JPS6083237A - 光記録媒体用化合物 - Google Patents
光記録媒体用化合物Info
- Publication number
- JPS6083237A JPS6083237A JP58190932A JP19093283A JPS6083237A JP S6083237 A JPS6083237 A JP S6083237A JP 58190932 A JP58190932 A JP 58190932A JP 19093283 A JP19093283 A JP 19093283A JP S6083237 A JPS6083237 A JP S6083237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- optical recording
- compound
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/025—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon triple bonds, e.g. acetylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光重合性上ツマ−からなる光記録媒体用化合
物に関する。
物に関する。
従来より有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光
記録媒体については知られており、例えば特ｔ３ｉ４昭
５６−１６９４８号公報、特開昭５８−１２５２４６号
公報にも開示されている。いずれも有機色素を記録層と
し、レーザビームにより記録再生を行なうレーザ記録媒
体に関するものである。特に特開昭５８−１２５２４６
号公報に開示された媒体は、一般式（） で表わされるシアニン糸色系の一１Ｉｉ膜を記録九′ｆ
ノとするものである。（Ｉ）式で表わされるシアニン系
色素溶液を回転塗布機などを用いて、１０（１０＾す、
下の厚さ、例えば約３００ Ｘの厚さにプラスチック基
板上に塗布し薄膜を形成する。ＩＩＩ：内の分子分布、
配回がランダムであると、）゛６照射に伴って膜内で光
の散乱が生じ、微視的にみた場合、各光照射の反に生ず
る化学反応の度合が異なってくる。そこで、記録媒体と
しては、膜内の分子分布、配向が一様に１よっているこ
とが望ましく、また、できる限り膜厚が薄いことが、記
録の正ｊ密Ｒ〔化のために要請される。しかしながら、
塗布法による場合、ＩＢ％厚においては３００ Ｘ程度
が限界であり、）１位内の分子分布、配向がランダムで
あることは解決しがたいことであった。
記録媒体については知られており、例えば特ｔ３ｉ４昭
５６−１６９４８号公報、特開昭５８−１２５２４６号
公報にも開示されている。いずれも有機色素を記録層と
し、レーザビームにより記録再生を行なうレーザ記録媒
体に関するものである。特に特開昭５８−１２５２４６
号公報に開示された媒体は、一般式（） で表わされるシアニン糸色系の一１Ｉｉ膜を記録九′ｆ
ノとするものである。（Ｉ）式で表わされるシアニン系
色素溶液を回転塗布機などを用いて、１０（１０＾す、
下の厚さ、例えば約３００ Ｘの厚さにプラスチック基
板上に塗布し薄膜を形成する。ＩＩＩ：内の分子分布、
配回がランダムであると、）゛６照射に伴って膜内で光
の散乱が生じ、微視的にみた場合、各光照射の反に生ず
る化学反応の度合が異なってくる。そこで、記録媒体と
しては、膜内の分子分布、配向が一様に１よっているこ
とが望ましく、また、できる限り膜厚が薄いことが、記
録の正ｊ密Ｒ〔化のために要請される。しかしながら、
塗布法による場合、ＩＢ％厚においては３００ Ｘ程度
が限界であり、）１位内の分子分布、配向がランダムで
あることは解決しがたいことであった。
レジスト材料の一つとして光量子効率が大でかつ優れた
解像力を有するものとして提案されていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デバイス、電気−音響−° デバイス、圧・焦電デ
バイス寺にも応用されることが、特開昭５６−４２２２
９号公報、特開昭５６−４３２２０号公報などに示され
ている。
解像力を有するものとして提案されていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デバイス、電気−音響−° デバイス、圧・焦電デ
バイス寺にも応用されることが、特開昭５６−４２２２
９号公報、特開昭５６−４３２２０号公報などに示され
ている。
近時においては、ジアセチレン化合物累積膜の製造方法
の改良について特Ｆ３ＦＪ昭５８−１１１０２９号公報
に示されている。かかる発明にて製造された基板上のジ
アセチレン化合物累積膜は紫外線を照射することにより
重合させてジアセチレン化合物重合体膜を作り、或はマ
スキングして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合
部分を除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回
路素子として使用される。
の改良について特Ｆ３ＦＪ昭５８−１１１０２９号公報
に示されている。かかる発明にて製造された基板上のジ
アセチレン化合物累積膜は紫外線を照射することにより
重合させてジアセチレン化合物重合体膜を作り、或はマ
