JPS6035743A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6035743A JPS6035743A JP14531683A JP14531683A JPS6035743A JP S6035743 A JPS6035743 A JP S6035743A JP 14531683 A JP14531683 A JP 14531683A JP 14531683 A JP14531683 A JP 14531683A JP S6035743 A JPS6035743 A JP S6035743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- manufacturing
- electrophotographic photoreceptor
- silicon layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属面上に形成した電子写真感光体において
、金属面上にシリコン粒子を含む溶液を塗布し加熱乾燥
して、多結晶シリコン層を形成し、その上にアモルファ
スシリコン（以下ではα−Ｂ１とかく）を形成すること
により、低コストでしかも耐刷性と耐熱性の優れた電子
写真感光体の製造方法に関する。
、金属面上にシリコン粒子を含む溶液を塗布し加熱乾燥
して、多結晶シリコン層を形成し、その上にアモルファ
スシリコン（以下ではα−Ｂ１とかく）を形成すること
により、低コストでしかも耐刷性と耐熱性の優れた電子
写真感光体の製造方法に関する。
近年α−８１を用いた電子写真感光体が注目を集めてい
る。α−８１感光体は現在主流となっているセレン系の
感光体に比べて、耐熱性に非常に優れている。すなわち
、セレン系の感光体では６０〜７０℃で感光層が結晶化
し機能を失なうが１α−８１感光体は約２ｏｏ℃までの
温度に耐えられる。
る。α−８１感光体は現在主流となっているセレン系の
感光体に比べて、耐熱性に非常に優れている。すなわち
、セレン系の感光体では６０〜７０℃で感光層が結晶化
し機能を失なうが１α−８１感光体は約２ｏｏ℃までの
温度に耐えられる。
またα−８１感光体はセレン系感光体に比べ硬度が大き
く耐刷性にも優れている。
く耐刷性にも優れている。
このようにα−日土感光体は従来のセレン系感光体に比
べて非常に優れた点を有する反ｔｆ＋Ｌ成ｊ模速度が遅
い為、製造時間が長くかがり製造コストが高くなるとい
う欠点を有している。
べて非常に優れた点を有する反ｔｆ＋Ｌ成ｊ模速度が遅
い為、製造時間が長くかがり製造コストが高くなるとい
う欠点を有している。
たとえば、セレン；ｗ感光体では２０〜３０分１１４Ｊ
に６０〜８０μ倶成膜できる。一方α−８１感光体では
セレン系感光体での６０〜８０μｍの厚さの特性と同情
の特性を得るのに２０〜３０μ情の厚さでよい。しかし
、その厚さですら成膜時間は９０〜１２０分を必要とす
る。
に６０〜８０μ倶成膜できる。一方α−８１感光体では
セレン系感光体での６０〜８０μｍの厚さの特性と同情
の特性を得るのに２０〜３０μ情の厚さでよい。しかし
、その厚さですら成膜時間は９０〜１２０分を必要とす
る。
このように製造時間が長いことは量産する場合には製造
コストが高くなり非常に不利である。
コストが高くなり非常に不利である。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、α−８１感光体の長所を生かしつつ、
成１ｇ時間を短縮することによって製造コストを下げる
ことにある。
とするところは、α−８１感光体の長所を生かしつつ、
成１ｇ時間を短縮することによって製造コストを下げる
ことにある。
本発明の詳細については実施例をもって説明する。
実施例
有機性高分子のバインダーに、２〜１０μ餌の粒径をも
つシリコン粉を混合する。組成比は８１が５〜２０％と
する。これを有機溶剤、たとえば、アルコール、エステ
ル、ケトン等に溶解し、ｓ１粒子を含む溶液を作製する
。
つシリコン粉を混合する。組成比は８１が５〜２０％と
する。これを有機溶剤、たとえば、アルコール、エステ
ル、ケトン等に溶解し、ｓ１粒子を含む溶液を作製する
。
次に感光ドラムの支持体となるアルミのドラムを１００
０−２０００ｒ、ｐ、ｍで回転させつつ、その表面に前
記溶液をスプレーする。１０〜２０秒スプレーをし、１
分放置して乾燥させ、またスプレーを行なう。これを５
〜４回くり返して、アルミの表面上に６０μｍくらいの
厚さに前述の溶液を塗布する。
０−２０００ｒ、ｐ、ｍで回転させつつ、その表面に前
