JPS6083036A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6083036A JPS6083036A JP19022583A JP19022583A JPS6083036A JP S6083036 A JPS6083036 A JP S6083036A JP 19022583 A JP19022583 A JP 19022583A JP 19022583 A JP19022583 A JP 19022583A JP S6083036 A JPS6083036 A JP S6083036A
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- Japan
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- soln
- layer
- drum
- sic
- sic layer
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属面−Ｆに炭化シリコン（以下では８ｉＣ
とかく）粒子を含む溶液を塗布し加熱乾燥して、Ｓｉ０
層を形成し、その上にアモルファスシリコン（以下でけ
α−８ｊと書く）層を形成することにより、低コヌトで
しかも耐刷性とＮｉ（熱性の優ねた電子写真感光体の製
造方法に関する。
とかく）粒子を含む溶液を塗布し加熱乾燥して、Ｓｉ０
層を形成し、その上にアモルファスシリコン（以下でけ
α−８ｊと書く）層を形成することにより、低コヌトで
しかも耐刷性とＮｉ（熱性の優ねた電子写真感光体の製
造方法に関する。
逓年ａ−８ｉを用いた電子写真Ｉじ光体が注目を集めて
いる。ａ−８ｉ感光体はエリ在主流となっているセレン
系の感光体に比べて、耐熱性に非常に優れている。すな
わち、セレン系の感光体では６０〜７０°Ｃで感光層が
結晶化し＋３→能を失うが、ａ−ｓｉ感光体は約２００
℃までの温＋＝、 ｖｃ １ｌｉＩえられる。
いる。ａ−８ｉ感光体はエリ在主流となっているセレン
系の感光体に比べて、耐熱性に非常に優れている。すな
わち、セレン系の感光体では６０〜７０°Ｃで感光層が
結晶化し＋３→能を失うが、ａ−ｓｉ感光体は約２００
℃までの温＋＝、 ｖｃ １ｌｉＩえられる。
またα−８ｉ感光体セレン系ｒ２光体に比べ硬度が太き
く耐刷性にも優れている。
く耐刷性にも優れている。
このようにａ、−ｓｊ感光体は従来のセレン系感光体に
比べて非常に優れた点をイＩする反面、成膜速度が遅い
為、製造時間が是〈かかり製造コストが高くなるという
欠点を有している。
比べて非常に優れた点をイＩする反面、成膜速度が遅い
為、製造時間が是〈かかり製造コストが高くなるという
欠点を有している。
たとえば、セレン系感光体では２０〜６０分間に６０〜
８０μｍ成膜できる。一方ａ−８ｉ感光体で（ｄセレン
系感光体での６０〜８０μｍの厚さの將性と同等の特性
ｆ得るのに２０〜３０μｍの厚さでよい。しかし、その
厚さですら成膜時間は９０〜１２０分を必要とする。
８０μｍ成膜できる。一方ａ−８ｉ感光体で（ｄセレン
系感光体での６０〜８０μｍの厚さの將性と同等の特性
ｆ得るのに２０〜３０μｍの厚さでよい。しかし、その
厚さですら成膜時間は９０〜１２０分を必要とする。
このように製造時間が長いこと１−ｔｚ産する場合には
製造コストが高くなり非常に不利である。
製造コストが高くなり非常に不利である。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、ｎ−８ｉ感光体の長所を生かしつつ、
成膜時間を短縮し、製造コストを下げることにある。
とするところは、ｎ−８ｉ感光体の長所を生かしつつ、
成膜時間を短縮し、製造コストを下げることにある。
本発明の詳細について実施例をもって説明する、実施例
有機性高分子のバインダーに２〜１０’ｔｒｍの粒径を
もつｓｊｃ粉を混合する。組成化はｓｉｃが５０〜８０
％とする。これをイ１磯溶液、たとえばアルコール、エ
ステル、ケトン等に浴解し、８１０粒子を含む溶液を作
製する。
もつｓｊｃ粉を混合する。組成化はｓｉｃが５０〜８０
％とする。これをイ１磯溶液、たとえばアルコール、エ
ステル、ケトン等に浴解し、８１０粒子を含む溶液を作
製する。