スキングして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合
部分を除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回
路素子として使用される。
しかし、これらはいずれもジアセチレン化合物に限るも
のであり、薄膜光学デバイスとして使用するときに、一
度記録したものの消去の可能性については述べられてい
ない。
のであり、薄膜光学デバイスとして使用するときに、一
度記録したものの消去の可能性については述べられてい
ない。
本発明の目１１’、Ｉは、記録した’ｂ−報を消去する
ことができる反復使用可能な高密度光記録媒体用の化合
物を提供することにある。
ことができる反復使用可能な高密度光記録媒体用の化合
物を提供することにある。
本発明の１」的は、次の光記録媒体用の化合物によって
達成される。つまり、本発明の目的は、分子内に親水基
、疎水基および少なくとも１個の不飽和結合を有する光
Ｎ＜台柱モノマーからなる光記録媒体用化合物により達
成される。
達成される。つまり、本発明の目的は、分子内に親水基
、疎水基および少なくとも１個の不飽和結合を有する光
Ｎ＜台柱モノマーからなる光記録媒体用化合物により達
成される。
本発明の光重合性モノマーは、基板上に単分子膜または
単分子層累積膜を形成し得る。これらの膜を用いて光記
録媒体の記録層を製造することかでさる。
単分子層累積膜を形成し得る。これらの膜を用いて光記
録媒体の記録層を製造することかでさる。
製造された光記録媒体において記録は、記録層の光重合
性七ツマ−に光を照射して、照射部位において重合反応
を生じさせ、非照射部位と照射部位に重合の有無に基づ
く差を生せしめることによって行なう。次に再生は、こ
の重合によって生じた差を種々の方法で測定することに
よって行なう。
性七ツマ−に光を照射して、照射部位において重合反応
を生じさせ、非照射部位と照射部位に重合の有無に基づ
く差を生せしめることによって行なう。次に再生は、こ
の重合によって生じた差を種々の方法で測定することに
よって行なう。
また、記録した情報の除去は加熱による解重合によって
行なう。
行なう。
本発明の光重合性モノマーとしては、分子内に親ｙｊ＜
基、＃水基および少なくとも１個の不＠和結合を４３す
る光重合性モノマーであれば広く使うことができる。
基、＃水基および少なくとも１個の不＠和結合を４３す
る光重合性モノマーであれば広く使うことができる。
この様な光重合性モノマーは、一般式 （Ｒ８）（、［
Ｉｂ） 、（ＩＩＩ） で表わすことができる。
Ｉｂ） 、（ＩＩＩ） で表わすことができる。
Ｒ，−’ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ２（ＩＩａ）
ｎｌ−ＣＭ＝ＣＩ（−Ｒ８−ＣＩ−Ｉ＝ＣＨ−Ｒ，（Ｉ
ｌｂ）Ｒ，−Ｃミｃ−ｃミＣ−Ｒ２（ＩＩＩ）上式（Ｊ
ｌａ）および（、ＤＩ ）において、Ｒ，部或いは、Ｒ
，及びＲ１部に親水性部位と疎水性部位の両者が存在す
るか、若しくは、Ｒ１はＲ７との関係において疎水性で
あり、Ｒ７はＲｏとの関係において親水性である。上式
（ＩＩｂ）において、Ｒ１＋ Ｒ２またはＲ８部のいず
れかに親水性部位と疎水性部位の両者が存在するか、若
しくはＲ，、Ｒ，およびＲ５部のいずれかが他の部との
関係において疎水性であり、残りの都のいずれかは親水
性である。特に炭素原子数１０〜３０の長鎖アルキル基
をＲ１部或いは、Ｒ。
ｌｂ）Ｒ，−Ｃミｃ−ｃミＣ−Ｒ２（ＩＩＩ）上式（Ｊ
ｌａ）および（、ＤＩ ）において、Ｒ，部或いは、Ｒ
，及びＲ１部に親水性部位と疎水性部位の両者が存在す
るか、若しくは、Ｒ１はＲ７との関係において疎水性で
あり、Ｒ７はＲｏとの関係において親水性である。上式
（ＩＩｂ）において、Ｒ１＋ Ｒ２またはＲ８部のいず
れかに親水性部位と疎水性部位の両者が存在するか、若
しくはＲ，、Ｒ，およびＲ５部のいずれかが他の部との
関係において疎水性であり、残りの都のいずれかは親水
性である。特に炭素原子数１０〜３０の長鎖アルキル基
をＲ１部或いは、Ｒ。
及びＲ，部、若しくはＲ１ｌ Ｒ２またはＲ３部の少な
くともいずれかに有する光重合性モノマーが蹟ましい。
くともいずれかに有する光重合性モノマーが蹟ましい。
本発明の光重合性モノマーの具体的な例どしては以下の
化合物が例示される。
化合物が例示される。
／
／
ｃＨ，（ＣＨ２） ｘ−Ｃミｃ−ｃ＝ｃ −（ＣＨ，）
ｙ−ＣＯＯＨＲ＝ −（ＣＨ３）ｎＣＨ３ Ｘ０＝ ＣＩ−、Ｂｒ−Ｔ Ｉ−Ｉ Ｃｌ０ｒ ＋ −
０３０，舎ＣＨ３。
ｙ−ＣＯＯＨＲ＝ −（ＣＨ３）ｎＣＨ３ Ｘ０＝ ＣＩ−、Ｂｒ−Ｔ Ｉ−Ｉ Ｃｌ０ｒ ＋ −
０３０，舎ＣＨ３。
−ｏｓｏ２＋ＣＩ など
ＭｉＪ記の光束台柱七ツマ−は、長鎖アルキル基を新た
に導入した点を除けば、それ自体公知（文献塩；化学と
工業第３２巻第１０号 ７６３〜７６５頁）であるか、
又は、それに類似した第１ケ造を持つ化合物である。故
に公知の方法により合成することがでさる。例えば、炭
素原子数１８の長鎖アルキル基（ｎ−オクタデカノイル
基）を有する光重合性オレフィンモノマーである過塩素
ＨＬ４− シー ｎ −オクタデカノイル−２，５−ジ
スチリルピラジンΔは以下の方法により合成することが
できる。
に導入した点を除けば、それ自体公知（文献塩；化学と
