JPS608232A - 7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 - Google Patents

7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法

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JPS608232A
JPS608232A JP58116729A JP11672983A JPS608232A JP S608232 A JPS608232 A JP S608232A JP 58116729 A JP58116729 A JP 58116729A JP 11672983 A JP11672983 A JP 11672983A JP S608232 A JPS608232 A JP S608232A
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JP
Japan
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compound
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cyclodextrin
quadricyclene
clathrate compound
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JP58116729A
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Takaari Yumoto
湯本 高在
Kiyoshi Hayakawa
浄 早川
Kaoru Kawase
川瀬 薫
Hiromi Yamakita
山北 尋巳
Hiroshi Taoda
博史 垰田
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、7−置換ノルボルナジェン 射による7−置換クワドリシクレン類への光異性換ノル
ボルナジェン類は、 一般式 Cト■ICH \Cl−I ′(式中のRは、水素原子、ヒドロキシル
基、アシルオキシ基及びアルキルオキシ基を示す)で表
わされるが、これらの化合物に適当な光化学増感剤を配
合して製したシフロブキストIJン包接化合物を光照射
すれば、さらに良ηfな転化率で、414当する 一般式 キシ基を示す)で表わされる7−置換クワドリシクレン
類−シクロデキストリン包接化合物を得られることを見
い出した。
得られた7−置換クワドリシクレン類−シフロブキスト
リン包接化合物は、光エネルギーを熱エネルギーとして
貯えており、適当な触媒を用いて逆反応を行うと、たと
えば(1)式でR= i(の場合2りOcat / !
/の熱量が得られる。このように、シクロデキストリン
包接化合物を用いて、光照射による蓄熱と逆反応による
放熱とを交互に行うことによって、有効に熱サイクルを
行うことができ、ソーラーシヌテムとして応用できるこ
とを見い出した。
本発明に述べる、包接化合物を製造する際に光化学増感
剤を添加することは、7−置換ノルボルナジェン類−シ
フロブキストリン包接化合物の7−置換クワドリシクレ
ン類−シクロデキストリン包接化合物への転化率を向」
ニすることができ、さらに、高い熱効率がサイクル中で
期待できる。また、包接化合物を用いることによって、
原料化合物の臭気を大巾に減少させることができるとと
もに、粉体であるため、貯蔵、取り扱いが容易な利点が
ある。
7−置換ノルボルナジェン類−シクロデキストリン包接
化合物のみを光照射した場合、転化率に上限があるが、
包接化合物を造る際に、光増感剤を添加することによっ
て転化率を冒めることかできることを見い出した。
本発明に用いられる7−置換ノルボルナジェン(1)式
で示すR中のアルキル基は、化合物が、固体を示さない
、炭素数/〜りが好捷しい。
本発明において用いられるシクロデキストリンは、α−
1β−及びγ−タイプのいずれでも使用することができ
る。通常単独で用いられるが、2fΦ寸たは3種の混用
をしてもよい。好ましいのはβ−タイプのシクロデキス
トリンである。
本発明に用いられる光増感剤は、アセトン、アセI・フ
ェノン、ベンゾフェノン、トルエン、−二ナフ1−アル
テ゛ヒト、I−リフェニレン、ベンジル、認、3−ペン
クシエン、フェナントレン、Ω−アセ1、ナフトン、ア
セチルビフェニル、ベンゼン、リーフチルフェニルケト
ン、アン1−ラキノン、ナフタレン、アントラセン及び
それらの化合物の誘導体あるいはJj、、・1化銅(1
)等の金属塩の7種又は2種以」二を使用するもので、
7−置換ノルボルナジェン類を増感できる化合物であれ
ばいずれでもよく、単独または混合して用いられる。7
−置換ノルボルナジェン類に対する光増感剤の添加量は
、10%までが適当であるが700%まで添加できる。
本発明における包接化合物は、粉体であるため、不活性
ガス(たとえば窒素ガス)中で浮遊せしめるか、または
、広い面積に散布するがして光を照射するものである。
この際に、包接化合物を均一に混合するとともに、均一
に光をあてる必要がある。
光源としては、太陽光、高圧水銀灯、低圧水銀灯及びキ
セノンランプなどが用いられる。
光異性化反応は、粉体の捷ま行うことができるが、また
、適当な溶媒、たとえば、水、n−ヘキサン、ベンセン
、;・ルエン及ヒエチレンクリコー置換クワト′リシク
レン類−シクロデキヌトリン包接化合物は、たとえば、
次のような方法で包接化合物であることを確認できる。
本発明の7−置換クワドリシクレン類−シクロデキスト
リン包接化合物に約70倍容のベンゼンを加えて良くか
き混ぜる。シフロブキストリンよりベンセン層を分離し
たのち、ベンゼンを回収して残油を得る。この残油を蒸
留して7−置換クワ1−′リシクレン類が得られる、6
さらに、添加された光増感剤もガスクロマ1−グラフ法
により確認される。
(1)式中のR−Hの場合のクワドリシクレンを例にと
ると、留分のN M Rスペク) /I/は、/り/訃
にシクロピロピルプロトンの吸収を、799 Fに7−
位のメチレンのプロトンの吸収を示し、との留分がクワ
ドリシクレンであることが確認される。
本発明の光増感剤を添加したシクロデキストリン包接化
合物を用いる光異性化反応の原理は、7−置換ノルボル
ナジェン 7−置換グツトリシクレン類の生成と、とのものの触媒
による逆反応で、もとの7−置換7ルボルナシエン ギーを目的とした、ソーラーシステムに応用ができる。
しかも、その際に、副反応がなく、サイクルを長期間に
わたって行うことが可能な有用なものである。
次に、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
実施例/ β−シクロデキストリンの飽和水溶tfi3 、!; 
0wl中に、ノルボルナジェン0. 3 、2 P ト
アセ1ーフェノンo. o s yの混合液を投入して
かき混ぜ、生成した沈殿を乾燥して/SSフグ収率,!
2%)のシクロデキストリン包接化合物を得た。この粉
末OS07を外径乙Oπmの硬質ガラス製シャーレに均
一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気温で7時間太陽
光を照射した。照射後、内容物はOS/7となる。生成
したクワドリシクレンは、次のようにして、ガスクロマ
トグラフ法で分析し、原料に苅する転化率をめた。照射
した包接化合物010yを正11″(fにとり、ベンセ
ン0 3 0 mlを加えてよくかき混ぜて抽出すると
、生成したクワドリシクレンがベンセン層に移行する。
一定量のベンゼン溶液をとり、ガスクロマトグラフ法に
より面積をめる。次に、同様の方法で未照射の試料の分
析を行って、ベンセンを基準とした両者の面積比から転
化率をめたところ、737%を得た。
実施例2 β−シクロデキストリンの飽和水溶液3 3 0 tn
l中K 、7 − t,−ブ1ーキシノルボルナジェン
0937とアセトフェノンQO!;9−の混合液全投入
してかき混ぜ、生成した沈EViを乾燥して376g(
収44 、5′0%)のシクロデキストリン包接化合物
を得た。この粉末O夕07を外径乙Q mlWの硬質ガ
ラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、
外気温で乙時間太陽光を照射した。照射後、内容物はO
S/2となった。実施例/と同様な方法で、/1成しr
v 7 7 t−ブトキシクワドリシクレンをガスクロ
マ1−グラフ法で分析し、転化率り,0%を得介.1。
実施例3 βーシクロデキストリン飽和水溶W33Oml中に、7
−アセトキシノルボルナジェン アセI・フェノンoosyの混合it投入してかき混ぜ
、生成した沈殿を乾燥して/3/y−(収率/g%)の
シクロデキストリン包接化合物を得た。
?C (D粉末.0. 3 0 fjを外径乙Q mm
の硬質ガラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふたをし
たのち、外気温で乙時間太陽光を照射した。照射後、内
容物はOS/2となる。実施例/と同様な方法で、イ1
ヒ成した7−アセトキシクワドリシクレンをガスクロマ
1゛グラフ法で分析し、転化率/Z.2%を得た。
実施例グ β−シクロデキストリン飽和水溶液3 3− O ml
 +11に、7−ノルポルナジエノール フェノン0052の混合液を投入してかき混ぜ、生成し
た沈殿を乾燥して//乙2(収率/乙り%)のシクロデ
キストリン包接化合物を得た。この粉末asoyを外径
60闘の硬質ガラス製シャーレに均一に拡げ、同質のふ
たをしたのち、外気温で6時間太陽光を照射した。照射
後、内容物はO5/2となる。実施例/と同様な方法で
、生成した7−クワドリンクレツールをガスクロマ1−
グラフ法で分析し、転化率、22.3%を得た。
第1頁の続き 0発 明 者 用瀬薫 名古屋市千種区猫洞通り5丁目 31番地 0発 明 者 山北尋巳 尾張旭市平子町西261番地 0発 明 者 峠田博史 名古屋市北区金城二丁目5番6 号

