JPS6084820A - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
- Publication number
- JPS6084820A JPS6084820A JP59180514A JP18051484A JPS6084820A JP S6084820 A JPS6084820 A JP S6084820A JP 59180514 A JP59180514 A JP 59180514A JP 18051484 A JP18051484 A JP 18051484A JP S6084820 A JPS6084820 A JP S6084820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask
- width
- etched
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面に凹凸もしくは段差（以下まとめて段差と
いう）を有する半導体基板もしくは配線基板（以下まと
めて配線基板という）に対して、ホトエツチングによっ
て表面にエツチング加工を行う際に、配線基板表面の段
差の影響によってエツチングの加工精度が低下すること
を防ぎ、平坦な配線基板に対する場合と同程度の加工精
度を保つ方法を提供するものである。
いう）を有する半導体基板もしくは配線基板（以下まと
めて配線基板という）に対して、ホトエツチングによっ
て表面にエツチング加工を行う際に、配線基板表面の段
差の影響によってエツチングの加工精度が低下すること
を防ぎ、平坦な配線基板に対する場合と同程度の加工精
度を保つ方法を提供するものである。
第１図によって本発明の方法ならびにその効果を説明す
る配線基板２１の上に熱酸化法、化学蒸着、真空蒸着、
スパッタ法などによって形成された絶縁物もしくは導体
のＭ２２の表面に、その上表面が平坦になるような十分
厚い塗布被膜２７を加工層として形成する。塗布被膜２
７としては高分子樹脂や低融点ガラス、シリカフィルム
などがある。
る配線基板２１の上に熱酸化法、化学蒸着、真空蒸着、
スパッタ法などによって形成された絶縁物もしくは導体
のＭ２２の表面に、その上表面が平坦になるような十分
厚い塗布被膜２７を加工層として形成する。塗布被膜２
７としては高分子樹脂や低融点ガラス、シリカフィルム
などがある。
次いで第１図（ｂ）の如く、ＡＩｌ、Ｃｒ、ＭＯ。
Ｔｉなどの薄い金属もしくはその酸化物などからなる光
を透過しにくい層２８（以下遮光層という）を形成し、
さらにその上にホトレジストなどからなるマスク層２３
を被着した後に、ホトマスク２４を通して露光する。こ
のとき遮光層２８の表面は平坦であり、かつ光を透過し
にくいため、下地配線基板表面の段差による光の反射な
どの悪影響もなく、マスク層２３はホトマスク２４のパ
ターンに忠実に露光される。従って、第１図（Ｃ）に示
すように、現象処理によって形成されるマスクＷＪ２３
の間口部の幅は、ホトマスク２４の黒部２５の幅Ｗ、に
ほぼ等しい値となる。さらにこのマスク層２３をマスク
として遮光層２８をエツチングして開口を形成するが、
遮光層は薄いために。
を透過しにくい層２８（以下遮光層という）を形成し、
さらにその上にホトレジストなどからなるマスク層２３
を被着した後に、ホトマスク２４を通して露光する。こ
のとき遮光層２８の表面は平坦であり、かつ光を透過し
にくいため、下地配線基板表面の段差による光の反射な
どの悪影響もなく、マスク層２３はホトマスク２４のパ
ターンに忠実に露光される。従って、第１図（Ｃ）に示
すように、現象処理によって形成されるマスクＷＪ２３
の間口部の幅は、ホトマスク２４の黒部２５の幅Ｗ、に
ほぼ等しい値となる。さらにこのマスク層２３をマスク
として遮光層２８をエツチングして開口を形成するが、
遮光層は薄いために。
加工精度は低下せず、開口の幅はやはりＷ、となる。遮
光層２８をマスクとして、プラズマエツチングによって
塗布被膜２７をエツチングして開口を形成する。プラズ
マエツチングの方法としては特にイオンビームエツチン
グもしくはスパッタエツチング（逆スパツタリングとも
いう）が適当である。これらのエツチング方法によれば
、塗布被膜２７に開口を形成する際に、アンダーカット
の生ずることもなく、開口の側壁は遮光層２８の表面に
対してほぼ垂直となる。従って、塗布被膜２７に形成さ
れた開口の幅Ｗ２はホトマスク２４の黒部２５の幅Ｗ、
に非常に近い値となるにの後塗布被膜２７をマスクとし
て絶縁物もしくは導体の層２２をエツチングすると、形
成される開口の幅Ｗ、はＷ２に近く、シたがってホトマ
スク２４の黒部２５の幅Ｗ、にほぼ等しくなる。次い゛
で塗布被膜２７を除去すればよい。
光層２８をマスクとして、プラズマエツチングによって
塗布被膜２７をエツチングして開口を形成する。プラズ
マエツチングの方法としては特にイオンビームエツチン
グもしくはスパッタエツチング（逆スパツタリングとも
いう）が適当である。これらのエツチング方法によれば
、塗布被膜２７に開口を形成する際に、アンダーカット
の生ずることもなく、開口の側壁は遮光層２８の表面に