工業第３２巻第１０号 ７６３〜７６５頁）であるか、
又は、それに類似した第１ケ造を持つ化合物である。故
に公知の方法により合成することがでさる。例えば、炭
素原子数１８の長鎖アルキル基（ｎ−オクタデカノイル
基）を有する光重合性オレフィンモノマーである過塩素
ＨＬ４− シー ｎ −オクタデカノイル−２，５−ジ
スチリルピラジンΔは以下の方法により合成することが
できる。
０ＣＨ＝ＣＨ＋ＣＨ＝ＣＨ−０−ｃｌｏ？Δ
１０．８，９ ２．５−ジメチルピラジンと４４．５．
１７ｐ−クロルベンゼンスルホン酸−！ｌ−オクタデカ
ノイルエステルとを１０１００ｍ１Ｄにとかし、窒素雰
囲気下にて１時間加熱還流する。冷却後、過塩素酸ナト
リウム１０５＋を水２００ｍ１に溶かした溶液を加える
。析出した固体をエーテルで洗浄した後、メチルアルコ
ール中で再結晶させる。こうして得た、過塩素酸１ｒ４
−ｎｌオクタデカノイル−２，５−ジメチルピラジン
４．７ｇとベンズアルデヒド１．０４ｇとを無水酢酸中
で３時間加熱還流し、冷却後メチルアルコール中で再結
晶させてΔを得る（収率４０％）。妻↓力他の化合物も
これと同様の手法により合成することができる。
１７ｐ−クロルベンゼンスルホン酸−！ｌ−オクタデカ
ノイルエステルとを１０１００ｍ１Ｄにとかし、窒素雰
囲気下にて１時間加熱還流する。冷却後、過塩素酸ナト
リウム１０５＋を水２００ｍ１に溶かした溶液を加える
。析出した固体をエーテルで洗浄した後、メチルアルコ
ール中で再結晶させる。こうして得た、過塩素酸１ｒ４
−ｎｌオクタデカノイル−２，５−ジメチルピラジン
４．７ｇとベンズアルデヒド１．０４ｇとを無水酢酸中
で３時間加熱還流し、冷却後メチルアルコール中で再結
晶させてΔを得る（収率４０％）。妻↓力他の化合物も
これと同様の手法により合成することができる。
前記単分子膜または単分子層累積膜を作成する方法とし
ては、例えば、１． Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラ
ングミュア・プロジェット法（Ｌ Ｂ法）を用いる。ラ
ングミュア・プロジェット法は、分子内に親水基と疎水
基を有する４ｔ′１造の分子において、両者のバランス
（両親媒性のバランス）が適度に保たれているとき、分
子は水面上で親水基を下に向けて単分子の層になること
を利用して単分子膜または単分子層の累積膜を作成する
方法である。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ
。分子がまばらに散開しているときは、一分子当り面１
８ Ａと表面圧Ｈとの間に二次元理想気体の式１、／７
Ａ ＝ ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、１（はボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜（または
固体膜）”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単分子
膜または小分子層累積膜は例えば次のようにして製造す
る。
ては、例えば、１． Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラ
ングミュア・プロジェット法（Ｌ Ｂ法）を用いる。ラ
ングミュア・プロジェット法は、分子内に親水基と疎水
基を有する４ｔ′１造の分子において、両者のバランス
（両親媒性のバランス）が適度に保たれているとき、分
子は水面上で親水基を下に向けて単分子の層になること
を利用して単分子膜または単分子層の累積膜を作成する
方法である。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ
。分子がまばらに散開しているときは、一分子当り面１
８ Ａと表面圧Ｈとの間に二次元理想気体の式１、／７
Ａ ＝ ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、１（はボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜（または
固体膜）”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単分子
膜または小分子層累積膜は例えば次のようにして製造す
る。
まず光重合性モノマーを溶剤に溶解し、これを水相中に
展開し光重合性モノマーを膜状に析出させる。次にこの
析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎないように
仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限して膜物
質の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
ＩＩを得る。この仕ｒｏｒｗ−を動かし、展開面積を縮
少して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に」二
昇させ、累積膜の製造に適する表面圧ＩＩを段別するこ
とができる。この表面圧を維持しながら静かに清浄なみ
。
展開し光重合性モノマーを膜状に析出させる。次にこの
析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎないように
仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限して膜物
質の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
ＩＩを得る。この仕ｒｏｒｗ−を動かし、展開面積を縮
少して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に」二
昇させ、累積膜の製造に適する表面圧ＩＩを段別するこ
とができる。この表面圧を維持しながら静かに清浄なみ
。
板を垂直に上下させることにより単分子＋＋ｑが基板上
に移しとられる。月シ分子欣は以上で製造されるが、小
分子層累積膜ば、Ｉｌｌ」記の操作を紅・り返すことに
より所望の累積度の噂分子１色寮積１１９．＜が形成さ
・れる。
に移しとられる。月シ分子欣は以上で製造されるが、小
分子層累積膜ば、Ｉｌｌ」記の操作を紅・り返すことに
より所望の累積度の噂分子１色寮積１１９．＜が形成さ
・れる。
成膜分子は、前記の光重合性モノマーから１種または２
種以上選択される。２種Ｕ−ヒの光′；Ｉ（舎外モノマ
ーを用いるときは、各２（（分子層は１棟の光重合性モ
ノマーよりなる。異なる成膜分子より成る小分子層の組
合せ方法は、例えは２種の光重合性モ／、−７−ａ 、
ｂを、基板側から（ａｂ）ｎ ＋ （ａｍｂｔ）ｎ。
種以上選択される。２種Ｕ−ヒの光′；Ｉ（舎外モノマ
ーを用いるときは、各２（（分子層は１棟の光重合性モ
ノマーよりなる。異なる成膜分子より成る小分子層の組
合せ方法は、例えは２種の光重合性モ／、−７−ａ 、
ｂを、基板側から（ａｂ）ｎ ＋ （ａｍｂｔ）ｎ。
ａ（ｂ）ｎ （ｎ 、ｍ、 ｌは１以上の市の；摺数）
など、あるいは全くランダムな順番でＺ４積してもよく
、種々の組合せが可能である。使用する光重合性モノマ
ーの特性等によって、組合せ方法は決定される。
など、あるいは全くランダムな順番でＺ４積してもよく
、種々の組合せが可能である。使用する光重合性モノマ
ーの特性等によって、組合せ方法は決定される。
記録層の厚さは３０Ｘ〜３１１ｍが適し”でおり、特に
１００ Ｘ〜３０００ Ｘが適している。光重合性モノ
マーの種類の選択、累粘度などはこれを考慮して決定さ
れる。
１００ Ｘ〜３０００ Ｘが適している。光重合性モノ
マーの種類の選択、累粘度などはこれを考慮して決定さ
れる。
単分子層を基板上に些ずには、上述した垂直浸せき法の
他、水平付着法９回転円筒法などの方法による。水平付
着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法で、
回転円開法は、円筒型の基体を水面上を回転させて小分
子層を基体表面に移しとる方法である。ＦｉｉＪ述した
垂直浸せき法では、水面を横切る方向に基数をおろすと
一層めは親水基が基板側に向いた単分子層が基板」二に
形成される。Ｍｉｆ述のように基板な上下させると、各
行程ごとに１枚ずつ単分子層が重なっていく。成膜分子
の向きが引上げ行程と浸せき行程で逆になるので、この
方法によると、各層間は親水基と親水基、疎水基ど疎水
基が向かい合うＹ型膜が形成される。
他、水平付着法９回転円筒法などの方法による。水平付
着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法で、
回転円開法は、円筒型の基体を水面上を回転させて小分
子層を基体表面に移しとる方法である。ＦｉｉＪ述した
垂直浸せき法では、水面を横切る方向に基数をおろすと
一層めは親水基が基板側に向いた単分子層が基板」二に
形成される。Ｍｉｆ述のように基板な上下させると、各
行程ごとに１枚ずつ単分子層が重なっていく。成膜分子
の向きが引上げ行程と浸せき行程で逆になるので、この
方法によると、各層間は親水基と親水基、疎水基ど疎水
基が向かい合うＹ型膜が形成される。
それに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触き
せて移しとる方法で、疎水基が＆板側に向いた単分子層
が基板上に形成される。この方法では、累債しても、成
膜分子の同きのヲで代はなく全ての層において、疎水基
が基板側に向いたＸ型膜が形成される。反対に全ての層
において親水基が基板側に向いた累積膜は２型膜と呼は
れる。
せて移しとる方法で、疎水基が＆板側に向いた単分子層
が基板上に形成される。この方法では、累債しても、成
膜分子の同きのヲで代はなく全ての層において、疎水基
が基板側に向いたＸ型膜が形成される。反対に全ての層
において親水基が基板側に向いた累積膜は２型膜と呼は
れる。
回転円筒法を；、円筒型の基体を水面−Ｆを回転させて
４ｉ分子層を基体表面に移しとる方法である。
４ｉ分子層を基体表面に移しとる方法である。
単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、犬ｉ！ｒ＋積基板を用いる時には、基板ロ
ールから水相中に基板を押し出していく方法などもとり
得る。また、前述した親水栽、疎水基の基板への向きは
原則であり、基板の表面処理等によって変えることもで
さる。
けではなく、犬ｉ！ｒ＋積基板を用いる時には、基板ロ
ールから水相中に基板を押し出していく方法などもとり
得る。また、前述した親水栽、疎水基の基板への向きは
原則であり、基板の表面処理等によって変えることもで
さる。