次に感光ドラムの支持体となるアルミのドラムを１００
０〜２００Ｏｒ、 ｐ、η７で回転させつつ、その表面
に前記溶液をスプレーする。１０〜２０秒スプレーをし
、１分子ｌｉｌ放置して乾燥させ、またスプレーを行な
う。これを３〜４回繰り返しアルミの表面に２０μ票く
らいの厚さに前述の溶液を塗布する。
０〜２００Ｏｒ、 ｐ、η７で回転させつつ、その表面
に前記溶液をスプレーする。１０〜２０秒スプレーをし
、１分子ｌｉｌ放置して乾燥させ、またスプレーを行な
う。これを３〜４回繰り返しアルミの表面に２０μ票く
らいの厚さに前述の溶液を塗布する。
次に、この感光ドラムを４００〜５００℃の真空炉に入
れ、アルゴンガス、又は窒素ガスを２０〜５０Ｔｏｒｒ
の圧力になるように流しつつ約２０分間加熱する。
れ、アルゴンガス、又は窒素ガスを２０〜５０Ｔｏｒｒ
の圧力になるように流しつつ約２０分間加熱する。
この工程により、バインダーと４：剤のほとんどが蒸発
し、アルミ円筒異面に約１０〜１５μｍのＳｉＣ層が形
成される。
し、アルミ円筒異面に約１０〜１５μｍのＳｉＣ層が形
成される。
さらに、この８４０層の表面に通常ａ−８ｉ感光体の製
造に用いられるプラズマＣＶＤ法によって６〜５μフル
のａ−８ｉＰｉを形成して本発明の感光体が完ＩＪｙす
る。
造に用いられるプラズマＣＶＤ法によって６〜５μフル
のａ−８ｉＰｉを形成して本発明の感光体が完ＩＪｙす
る。
上記実施例の中で述べた溶液の塗布法には、スプレーの
仙に、細かいメツシュのシート上に溶液をつけたローラ
を転がし、シートに溶液を含浸させたのち、その上にア
ルミ支持体を転がして塗布する印刷法、あるいはアルミ
ナ支持体のドラムを高回転（３０００〜５０００ ｒ、
７）、 ｔｎ、 ）させ、その表面に溶液を落して塗
布する回転塗布法等も第１１用できる。
仙に、細かいメツシュのシート上に溶液をつけたローラ
を転がし、シートに溶液を含浸させたのち、その上にア
ルミ支持体を転がして塗布する印刷法、あるいはアルミ
ナ支持体のドラムを高回転（３０００〜５０００ ｒ、
７）、 ｔｎ、 ）させ、その表面に溶液を落して塗
布する回転塗布法等も第１１用できる。
第１図ｄ本発明の感光体の構造’ｒ ｆｆＪｉ面の一部
を用いて表わしだ図である。同図において１１はアルミ
支持体、１２はＳｉＣ層、そして１３はα−ｓｊ層であ
る。ａ−ＥＥｉ層はわずかにホウ素がドープされＰ形半
導体となっている。
を用いて表わしだ図である。同図において１１はアルミ
支持体、１２はＳｉＣ層、そして１３はα−ｓｊ層であ
る。ａ−ＥＥｉ層はわずかにホウ素がドープされＰ形半
導体となっている。
ａ−３ｉの表面が正電荷によって帯電している場合を考
える。ここに、矢印への方向から可視領域の光を照射す
ると、ａ、−８ｉＴｒｊ吸収係数が大きいので、表面か
ら１μｍ以内で行とんどの光が吸収され、電子正孔対を
生成する。帯１ｙによって、ＢｉＣ層１２とａ−８ｉ
１５の中には電界が形成されているので、発生したηイ
子けｒｔ、−ｓｉ内を辿って表面に向かい帯面々荷を中
和する。一方、発生した正孔はσ−８ｉ１３と多結晶Ｂ
ｉ １２を通ってアルミ支持体１１に達する。したがっ
て、見かけ上α−８ｉの表面からアルミ支持体に向かっ
て？ｌｊ流が流り１、帯電々荷は消える。
える。ここに、矢印への方向から可視領域の光を照射す
ると、ａ、−８ｉＴｒｊ吸収係数が大きいので、表面か
ら１μｍ以内で行とんどの光が吸収され、電子正孔対を
生成する。帯１ｙによって、ＢｉＣ層１２とａ−８ｉ
１５の中には電界が形成されているので、発生したηイ
子けｒｔ、−ｓｉ内を辿って表面に向かい帯面々荷を中
和する。一方、発生した正孔はσ−８ｉ１３と多結晶Ｂ
ｉ １２を通ってアルミ支持体１１に達する。したがっ
て、見かけ上α−８ｉの表面からアルミ支持体に向かっ
て？ｌｊ流が流り１、帯電々荷は消える。
以上で動作について説明しだが、第１の構造では、α−
ＳＺが電荷発生層、Ｓ７：ＣＲ・９が電荷輸送層として
の機能を果している。
ＳＺが電荷発生層、Ｓ７：ＣＲ・９が電荷輸送層として
の機能を果している。
ＳｉＣ層はもともと１０１３Ω−ｃｍ程度の高１１（抗
を有する半導体で返るが数ＰＰＭのホウ素をドープした
場合には１０′４〜１０”Ｑ−αに達する。このように
Ｅ３ｉ０層が非常に高抵抗ｋ ７ｊ’ｅ Ｌ、第１図の