記溶液をスプレーする。１０〜２０秒スプレーをし、１
分放置して乾燥させ、またスプレーを行なう。これを５
〜４回くり返して、アルミの表面上に６０μｍくらいの
厚さに前述の溶液を塗布する。
次に、この感光ドラムを５００〜５５０℃の真空炉に入
れ、約６０％の０紫を含むアルゴンガス、又は窒素ガス
を流しつつ約１０分加熱する０ガスの流ｍは真空乏の内
圧が０．５〜Ｉ ＴＯｒｒになるように設定する。
れ、約６０％の０紫を含むアルゴンガス、又は窒素ガス
を流しつつ約１０分加熱する０ガスの流ｍは真空乏の内
圧が０．５〜Ｉ ＴＯｒｒになるように設定する。
この工程により、バインダーと溶剤のほとんどが蒸発し
、アルミ円筒表面には約２０μｍの多結晶シリコン層が
形成させる。
、アルミ円筒表面には約２０μｍの多結晶シリコン層が
形成させる。
さらに、この多結晶シリコン層の表面に、通常α−８１
感光体の製造に用いられるプラズマＯＶＤ法によって３
〜５μ慾のα−８１層を形成して本発明の感光体が完成
する。
感光体の製造に用いられるプラズマＯＶＤ法によって３
〜５μ慾のα−８１層を形成して本発明の感光体が完成
する。
上記、実施例の中で述べた浴液の塗布法には、スプレー
の他に、細かいメソシュのシート上に、溶液をつけたロ
ーラを転がし、シートに溶液を含浸させたのち、その上
にアルミ支持体を転がして塗布する印刷法、あるいはア
ルミ支持体のドラムを高回転（５０００〜５０００ｒ、
ｐ、ｍ）させ、その表面に溶液を落して塗布する回転塗
布法等も利用できる。
の他に、細かいメソシュのシート上に、溶液をつけたロ
ーラを転がし、シートに溶液を含浸させたのち、その上
にアルミ支持体を転がして塗布する印刷法、あるいはア
ルミ支持体のドラムを高回転（５０００〜５０００ｒ、
ｐ、ｍ）させ、その表面に溶液を落して塗布する回転塗
布法等も利用できる。
第１図は本発明の感光体の構造を断面の一部を用いて表
わした図である。同図において、１１０まアルミ支持体
、１２は多結晶シリコン層、そして１３はα−８１層で
ある。α−Ｂ１層はわずかにホウ崇がドープされＰ形半
導体となっている。
わした図である。同図において、１１０まアルミ支持体
、１２は多結晶シリコン層、そして１３はα−８１層で
ある。α−Ｂ１層はわずかにホウ崇がドープされＰ形半
導体となっている。
α−８１の表面が正′６荷によって帯電している場合を
考える。ここに、矢印Ａの方向から可視領域の光を照射
すると、α−８１は吸収係数が大きいので、表面から１
μ愼以内でほとんどの光が吸収され、電子正孔対を生成
する。帯′酸によって、多結晶シリコン１２とα−８１
１３の中には電界が形成されているので、発生した′電
子はα−８１内を通って表面に向い帯電電荷を中和する
。一方、発生した正孔はα−５１１３と多結晶５１１２
を通ってアルミ支持体１１に達する。したがって、見か
け上α−８１の表面からアルミ支持体に向ってｔＬ流が
流れ、帯電電荷は消える。
考える。ここに、矢印Ａの方向から可視領域の光を照射
すると、α−８１は吸収係数が大きいので、表面から１
μ愼以内でほとんどの光が吸収され、電子正孔対を生成
する。帯′酸によって、多結晶シリコン１２とα−８１
１３の中には電界が形成されているので、発生した′電
子はα−８１内を通って表面に向い帯電電荷を中和する
。一方、発生した正孔はα−５１１３と多結晶５１１２
を通ってアルミ支持体１１に達する。したがって、見か
け上α−８１の表面からアルミ支持体に向ってｔＬ流が
流れ、帯電電荷は消える。
以上で動作について説明したが、第１図の構造ではα−
Ｂ１が電荷発生層、多結晶シリコン層が電荷輸送層とし
ての機能を果している。
Ｂ１が電荷発生層、多結晶シリコン層が電荷輸送層とし
ての機能を果している。
多結晶シリコン層は０紮を含む雰囲気中での焼結によっ
て粒子表面にできる薄い酸化膜バクの為に非常に高抵抗
を示し、第１図の構造でＩＫＶ以上の帯′屯に耐えられ
る。
て粒子表面にできる薄い酸化膜バクの為に非常に高抵抗
を示し、第１図の構造でＩＫＶ以上の帯′屯に耐えられ
る。
電荷発生層はα−Ｂ１であるから、α−８１感光体のも
つ可視領域に広い感度をもつという利点はそのまま保っ
ている。このように本発明によってｔｑられる感光体は
従来のａ−ｓ１ｇ元体の特徴をそのまま備えている。
つ可視領域に広い感度をもつという利点はそのまま保っ
ている。このように本発明によってｔｑられる感光体は
従来のａ−ｓ１ｇ元体の特徴をそのまま備えている。
しかも、実施例かられかるように、本発明ではｓ１粒子
を含む溶液の塗布と乾燥で約２０分、プラズマＯＶＤの