作成した光記録媒体に、あるパターンに従ってガンマ線
、Ｘ線、紫外線など重合に必要なエメ・ルギーを供給し
うる光を照射すると照射部位において■式に示すように
重合がおこる。
、Ｘ線、紫外線など重合に必要なエメ・ルギーを供給し
うる光を照射すると照射部位において■式に示すように
重合がおこる。
Ｒ，Ｒ，Ｉｔ、ｆ七。
１
Ｒ，１１２Ｒ，Ｒ２
又、一般式（ＩＩＩ）で表わされるジアセブーレン化合
物については、光照射によって（Ｖ）式に示す様に重合
がおこる。
物については、光照射によって（Ｖ）式に示す様に重合
がおこる。
と
ｌ″ＸＲ２
これらの反応は互いに隣接する不飽和結合の距離が４Ｘ
以下のときおこり得るものであり、先に述べた様な方法
で作成された単分子膜又は、小分子層累粕膜では、同一
層内の隣接分子間又は累積する層の隣接する分子間にお
いて可能である。また、Ｊ１ｉ合した後は、暗所下でも
解重合は起こらず、非照射部位は単量体のままであるの
で、第１図に示すように、成るパターンに従った記録が
成される。
以下のときおこり得るものであり、先に述べた様な方法
で作成された単分子膜又は、小分子層累粕膜では、同一
層内の隣接分子間又は累積する層の隣接する分子間にお
いて可能である。また、Ｊ１ｉ合した後は、暗所下でも
解重合は起こらず、非照射部位は単量体のままであるの
で、第１図に示すように、成るパターンに従った記録が
成される。
記録された情報の読み取りは例えば可視光の照射によっ
て行なう。すなわち、重合によって単量体時の共役系が
崩れるので、可視光の吸収波長に変化をきたす。最大吸
収波長は低波長側にシフトするので、吸収スペクトル変
化を読みとることにより情報の再生が行われる（第２図
）。従って、この場合には情報の再生は共役系が長い方
が、単量体と重合体の最大吸収波長の変化が大きいので
容易である。
て行なう。すなわち、重合によって単量体時の共役系が
崩れるので、可視光の吸収波長に変化をきたす。最大吸
収波長は低波長側にシフトするので、吸収スペクトル変
化を読みとることにより情報の再生が行われる（第２図
）。従って、この場合には情報の再生は共役系が長い方
が、単量体と重合体の最大吸収波長の変化が大きいので
容易である。
再生は、可視光による吸収スペクトル変化の読み収り以
外にも、単鼠体時と重合後の体積変化をシュリーレン法
により読みとることも可能である。
外にも、単鼠体時と重合後の体積変化をシュリーレン法
により読みとることも可能である。
この方法は、単１体時と重合後の体積変化の大きい構造
を有する化合物の分子膜のときには待に適している。ま
た、単分子膜または単分子層累積膜を基板の上に直接で
はなく、基板上にＳｓ 、 ＺｎＯ。
を有する化合物の分子膜のときには待に適している。ま
た、単分子膜または単分子層累積膜を基板の上に直接で
はなく、基板上にＳｓ 、 ＺｎＯ。
ＣｄＳなどの光導電体層を形成し、その上に単分子膜ま
たは単分子層累積膜を形成することにより、単量体と重
合体の吸光度の差を電気的に読み収る、ことも可能であ
る。
たは単分子層累積膜を形成することにより、単量体と重
合体の吸光度の差を電気的に読み収る、ことも可能であ
る。
情報の除去は、加熱、例えば３００〜４５０ ℃により
解重合することによって行なう（第６図）。光記録媒体
の反復使用は、情報除去のための加熱により劣化がおこ
るが１００回程度まで可能である。
解重合することによって行なう（第６図）。光記録媒体
の反復使用は、情報除去のための加熱により劣化がおこ
るが１００回程度まで可能である。
光重合性ぞツマ−の単分子膜または単分子層累積膜を形
成する基板は特に限定されないが、基板表面に界面活性
物質が付着していると、単分子層を水面から移しとる時
に、単分子膜が乱れ、良好な単分子膜または単分子層累
積膜ができないので基板表面が清浄なものを使用する必
要がある。使、用することのできる基板の例としては、
ガラス。
成する基板は特に限定されないが、基板表面に界面活性
物質が付着していると、単分子層を水面から移しとる時
に、単分子膜が乱れ、良好な単分子膜または単分子層累
積膜ができないので基板表面が清浄なものを使用する必
要がある。使、用することのできる基板の例としては、
ガラス。
アルミニクムなどの金属、プラスチック、セラミックな
どスフ：挙げられる。
どスフ：挙げられる。
基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんどないが、接着力を強化する目的で、基板と単分子
膜または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもで
きる。さらに単分子層形成条件、例えば水相の水素イオ
ン濃度、イオン種、あるいは表面圧の選択等によっても
接着力を強化することもできる。
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんどないが、接着力を強化する目的で、基板と単分子
膜または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもで
きる。さらに単分子層形成条件、例えば水相の水素イオ
ン濃度、イオン種、あるいは表面圧の選択等によっても
接着力を強化することもできる。
単分子膜または単分子層累積膜の上に保護膜を設けるこ
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の逆捩によって保護膜は設けても設けなくてもよい。