構造で１ＫＶ以上の帯電に耐えられる。
を有する半導体で返るが数ＰＰＭのホウ素をドープした
場合には１０′４〜１０”Ｑ−αに達する。このように
Ｅ３ｉ０層が非常に高抵抗ｋ ７ｊ’ｅ Ｌ、第１図の
構造で１ＫＶ以上の帯電に耐えられる。
電荷発生層−〇−ｓｉであるから、ａ−８ｉ感光体のも
つ可視領域に広い感度をもつという和点け、そのまま促
っていみ。このように本発明によって得られる感光体は
従来のａ−ｓｉ感光体のｌ時機をそのままイｎｕえてい
る。
つ可視領域に広い感度をもつという和点け、そのまま促
っていみ。このように本発明によって得られる感光体は
従来のａ−ｓｉ感光体のｌ時機をそのままイｎｕえてい
る。
しかも実Ｍ４例かられかるように、本発明では、ＳｉＣ
粒子を含む溶液の塗布と乾燥で約２０分、プラズマＣｖ
Ｄの工程で約３０分の剖５０分で雷、子写真感光体を構
造することができる。これは従来のａ−ｓｉ感光体の製
造時間９０〜１２０分に比べれば約半分の時間である。
粒子を含む溶液の塗布と乾燥で約２０分、プラズマＣｖ
Ｄの工程で約３０分の剖５０分で雷、子写真感光体を構
造することができる。これは従来のａ−ｓｉ感光体の製
造時間９０〜１２０分に比べれば約半分の時間である。
製造時間が半分になれば、機械償却費が半分になり、コ
ストの低下は大きい。さらに塗布という向岸な方法によ
って、感光体の７〜８割をつけることになり、プラズマ
ＣＶＤ装置という高価な装置ｌ＝１：を使う時間が少な
くてすむので投資金額が少ない。
ストの低下は大きい。さらに塗布という向岸な方法によ
って、感光体の７〜８割をつけることになり、プラズマ
ＣＶＤ装置という高価な装置ｌ＝１：を使う時間が少な
くてすむので投資金額が少ない。
またＳｉＣとσ、−ｓｊけ共にセレンに比べ、ピッカス
硬変を有する材料である。しかも熱的な安定性もセレン
が６０〜７０℃以下が限界であるのに対して１５０℃以
上で非常に高い。
硬変を有する材料である。しかも熱的な安定性もセレン
が６０〜７０℃以下が限界であるのに対して１５０℃以
上で非常に高い。
したがって本発明の雫子写直感光体は、従来の感光体に
比べｉｉｉ、Ｉ熱性、面１刷性ともにすぐれており組子
′グＪ「感光体としての利用価値は大微い。
比べｉｉｉ、Ｉ熱性、面１刷性ともにすぐれており組子
′グＪ「感光体としての利用価値は大微い。
４ 図面のｆガ【単なΔシ明
第１図は本発明の感光体の４Ｍ浩を凹面の一部によって
表わした図である。
表わした図である。
１１・・・・・・アルミ支持体
１２・・・・・・ｓｉｃ層
１３・・・・・・ａ、−ｓｉ絆
以 上
出願人 株式会社 諏訪精工舎
代理人 弁理士 最 ト 務
第１図
Claims (1)
- 金属面上に形成した電子写真感光体において、金属面上
に炭化シリコン粒子を含む溶液を重布し、加熱乾燥して
炭化シリコン層を形成したのち、前記岸化シリコン層の
上にアモルファスシリコン層を形成することｆ特徴とす
る冴子写前感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19022583A JPS6083036A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19022583A JPS6083036A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083036A true JPS6083036A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16254561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19022583A Pending JPS6083036A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083036A (ja) |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP19022583A patent/JPS6083036A/ja active Pending
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