対してほぼ垂直となる。従って、塗布被膜２７に形成さ
れた開口の幅Ｗ２はホトマスク２４の黒部２５の幅Ｗ、
に非常に近い値となるにの後塗布被膜２７をマスクとし
て絶縁物もしくは導体の層２２をエツチングすると、形
成される開口の幅Ｗ、はＷ２に近く、シたがってホトマ
スク２４の黒部２５の幅Ｗ、にほぼ等しくなる。次い゛
で塗布被膜２７を除去すればよい。
以上のように本発明の方法を用いて、ホトエツチング法
によって配線基板２１の表面の微細加工を行うと、従来
法のような配線基板２１の表面の段差による悪影響を受
けることもなく、平坦な配線基板表面に対するのと同程
度の加工精度を保つことができる。すなわち、遮光層を
用いない従来法では段差を有する配線基板に対する加工
を行う場合は、段差部に入射した光が、配線基板表面に
斜に入射し、ホトマスク１４の黒部１５の下のマスク層
１３を感光させ、たとえばネガ型フォトレジストの場合
、開口部寸法はパターン寸法より小さくなる。この状態
を第２図に示す。このことから、たとえばＳｉウェハー
上でＫＴＦＲ（商品名）を用いての開口寸法は５〜６μ
幅が限度であり、本発明の方法ではＷ、は２〜３μ以上
でよく、加工精度はほぼ２倍に向上する。なお、１２は
マスク層下部の絶縁物もしくは導体層である。本発明で
塗布被膜２７が光を通しにくい場合は遮光層２８は必ず
しも必要でない。
によって配線基板２１の表面の微細加工を行うと、従来
法のような配線基板２１の表面の段差による悪影響を受
けることもなく、平坦な配線基板表面に対するのと同程
度の加工精度を保つことができる。すなわち、遮光層を
用いない従来法では段差を有する配線基板に対する加工
を行う場合は、段差部に入射した光が、配線基板表面に
斜に入射し、ホトマスク１４の黒部１５の下のマスク層
１３を感光させ、たとえばネガ型フォトレジストの場合
、開口部寸法はパターン寸法より小さくなる。この状態
を第２図に示す。このことから、たとえばＳｉウェハー
上でＫＴＦＲ（商品名）を用いての開口寸法は５〜６μ
幅が限度であり、本発明の方法ではＷ、は２〜３μ以上
でよく、加工精度はほぼ２倍に向上する。なお、１２は
マスク層下部の絶縁物もしくは導体層である。本発明で
塗布被膜２７が光を通しにくい場合は遮光層２８は必ず
しも必要でない。
また、マスク層２３として用いた場合もほぼ同様の効果
が得られる。
が得られる。
次に一つの実施例によりさらに具体的説明をする。第１
図を参照する。表面に段差を有する配線基板２１上に被
着されたＡｆｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔｉなどの金属またはそ
の合金などからなる導体層２２をホトエツチングによっ
て加工するために、ポリイミド樹脂やホトレジストなど
の高分子樹脂もしくは低融点ガラスなどの塗布被膜２７
を形成した状態を示す。平坦部での塗布被膜２７の厚さ
は配線基板の段差の高さと同等以上の値が適当である。
図を参照する。表面に段差を有する配線基板２１上に被
着されたＡｆｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔｉなどの金属またはそ
の合金などからなる導体層２２をホトエツチングによっ
て加工するために、ポリイミド樹脂やホトレジストなど
の高分子樹脂もしくは低融点ガラスなどの塗布被膜２７
を形成した状態を示す。平坦部での塗布被膜２７の厚さ
は配線基板の段差の高さと同等以上の値が適当である。
次に第１図の如＜１０００〜８０００１程度の厚さのＡ
Ｑ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗなどの金属もしくはその酸化
物からなる遮光層２８を被着し、さらにその上にＫＴＦ
Ｒ２ＯＭＲ（いずれも商品名）などのホトレジストから
なるマスク層２３を形成し、ホトマスク２４を重ねて露
光、現像する。
Ｑ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗなどの金属もしくはその酸化
物からなる遮光層２８を被着し、さらにその上にＫＴＦ
Ｒ２ＯＭＲ（いずれも商品名）などのホトレジストから
なるマスク層２３を形成し、ホトマスク２４を重ねて露
光、現像する。
次に（ｃ）の如く、マスク層２３によって遮光層２８を
エツチングし加工する。次に（ｄ）に示すようにスパッ
タエツチングもしくはイオンビームエツチングによって
、塗布被膜２７をエツチングする。エツチングのための
ガスは塗布被膜２７が高分子樹脂である場合、圧力が５
Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ〜５Ｘ１０−’ ＴｏｒｒのＡ
ｒもしくは０２．あるいはその混合ガスが適当であり、
塗布被膜２７が低融点ガラスである場合は圧力が５Ｘ１
０−”Ｔｏｒｒ〜５ Ｘ ’ｌ Ｏ−’ ＴｏｒｒのＡ
「もしくはフレオンガスもしくはその混合ガスが適当で
ある。次に（ｅ）に示すように塗布被膜２７をマスクと
して導体層２２をエツチングする。従来法では第２図に
示すようにホトマスク１４黒部１５の幅り、が５〜６μ
以上でないと、導体層１２に開口をあけることは困難で