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の逆捩によって保護膜は設けても設けなくてもよい。
以下に本発明の実施例及び応用例を示して四に具体的に
説明する。
説明する。
実施例１
２．５−ジスチリルピラジンのピラジン環上にｎ−オク
タデカノイル基を尋人した四級塩Ａを成膜分子とし、表
面圧を一定に保ちながら表面が十分に清浄で親水性とな
っているガラスジん仮を水中に静かに上下させて単分子
１１）′ｆ！：を基ｔ／ｉ−ｔ：に移しとり、単分子膜
および５ 、１０ 、２０ 、３０ 、５０ 、７０
。
タデカノイル基を尋人した四級塩Ａを成膜分子とし、表
面圧を一定に保ちながら表面が十分に清浄で親水性とな
っているガラスジん仮を水中に静かに上下させて単分子
１１）′ｆ！：を基ｔ／ｉ−ｔ：に移しとり、単分子膜
および５ 、１０ 、２０ 、３０ 、５０ 、７０
。
１００層に累積した単分子層系７蹟１ｊ・４を記録層と
する光記録媒体を製造した。生成１ｉ２＞はピラジン環
側か基板に接している。
する光記録媒体を製造した。生成１ｉ２＞はピラジン環
側か基板に接している。
参考例１
実施例１で作成した光記録媒体にパターンに従ってＸ線
照射を行ない、式■の椋な重合を行ない情報を記録した
。
照射を行ない、式■の椋な重合を行ない情報を記録した
。
Δ
（ＶＩ）
（過酸化塩イオンは成膜時に水相側に溶解する。）この
方法によれば、特に５〜７０層に累積した記録層を有す
る光記録媒体は分子単位程度の高密度記録が可能であっ
た。
方法によれば、特に５〜７０層に累積した記録層を有す
る光記録媒体は分子単位程度の高密度記録が可能であっ
た。
記録した情報を波長４２０ ｎｍＰ可視光により再生し
たところＳ／Ｎ比よく再生が可能であった。
たところＳ／Ｎ比よく再生が可能であった。
この光記録媒体を３００℃に加熱し消去し、加熱後再び
パ・ターンに従ってＸ線照射を行ない情報を記録した。
パ・ターンに従ってＸ線照射を行ない情報を記録した。
以上より、実施例１の光記録媒体は分子単位程度の１１
５密度記録が可能である上、反復使用しうるものであっ
た。
５密度記録が可能である上、反復使用しうるものであっ
た。
実施例２
Ｈ８ＣＯＯＣＣＨ−ＣＨ＋ＣＨ二ＣＨＣ００（ＣＨＪＩ
７ ＣＨ３化合物見を成膜分子とし、実施例１と同様な
基板上に単分子膜を移しとる操作を繰り返し、１０゜２
０ 、５０ 、１．００ 、２００ 、３００ 、４０
０ 、５００層の累積の単分子層累積膜を製造した。
７ ＣＨ３化合物見を成膜分子とし、実施例１と同様な
基板上に単分子膜を移しとる操作を繰り返し、１０゜２
０ 、５０ 、１．００ 、２００ 、３００ 、４０
０ 、５００層の累積の単分子層累積膜を製造した。
参考例２
実施例２で作成した光記録媒体にパターンに従って紫外
線照射を行ない照射部位に於いて重合を行ない情報を記
録した。
線照射を行ない照射部位に於いて重合を行ない情報を記
録した。
記録した情報をシュリーレン法により、単Ｆ５゛休と重
合体の体積変化を測定することにより読み取ったところ
、特に１０〜２００層の１模について良好な読みとりを
行なうことができた。
合体の体積変化を測定することにより読み取ったところ
、特に１０〜２００層の１模について良好な読みとりを
行なうことができた。
実施例２の光記録媒体は高密１Ｗ記録、良好なｐｊ生が
可能な上、参考例１と同様に反復使用しつるものであっ
た。
可能な上、参考例１と同様に反復使用しつるものであっ
た。
実施例３
実施例１と同様にして、第１表に示す光ｔｆＩ′合性モ
ノマーを用いて光記録媒体を製造した。
ノマーを用いて光記録媒体を製造した。
第１表
参考例３
実施例３で製造した光記録媒体に第２表に示した光を用
いて記録し、再生をｈっだ。いずれも分子単位程度の高
密度記録が可能で、しかも、記録後の媒体を加熱するこ
とにより参考例１と同様に反復使用が可能であった。
いて記録し、再生をｈっだ。いずれも分子単位程度の高
密度記録が可能で、しかも、記録後の媒体を加熱するこ
とにより参考例１と同様に反復使用が可能であった。
実施例４
成膜分子として
ＣＨ３（ＣＨ２）、？！ｎ’：ｐｃＨ＝ｃＨ−＠）−’
ｃｍ＝ｃＨ−＠ｙ見 見 用いて単分子層累積膜を製造した。２をクロロポルムに
溶解し、溶液を水相中に展開し、Ｃを膜状に析出させた
。同様にして厄をクロロポルムに溶解し、溶液を凪とは
別の水槽に展開し、尼を膜状に析出させた。表面圧を一
定に保ちながら表面が十分に清浄で親水性となっている
ガラス基板を見の水槽中に静かにおろして見の単分子膜
を基板上コ に移しとった。次に旦の水槽中におろして乃の単分子膜
を基板上に移しとった。この操作を繰り・違して、記録
層の膜厚５０〜３０００ Ｘの光記録媒体を作成した。
ｃｍ＝ｃＨ−＠ｙ見 見 用いて単分子層累積膜を製造した。２をクロロポルムに
溶解し、溶液を水相中に展開し、Ｃを膜状に析出させた
。同様にして厄をクロロポルムに溶解し、溶液を凪とは
別の水槽に展開し、尼を膜状に析出させた。表面圧を一
定に保ちながら表面が十分に清浄で親水性となっている
ガラス基板を見の水槽中に静かにおろして見の単分子膜
を基板上コ に移しとった。次に旦の水槽中におろして乃の単分子膜
を基板上に移しとった。この操作を繰り・違して、記録
層の膜厚５０〜３０００ Ｘの光記録媒体を作成した。
