JPH06148864A - 位相シフトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06148864A JPH06148864A JP29834892A JP29834892A JPH06148864A JP H06148864 A JPH06148864 A JP H06148864A JP 29834892 A JP29834892 A JP 29834892A JP 29834892 A JP29834892 A JP 29834892A JP H06148864 A JPH06148864 A JP H06148864A
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- JP
- Japan
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- phase shift
- film
- shifter
- shift mask
- light
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- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 位相シフトマスクにおいて、それほど転写マ
ージンが要求されない周辺回路パターン部分のシフター
膜は除去し、微細パターン部分のみシフター膜３を設け
る。 【効果】 周辺回路について、プロセス要因のサイジン
グを露光データ上で均一に処理を行うことにより、高精
度で微細パターンが容易に形成でき、かつそれを用いて
転写することで微細パターンの形成に有利になる。
ージンが要求されない周辺回路パターン部分のシフター
膜は除去し、微細パターン部分のみシフター膜３を設け
る。 【効果】 周辺回路について、プロセス要因のサイジン
グを露光データ上で均一に処理を行うことにより、高精
度で微細パターンが容易に形成でき、かつそれを用いて
転写することで微細パターンの形成に有利になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、写真製版法に適用さ
れる位相シフトマスクおよびその製造方法に関するもの
である。特に、フォトマスクにおける光が透過する部分
に、光の位相をシフトするシフター膜を形成した位相シ
フトマスクのシフター膜の製造方法に関するものであ
る。
れる位相シフトマスクおよびその製造方法に関するもの
である。特に、フォトマスクにおける光が透過する部分
に、光の位相をシフトするシフター膜を形成した位相シ
フトマスクのシフター膜の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の位相シフトマスクは、
ガラス基板上に、遮光性金属薄膜のパターンを形成した
フォトマスクにおいて、光が透過する部分に光の位相を
シフトさせるためのシフター膜となる所要のパターン膜
を形成したものである。
ガラス基板上に、遮光性金属薄膜のパターンを形成した
フォトマスクにおいて、光が透過する部分に光の位相を
シフトさせるためのシフター膜となる所要のパターン膜
を形成したものである。
【０００３】ここで、従来例による位相シフトマスクの
シフター膜の製造方法を図３（ａ）〜（ｃ）及び図４
（ｄ）、（ｅ）を参照しながら説明する。
シフター膜の製造方法を図３（ａ）〜（ｃ）及び図４
（ｄ）、（ｅ）を参照しながら説明する。
【０００４】図３（ａ）に示すように、ガラス基板１上
に、ガラス基板１のエッチングを防ぐために、エッチン
グストッパー層２（例えば、Ａｌ3Ｏ2）をスパッタ法に
よって形成する。
に、ガラス基板１のエッチングを防ぐために、エッチン
グストッパー層２（例えば、Ａｌ3Ｏ2）をスパッタ法に
よって形成する。
【０００５】次に、光の位相をシフトさせるためのシフ
ター膜３（例えば、ＳＯＧ）を塗布する。その後、半透
過遮光膜５（例えば、透過率１５％のＣｒ膜）をスパッ
タ法によって形成し、その上に電子線ポジ型レジスト６
を塗布する。
ター膜３（例えば、ＳＯＧ）を塗布する。その後、半透
過遮光膜５（例えば、透過率１５％のＣｒ膜）をスパッ
タ法によって形成し、その上に電子線ポジ型レジスト６
を塗布する。
【０００６】次に、電子線ビーム露光を行い現像する
と、図３（ｂ）に示すように、電子線ポジ型レジスト６
がパターニングされる。
と、図３（ｂ）に示すように、電子線ポジ型レジスト６
がパターニングされる。
【０００７】そのレジストパターンをマスクとして、図
３（ｃ）に示すように、半透過遮光膜５をエッチングし
て、続いてシフター膜３をエッチングすると、図３
（ｄ）に示すようになる。
３（ｃ）に示すように、半透過遮光膜５をエッチングし
て、続いてシフター膜３をエッチングすると、図３
（ｄ）に示すようになる。
【０００８】最後に、図３（ｅ）に示すように、電子線
ポジレジスト６を剥離する。そうすると、所期通りの位
相シフトマスクを得るのである。
ポジレジスト６を剥離する。そうすると、所期通りの位
相シフトマスクを得るのである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の位相シフトマスクでは、マスクパターン
サイズによって光の位相反転によるウエハ転写で得られ
る効果が異なるために、マスクパターンサイズによっ
て、サイジング量の最適化を行う必要があり、メモリセ
ルパターンでは均一なマスクパターンサイズであるが、
周辺回路パターンにおいてはマスクパターンサイズが多
様であるために、露光データ上あるいは露光時にサイジ
ングが同時に行えず、設計データ上でサイジングを行う
必要があるという問題点があった。
たような従来の位相シフトマスクでは、マスクパターン
サイズによって光の位相反転によるウエハ転写で得られ
る効果が異なるために、マスクパターンサイズによっ
て、サイジング量の最適化を行う必要があり、メモリセ
ルパターンでは均一なマスクパターンサイズであるが、
周辺回路パターンにおいてはマスクパターンサイズが多
様であるために、露光データ上あるいは露光時にサイジ
ングが同時に行えず、設計データ上でサイジングを行う