工程で約３０分の計５０分で電子写真感光体を製造する
ことができる。これは従来のα−８１感元体の製造時間
９０〜１２０分に比べれば約半分の時間でできることに
なる。
を含む溶液の塗布と乾燥で約２０分、プラズマＯＶＤの
工程で約３０分の計５０分で電子写真感光体を製造する
ことができる。これは従来のα−８１感元体の製造時間
９０〜１２０分に比べれば約半分の時間でできることに
なる。
製造時間が半分になれば、機械４ｕ却費が半分になり、
コストの低下は大きい。さらに、塗布という１１１ｊ単
な方法によって、感光体膜の７〜８割をつけることにな
り、プラズマＯＶＤ装置という高価な装置Ｉｉを使う時
間が少なくてすむので投資金額が少ない。
コストの低下は大きい。さらに、塗布という１１１ｊ単
な方法によって、感光体膜の７〜８割をつけることにな
り、プラズマＯＶＤ装置という高価な装置Ｉｉを使う時
間が少なくてすむので投資金額が少ない。
このように本発明は製造コストを下げる上で大きな効果
を有するものである。また本発明は電子写真感光体ばか
りでなく、他の薄加１デバイス例えば光専ｔセンサ等に
も応用できる。
を有するものである。また本発明は電子写真感光体ばか
りでなく、他の薄加１デバイス例えば光専ｔセンサ等に
も応用できる。
第１図は本発明の感光体の構造を断面の一部を用いて表
わした図である。 １１・・・・・・アルミ支持体 １２・・・・・・多結晶シリコン層 １６・・・・・・α−ＢｉＪ音 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図
わした図である。 １１・・・・・・アルミ支持体 １２・・・・・・多結晶シリコン層 １６・・・・・・α−ＢｉＪ音 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図
Claims (2)
- （１）金属面上に形成した電子写真感光体において、金
属面上にシリコン粒子を含む溶液を塗布し、加熱乾燥し
て多結晶シリコン層を形成したのち、前記多結晶シリコ
ン層の上にアモルファスシリコン層を形成することを特
徴とする電子写真感光体の製造方法。 - （２） 前記シリコン粒子を含む溶剤の塗布層の加熱乾
燥を酸素を含む′１１−囲気中において、５００°Ｃ以
上の温度で行なうことを特徴とする特許請求の軛［１１
（第１項ＨＣ載の電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531683A JPS6035743A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14531683A JPS6035743A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035743A true JPS6035743A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15382338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14531683A Pending JPS6035743A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4672479A (en) * | 1984-04-04 | 1987-06-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Tape loading/unloading arrangement for magnetic recording and/or reproducing apparatus |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14531683A patent/JPS6035743A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4672479A (en) * | 1984-04-04 | 1987-06-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Tape loading/unloading arrangement for magnetic recording and/or reproducing apparatus |
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