た。この粉
末OS07を外径乙Oπmの硬質ガラス製シャーレに均
一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気温で7時間太陽
光を照射した。照射後、内容物はOS/7となる。生成
したクワドリシクレンは、次のようにして、ガスクロマ
トグラフ法で分析し、原料に苅する転化率をめた。照射
した包接化合物010yを正11″(fにとり、ベンセ
ン0 3 0 mlを加えてよくかき混ぜて抽出すると
、生成したクワドリシクレンがベンセン層に移行する。
0wl中に、ノルボルナジェン0. 3 、2 P ト
アセ1ーフェノンo. o s yの混合液を投入して
かき混ぜ、生成した沈殿を乾燥して/SSフグ収率,!
2%)のシクロデキストリン包接化合物を得た。この粉
末OS07を外径乙Oπmの硬質ガラス製シャーレに均
一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気温で7時間太陽
光を照射した。照射後、内容物はOS/7となる。生成
したクワドリシクレンは、次のようにして、ガスクロマ
トグラフ法で分析し、原料に苅する転化率をめた。照射
した包接化合物010yを正11″(fにとり、ベンセ
ン0 3 0 mlを加えてよくかき混ぜて抽出すると
、生成したクワドリシクレンがベンセン層に移行する。
一定量のベンゼン溶液をとり、ガスクロマトグラフ法に
より面積をめる。次に、同様の方法で未照射の試料の分
析を行って、ベンセンを基準とした両者の面積比から転
化率をめたところ、737%を得た。
より面積をめる。次に、同様の方法で未照射の試料の分
析を行って、ベンセンを基準とした両者の面積比から転
化率をめたところ、737%を得た。
実施例2
β−シクロデキストリンの飽和水溶液3 3 0 tn
l中K 、7 − t,−ブ1ーキシノルボルナジェン
0937とアセトフェノンQO!;9−の混合液全投入
してかき混ぜ、生成した沈EViを乾燥して376g(
収44 、5′0%)のシクロデキストリン包接化合物
を得た。この粉末O夕07を外径乙Q mlWの硬質ガ
ラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、
外気温で乙時間太陽光を照射した。照射後、内容物はO
S/2となった。実施例/と同様な方法で、/1成しr
v 7 7 t−ブトキシクワドリシクレンをガスクロ
マ1−グラフ法で分析し、転化率り,0%を得介.1。
l中K 、7 − t,−ブ1ーキシノルボルナジェン
0937とアセトフェノンQO!;9−の混合液全投入
してかき混ぜ、生成した沈EViを乾燥して376g(
収44 、5′0%)のシクロデキストリン包接化合物
を得た。この粉末O夕07を外径乙Q mlWの硬質ガ
ラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、
外気温で乙時間太陽光を照射した。照射後、内容物はO
S/2となった。実施例/と同様な方法で、/1成しr
v 7 7 t−ブトキシクワドリシクレンをガスクロ
マ1−グラフ法で分析し、転化率り,0%を得介.1。
実施例3
βーシクロデキストリン飽和水溶W33Oml中に、7
−アセトキシノルボルナジェン アセI・フェノンoosyの混合it投入してかき混ぜ
、生成した沈殿を乾燥して/3/y−(収率/g%)の
シクロデキストリン包接化合物を得た。
−アセトキシノルボルナジェン アセI・フェノンoosyの混合it投入してかき混ぜ
、生成した沈殿を乾燥して/3/y−(収率/g%)の
シクロデキストリン包接化合物を得た。
?C (D粉末.0. 3 0 fjを外径乙Q mm
の硬質ガラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふたをし
たのち、外気温で乙時間太陽光を照射した。照射後、内
容物はOS/2となる。実施例/と同様な方法で、イ1
ヒ成した7−アセトキシクワドリシクレンをガスクロマ
1゛グラフ法で分析し、転化率/Z.2%を得た。
の硬質ガラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふたをし
たのち、外気温で乙時間太陽光を照射した。照射後、内
容物はOS/2となる。実施例/と同様な方法で、イ1
ヒ成した7−アセトキシクワドリシクレンをガスクロマ
1゛グラフ法で分析し、転化率/Z.2%を得た。
実施例グ
β−シクロデキストリン飽和水溶液3 3− O ml
+11に、7−ノルポルナジエノール フェノン0052の混合液を投入してかき混ぜ、生成し
た沈殿を乾燥して//乙2(収率/乙り%)のシクロデ
キストリン包接化合物を得た。この粉末asoyを外径
60闘の硬質ガラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふ
たをしたのち、外気温で6時間太陽光を照射した。照射
後、内容物はO5/2となる。実施例/と同様な方法で
、生成した7−クワドリンクレツールをガスクロマ1−
グラフ法で分析し、転化率、22.3%を得た。
+11に、7−ノルポルナジエノール フェノン0052の混合液を投入してかき混ぜ、生成し
た沈殿を乾燥して//乙2(収率/乙り%)のシクロデ
キストリン包接化合物を得た。この粉末asoyを外径
60闘の硬質ガラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふ
たをしたのち、外気温で6時間太陽光を照射した。照射
後、内容物はO5/2となる。実施例/と同様な方法で
、生成した7−クワドリンクレツールをガスクロマ1−
グラフ法で分析し、転化率、22.3%を得た。
第1頁の続き
0発 明 者 用瀬薫
名古屋市千種区猫洞通り5丁目
31番地
0発 明 者 山北尋巳
尾張旭市平子町西261番地
0発 明 者 峠田博史
名古屋市北区金城二丁目5番6
号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 / 一般式 ギシ基を示す)で表わされる7−置換ノルボルナジェン
類と光増感剤とよりなるシクロデキストリン包接化合物
の光照射による、 一般式 ギンノ、(を示す)で表わされる7−置換クワドリシク
レン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法。 λ 光増16 M’l トしてアセトン、アセトフェノ
ン、ベンゾフェノン、トルエン、−一ナントアルデヒド
、トリフェニレン、ベンジル1.2.3−ペンタジェン
、フェナントレン、2−アセトナフトン、アセチフレビ
フェニル、ベンゼン、ナフチルフェニルケトン、アンI
・ラギノン、ナフタレン、アントラセン及びそれらの化
合物の誘導体あるいは金属塩の7種又は2種以上を使用
する特許請求の範囲第1項記載の7−置換クワドリシク
レン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116729A JPS6049608B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 |
| US06/584,739 US4502930A (en) | 1983-06-27 | 1984-02-29 | Method for manufacture of 7-substituted quadricyclene-cyclodextrin inclusion compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116729A JPS6049608B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608232A true JPS608232A (ja) | 1985-01-17 |
| JPS6049608B2 JPS6049608B2 (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=14694347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116729A Expired JPS6049608B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049608B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6434927A (en) * | 1987-04-03 | 1989-02-06 | Daicel Chem | Method for asymmetric photochemical reaction |
| JPH01122438A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | B J Trading Kk | シリンダ洗浄装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0176016U (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-23 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58116729A patent/JPS6049608B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6434927A (en) * | 1987-04-03 | 1989-02-06 | Daicel Chem | Method for asymmetric photochemical reaction |
| JPH01122438A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | B J Trading Kk | シリンダ洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6049608B2 (ja) | 1985-11-02 |
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