必要があるという問題点があった。
【００１０】この発明は、前述した問題点を解消するた
めになされたもので、周辺回路パターンのサイジングを
行うことなく、この種の位相シフトマスクおよびその製
造方法を得ることを目的とする。
めになされたもので、周辺回路パターンのサイジングを
行うことなく、この種の位相シフトマスクおよびその製
造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る位相シフトマスクは、ガラス基板上にパターンが形成
された遮光性金属薄膜、及びこの遮光性金属薄膜を通過
した光の位相を反転させるシフター膜を設けた位相シフ
トマスクにおいて、前記シフター膜は微細パターン部の
みに設けたものである。
る位相シフトマスクは、ガラス基板上にパターンが形成
された遮光性金属薄膜、及びこの遮光性金属薄膜を通過
した光の位相を反転させるシフター膜を設けた位相シフ
トマスクにおいて、前記シフター膜は微細パターン部の
みに設けたものである。
【００１２】この発明の請求項２に係る位相シフトマス
クの製造方法は、ガラス基板上に遮光性金属薄膜のパタ
ーンを形成すると共に、前記遮光性金属薄膜を通過した
光の位相を反転させるシフター膜を形成する位相シフト
マスクの製造方法において、前記遮光性金属膜及びシフ
ター膜を同時に一度の露光でパターンを形成する際、成
膜したシフター膜を任意に除去する工程を含むものであ
る。
クの製造方法は、ガラス基板上に遮光性金属薄膜のパタ
ーンを形成すると共に、前記遮光性金属薄膜を通過した
光の位相を反転させるシフター膜を形成する位相シフト
マスクの製造方法において、前記遮光性金属膜及びシフ
ター膜を同時に一度の露光でパターンを形成する際、成
膜したシフター膜を任意に除去する工程を含むものであ
る。
【００１３】
【作用】この発明においては、半導体素子の構造とし
て、メモリセル部分に比べて、周辺回路パターン部分で
は、高段差ではなく、それほど微細パターンでないため
に、光の位相反転効果によるウエハ転写マージンの拡大
がほとんど必要ないので、その部分のシフター膜は設け
ずに、形成したものである。すなわち、この発明は、ガ
ラス基板上にシフター膜を形成した後、前記周辺回路パ
ターン部分の領域のシフター膜を除去した上、遮光性金
属薄膜およびシフター膜でパターンを形成するものであ
る。従って、シフターパターンを形成する前に、周辺回
路パターン部分の領域のシフター膜を除去した上で、パ
ターンを形成するために、マスクパターン上の前記周辺
回路パターン部分にサイジング処理を行う必要がなく、
マスクを形成し得るのである。
て、メモリセル部分に比べて、周辺回路パターン部分で
は、高段差ではなく、それほど微細パターンでないため
に、光の位相反転効果によるウエハ転写マージンの拡大
がほとんど必要ないので、その部分のシフター膜は設け
ずに、形成したものである。すなわち、この発明は、ガ
ラス基板上にシフター膜を形成した後、前記周辺回路パ
ターン部分の領域のシフター膜を除去した上、遮光性金
属薄膜およびシフター膜でパターンを形成するものであ
る。従って、シフターパターンを形成する前に、周辺回
路パターン部分の領域のシフター膜を除去した上で、パ
ターンを形成するために、マスクパターン上の前記周辺
回路パターン部分にサイジング処理を行う必要がなく、
マスクを形成し得るのである。
【００１４】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１の製造
方法について図１及び図２を参照しながら説明する。図
１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ｄ）〜（ｇ）は、この発明
の実施例１の製造方法の主要な工程を示した位相シフト
マスクの断面図である。
方法について図１及び図２を参照しながら説明する。図
１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ｄ）〜（ｇ）は、この発明
の実施例１の製造方法の主要な工程を示した位相シフト
マスクの断面図である。
【００１５】図１（ａ）に示すように、ガラス基板１上
に、ガラス基板１のエッチングを防ぐために、エッチン
グストッパー層２（例えば、Ａｌ3Ｏ2）をスパッタ法に
より形成する。
に、ガラス基板１のエッチングを防ぐために、エッチン
グストッパー層２（例えば、Ａｌ3Ｏ2）をスパッタ法に
より形成する。
【００１６】次に、光の位相をシフトさせるためのシフ
ター膜３（例えば、ＳＯＧ）を塗布する。その後、電子
線ネガ型レジスト４を塗布する。
ター膜３（例えば、ＳＯＧ）を塗布する。その後、電子
線ネガ型レジスト４を塗布する。
【００１７】そして、図１（ｂ）に示すように、電子線
ビーム露光を行い、現像して、そのレジストパターンを
マスクとして、周辺回路パターン部分（例えば、電極）
のシフター膜３をエッチングし、除去すると図１（ｃ）
に示すようになる。
ビーム露光を行い、現像して、そのレジストパターンを
マスクとして、周辺回路パターン部分（例えば、電極）
のシフター膜３をエッチングし、除去すると図１（ｃ）
に示すようになる。
【００１８】次に、図２（ｄ）に示すように、半透過遮
光膜５（例えば、透過率１５％のＣｒ膜）をスパッタ法
によって形成し、その上に電子線ポジ型レジスト６を塗
布する。
光膜５（例えば、透過率１５％のＣｒ膜）をスパッタ法
によって形成し、その上に電子線ポジ型レジスト６を塗
布する。
【００１９】次に、電子線ビーム露光を行い、現像する
と、図２（ｅ）に示すように、レジストパターニングさ
れる。
と、図２（ｅ）に示すように、レジストパターニングさ
れる。
【００２０】そのレジストパターンをマスクとして、半
透過遮光膜５をエッチングし、続いて、シフター膜３を
エッチングすると図２（ｆ）に示すようになり、最後
に、図２（ｇ）に示すように電子線ポジ型レジスト６を
剥離する。
透過遮光膜５をエッチングし、続いて、シフター膜３を
エッチングすると図２（ｆ）に示すようになり、最後
に、図２（ｇ）に示すように電子線ポジ型レジスト６を
剥離する。
【００２１】このように図２（ｇ）に示すような、所期
通りの位相シフトマスクを得ることができるのである。