参考例４
実施例４で作成した光記録（媒体にパターンに従つてＸ
線照射を行ない情報を記録した。記録した情報を波長４
２０ ｎｍの可視光により再生したところ稿に記録層の
１し）厚が３００〜３０００ Ｘの光記録媒体において
ｓ／Ｎ比よく再生が可能であった。
線照射を行ない情報を記録した。記録した情報を波長４
２０ ｎｍの可視光により再生したところ稿に記録層の
１し）厚が３００〜３０００ Ｘの光記録媒体において
ｓ／Ｎ比よく再生が可能であった。
この光記録媒体を３５０℃に加熱し情報を除去し、その
後再びパターンに従ってＸ線照射を行ない情報を記録し
た。
後再びパターンに従ってＸ線照射を行ない情報を記録し
た。
以上より、実施例４の光記録媒体は、分子単位程度の高
密度記録が可能で、しかも、反復使用が可能であった。
密度記録が可能で、しかも、反復使用が可能であった。
実施例５
実施例４と同様にして第６表に示す光重合性モノマーの
組合せを用いて光記録媒体を製造した。
組合せを用いて光記録媒体を製造した。
参考例５
実施例５で製造した光記録媒体に、第６表に示した光を
用いて記録し、再生を行なった。いずれも分子単位程度
の高密ＩＷ記録が可能で、しかも記録後の媒体を加熱す
ることにより参考例４と同様に反復使用が可能であった
。
用いて記録し、再生を行なった。いずれも分子単位程度
の高密ＩＷ記録が可能で、しかも記録後の媒体を加熱す
ることにより参考例４と同様に反復使用が可能であった
。
第１図は本発明の光重合性モノマーを用いた光記録媒体
へあ情報の記録を示した説明図、第２図は記録した情報
の読み取りを示した説明図、第６図は情報の除去を示し
た説明図である。 Ｒ８・・・親水基 Ｒ２・・・疎水基 １ ・・・基板 ２ ・・・光（Ｘ線など） ６・・・重合 ４ ・・・可視光 手続補正書（自発） 昭和５９年 ９月 １；日 特許庁長官 殿 １、１９件の表示 昭和５８年 特許願 第１９０９３
２号２、発明の名称 光記録媒体用化合物 ３、補正をする者 一＝Ｉ−件との関係 特許出願人 （＋００）キャノン株式会社 ４−代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号５Ｓ１６興和ビ
ル８階 ５、補正の対象 り１細書の発明の詳細な説明の柵 ６、補正の内容 （１）明細占第１７頁第１０行の「基板をおろず」を「
基板を水中から引き上げる」に補正する。
へあ情報の記録を示した説明図、第２図は記録した情報
の読み取りを示した説明図、第６図は情報の除去を示し
た説明図である。 Ｒ８・・・親水基 Ｒ２・・・疎水基 １ ・・・基板 ２ ・・・光（Ｘ線など） ６・・・重合 ４ ・・・可視光 手続補正書（自発） 昭和５９年 ９月 １；日 特許庁長官 殿 １、１９件の表示 昭和５８年 特許願 第１９０９３
２号２、発明の名称 光記録媒体用化合物 ３、補正をする者 一＝Ｉ−件との関係 特許出願人 （＋００）キャノン株式会社 ４−代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号５Ｓ１６興和ビ
ル８階 ５、補正の対象 り１細書の発明の詳細な説明の柵 ６、補正の内容 （１）明細占第１７頁第１０行の「基板をおろず」を「
基板を水中から引き上げる」に補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子内に親水基、疎水基および少なくとも１個の不
飽和結合を有する光重合性モノマーからなる光記録媒体
用化合物。 ２、ｆｉＪ記光型光重合性モノマー素原子数１０〜３゜
の長鎖アルキル基を有するオンフィンモノマーであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
用化合物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190932A JPS6083237A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光記録媒体用化合物 |
| FR8415708A FR2553531B1 (fr) | 1983-10-14 | 1984-10-12 | Monomere photopolymerisable pour milieu d'enregistrement optique et milieu le contenant |
| DE3437724A DE3437724A1 (de) | 1983-10-14 | 1984-10-15 | Aufzeichnungsmaterial fuer optische aufzeichnung und optisches aufzeichnungsverfahren unter verwendung dieses aufzeichnungsmaterials |
| GB08426038A GB2149930B (en) | 1983-10-14 | 1984-10-15 | Optical recording medium and optical recording process using such medium |
| US06/870,425 US4766047A (en) | 1983-10-14 | 1986-06-04 | Optical recording medium and optical recording process using such medium |