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 / 一般式 ギシ基を示す)で表わされる7−置換ノルボルナジェン
    類と光増感剤とよりなるシクロデキストリン包接化合物
    の光照射による、 一般式 ギンノ、(を示す)で表わされる7−置換クワドリシク
    レン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法。 λ 光増16 M’l トしてアセトン、アセトフェノ
    ン、ベンゾフェノン、トルエン、−一ナントアルデヒド
    、トリフェニレン、ベンジル1.2.3−ペンタジェン
    、フェナントレン、2−アセトナフトン、アセチフレビ
    フェニル、ベンゼン、ナフチルフェニルケトン、アンI
    ・ラギノン、ナフタレン、アントラセン及びそれらの化
    合物の誘導体あるいは金属塩の7種又は2種以上を使用
    する特許請求の範囲第1項記載の7−置換クワドリシク
    レン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法。
JP58116729A 1983-06-27 1983-06-27 7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 Expired JPS6049608B2 (ja)

Priority Applications (2)

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JP58116729A JPS6049608B2 (ja) 1983-06-27 1983-06-27 7−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法
US06/584,739 US4502930A (en) 1983-06-27 1984-02-29 Method for manufacture of 7-substituted quadricyclene-cyclodextrin inclusion compound

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JPS6049608B2 JPS6049608B2 (ja) 1985-11-02

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JPH01122438A (ja) * 1987-11-06 1989-05-15 B J Trading Kk シリンダ洗浄装置

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