通りの位相シフトマスクを得ることができるのである。
【００２２】この発明の実施例１は、前述したように、
位相シフトマスクにおいて、それほど転写マージンが要
求されない周辺回路パターン部分のシフター膜は除去
し、微細パターン部分のみ、シフター膜３を設けるもの
である。すなわち、周辺回路について、プロセス要因の
サイジングを露光データ上で均一に、処理を行うことに
より、高精度で微細パターンが容易に形成でき、かつそ
れを用いて転写することで微細パターン形成に有利にな
るという効果を奏する。
位相シフトマスクにおいて、それほど転写マージンが要
求されない周辺回路パターン部分のシフター膜は除去
し、微細パターン部分のみ、シフター膜３を設けるもの
である。すなわち、周辺回路について、プロセス要因の
サイジングを露光データ上で均一に、処理を行うことに
より、高精度で微細パターンが容易に形成でき、かつそ
れを用いて転写することで微細パターン形成に有利にな
るという効果を奏する。
【００２３】
【発明の効果】この発明は、以上説明したとおり、位相
シフトマスクにおいて、微細なパターン部分のみにシフ
ター膜を形成することによって、それほど転写マージン
が要求されない周辺回路について、プロセス要因のサイ
ジングを露光データ上で均一に処理を行うことにより、
高精度な位相シフトマスクが容易に形成でき、かつそれ
を用いて転写することで微細パターンの形成に有利とな
る効果を奏する。
シフトマスクにおいて、微細なパターン部分のみにシフ
ター膜を形成することによって、それほど転写マージン
が要求されない周辺回路について、プロセス要因のサイ
ジングを露光データ上で均一に処理を行うことにより、
高精度な位相シフトマスクが容易に形成でき、かつそれ
を用いて転写することで微細パターンの形成に有利とな
る効果を奏する。
【図１】この発明の実施例１による位相シフトマスクの
製造過程の断面を示す図である。
製造過程の断面を示す図である。
【図２】この発明の実施例１による位相シフトマスクの
製造過程の断面を示す図である。
製造過程の断面を示す図である。
【図３】従来の位相シフトマスクの製造過程の断面を示
す図である。
す図である。
【図４】従来の位相シフトマスクの製造過程の断面を示
す図である。
す図である。
１ ガラス基板 ２ エッチングストッパー層 ３ シフター膜 ４ 電子線ネガ型レジスト ５ 半透過遮光膜 ６ 電子線ポジ型レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上にパターンが形成された遮
光性金属薄膜、及びこの遮光性金属薄膜を通過した光の
位相を反転させるシフター膜を設けた位相シフトマスク
において、前記シフター膜は微細パターン部のみに設け
たことを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 ガラス基板上に遮光性金属薄膜のパター
ンを形成すると共に、前記遮光性金属薄膜を通過した光
の位相を反転させるシフター膜を形成する位相シフトマ
スクの製造方法において、前記遮光性金属膜及びシフタ
ー膜を同時に一度の露光でパターンを形成する際、成膜
したシフター膜を任意に除去する工程を含むことを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29834892A JP2908649B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29834892A JP2908649B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148864A true JPH06148864A (ja) | 1994-05-27 |
| JP2908649B2 JP2908649B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17858519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29834892A Expired - Fee Related JP2908649B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908649B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641715A (en) * | 1994-02-24 | 1997-06-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor IC device fabricating method |
| KR100882730B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2009-02-06 | 주식회사 동부하이텍 | 마스크 제조 방법 |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP29834892A patent/JP2908649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641715A (en) * | 1994-02-24 | 1997-06-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor IC device fabricating method |
| KR100882730B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2009-02-06 | 주식회사 동부하이텍 | 마스크 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2908649B2 (ja) | 1999-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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