| US07/062,330 US4804613A (en) | 1983-10-14 | 1987-06-09 | Optical recording medium and optical recording process using such medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190932A JPS6083237A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光記録媒体用化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083237A true JPS6083237A (ja) | 1985-05-11 |
| JPH0427959B2 JPH0427959B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=16266079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58190932A Granted JPS6083237A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光記録媒体用化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684210A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Yosuke Matsumoto | 記録材料、情報記録消去装置および情報記録システム |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP58190932A patent/JPS6083237A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684210A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Yosuke Matsumoto | 記録材料、情報記録消去装置および情報記録システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0427959B2 (ja) | 1992-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6083029A (ja) | 光記録媒体 | |
| US4753830A (en) | Film forming method, recording medium formed thereby and recording method therewith | |
| US4804613A (en) | Optical recording medium and optical recording process using such medium | |
| JPS6083237A (ja) | 光記録媒体用化合物 | |
| JPS6085448A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0452934B2 (ja) | ||
| JPS60121442A (ja) | 感光性記録メモリ−媒体および記録再生方法 | |
| JPS60239740A (ja) | 記録媒体 | |
| JPH0458615B2 (ja) | ||
| JPS6083238A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS60241928A (ja) | 成膜方法 | |
| JPS60239741A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS60239743A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS60241929A (ja) | 成膜方法 | |
| JPS60239742A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS61143190A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS60239282A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS61239988A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS61137779A (ja) | 記録媒体 | |
| JPH0259789B2 (ja) | ||
| JPS61143186A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS61180237A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS61137775A (ja) | 記録媒体 | |
| JPS61143188A (ja) | 記録媒体 | |
| JPH0447632B2 (ja) |