あり、かつ加工精度も低かったが本発明の方法によれば
ホ１−マスク２４の黒部２５の幅Ｗ１は塗布被膜２７の
厚さの１．５倍以上であればよく、通常は２〜３μ以上
であれば開孔２９の形成は可能で、かつ加工精度も高い
。
エツチングし加工する。次に（ｄ）に示すようにスパッ
タエツチングもしくはイオンビームエツチングによって
、塗布被膜２７をエツチングする。エツチングのための
ガスは塗布被膜２７が高分子樹脂である場合、圧力が５
Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ〜５Ｘ１０−’ ＴｏｒｒのＡ
ｒもしくは０２．あるいはその混合ガスが適当であり、
塗布被膜２７が低融点ガラスである場合は圧力が５Ｘ１
０−”Ｔｏｒｒ〜５ Ｘ ’ｌ Ｏ−’ ＴｏｒｒのＡ
「もしくはフレオンガスもしくはその混合ガスが適当で
ある。次に（ｅ）に示すように塗布被膜２７をマスクと
して導体層２２をエツチングする。従来法では第２図に
示すようにホトマスク１４黒部１５の幅り、が５〜６μ
以上でないと、導体層１２に開口をあけることは困難で
あり、かつ加工精度も低かったが本発明の方法によれば
ホ１−マスク２４の黒部２５の幅Ｗ１は塗布被膜２７の
厚さの１．５倍以上であればよく、通常は２〜３μ以上
であれば開孔２９の形成は可能で、かつ加工精度も高い
。
マスク層２３としてポジタイプホトレジストを用いると
ホトマスクのパターンに対する開口とそうでない部分と
の関係が、ネガタイプホトレジストを用いた場合と逆に
なるだけであってやはり同じ効果が得られる。
ホトマスクのパターンに対する開口とそうでない部分と
の関係が、ネガタイプホトレジストを用いた場合と逆に
なるだけであってやはり同じ効果が得られる。
また導体層２２のかわりに絶縁層をエツチング加工する
場合も同様である。
場合も同様である。
第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図は従来法の
欠点を示す図である。 第 ／ 図 Ｃｅ） 第２図 ／１３
欠点を示す図である。 第 ／ 図 Ｃｅ） 第２図 ／１３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面に段差を有する基板上に、少なくとも上記段差の高
さに等しい厚さを有する加工層を形成して表面を平坦化
する工程と、所望の形状を有し。 かつ、上記加工層よりも耐ドライエツチング性の大きな
材料からなるマスク層を上記加工層上に形成する工程と
、上記マスク層をマスクにして上記加工層の露出された
部分をドライエツチングによって除去する工程と、上記
基板の露出された表面をエッチする工程を含むことを特
徴とする微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180514A JPS6084820A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180514A JPS6084820A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 微細加工方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219575A Division JPS5851412B2 (ja) | 1975-03-19 | 1975-03-19 | 半導体装置の微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084820A true JPS6084820A (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=16084583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180514A Pending JPS6084820A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084820A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107775A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-24 | Hitachi Ltd | Handotaisochino bisaikakohoho |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180514A patent/JPS6084820A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107775A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-24 | Hitachi Ltd | Handotaisochino bisaikakohoho |
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